JPS58144471A - 真空処理装置に於けるサブストレ−ト保持装置 - Google Patents

真空処理装置に於けるサブストレ−ト保持装置

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Publication number
JPS58144471A
JPS58144471A JP2450582A JP2450582A JPS58144471A JP S58144471 A JPS58144471 A JP S58144471A JP 2450582 A JP2450582 A JP 2450582A JP 2450582 A JP2450582 A JP 2450582A JP S58144471 A JPS58144471 A JP S58144471A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
holder
evaporation source
guide rail
attached
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2450582A
Other languages
English (en)
Inventor
Isao Saito
斉藤 勇夫
Susumu Ii
伊井 享
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ulvac Inc
Original Assignee
Ulvac Inc
Nihon Shinku Gijutsu KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ulvac Inc, Nihon Shinku Gijutsu KK filed Critical Ulvac Inc
Priority to JP2450582A priority Critical patent/JPS58144471A/ja
Publication of JPS58144471A publication Critical patent/JPS58144471A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • C23C14/505Substrate holders for rotation of the substrates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は主として真空蒸着を行なう真空処理装置に適し
たサブストレートの保持装置に関する。
一般に真空処理室内でサブストレートを移動さぞこれに
蒸発源力・らの蒸発物質を均等に附着さぜることは行な
われているが、この場合サブストレートを取付けたホル
ダを、該サブストレートの処理面を下方に向けつつm蒸
発源の周囲を上下に旋回さぞ、蒸着中に該処理面にゴミ
が附着してピンホール等を有する不良品となることを防
止することが好ましく、さらにこれと同時に蒸着効率が
向上されるものであることが好ましい。
本発明はこれに適した装置を提供することを目的とした
もので、蒸発源を備えたX22処理室内に、サブストレ
ートを取付けたホルダを、該サブストレートの処理面を
下方に向けつつ該蒸発源の周囲を上下に旋回させるよう
にしたものに於て、該ホルダの旋回軌道の上方部分の側
部に沿って略円弧状の案内レールを設け、該ホルダに、
該案内レールに摺接して前記処理面を該蒸発源側に向け
るべく該ホルダを傾動するカムを設けて成る。
本発明の実施例を別紙図(3)につき説明するに、(1
)は内部に蒸発源+21 (2+を備えた真空処理室、
(3)は該室(1)円に設けられた平板状のホルダを示
し、該ホルダ(31は該室(1)内に例えば複数個用意
されてその各−側面(3a)にサブストレートaが取付
けられる。(4)は該処理室(1)の−側に設けた上下
に回転する回転板で、これにホルダ(3)から腕片(6
)を介して設けられた支軸(6)が回動自在に且つ側面
(3a)か1万を向くようにバランスを取って枢着され
、該回転板(4)か該室(1)を内外に挿通する駆動軸
(7)により回転されると各ホルダ(3)にこれに取付
けたサブストレートaの処理面すを下方に向けつつ蒸発
源+21 (2)の周囲を上下に円形の旋回軌道(8)
を描いて旋回する。(9Jは該旋回軌道(8)の上方部
分(8a)の側部に沿って設けた略円弧状の案内レール
、QGは前記ホルダ(3)の支軸(6)に取付けられた
左右1対のローラ(10a) (10a)から成るカム
を示し、該ホルダ(3)が旋回軌道(8)に沿って上方
へ旋回するときは一力のローラ110a)がvI案内円
レール9)に摺接して支軸(6)を回動させ、これに伴
なってホルダ(3)の−面(3a)か蒸発源(2)の方
向に傾動し、頂部を過ぎてホルダ(3)か−十万に旋回
するときは他方のローラ(10a)が該レール(9)に
摺接して支軸(6)を逆転させ、該1lll向(3a)
が同様に蒸発源(2)の方向に傾動する。
尚、図示のものでは案内レール(9)を旋回軌道(8)
の上方部分(8a)の外方に設けるようにしたが、内方
に設けても支障はない。α◇ねヒーlである。
その作動を説明するに、回転板(4)の回転で上方へ旋
回するホルダ(3)ニこれと一体のカム(3)の案内レ
ール(9)に摺接することにより#4動し、その側(3
)(3a]を蒸発源(2)に向けるもので、これに伴な
い鉄脚1面(3a)に取付けられたサブストレートaの
処理面すも蒸発源(2)を向き、この状態は該ホルダ(
3)が旋回軌道の頂部を過ぎて底部へと旋回する途中ま
で持続させ得、かくて該蒸発源(2)〃・らの蒸発物質
の蒸着率が向上し、また底部を旋回するときはホルダ(
3)の側面(3a)が下方を向いてサブストレー)aの
処理1iIbへのゴミの附着を防止し得てピンホール勢
を生ずることもない。尚実験によれはサブストレートa
の処理面すを蒸発源(2)に向けて傾動させることによ
り蒸着率を傾動さ一+!:f!、い場合に比べて約1.
3侶に向上させ得た。
このように本発明によるときはサブストレートにその処
理面を下方に向は乍ら蒸発源の周囲を上下に旋回し、そ
の旋回の上方位置では案内レールとカムとの摺接で該処
理面を蒸発源方向に向けるので繭記し喪ような処理面の
ピンホールの発生を防げると共に蒸発物質の蒸着効率を
向上させ得処理時間を短縮させ得る等の効果かある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明装置の1例を示す裁断tt1i面図、第
2図は七のu−nfIMm血図である。 (1)・・・真空処理室、  (2)・・・蒸発源、(
3)・・・ホルダ、     a・・・サブストレート
、(8)・・・旋回軌道、   (9)・・・案内レー
ル、(8++1  ・・・上方部分1.  (10・・
・カム。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 蒸発源を備えた真空処理室内に、サブストレートを取付
    けたホルダを、該サブストレートの処理面を下方に向け
    つつ該蒸発源の周囲を上下に旋回させるようにしたもの
    に於て、該ホルダの旋回軌道の上方部分の側部に沿って
    略円弧状の案内レールを設け、該ホルダに、該案内レー
    ルに摺接して前記処理面を該蒸発源側に向けるべく該ホ
    ルダを傾動するカムを設けて成る真空処理装置に於ける
    サブストレート保持装置。
JP2450582A 1982-02-19 1982-02-19 真空処理装置に於けるサブストレ−ト保持装置 Pending JPS58144471A (ja)

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JP2450582A JPS58144471A (ja) 1982-02-19 1982-02-19 真空処理装置に於けるサブストレ−ト保持装置

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JP2450582A JPS58144471A (ja) 1982-02-19 1982-02-19 真空処理装置に於けるサブストレ−ト保持装置

Publications (1)

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JPS58144471A true JPS58144471A (ja) 1983-08-27

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ID=12140042

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JP2450582A Pending JPS58144471A (ja) 1982-02-19 1982-02-19 真空処理装置に於けるサブストレ−ト保持装置

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JP (1) JPS58144471A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102312203A (zh) * 2010-07-01 2012-01-11 向熙科技股份有限公司 可使工件摇摆的真空镀膜系统及摇摆载具
CN102560372A (zh) * 2010-12-21 2012-07-11 向熙科技股份有限公司 多层薄膜备制系统及其方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5638824A (en) * 1979-08-17 1981-04-14 Fujitsu Ltd Rotary type evaporation device

Patent Citations (1)

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