JPS5948876B2 - 放熱体の表面処理方法 - Google Patents
放熱体の表面処理方法Info
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- JPS5948876B2 JPS5948876B2 JP3140580A JP3140580A JPS5948876B2 JP S5948876 B2 JPS5948876 B2 JP S5948876B2 JP 3140580 A JP3140580 A JP 3140580A JP 3140580 A JP3140580 A JP 3140580A JP S5948876 B2 JPS5948876 B2 JP S5948876B2
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- JP
- Japan
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- heat
- plating
- porous
- heat sink
- plating layer
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Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
- F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
- F28F13/00—Arrangements for modifying heat-transfer, e.g. increasing, decreasing
- F28F13/18—Arrangements for modifying heat-transfer, e.g. increasing, decreasing by applying coatings, e.g. radiation-absorbing, radiation-reflecting; by surface treatment, e.g. polishing
- F28F13/185—Heat-exchange surfaces provided with microstructures or with porous coatings
- F28F13/187—Heat-exchange surfaces provided with microstructures or with porous coatings especially adapted for evaporator surfaces or condenser surfaces, e.g. with nucleation sites
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
- F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
- F28F2245/00—Coatings; Surface treatments
- F28F2245/06—Coatings; Surface treatments having particular radiating, reflecting or absorbing features, e.g. for improving heat transfer by radiation
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は沸騰冷却用放熱体の表面に電気化学的処理を施
して熱伝達率の優れた多孔質沸騰伝達面を形成する放熱
体の表面処理方法に関するものである。
して熱伝達率の優れた多孔質沸騰伝達面を形成する放熱
体の表面処理方法に関するものである。
沸騰冷却は放熱体より熱を冷媒潜熱により取去る冷却方
式で、従来の空気や油などの対流熱伝達を利用する冷却
方式と放熱体表面における熱伝達率を比較すれば、桁は
ずれに優れた特性をあられす。
式で、従来の空気や油などの対流熱伝達を利用する冷却
方式と放熱体表面における熱伝達率を比較すれば、桁は
ずれに優れた特性をあられす。
このために、沸騰冷却方式はわずかの表面積から多量の
熱を発生する熱流束の大きい大電力半導体素子などの冷
却に適している。
熱を発生する熱流束の大きい大電力半導体素子などの冷
却に適している。
沸騰冷却においては、熱伝達面の気泡の発生成長が活発
になる程沸騰熱伝達率が向上する。例えば、放熱体表面
に多数の空洞を形成せしめることにより気泡の発生、成
長が活発になり沸騰熱伝達率が向上する。これは平坦面
における沸騰では、加熱面付近の液フ体全体を加熱して
気泡周囲の液体を過熱状態にして気泡を成長させるのに
比較して、空洞をもつ表面においては空洞内で気泡が成
長するので、空洞内の液体膜が薄く液全体が過熱状態に
ならなくても、気泡周囲の液体は簡単に過熱状態になる
ため、気泡の生成が活発になり沸騰熱伝達率が向上する
。即ち、比熱密度及び熱伝達率が大きい固体壁に開口部
の直径が小さく深い空洞が存在し、大きい熱流束のもと
にあるときに気泡の成長が活発になり、高い沸騰熱伝達
率が得られる。この発明は以上の点を考慮してなされた
もので、沸騰熱伝達を利用する放熱体の表面にニッケル
鍍金やクロム鍍金などの多孔性鍍金を施したのちに、鍍
金金属を侵さない薬液中で電気化学的処理を行うことに
より、鍍金金属面に存在する多数の孔の下の下地金属を
溶解侵食して放熱体の表面に開口部が狭く深い空洞が存
在する多孔質層を形成せしめ、冷媒と接する放熱体の表
面熱伝達率を大幅に向上させる放熱体の表面処理方法を
堤供する。
になる程沸騰熱伝達率が向上する。例えば、放熱体表面
に多数の空洞を形成せしめることにより気泡の発生、成
長が活発になり沸騰熱伝達率が向上する。これは平坦面
における沸騰では、加熱面付近の液フ体全体を加熱して
気泡周囲の液体を過熱状態にして気泡を成長させるのに
比較して、空洞をもつ表面においては空洞内で気泡が成
長するので、空洞内の液体膜が薄く液全体が過熱状態に
ならなくても、気泡周囲の液体は簡単に過熱状態になる
ため、気泡の生成が活発になり沸騰熱伝達率が向上する
。即ち、比熱密度及び熱伝達率が大きい固体壁に開口部
の直径が小さく深い空洞が存在し、大きい熱流束のもと
にあるときに気泡の成長が活発になり、高い沸騰熱伝達
率が得られる。この発明は以上の点を考慮してなされた
もので、沸騰熱伝達を利用する放熱体の表面にニッケル
鍍金やクロム鍍金などの多孔性鍍金を施したのちに、鍍
金金属を侵さない薬液中で電気化学的処理を行うことに
より、鍍金金属面に存在する多数の孔の下の下地金属を
溶解侵食して放熱体の表面に開口部が狭く深い空洞が存
在する多孔質層を形成せしめ、冷媒と接する放熱体の表
面熱伝達率を大幅に向上させる放熱体の表面処理方法を
堤供する。
第１図はこの発明を実施した放熱体を半導体素子の冷却
に用いた沸騰冷却整流装置の一例を示すもので、本装置
は平形半導体素子１の両面に銅などの電気的、熱的良伝
導材からなる放熱体２が設けられ、図示されていない圧
接機構によつて圧接されている。
に用いた沸騰冷却整流装置の一例を示すもので、本装置
は平形半導体素子１の両面に銅などの電気的、熱的良伝
導材からなる放熱体２が設けられ、図示されていない圧
接機構によつて圧接されている。
放熱体２は、第２図に示すように内部に突出部３および
中空部４を有する密閉構造とし、中空部４には例えばト
リクロロトリフルオロエタンなどの冷媒５が満されてい
る。放熱体２から熱を吸収し気相となつた冷媒５は管６
を経由して凝縮器７に至り、冷却されて液相となり管８
を経由して再び放熱体２に戻る。第３図ａ−ｃは放熱体
２の放熱面９にこの発明が実施される過程を示している
。
中空部４を有する密閉構造とし、中空部４には例えばト
リクロロトリフルオロエタンなどの冷媒５が満されてい
る。放熱体２から熱を吸収し気相となつた冷媒５は管６
を経由して凝縮器７に至り、冷却されて液相となり管８
を経由して再び放熱体２に戻る。第３図ａ−ｃは放熱体
２の放熱面９にこの発明が実施される過程を示している
。
第３図ａは表面処理前の状態を示し、第３図ｂは第３図
ａに示す放熱面９にニツケル鍍金などの多孔性鍍金１０
を施したあとの状態を示している。放熱面９にニツケル
鍍金などの多孔性鍍金］０を施すと鍍金面に素地に達す
る多数の孔１１が形成される。第３図Ｃは、多孔性鍍金
１０を施した放熱体２を多孔性鍍金金属１０を侵さない
薬液中に浸漬し、電解などの電気化学的処理を行つて鍍
金面の孔１１の下に存在する放熱面９を溶解侵食させ、
開口部が狭く深い空洞１２が存在する多孔質層を放熱面
９に形成させた状態を示している。多孔性鍍金は、ニツ
ケル鍍金またはクロム鍍金を５〜１０μｍ行うのが滴し
ている。硫酸ニツケル浴から析出するニツケル鍍金の有
孔度は２０〜８０個／Ａｆｆであり、鍍金条件を変える
ことによつて種々の有孔度をもつた鍍金皮膜を形成させ
ることができる。多孔性鍍金を施した放熱体に電気化学
的処理を行つて鍍金皮膜上の孔の下に存在する下地金属
を溶解させる場合、鍍金金属を侵さず鍍金の下地金属を
侵す薬液を使用する。多孔性鍍金がニツケル鍍金である
場合、この目的にあつた薬液として、下地金属がアルミ
ニウム、アルミニウム合金あるいは亜鉛である場合には
水酸化ナトリウム溶液が適している。また、下地金属が
銅である場合にはシアン化ナトリウム溶液が適している
。多孔性鍍金金属が下地金属より貴な電位を有する金属
である場合には、鍍金金属と下地金属は鍍金金属面の孔
に存在する電解液を介して電池を形成するが、この際、
貴な電位を有する鍍金金属がカソードとなり、一方卑な
電位を有する下地金属はアノードとして働くために、電
池作用腐食によつて下地金属は急速に腐食され鍍金金属
面の孔の下に大きな腐食孔が生成する。第４図は放熱体
２の沸騰熱伝達面９に本発明の他の実施例が実施された
過程を示している。
ａに示す放熱面９にニツケル鍍金などの多孔性鍍金１０
を施したあとの状態を示している。放熱面９にニツケル
鍍金などの多孔性鍍金］０を施すと鍍金面に素地に達す
る多数の孔１１が形成される。第３図Ｃは、多孔性鍍金
１０を施した放熱体２を多孔性鍍金金属１０を侵さない
薬液中に浸漬し、電解などの電気化学的処理を行つて鍍
金面の孔１１の下に存在する放熱面９を溶解侵食させ、
開口部が狭く深い空洞１２が存在する多孔質層を放熱面
９に形成させた状態を示している。多孔性鍍金は、ニツ
ケル鍍金またはクロム鍍金を５〜１０μｍ行うのが滴し
ている。硫酸ニツケル浴から析出するニツケル鍍金の有
孔度は２０〜８０個／Ａｆｆであり、鍍金条件を変える
ことによつて種々の有孔度をもつた鍍金皮膜を形成させ
ることができる。多孔性鍍金を施した放熱体に電気化学
的処理を行つて鍍金皮膜上の孔の下に存在する下地金属
を溶解させる場合、鍍金金属を侵さず鍍金の下地金属を
侵す薬液を使用する。多孔性鍍金がニツケル鍍金である
場合、この目的にあつた薬液として、下地金属がアルミ
ニウム、アルミニウム合金あるいは亜鉛である場合には
水酸化ナトリウム溶液が適している。また、下地金属が
銅である場合にはシアン化ナトリウム溶液が適している
。多孔性鍍金金属が下地金属より貴な電位を有する金属
である場合には、鍍金金属と下地金属は鍍金金属面の孔
に存在する電解液を介して電池を形成するが、この際、
貴な電位を有する鍍金金属がカソードとなり、一方卑な
電位を有する下地金属はアノードとして働くために、電
池作用腐食によつて下地金属は急速に腐食され鍍金金属
面の孔の下に大きな腐食孔が生成する。第４図は放熱体
２の沸騰熱伝達面９に本発明の他の実施例が実施された
過程を示している。
第４図ａは表面処理前の平坦な放熱面９を示している。
第４図ｂは第４図ａに示す放熱面９に放熱体２を構成す
る金属及び多孔性鍍金よりも卑な電位を有する金属で鍍
金をして中間鍍金１３を設けた状態を示している。第４
図Ｃは中間鍍金１３の表面にニッケル鍍金やクロム鍍金
などの多孔性鍍金１０を設けた状態を示し、多孔性鍍金
１０の表面には中間鍍金１３の表面に達する多数の孔１
１が存在している。第４図ｄは、多孔性鍍金層１０が設
けられた放熱体２を多孔性鍍金層１０を侵さない薬液中
に浸漬し、電解などの電気化学的処理を行つて多孔性鍍
金層１０の孔１１の下に存在する中間鍍金金属層１３を
溶解侵食させ、開口部が狭く深い空洞１２が存在する多
孔質層を形成させた状態を示している。放熱体を構成す
る金属が銅または銅合金であり、多孔性鍍金がニツケル
鍍金である場合には、中間鍍金金属として亜鉛，カドミ
ウムおよび錫などが適しいる。
第４図ｂは第４図ａに示す放熱面９に放熱体２を構成す
る金属及び多孔性鍍金よりも卑な電位を有する金属で鍍
金をして中間鍍金１３を設けた状態を示している。第４
図Ｃは中間鍍金１３の表面にニッケル鍍金やクロム鍍金
などの多孔性鍍金１０を設けた状態を示し、多孔性鍍金
１０の表面には中間鍍金１３の表面に達する多数の孔１
１が存在している。第４図ｄは、多孔性鍍金層１０が設
けられた放熱体２を多孔性鍍金層１０を侵さない薬液中
に浸漬し、電解などの電気化学的処理を行つて多孔性鍍
金層１０の孔１１の下に存在する中間鍍金金属層１３を
溶解侵食させ、開口部が狭く深い空洞１２が存在する多
孔質層を形成させた状態を示している。放熱体を構成す
る金属が銅または銅合金であり、多孔性鍍金がニツケル
鍍金である場合には、中間鍍金金属として亜鉛，カドミ
ウムおよび錫などが適しいる。
亜鉛，カドミウムおよび錫は、銅銅合金およびニツケル
に対して卑な電位を有しており、多孔性鍍金を施した放
熱体に電気化学的処理を行つて多孔性鍍金層の孔の下に
存在する下地金属を溶解させる場合、電解液の種類を選
ぶことによつて中間鍍金層を選択的に溶解させて空洞を
形成させることや、第４図ｅに示した如く中間鍍金層１
３および放熱体２の放熱面の一部に腐食孔１４を形成さ
せることが可能である。次にこの発明の具体的実施例を
示す。
に対して卑な電位を有しており、多孔性鍍金を施した放
熱体に電気化学的処理を行つて多孔性鍍金層の孔の下に
存在する下地金属を溶解させる場合、電解液の種類を選
ぶことによつて中間鍍金層を選択的に溶解させて空洞を
形成させることや、第４図ｅに示した如く中間鍍金層１
３および放熱体２の放熱面の一部に腐食孔１４を形成さ
せることが可能である。次にこの発明の具体的実施例を
示す。
実施例 １
銅を母材とする放熱体の放熱面をアルカリ脱脂，酸洗い
などによつて清浄化したのち、硫酸ニツケル２４０ｇ／
１，塩化ニツケル４５ｇ／１，硼酸１０ノｇ／１，フツ
化ナトリウム０．５ｍ０１／１，ＰＨ５．０，浴温４５
℃の条件下で放熱体を陰極、デポライズドニツケル極板
を陽極として陰極電流密度４Ａ／Ｄｍ茸で２０分間鍍金
を行い、１２μｍのニツケル鍍金を放熱体熱伝達面に電
着させた。
などによつて清浄化したのち、硫酸ニツケル２４０ｇ／
１，塩化ニツケル４５ｇ／１，硼酸１０ノｇ／１，フツ
化ナトリウム０．５ｍ０１／１，ＰＨ５．０，浴温４５
℃の条件下で放熱体を陰極、デポライズドニツケル極板
を陽極として陰極電流密度４Ａ／Ｄｍ茸で２０分間鍍金
を行い、１２μｍのニツケル鍍金を放熱体熱伝達面に電
着させた。
ニツケル鍍金の有孔７度は約５０個／Ｃｆｆｆであつた
。次に、シアン化ナトリウム９０ｇ／１，水酸化ナトリ
ウム１５ｇハ溶液中で放熱体を陽極、鉄板を陰極として
常温で電解を行いニツケル鍍金の孔を通して銅素地を腐
食溶解させて放熱体熱伝達面に多数の空洞を有する多孔
質ク層を形成させた。実施例 ２ 銅を母材とする放熱体の放熱面をアルカリ脱脂，酸洗い
などの前処理を行つて清浄化したのち、シアン化亜塩６
０ｇ／１，シアン化ナトリウム４０ｇ／１，水酸化ナト
リウム８０ｇ／１，浴温３０℃の条件下で放熱体を陰極
、亜鉛板を陽極として陰極電流密度２Ａ／Ｄｍ２で１５
０分間電解を行い、約５０μｍの亜鉛を放熱面上に電着
させたものを、更に、硫酸ニツケル２４０ｇ／１，塩化
ニツケル４５ｇ／１，ホウ酸１５ｇ／１，フツ化ナトリ
ウム０．５ｍ０１／１，ＰＨ５．２、浴温５５℃のニツ
ケル鍍金浴中で陰極電流密度６Ａ／Ｄｍ２で１０分間鍍
金を行い、約１０μｍの多孔性ニツケル鍍金を電着させ
た。
。次に、シアン化ナトリウム９０ｇ／１，水酸化ナトリ
ウム１５ｇハ溶液中で放熱体を陽極、鉄板を陰極として
常温で電解を行いニツケル鍍金の孔を通して銅素地を腐
食溶解させて放熱体熱伝達面に多数の空洞を有する多孔
質ク層を形成させた。実施例 ２ 銅を母材とする放熱体の放熱面をアルカリ脱脂，酸洗い
などの前処理を行つて清浄化したのち、シアン化亜塩６
０ｇ／１，シアン化ナトリウム４０ｇ／１，水酸化ナト
リウム８０ｇ／１，浴温３０℃の条件下で放熱体を陰極
、亜鉛板を陽極として陰極電流密度２Ａ／Ｄｍ２で１５
０分間電解を行い、約５０μｍの亜鉛を放熱面上に電着
させたものを、更に、硫酸ニツケル２４０ｇ／１，塩化
ニツケル４５ｇ／１，ホウ酸１５ｇ／１，フツ化ナトリ
ウム０．５ｍ０１／１，ＰＨ５．２、浴温５５℃のニツ
ケル鍍金浴中で陰極電流密度６Ａ／Ｄｍ２で１０分間鍍
金を行い、約１０μｍの多孔性ニツケル鍍金を電着させ
た。
次にこれを７０℃に加熱した７０ｇ／１水酸化ナトリウ
ム溶液中に浸漬し、中間層の亜鉛鍍金を侵食溶解させ、
放熱体熱伝達面に多数の空洞を有する多孔質層を形成さ
せた。第５図は従来の平坦な放熱面とこの発明の実施例
２による放熱面における沸騰特性を示す説明図で、実線
Ａは従来の放熱面における素子当りの発熱量に対する熱
抵抗、実線Ｂはこの発明による素子当りの発熱量に対す
る熱抵抗を示す。
ム溶液中に浸漬し、中間層の亜鉛鍍金を侵食溶解させ、
放熱体熱伝達面に多数の空洞を有する多孔質層を形成さ
せた。第５図は従来の平坦な放熱面とこの発明の実施例
２による放熱面における沸騰特性を示す説明図で、実線
Ａは従来の放熱面における素子当りの発熱量に対する熱
抵抗、実線Ｂはこの発明による素子当りの発熱量に対す
る熱抵抗を示す。
第５図から明らかなように、実施例２の表面処理を行つ
た放熱面は、熱抵抗が小さく半導体素子のように小２さ
な表面積から多量の熱を発生するものを冷却する場合に
は非常に有利である。以上のようにこの発明は、沸騰熱
伝達を利用する放熱体の放熱面に多孔性鍍金層を設け、
薬液で放熱面を溶解侵食して放熱面に開口部が狭く奥行
２の深い空洞が存在する多孔質層を形成することによつ
て、放熱体の熱伝達特性を著しく向上させたものであり
、大電力半導体素子の冷却などのように小さな表面から
高密度の発生熱を有するものを有効に冷却することが可
能で、装置構成上放熱体３を小形軽量化する場合に極め
て有効である。
た放熱面は、熱抵抗が小さく半導体素子のように小２さ
な表面積から多量の熱を発生するものを冷却する場合に
は非常に有利である。以上のようにこの発明は、沸騰熱
伝達を利用する放熱体の放熱面に多孔性鍍金層を設け、
薬液で放熱面を溶解侵食して放熱面に開口部が狭く奥行
２の深い空洞が存在する多孔質層を形成することによつ
て、放熱体の熱伝達特性を著しく向上させたものであり
、大電力半導体素子の冷却などのように小さな表面から
高密度の発生熱を有するものを有効に冷却することが可
能で、装置構成上放熱体３を小形軽量化する場合に極め
て有効である。
また、この発明は特殊な機械加工技術や表面加工技術を
必要とせず、通常利用されている表面処理方法によつて
沸騰熱伝達率の極めて優れた放熱体を多量かつ安価に製
造しうる利点を有し、工業的価値が非常に高い。
必要とせず、通常利用されている表面処理方法によつて
沸騰熱伝達率の極めて優れた放熱体を多量かつ安価に製
造しうる利点を有し、工業的価値が非常に高い。
第１図はこの発明を実施した放熱体を半導体素子の冷却
に利用した沸騰冷却装置の断面図、第２図は第１図に用
いた放熱体の断面図、第３図はこの発明の一実施例の表
面処理過程を示す断面図で、第３図ａは処理前の放熱面
の状態、第３図ｂは放熱面に多孔性鍍金を施した状態、
第３図Ｃは第３図ｂの状態で、更に電解処理を行つて多
孔質層を形成させた放熱面の状態を表わしている。 第４図はこの発明の他の実施例の表面処理過程を示す断
面図で、第４図ａは実施前の放熱面の状態、第４図ｂは
放熱面に中間鍍金層を形成した状態、第４図Ｃは中間鍍
金層上に、更に多孔性鍍金層を形成した状態、第４図ｄ
は薬液処理を行つて中間鍍金層を侵食溶解させて空洞を
形成させた状態、第４図ｅは放熱面も侵食溶解された状
態を示す。第５図は従来の平坦な放熱面とこの発明によ
つて表面処理された放熱面の沸騰特性を示すす説明図で
ある。図中、１は半導体素子、２は放熱体、５は冷媒、
９は放熱体の放熱面、１０は多孔性鍍金層、１２は放熱
体の放熱面に形成された空洞である。
に利用した沸騰冷却装置の断面図、第２図は第１図に用
いた放熱体の断面図、第３図はこの発明の一実施例の表
面処理過程を示す断面図で、第３図ａは処理前の放熱面
の状態、第３図ｂは放熱面に多孔性鍍金を施した状態、
第３図Ｃは第３図ｂの状態で、更に電解処理を行つて多
孔質層を形成させた放熱面の状態を表わしている。 第４図はこの発明の他の実施例の表面処理過程を示す断
面図で、第４図ａは実施前の放熱面の状態、第４図ｂは
放熱面に中間鍍金層を形成した状態、第４図Ｃは中間鍍
金層上に、更に多孔性鍍金層を形成した状態、第４図ｄ
は薬液処理を行つて中間鍍金層を侵食溶解させて空洞を
形成させた状態、第４図ｅは放熱面も侵食溶解された状
態を示す。第５図は従来の平坦な放熱面とこの発明によ
つて表面処理された放熱面の沸騰特性を示すす説明図で
ある。図中、１は半導体素子、２は放熱体、５は冷媒、
９は放熱体の放熱面、１０は多孔性鍍金層、１２は放熱
体の放熱面に形成された空洞である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 放熱体の放熱面に多孔性鍍金層を設け、薬液で上記
放熱面を溶解侵食して上記放熱面に空洞を形成させるこ
とを特徴とする放熱体の表面処理方法。 ２ 多孔性鍍金層が放熱体より貴な電位を有する金属で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の放熱
体の表面処理方法。 ３ 放熱体の放熱面に中間鍍金層を設け、上記中間鍍金
層上に上記中間鍍金層より貴な電位を有する金属の多孔
性鍍金属を設けた後、上記中間鍍金層を薬液で溶解侵食
して上記中間鍍金層に空洞を形成させることを特徴とす
る放熱体の表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3140580A JPS5948876B2 (ja) | 1980-03-11 | 1980-03-11 | 放熱体の表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3140580A JPS5948876B2 (ja) | 1980-03-11 | 1980-03-11 | 放熱体の表面処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56127791A JPS56127791A (en) | 1981-10-06 |
| JPS5948876B2 true JPS5948876B2 (ja) | 1984-11-29 |
Family
ID=12330342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3140580A Expired JPS5948876B2 (ja) | 1980-03-11 | 1980-03-11 | 放熱体の表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5948876B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58193097A (ja) * | 1982-05-06 | 1983-11-10 | Agency Of Ind Science & Technol | 沸騰伝熱面の製造方法 |
| JPS58194399A (ja) * | 1982-05-08 | 1983-11-12 | 三菱電機株式会社 | 沸騰冷却装置の放熱体の表面加工方法 |
| JPS59215797A (ja) * | 1983-03-24 | 1984-12-05 | ユ−オ−ピ−・インコ−ポレ−テツド | 増強核沸騰面テ−プ及び電子部品の冷却 |
| JP2667146B2 (ja) * | 1985-03-04 | 1997-10-27 | 松下冷機株式会社 | 熱交換器の製造方法 |
| JPS63126706U (ja) * | 1987-02-04 | 1988-08-18 | ||
| CN100412495C (zh) * | 2005-06-17 | 2008-08-20 | 周惠敏 | 带覆层的热交换器 |
| FR2945337B1 (fr) * | 2009-05-06 | 2012-05-25 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif d'echange thermique a coefficient d'echange thermique augmente et procede de realisation d'un tel dispositif |
| FI20106217L (fi) * | 2010-11-18 | 2012-05-19 | Perlos Oyj | Menetelmä ja kuoriosa |
| JP6209891B2 (ja) * | 2013-07-29 | 2017-10-11 | アイシン精機株式会社 | 冷却用部材の製造方法 |
| CN110820023A (zh) * | 2019-10-29 | 2020-02-21 | 苏州胜利精密制造科技股份有限公司 | 超精密微结构散热片的制备方法 |
-
1980
- 1980-03-11 JP JP3140580A patent/JPS5948876B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56127791A (en) | 1981-10-06 |
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