JPS61217571A - 薄膜形成装置 - Google Patents

薄膜形成装置

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Publication number
JPS61217571A
JPS61217571A JP6014385A JP6014385A JPS61217571A JP S61217571 A JPS61217571 A JP S61217571A JP 6014385 A JP6014385 A JP 6014385A JP 6014385 A JP6014385 A JP 6014385A JP S61217571 A JPS61217571 A JP S61217571A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
thin film
vapor
vapor deposition
film forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6014385A
Other languages
English (en)
Inventor
Isao Hashimoto
勲 橋本
Yuzo Oka
岡 勇蔵
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP6014385A priority Critical patent/JPS61217571A/ja
Publication of JPS61217571A publication Critical patent/JPS61217571A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、金属材料の表面に蒸着膜を形成するとともに
、イオン注入をおこなう薄膜形成装置に関する。
〔発明の背景〕
近年、金属切削工具用の超硬工具をうるために、金属材
料の表面に蒸着BI1.を形成するとともに、イオンビ
ームを用いてイオンを拡散させ、硬度の大きな薄膜をう
る方法が開発されている。このような蒸着膜の形成とイ
オンの注入とを同時におこなう薄膜形成装置は、特開昭
58−2022号公報や特開昭59−20465号公報
に開示されているように、第4図のような構成となって
いる。
第4図において真空容器10は、排気装置12が接続さ
れており、内部−,高真空にできるようになっている。
そして、真空容器10の下部には、蒸着装置14が配設
されるとともに、イオン源16が傾むけて設けられてい
る。蒸着装置14の上方には、試料保持台18が蒸着装
置14とイオン源16とを臨むように傾むいて配置され
、この試料保持台18に試料20が下向きに付けられる
試料保持台18は、駆動装置22により矢印24に示す
如く回転するようになっている。また、試料ン◇の表面
に近く膜厚計26と7アラデイカツプ28とが設けであ
る。ファラデイカツブ28は、イオンビ・−ム30内に
配置され、イオンビーム30の強度を検出する。
上記の如く構成しである従来の薄膜形成装置においては
、排気装置12により真空容器10内を排気し、試料が
20を装着した保持台18を駆動装置22により回転す
る。そして、試料20の表。
面に蒸着装置14により蒸着膜を形成するとともに、イ
オン源16からイオンビーム30t−試料20の表面に
照射し、イオンの注入をおこなう。
しかし、従来の薄膜形成装置においては、試料20に蒸
着蒸気とイオンビームとを同時に供給するようにしであ
るため、蒸着装置14とイオン源16とを近接して設け
なければならず、次のような欠点を生ずる。
装置が大型化するのに伴h1イオンビーム30の一部が
蒸着装置14に妨げられ、試料20にイオンビーム30
i一様に照射することができない。
そして、イオンビーム30と蒸着装置14との干渉を避
けるため、蒸着装置14とイオン源16との距離を大き
くすると、試料20へのイオンビーム30と蒸着蒸気の
試料20への入射角度が斜め入射となり、効率が悪くな
る。また、蒸着蒸気とイオンビーム30とを同時に試料
20への表面に供給しているため、イオンビーム30と
蒸着蒸気との相互干渉により、ファラデイカツブ28に
よるイオンビーム30の精密な測定や、膜厚計26によ
る膜厚の精密な測定が困難となる欠点があつ六。
〔発明の目的〕
本発明は、大きな試料に対しても効率よく薄膜を形成す
ることができる薄膜形成装置を提供することを目的とす
る。
〔発明の概要〕
本発明は、蒸着膜の形成とイオンの注入とを交互におこ
なっても、蒸着膜の形成とイオンの注入とを同時におこ
なった場合と同一の膜を形成することができる点に注目
してなされたもので、試料″t−g着蒸気中、(イオン
ビーム中とを交互に移動させ、試料表面に蒸着蒸気とイ
オンビームとが垂直に入射できるようにして、大型の試
料であっても効率よく薄膜を形成できるように構成した
ものである。
〔発明の実施例〕
本発明に係る薄膜形成装置の好ましい実施例を、添付図
面に従って詳説する。なお、前記従来技術において説明
した部分に対応する部分については、同一の符号を付し
、その説明を省略する。
第1図は、本発明に係る薄膜形成装置の実施例の概略構
成図である。
第1図において、円板状をなす大型の試料保持台18は
、回転面が水平となるように配置されており、この試料
保持台18の下面周縁部に複数の試料20が装着しであ
る。真空容器10の底部には、蒸着装置14とイオン源
16とが設けである。
この蒸着装置14とイオン源16とは、イオンビーム3
0と蒸着蒸気32との中心軸が試料20と直交するよう
に、試料保持台18に装着した試料上記の如く構成した
実施例の作用は次の通シである。まず、試料保持台18
の下面所定位置に試料20を装着し、真空容器10内を
排気装置12により排気する。そして、駆動装置22に
より矢印24に示す如く試料保持台18を回転させ、真
空容器10の底部に設けた蒸着装置14により、試料2
0の表面に蒸着蒸気32を供給し、蒸着膜を形成する。
一方、イオン源16は、試料20の表面にイオンビーム
30を入射する。試料保持台18に装着された試料20
は、試料保持台18の回転に伴い、蒸着蒸気32中とイ
オンビーム3゜中とを交互に通過し、薄膜の形成とイオ
ン注−人とがおこなわれる。
このように、本実施例においては、蒸着装置14とイオ
ン源16とが離れた位置に設けられ、イオンビーム30
と蒸着蒸気32との中心線が平行しているため、蒸着蒸
気32とイオンビーム30との干渉がなく、膜厚計26
による蒸着膜の測定や、ファラデイカツブ28によるイ
オンビームの測定を精度よくおこなうことができる。し
かも、蒸着蒸気32とイオンビーム30とは、試料20
に対し垂直に入射するようにしであるため、大きな試料
に対しても1専膜の形成を効率よくおこなうことができ
、装置の大型化が可能となる。
第2図は、本発明に係る薄膜形成装置の他の実施例を示
したものである。第2図に示し六実施例は、試料20が
ロール状のものを処理するのに好適である。すなわち、
ロール状の試料20を回転させるとともに、蒸着蒸気3
2を試料20の下方から供給し、イオンビーム301&
:蒸着蒸気32の軸線に直交させて、すなわち横方向か
ら照射するようにしている。このように、イオン源16
を真空容器10の側部に設けたととによシ、ゴミやスパ
ッタがイオン源16内に落下しに〈〈なり、イオン源1
6の寿命を延ばすことができるとともに、ロール状試料
20に対して信頼性の高い能率的な薄膜による表面処理
をおこなうことができる。なお、イオン源16は、第2
図の2点鎖線に示す如く、真空容器10の上部に設けて
もよい。
第3図は、本発明に係る薄膜形成装置のさらに他の実施
例を示したものである。本実施例においては、ガイドロ
ール34,36.38が設けられており、このガイドロ
ール34,36.38により帯状の試料20が案内、搬
送される。そして、試料20は、ガイドロール36によ
りU字状に曲げられ、U字部40が形成されている。さ
らに、試料20のU字部40の両側、またはいずれか一
方にイオン源16が横向きに設けられている。
このように構成することにより帯状の試料20を連続的
に処理することが可能となる。
〔発明の効果〕
以上に説明した如く、本発明によれば、大きな試料に対
しても効率よく薄@を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る薄膜形成装置の実施例を示す概略
構成図、第2図および第3図は本発明に係る薄膜形成装
置の他の実施例の説明図、′X4図は従来の薄膜形成装
置の概略構成図である。 10・・・真空容器、12・・・排気装置、14・・・
蒸着装置、16・・・イオン源、18・・・試料保持台
、20・・・試料、22・・・駆動装置。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、真空容器内を排気する排気手段と、前記真空容器内
    の試料表面にイオンビームを照射するイオン源と、前記
    試料表面に蒸着膜を形成する薄膜蒸着手段とを有する薄
    膜形成装置において、前記試料表面を前記イオンビーム
    中と前記薄膜蒸着手段の発する蒸着蒸気中とを交互に通
    過させる試料移動手段を設けたことを特徴とする薄膜形
    成装置。 2、前記イオンビームの中心軸と前記蒸着蒸気の中心軸
    とは、平行していることを特徴とする特許請求の範囲第
    1項に記載の薄膜形成装置。 3、前記イオンビームの中心軸と前記蒸着蒸気の中心軸
    とは直交していることを特徴とする特許請求の範囲第1
    項に記載の薄膜形成装置。 4、前記試料移動手段は、回転円板であることを特徴と
    する特許請求の範囲第1項または第2項に記載の薄膜形
    成装置。 5、前記試料移動手段は、ロールであることを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項または第3項に記載の薄膜形成
    装置。
JP6014385A 1985-03-25 1985-03-25 薄膜形成装置 Pending JPS61217571A (ja)

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ID=13133625

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6261315A (ja) * 1985-09-11 1987-03-18 Sharp Corp 分子線エピタキシ−装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4884784A (ja) * 1972-02-17 1973-11-10
JPS61133376A (ja) * 1984-12-03 1986-06-20 Nissin Electric Co Ltd 薄膜形成方法及びその装置

Patent Citations (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4884784A (ja) * 1972-02-17 1973-11-10
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