JPS6389664A - 蒸着装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ウェハ等の材料にイオン蒸着薄膜等の形成
をバッチ処理で行なう蒸着装置に関するものである。

〔従来の技術〕

イオン蒸着等による蒸着膜の形成は、真空中で行なう必
要があり、材料の搬入搬出時に真空が破られることから
、処理能力向上のためにはバッチ処理が望ましい。

バッチ処理を行なうイオン蒸着ｉｇ＊形成装置としては
、例えば第３図に示すもの（特願昭６０−３７７１号）
が提案されている。この装置は、水平に設置したディス
ク状の回転盤３１の下面に複数個の材料ホルダ（図示せ
ず）を周方向に並べて設け、回転盤３１の下方に農発源
３３とイオン源３４とを設置したものである０回転盤３
１等は真空室３０に設置しである。３２はウェハ等の材
料、３５は遮蔽板である０回転盤３１は駆動装置（図示
せず）により回転並進運動を行なわせる０回転盤３１へ
の材料３２の搬入および搬出は、補助室３６内の送り用
回転板３７から搬送ベルト３８を介して行なわれる。

この装置によると、回転盤３１を回転並進させながら、
材料３２に対してイオン源３４からのイオンビームＩＢ
の照射と蒸発源３３からの蔑発物質ＶＭの蒸着を同時に
または交互に行なうことにより、材料３２の下面に薄膜
が形成される。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、この構成によると、材料３２の蒸着処理面を下
向きとして搬送するため、材料３２の蒸着処理面が搬送
ベルト３８等に接触し、不良の原因になる０回転盤３１
による材料３２の保持を下向きとするのは、蒸発源３３
からの蒸発物質ＶＭを良好に蒸着処理面に当てるためで
あり、蒸着処理面を上向きとして蒸着することはできな
い。

また、ディスク状の回転盤３１で材料３２を保持するた
め、半径方向の中心に近い箇所と遠い箇所とで円周長さ
が異なることから、単に回転させただけでは材料３２に
対して均一なイオンビームＩＢの照射や蒸発物質ＶＭの
蒸着が行なえない。

そのため均一な１ｉｌｌｉ形成ができない、このため、
回転盤３１を回転とともに並進させる必要があり、駆動
装置が複雑となって大型化する。また、回転盤３１の並
進空間を得るためにも装置全体が大型化する。

この発明の目的は、材料の＊、Ｖ処理面を上向きとして
搬入搬出が行なえて、蒸着処理面の損傷が防止でき、か
つ回転盤に並進等の複雑な動作を行なわせることなく均
一な蒸着が行なえて、構造の簡単および小型化が図れる
蒸着装置を提供することである。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明の蒸着装置は、真空室内に横軸心回りで回転可
能に設置されて外周面の周方向複数箇所に材料を外向き
に保持する材料ホルダを有する回転盤と、この回転盤の
駆動装置と、前記回転盤の最上部に位置する材料ホルダ
に対して材料の搬入および搬出を行なう搬送装置と、前
記回転盤の下方に設けた蒸発源とを備えたものである。

〔作用〕

この発明の構成によれば、局面に材料を保持して横軸心
回りで回転する回転盤を用いたので、材料の搬入搬出は
回転盤の最上位置で蒸着処理面を上向きとして行なえ、
蒸着処理は回転盤の下部で下向きに行なえる。このよう
に、蒸着処理面を上向きとして材料の搬入搬出が行なえ
るので、搬送装置に蒸着処理面が触れて損傷することが
防止できる。蒸着は下向きで行なうので、良好な蒸着が
行なえる。また、回転盤の周面に材料を保持するので、
回転盤を単に回転させるだけで、材料の各部の速度が均
一となり、均一な蒸着処理が行なえる。そのため、従来
の並進機構のような複雑な機構を必要とせず、駆動装置
が簡単となり、かつ装置全体が小型化される。

〔実施例〕

この発明の一実施例を第１図および第２図に基づいて説
明する。この蒸着装置は、断面多角形のドラム状の回転
盤１を真空室２内に横軸心回りで回転可能に設置し、周
面の各平面部分１ａに材料ホルダ３を設けたものである
０回転盤１は回転軸４に取付けてあり、真空室２の外部
の駆動装置５により回転駆動される。材料６はウェハ等
からなる。材料ホルダ３は、材料６を外向きに保持する
ものであり、押え型式のもの、または静電吸着式のもの
等が用いられる０回転ｍｌには冷却または昇温装置（図
示せず）を付設しである。

回転盤１に対して材料６の搬入搬出を行なう搬送装置７
は、回転盤１の最上部に位置する材料ホルダ３に対向し
て設ける。Ｗｉ送装置７は複数本のベルト搬送装置等か
らなり、真空室２に連通して設けた補助室８から真空室
２内にわたって設けられる。

回転盤ｌの真下には蒸発源９が設置され、その隣りにイ
オン源１０が傾斜して設置されている。

１１は第１遮蔽板、１２は第２遮蔽板、１３は膜厚計で
ある０貫発源９は、るっぽ９ａに電子ビームを打込む電
子ガン式のもの、またはスパッタガン式のもの等が用い
られる。イオン源１０は、イオンビームＩＢを回転１１
１の最下部の材料６に向けて照射するものである。１契
厚計１３は、その表面に形成される蒸着膜から換算して
材料６の蒸着膜の厚さを検出するものであり、膜厚計１
３の検出信号に応動してイオン源１０および蒸発源９等
の制御が行なわれる。

動作を説明する。材料６は搬送装置７により蒸着処理面
を上向きとして搬送され、回転盤１の各材料ホルダ３に
、回転盤１の最上位置にあるときに搬入される。Ｗｉ出
も同様である。全ての材料ホルダ３に材料６が保持され
ると、回転盤１を回転させながら、回転盤１の最下部に
ある下向きの材料６に対し、イオン源１０からイオンビ
ームＩＢが照射され、かつ薫発源９から発生した蒸発物
質ＶＭが付着する。これにより材料６にイオン蒸着ｌｌ
ｌ１１１が形成される。

このように蒸着を行なうが、材料６の搬入搬出は回転盤
１の最上位置で蒸着処理面を上向きとして行なえ、蒸着
処理は回転盤１の下部で下向きに行なえる。このように
、蒸着処理面を上向きとして材料６の搬入搬出が行なえ
るので、搬送装置７のベルト等に蒸着処理面が触れて損
傷することが防止できる。蒸着は下向きで行なうので、
良好な蒸着が行なえる。また、回転盤１の局面に材料を
保持するので、回転盤１を単に回転させるだけで材料６
の各部の速度が均一となり、均一な蒸着処理が行なえる
。そのため、従来の並進機構のような複雑な機構を必要
とせず、駆動装置５が簡単となり、また並進のための余
分な空間が不要で装置全体が小型化される。また、並進
が不要で真空室２が小さくてすむことから、排気ポンプ
も小さくてすむ。

なお、前記実施例は、イオン源１０を用いた蒸着装置に
通用した場合につき説明したが、この発明はイオン源１
０を用いない形式の蒸着装置にも通用できる。また、Ｗ
ｉ送装置７は、ベルト搬送装置に限らず、例えばフォー
ク状のアーム等に材料を載せて搬送するアーム搬送方式
のものであってもよい。

〔発明の効果〕

この発明の蒸着装置は、周面に材料を保持して横軸心回
りで回転する回転盤を用いたので、材料の搬入搬出は回
！ｉ−盤の最上位置でＭ着処理面を上向きとして行なえ
、蒸着処理は回転盤の下部で下向きに行なえる。このよ
うに、蒸着処理面を上向きとして材料の搬入搬出が行な
えるので、搬送装置に蒸着処理面が触れて損傷すること
が防止できる。蒸着は下向きで行なうので、良好な蒸着
が行なえる。また、回転盤の周面に材料を保持するので
、回転盤を単に回転させるだけで、材料の各部の速度が
均一となり、均一な蒸着処理が行なえる。

そのため、従来の並進機構のような複雑な機構を必要と
せず、駆動装置が簡単となり、かつ装置全体が示型化さ
れるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例の縦断側面図、第２図はそ
の縦断正面図、第３図は従来例の破断正面図である。 １・・・回転盤、２・・・真空室、３・・・材料ホルダ
、５・・・駆動装置、６・・・材料、７・・・搬送装置
、９・・・蒸発源、１０・・・イオン源 イオ；源 第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 真空室内に横軸心回りで回転可能に設置されて外周面の
   周方向複数箇所に材料を外向きに保持する材料ホルダを
   有する回転盤と、この回転盤の駆動装置と、前記回転盤
   の最上部に位置する材料ホルダに対して材料の搬入およ
   び搬出を行なう搬送装置と、前記回転盤の下方に設けた
   蒸発源とを備えた蒸着装置。