JPH08234207A - 配向膜の配向処理方法およびその装置 - Google Patents
配向膜の配向処理方法およびその装置Info
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- JPH08234207A JPH08234207A JP7353580A JP35358095A JPH08234207A JP H08234207 A JPH08234207 A JP H08234207A JP 7353580 A JP7353580 A JP 7353580A JP 35358095 A JP35358095 A JP 35358095A JP H08234207 A JPH08234207 A JP H08234207A
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/13378—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶ディスプレイの視野角を広げることがで
き、しかもパーティクルの発生を減少させることができ
る配向膜の配向処理方法およびその装置を提供する。 【解決手段】 この配向処理方法では、まず、基板上に
形成されていて液晶分子を配向させるための配向膜６の
表面をラビング材を用いて一定方向Ｄにラビングする。
その後、真空中で同配向膜６に対してイオンビーム１４
を、先のラビング材によるラビング方向Ｄとは異なった
方向Ｅから、かつ配向膜表面に対して斜め上方から照射
する。
き、しかもパーティクルの発生を減少させることができ
る配向膜の配向処理方法およびその装置を提供する。 【解決手段】 この配向処理方法では、まず、基板上に
形成されていて液晶分子を配向させるための配向膜６の
表面をラビング材を用いて一定方向Ｄにラビングする。
その後、真空中で同配向膜６に対してイオンビーム１４
を、先のラビング材によるラビング方向Ｄとは異なった
方向Ｅから、かつ配向膜表面に対して斜め上方から照射
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば液晶ディ
スプレイの製造等に利用されるものであって、液晶分子
を所定方向に配向させるための配向膜に対して配向処理
を施す、配向膜の配向処理方法およびその装置に関す
る。
スプレイの製造等に利用されるものであって、液晶分子
を所定方向に配向させるための配向膜に対して配向処理
を施す、配向膜の配向処理方法およびその装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】液晶分子を基板の表面において所定方向
に配向させるために、基板の表面に、ポリイミド等の高
分子有機材料から成る配向膜を塗布することが行われて
いる。
に配向させるために、基板の表面に、ポリイミド等の高
分子有機材料から成る配向膜を塗布することが行われて
いる。
【０００３】この場合、基板の表面に単に配向膜を塗布
しただけでは、液晶分子が基板の表面に対して単に平行
に配列するだけで、液晶分子を所定方向に配列させるこ
とはできない。
しただけでは、液晶分子が基板の表面に対して単に平行
に配列するだけで、液晶分子を所定方向に配列させるこ
とはできない。
【０００４】そこで従来は、配向膜に、その表面をナイ
ロンやレーヨン等のラビング布で一定方向に機械的にラ
ビングする（擦る）ことによって配向処理を施し、これ
によって液晶分子をラビングした方向に配列させること
が行われている。
ロンやレーヨン等のラビング布で一定方向に機械的にラ
ビングする（擦る）ことによって配向処理を施し、これ
によって液晶分子をラビングした方向に配列させること
が行われている。
【０００５】更に、液晶ディスプレイの視野角を広くす
るために、上記のようなラビング布を用いて、同じ配向
膜の表面を異なった方向へ２回ラビングして、いわゆる
マルチドメイン配向を可能にする配向処理が行われてい
る。マルチドメイン配向とは、液晶分子が二方向に配向
することであり、そのようにすれば、コントラストは下
がるものの、視野角を広くすることができる。
るために、上記のようなラビング布を用いて、同じ配向
膜の表面を異なった方向へ２回ラビングして、いわゆる
マルチドメイン配向を可能にする配向処理が行われてい
る。マルチドメイン配向とは、液晶分子が二方向に配向
することであり、そのようにすれば、コントラストは下
がるものの、視野角を広くすることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
にラビング処理を２回行って視野角を広くする方法で
は、それぞれのラビング処理の際にパーティクル（ゴ
ミ）が発生するため、パーティクルが大量に発生して、
これが液晶ディスプレイの特性を悪化させ、ひいては歩
留まりを低下させる要因になるという問題がある。例え
ば、パーティクルが発生してそれが配向膜に付着してい
ると、それによって表示むらが生じて表示品質が低下し
たり、電気的にショートする個所が生じたりする。
にラビング処理を２回行って視野角を広くする方法で
は、それぞれのラビング処理の際にパーティクル（ゴ
ミ）が発生するため、パーティクルが大量に発生して、
これが液晶ディスプレイの特性を悪化させ、ひいては歩
留まりを低下させる要因になるという問題がある。例え
ば、パーティクルが発生してそれが配向膜に付着してい
ると、それによって表示むらが生じて表示品質が低下し
たり、電気的にショートする個所が生じたりする。
【０００７】そこでこの発明は、液晶ディスプレイの視
野角を広げることができ、しかもパーティクルの発生を
減少させることができる配向膜の配向処理方法およびそ
の装置を提供することを主たる目的とする。
野角を広げることができ、しかもパーティクルの発生を
減少させることができる配向膜の配向処理方法およびそ
の装置を提供することを主たる目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の配向処理方法は、基板上に形成されてい
て液晶分子を配向させるための配向膜の表面をラビング
材を用いて一定方向にラビングし、その後真空中で同配
向膜に対してイオンビームを、先のラビング材によるラ
ビング方向とは異なった方向から、かつ配向膜表面に対
して斜め上方から照射することを特徴とする。
め、この発明の配向処理方法は、基板上に形成されてい
て液晶分子を配向させるための配向膜の表面をラビング
材を用いて一定方向にラビングし、その後真空中で同配
向膜に対してイオンビームを、先のラビング材によるラ
ビング方向とは異なった方向から、かつ配向膜表面に対
して斜め上方から照射することを特徴とする。
【０００９】その場合、ラビングとイオンビーム照射の
順序を上記とは逆にしても良い。
順序を上記とは逆にしても良い。
【００１０】また、基板上に形成されていて液晶分子を
配向させるための配向膜に対して真空中でイオンビーム
を、配向膜表面に対してほぼ直角方向から照射し、その
後同配向膜の表面を、ラビング材を用いてラビングして
も良い。
配向させるための配向膜に対して真空中でイオンビーム
を、配向膜表面に対してほぼ直角方向から照射し、その
後同配向膜の表面を、ラビング材を用いてラビングして
も良い。
【００１１】この場合も、ラビングとイオンビーム照射
の順序を上記とは逆にしても良い。
の順序を上記とは逆にしても良い。
【００１２】配向膜にイオンビームを照射することで、
配向膜に配向処理を施すことができる。これは、イオ
ンビーム照射によって配向膜の表面が改質され、配向膜
を構成する高分子が所定方向に並び、それに沿って液晶
分子が配向するようになる、あるいはイオンビーム照
射によるスパッタリングによって配向膜の表面に多数の
微小な溝状のものが形成され、それに沿って液晶分子が
配向するようになる、ためであると考えられる。
配向膜に配向処理を施すことができる。これは、イオ
ンビーム照射によって配向膜の表面が改質され、配向膜
を構成する高分子が所定方向に並び、それに沿って液晶
分子が配向するようになる、あるいはイオンビーム照
射によるスパッタリングによって配向膜の表面に多数の
微小な溝状のものが形成され、それに沿って液晶分子が
配向するようになる、ためであると考えられる。
【００１３】その場合、イオンビームを配向膜表面に対
して斜め上方から照射すると、配向秩序度が大きくなっ
て液晶分子の配向方向が同一方向に揃いやすくなり、イ
オンビームを配向膜表面に対してほぼ直角方向から（即
ちほぼ真上から）照射すると、配向秩序度が小さくなっ
て液晶分子の配向方向がランダムになることが実験によ
って確かめられた。
して斜め上方から照射すると、配向秩序度が大きくなっ
て液晶分子の配向方向が同一方向に揃いやすくなり、イ
オンビームを配向膜表面に対してほぼ直角方向から（即
ちほぼ真上から）照射すると、配向秩序度が小さくなっ
て液晶分子の配向方向がランダムになることが実験によ
って確かめられた。
【００１４】従って、上記のように配向膜表面に対して
イオンビームを斜め上方から照射し、しかもイオンビー
ム照射方向とラビング方向とを互いに異ならせることに
より、配向膜は互いに異なる二つの配向方向を持つよう
になり、マルチドメイン配向を実現することができる。
その結果、液晶ディスプレイの視野角を広げることがで
きる。
イオンビームを斜め上方から照射し、しかもイオンビー
ム照射方向とラビング方向とを互いに異ならせることに
より、配向膜は互いに異なる二つの配向方向を持つよう
になり、マルチドメイン配向を実現することができる。
その結果、液晶ディスプレイの視野角を広げることがで
きる。
【００１５】また、上記のように配向膜表面に対してイ
オンビームをほぼ直角方向から照射すると、配向膜はラ
ンダムな配向方向を持つようになり、それによって液晶
分子はランダムな配向を示すために光が散乱される度合
が強くなる。その結果、液晶ディスプレイの視野角を広
げることができる。このようなイオンビーム照射による
ランダム配向処理だけでは液晶分子のプレティルト角が
小さいけれども、ラビング処理を併用することによって
プレティルト角を大きくすることができる。
オンビームをほぼ直角方向から照射すると、配向膜はラ
ンダムな配向方向を持つようになり、それによって液晶
分子はランダムな配向を示すために光が散乱される度合
が強くなる。その結果、液晶ディスプレイの視野角を広
げることができる。このようなイオンビーム照射による
ランダム配向処理だけでは液晶分子のプレティルト角が
小さいけれども、ラビング処理を併用することによって
プレティルト角を大きくすることができる。
【００１６】上記いずれの配向処理方法も、ラビング処
理は１回で済み、イオンビーム照射においては非接触で
配向膜に配向処理を施すことができるのでパーティクル
の発生は非常に少なく、従ってラビング処理を２回行う
従来法よりもパーティクルの発生を減少させることがで
きる。
理は１回で済み、イオンビーム照射においては非接触で
配向膜に配向処理を施すことができるのでパーティクル
の発生は非常に少なく、従ってラビング処理を２回行う
従来法よりもパーティクルの発生を減少させることがで
きる。
【００１７】また、この発明に係る配向処理装置は、上
記のような配向処理方法の実施に適している。
記のような配向処理方法の実施に適している。
【００１８】
【発明の実施の形態】まず、配向膜に対してラビング処
理とイオンビーム照射とを行うことによって、マルチド
メイン配向を実現する配向処理方法の実施例を説明す
る。
理とイオンビーム照射とを行うことによって、マルチド
メイン配向を実現する配向処理方法の実施例を説明す
る。
【００１９】配向膜に対するラビング処理は、例えば図
１に示すような装置を用いて行う。この装置は、一定方
向、例えば矢印Ａ方向に移動する移動テーブル２０を有
しており、その上に、配向処理を施そうとする配向膜付
基板２が載せられる。
１に示すような装置を用いて行う。この装置は、一定方
向、例えば矢印Ａ方向に移動する移動テーブル２０を有
しており、その上に、配向処理を施そうとする配向膜付
基板２が載せられる。
【００２０】配向膜付基板２は、この例ではガラス基板
４の表面にポリイミド等の有機高分子材料から成る配向
膜６を塗布したものである。なお、液晶ディスプレイを
構成する場合は、ガラス基板４と配向膜６との間に、Ｉ
ＴＯ（スズをドープした酸化インジウム）等から成る透
明電極が形成される。
４の表面にポリイミド等の有機高分子材料から成る配向
膜６を塗布したものである。なお、液晶ディスプレイを
構成する場合は、ガラス基板４と配向膜６との間に、Ｉ
ＴＯ（スズをドープした酸化インジウム）等から成る透
明電極が形成される。
【００２１】移動テーブル２０の上方にはラビング材２
２が設けられており、移動テーブル２０を例えば矢印Ａ
方向に移動させることによって、このラビング材２２で
配向膜付基板２の配向膜６の表面をラビングする（擦
る）ことができる。
２が設けられており、移動テーブル２０を例えば矢印Ａ
方向に移動させることによって、このラビング材２２で
配向膜付基板２の配向膜６の表面をラビングする（擦
る）ことができる。
【００２２】ラビング材２２は、図示例では、ローラ２
４の外周部に巻かれていて例えばナイロン、レーヨン等
から成るラビング布であるが、同様の材料から成るブラ
シ状のもの等でも良い。この例のラビング材２２は、矢
印Ｂのように、移動テーブル２０の移動とは逆方向に回
転させる。
４の外周部に巻かれていて例えばナイロン、レーヨン等
から成るラビング布であるが、同様の材料から成るブラ
シ状のもの等でも良い。この例のラビング材２２は、矢
印Ｂのように、移動テーブル２０の移動とは逆方向に回
転させる。
【００２３】配向膜６の表面を上記のようにしてラビン
グすると、図４に拡大して示すように、配向膜６の表面
に、ラビング方向に沿って、即ち図１に示した配向膜付
基板２の移動方向Ａに沿って、多数の微小な溝６ａが形
成される。
グすると、図４に拡大して示すように、配向膜６の表面
に、ラビング方向に沿って、即ち図１に示した配向膜付
基板２の移動方向Ａに沿って、多数の微小な溝６ａが形
成される。
【００２４】これ自身は、従来から行われているラビン
グ処理と同じであり、このような配向膜付基板２を用い
て液晶ディスプレイを構成すると、液晶分子はこの溝６
ａの長手方向に沿って配向する。
グ処理と同じであり、このような配向膜付基板２を用い
て液晶ディスプレイを構成すると、液晶分子はこの溝６
ａの長手方向に沿って配向する。
【００２５】配向膜６に対するイオンビーム照射は、例
えば図２に示すような装置を用いて行う。この装置は、
図示しない真空容器内に設けられていて、配向処理を施
そうとする配向膜付基板２を保持するホルダ８を有して
いる。このホルダ８は、この例では、配向膜６表面に対
するイオンビーム１４の照射角度φを変えることができ
るように、回転軸１０を中心にして矢印Ｃのように回転
可能である。ホルダ８の上方には、ホルダ８上の配向膜
付基板２の配向膜６に向けてイオンビーム１４を照射す
るイオン源１２および同配向膜６に電子１８を供給する
フィラメント１６が設けられている。
えば図２に示すような装置を用いて行う。この装置は、
図示しない真空容器内に設けられていて、配向処理を施
そうとする配向膜付基板２を保持するホルダ８を有して
いる。このホルダ８は、この例では、配向膜６表面に対
するイオンビーム１４の照射角度φを変えることができ
るように、回転軸１０を中心にして矢印Ｃのように回転
可能である。ホルダ８の上方には、ホルダ８上の配向膜
付基板２の配向膜６に向けてイオンビーム１４を照射す
るイオン源１２および同配向膜６に電子１８を供給する
フィラメント１６が設けられている。
【００２６】イオンビーム１４には、そのイオンが配向
膜６と反応して配向膜６の性質を変えないようにするた
めに、例えばヘリウム、ネオン、アルゴン等の不活性ガ
スイオンビームを用いるのが好ましい。
膜６と反応して配向膜６の性質を変えないようにするた
めに、例えばヘリウム、ネオン、アルゴン等の不活性ガ
スイオンビームを用いるのが好ましい。
【００２７】イオンビーム１４の加速エネルギーは、特
に限定はなく、例えば１００ｅＶ〜５００ｅＶ程度で良
い。
に限定はなく、例えば１００ｅＶ〜５００ｅＶ程度で良
い。
【００２８】配向膜６に対するイオンビーム照射の際に
は、それと同時に、フィラメント１６から引き出した電
子１８を配向膜６に供給して、イオンビーム１４による
正電荷を中和させるのが好ましい。これは、イオンビー
ム１４による正電荷が配向膜６の表面に溜まると、それ
がイオンビーム１４の飛来を邪魔して、配向膜６の処理
が困難になったり不均一になったりするので、更には配
向処理後に液晶セルを構成したときに電荷によって液晶
分子の配向が乱されたりするので、それを電子供給によ
って防止することができるからである。
は、それと同時に、フィラメント１６から引き出した電
子１８を配向膜６に供給して、イオンビーム１４による
正電荷を中和させるのが好ましい。これは、イオンビー
ム１４による正電荷が配向膜６の表面に溜まると、それ
がイオンビーム１４の飛来を邪魔して、配向膜６の処理
が困難になったり不均一になったりするので、更には配
向処理後に液晶セルを構成したときに電荷によって液晶
分子の配向が乱されたりするので、それを電子供給によ
って防止することができるからである。
【００２９】配向処理に際しては、まず、図１に示した
ような装置を用いて、配向膜６の表面をラビング材２２
を用いて一定方向にラビングし、その後、図２に示した
ような装置を用いて、ラビング処理を施した配向膜６に
イオンビーム１４を照射する。
ような装置を用いて、配向膜６の表面をラビング材２２
を用いて一定方向にラビングし、その後、図２に示した
ような装置を用いて、ラビング処理を施した配向膜６に
イオンビーム１４を照射する。
【００３０】その際、イオンビーム１４の照射は、平面
的に見て、例えば図３に示すように、先のラビング材２
２によるラビング方向Ｄ（これは図１の移動方向Ａと等
しい）に対して所定の方位角度θを持たせて、先のラビ
ング方向Ｄとは異なった方向から行う。Ｅはイオンビー
ム１４の照射方向である。なおかつイオンビーム１４の
照射は、上下方向に見て、例えば図４に示すように、配
向膜６の表面に対して所定の照射角度φを持たせて、配
向膜表面に対して斜め上方から行う。
的に見て、例えば図３に示すように、先のラビング材２
２によるラビング方向Ｄ（これは図１の移動方向Ａと等
しい）に対して所定の方位角度θを持たせて、先のラビ
ング方向Ｄとは異なった方向から行う。Ｅはイオンビー
ム１４の照射方向である。なおかつイオンビーム１４の
照射は、上下方向に見て、例えば図４に示すように、配
向膜６の表面に対して所定の照射角度φを持たせて、配
向膜表面に対して斜め上方から行う。
【００３１】上記のようにして配向膜６にイオンビーム
１４を照射することによっても、配向膜６に配向処理を
施すことができる。これは、イオンビーム照射によっ
て配向膜６の表面が改質され、配向膜６を構成する高分
子がイオンビーム照射方向Ｅと一定の関係を有する方向
に、例えばイオンビーム照射方向Ｅに沿って並び、それ
に沿って液晶分子が配向するようになる、あるいはイ
オンビーム照射によるスパッタリングによって配向膜６
の表面に多数の微小な溝状のものがイオンビーム照射方
向Ｅに沿って形成され、それに沿って液晶分子が配向す
るようになる、ためであると考えられる。
１４を照射することによっても、配向膜６に配向処理を
施すことができる。これは、イオンビーム照射によっ
て配向膜６の表面が改質され、配向膜６を構成する高分
子がイオンビーム照射方向Ｅと一定の関係を有する方向
に、例えばイオンビーム照射方向Ｅに沿って並び、それ
に沿って液晶分子が配向するようになる、あるいはイ
オンビーム照射によるスパッタリングによって配向膜６
の表面に多数の微小な溝状のものがイオンビーム照射方
向Ｅに沿って形成され、それに沿って液晶分子が配向す
るようになる、ためであると考えられる。
【００３２】従って、上記のようにイオンビーム照射方
向Ｅとラビング方向Ｄとを、図３中に方位角度θで示す
ように、互いに異ならせることにより、配向膜６は互い
に異なる二つの配向方向を持つようになり、マルチドメ
イン配向を実現することができる。
向Ｅとラビング方向Ｄとを、図３中に方位角度θで示す
ように、互いに異ならせることにより、配向膜６は互い
に異なる二つの配向方向を持つようになり、マルチドメ
イン配向を実現することができる。
【００３３】その場合、配向膜表面に対するイオンビー
ム１４の照射角度φは小さい方が好ましい。
ム１４の照射角度φは小さい方が好ましい。
【００３４】その理由の一つは、図４を参照すれば分か
るように、配向膜６の表面にはラビング処理によって溝
６ａが、即ち凹凸が形成されており、イオンビーム１４
を斜め上方から照射すると、イオンビーム１４が照射さ
れる部分と照射されない部分が生じ、イオンビーム１４
が照射された部分だけにイオンビーム照射による配向処
理が施される。溝６ａの部分には先のラビング処理によ
って配向処理が施されており、その効果を弱めないため
には、溝６ａの底部にはできるだけイオンビーム１４が
入射しない方が好ましい。そのために、イオンビーム１
４の照射角度φは小さい方が好ましい。
るように、配向膜６の表面にはラビング処理によって溝
６ａが、即ち凹凸が形成されており、イオンビーム１４
を斜め上方から照射すると、イオンビーム１４が照射さ
れる部分と照射されない部分が生じ、イオンビーム１４
が照射された部分だけにイオンビーム照射による配向処
理が施される。溝６ａの部分には先のラビング処理によ
って配向処理が施されており、その効果を弱めないため
には、溝６ａの底部にはできるだけイオンビーム１４が
入射しない方が好ましい。そのために、イオンビーム１
４の照射角度φは小さい方が好ましい。
【００３５】他の理由は、イオンビーム１４の照射角度
φが小さいほど、イオンビーム照射によって大きな配向
秩序度が得られるからである。イオンビーム１４の照射
角度φと液晶の配向秩序度との関係を測定した結果の一
例を図５に示す。ここで、配向秩序度とは、どの程度の
割合の液晶分子が同一方向に配向しているかを示すもの
であり、１の場合が１００％である。また、図中のＴＮ
またはＳＴＮは、配向膜６として、ＴＮ（ツイストネマ
ティック）モード用の配向膜あるいはＳＴＮ（スーパー
ツイストネマティック）モード用の配向膜を用いたこと
を示している。その後の数字は照射イオンビーム１４の
エネルギーである。また、比較のために、ラビング法に
よる結果も示した。
φが小さいほど、イオンビーム照射によって大きな配向
秩序度が得られるからである。イオンビーム１４の照射
角度φと液晶の配向秩序度との関係を測定した結果の一
例を図５に示す。ここで、配向秩序度とは、どの程度の
割合の液晶分子が同一方向に配向しているかを示すもの
であり、１の場合が１００％である。また、図中のＴＮ
またはＳＴＮは、配向膜６として、ＴＮ（ツイストネマ
ティック）モード用の配向膜あるいはＳＴＮ（スーパー
ツイストネマティック）モード用の配向膜を用いたこと
を示している。その後の数字は照射イオンビーム１４の
エネルギーである。また、比較のために、ラビング法に
よる結果も示した。
【００３６】この図から、イオンビーム１４の照射角度
φが小さいほど、配向秩序度が大きくなることが分か
る。特に、照射角度φを３０度未満にすると、配向膜６
の種類およびイオンビーム１４のエネルギーの大小によ
らず、ラビング法に匹敵するほどの大きな配向秩序度を
得ることができることが分かる。これは、イオンビーム
１４の照射角度φが小さいほど、配向膜６を構成する
高分子の並び方に強い方向性を付けることができる、あ
るいはイオンビーム照射によるスパッタリングによっ
て配向膜６の表面に形成される多数の微小な溝状のもの
がイオンビーム照射方向に細長くなる、からであると考
えられる。
φが小さいほど、配向秩序度が大きくなることが分か
る。特に、照射角度φを３０度未満にすると、配向膜６
の種類およびイオンビーム１４のエネルギーの大小によ
らず、ラビング法に匹敵するほどの大きな配向秩序度を
得ることができることが分かる。これは、イオンビーム
１４の照射角度φが小さいほど、配向膜６を構成する
高分子の並び方に強い方向性を付けることができる、あ
るいはイオンビーム照射によるスパッタリングによっ
て配向膜６の表面に形成される多数の微小な溝状のもの
がイオンビーム照射方向に細長くなる、からであると考
えられる。
【００３７】このように、照射角度φが小さい方が、イ
オンビーム照射によって大きな配向秩序度が得られると
共に、ラビングによる配向処理の効果を減殺しないの
で、より明確なマルチドメイン配向を実現することがで
きる。
オンビーム照射によって大きな配向秩序度が得られると
共に、ラビングによる配向処理の効果を減殺しないの
で、より明確なマルチドメイン配向を実現することがで
きる。
【００３８】この実施例の配向処理方法によれば、上記
のようにしてマルチドメイン配向を実現することがで
き、その結果、液晶ディスプレイの視野角を広げること
ができる。
のようにしてマルチドメイン配向を実現することがで
き、その結果、液晶ディスプレイの視野角を広げること
ができる。
【００３９】しかも上記配向処理方法によれば、ラビン
グ処理は１回で済み、イオンビーム照射においては非接
触で配向膜に配向処理を施すことができるのでパーティ
クルの発生は非常に少なく、従ってラビング処理を２回
行う従来法よりもパーティクルの発生を減少させること
ができる。その結果例えば、液晶ディスプレイの特性を
悪化させる要因が少なくなるので、液晶ディスプレイの
歩留まりを向上させることができるようになる。
グ処理は１回で済み、イオンビーム照射においては非接
触で配向膜に配向処理を施すことができるのでパーティ
クルの発生は非常に少なく、従ってラビング処理を２回
行う従来法よりもパーティクルの発生を減少させること
ができる。その結果例えば、液晶ディスプレイの特性を
悪化させる要因が少なくなるので、液晶ディスプレイの
歩留まりを向上させることができるようになる。
【００４０】なお、ラビング処理とイオンビーム照射の
順序を、上記実施例とは逆にしても良い。即ち、まず、
配向膜６に対してイオンビーム１４を、配向膜６の表面
に対して照射角度φを持たせて、かつ配向膜表面に対し
て斜め上方から照射する。その後、イオンビーム照射し
た配向膜６の表面を、ラビング材２２を用いて、イオン
ビーム照射方向Ｅに対して所定の方位角度θを持たせ
て、イオンビーム照射方向Ｅとは異なった方向Ｄにラビ
ングする（図３参照）。
順序を、上記実施例とは逆にしても良い。即ち、まず、
配向膜６に対してイオンビーム１４を、配向膜６の表面
に対して照射角度φを持たせて、かつ配向膜表面に対し
て斜め上方から照射する。その後、イオンビーム照射し
た配向膜６の表面を、ラビング材２２を用いて、イオン
ビーム照射方向Ｅに対して所定の方位角度θを持たせ
て、イオンビーム照射方向Ｅとは異なった方向Ｄにラビ
ングする（図３参照）。
【００４１】この配向処理方法の場合は、先のイオンビ
ーム照射によって、上記のような作用によって配向膜６
の表面の全面に一定方向の配向処理が成され、その後、
ラビング処理によって配向膜６の表面に上記のような多
数の溝６ａが形成されることになる。イオンビーム照射
による配向膜表面の改質あるいは微小な溝形成よりも、
ラビングによる溝形成の方が強力であるので、溝６ａの
部分では液晶分子は溝６ａに沿って配向し、それ以外の
部分では、液晶分子はイオンビーム照射方向Ｅに沿って
配向するようになる。
ーム照射によって、上記のような作用によって配向膜６
の表面の全面に一定方向の配向処理が成され、その後、
ラビング処理によって配向膜６の表面に上記のような多
数の溝６ａが形成されることになる。イオンビーム照射
による配向膜表面の改質あるいは微小な溝形成よりも、
ラビングによる溝形成の方が強力であるので、溝６ａの
部分では液晶分子は溝６ａに沿って配向し、それ以外の
部分では、液晶分子はイオンビーム照射方向Ｅに沿って
配向するようになる。
【００４２】従ってこの配向処理方法によっても、マル
チドメイン配向を実現することができ、その結果、液晶
ディスプレイの視野角を広げることができる。また、上
記実施例と同様、ラビング処理を２回行う従来法よりも
パーティクルの発生を減少させることができる。
チドメイン配向を実現することができ、その結果、液晶
ディスプレイの視野角を広げることができる。また、上
記実施例と同様、ラビング処理を２回行う従来法よりも
パーティクルの発生を減少させることができる。
【００４３】もっとも、後のラビング処理によって先の
イオンビーム照射による配向処理の効果が弱められる恐
れが全くないとは言えないので、先の実施例のように、
先にラビング処理を施しておく方がより好ましいと言え
る。
イオンビーム照射による配向処理の効果が弱められる恐
れが全くないとは言えないので、先の実施例のように、
先にラビング処理を施しておく方がより好ましいと言え
る。
【００４４】次に、配向膜に対してイオンビーム照射と
ラビング処理とを行うことによって、ランダム配向を実
現する配向処理方法の実施例を説明する。
ラビング処理とを行うことによって、ランダム配向を実
現する配向処理方法の実施例を説明する。
【００４５】配向膜６に対するイオンビーム照射は、例
えば図２に示したような装置を用いて行う。但し、イオ
ンビーム１４の照射角度φをほぼ９０度にして、イオン
ビーム１４を配向膜表面に対してほぼ直角方向から（即
ちほぼ真上から）照射する。このようにすると、図５の
ところで説明したように、イオンビーム照射によって得
られる配向秩序度は小さくなる。即ち、配向膜６はラン
ダムな配向方向を持つようになり、それによって液晶分
子はランダムな配向を示すために光が散乱される度合が
強くなる。これによっても、液晶ディスプレイの視野角
を広げることができる。
えば図２に示したような装置を用いて行う。但し、イオ
ンビーム１４の照射角度φをほぼ９０度にして、イオン
ビーム１４を配向膜表面に対してほぼ直角方向から（即
ちほぼ真上から）照射する。このようにすると、図５の
ところで説明したように、イオンビーム照射によって得
られる配向秩序度は小さくなる。即ち、配向膜６はラン
ダムな配向方向を持つようになり、それによって液晶分
子はランダムな配向を示すために光が散乱される度合が
強くなる。これによっても、液晶ディスプレイの視野角
を広げることができる。
【００４６】但し、上記のようなイオンビーム照射によ
る配向処理だけでは、液晶分子のプレティルト角は小さ
い。これは、上記のようなイオンビーム照射では、配向
膜６の表面にラビング法によるような明確な溝を形成す
ることはできないからであると考えられる。
る配向処理だけでは、液晶分子のプレティルト角は小さ
い。これは、上記のようなイオンビーム照射では、配向
膜６の表面にラビング法によるような明確な溝を形成す
ることはできないからであると考えられる。
【００４７】そこでこれを補うために、イオンビーム照
射した配向膜６の表面を、ラビング材を用いてラビング
する。これは、例えば図１に示したような装置を用いて
行う。但しこの場合は、先のイオンビーム照射は配向膜
６に対してほぼ真上から照射して方向性はないから、ラ
ビング方向は任意である。
射した配向膜６の表面を、ラビング材を用いてラビング
する。これは、例えば図１に示したような装置を用いて
行う。但しこの場合は、先のイオンビーム照射は配向膜
６に対してほぼ真上から照射して方向性はないから、ラ
ビング方向は任意である。
【００４８】このラビング処理によって、配向膜６の表
面に、例えば図４に示したような多数の微小な溝６ａが
形成される。このような溝６ａがあると、液晶分子はそ
の溝６ａ内で起き上がり易くなるので、プレティルト角
が大きくなる。プレティルト角が大きいと、電圧を印加
したときに液晶分子の起き上がる方向を確実に規定する
ことができるので、液晶ディスプレイの特性が良好にな
る。
面に、例えば図４に示したような多数の微小な溝６ａが
形成される。このような溝６ａがあると、液晶分子はそ
の溝６ａ内で起き上がり易くなるので、プレティルト角
が大きくなる。プレティルト角が大きいと、電圧を印加
したときに液晶分子の起き上がる方向を確実に規定する
ことができるので、液晶ディスプレイの特性が良好にな
る。
【００４９】上記のようにイオンビーム照射によるラン
ダム配向処理の後にラビング処理を行っても、溝６ａ以
外の部分で液晶分子をランダムに配向させることはでき
る。配向膜を単にラビング処理した場合は、溝以外の部
分でも弱いけれども溝内とほぼ同方向に配向処理が成さ
れる。これに対して上記実施例の場合、先に、後のラビ
ング処理によってランダム配向処理効果が消されない程
度に強くランダム配向処理にしておけば、溝６ａ以外の
部分では液晶分子をランダムに配向させることができ
る。
ダム配向処理の後にラビング処理を行っても、溝６ａ以
外の部分で液晶分子をランダムに配向させることはでき
る。配向膜を単にラビング処理した場合は、溝以外の部
分でも弱いけれども溝内とほぼ同方向に配向処理が成さ
れる。これに対して上記実施例の場合、先に、後のラビ
ング処理によってランダム配向処理効果が消されない程
度に強くランダム配向処理にしておけば、溝６ａ以外の
部分では液晶分子をランダムに配向させることができ
る。
【００５０】この実施例の配向処理方法によれば、上記
のようにしてランダム配向を実現することができ、その
結果、液晶ディスプレイの視野角を広げることができ
る。また、上記各実施例の配向処理方法と同様、ラビン
グ処理を２回行う従来法よりもパーティクルの発生を減
少させることができる。
のようにしてランダム配向を実現することができ、その
結果、液晶ディスプレイの視野角を広げることができ
る。また、上記各実施例の配向処理方法と同様、ラビン
グ処理を２回行う従来法よりもパーティクルの発生を減
少させることができる。
【００５１】なお、イオンビーム照射とラビング処理の
順序を上記実施例とは逆にしても良い。即ち、まず、配
向膜６の表面をラビング材２２を用いてラビングし、そ
の後、イオンビーム１４を当該配向膜６の表面にほぼ直
角方向から照射しても良い。
順序を上記実施例とは逆にしても良い。即ち、まず、配
向膜６の表面をラビング材２２を用いてラビングし、そ
の後、イオンビーム１４を当該配向膜６の表面にほぼ直
角方向から照射しても良い。
【００５２】この配向処理方法の場合は、先のラビング
処理によって配向膜６の表面に上記のような多数の微小
な溝６ａが形成され、その後、イオンビーム照射によっ
て上記のようなランダム配向処理が成される。この場合
でも、溝６ａ内においては液晶分子のプレティルト角は
大きくなる。また溝６ａ以外の部分では、先のラビング
処理による配向処理は弱いので、それを打ち消す程度に
強くイオンビーム照射によるランダム配向処理を行え
ば、溝６ａ以外の部分では液晶分子をランダムに配向さ
せることができる。
処理によって配向膜６の表面に上記のような多数の微小
な溝６ａが形成され、その後、イオンビーム照射によっ
て上記のようなランダム配向処理が成される。この場合
でも、溝６ａ内においては液晶分子のプレティルト角は
大きくなる。また溝６ａ以外の部分では、先のラビング
処理による配向処理は弱いので、それを打ち消す程度に
強くイオンビーム照射によるランダム配向処理を行え
ば、溝６ａ以外の部分では液晶分子をランダムに配向さ
せることができる。
【００５３】従ってこの配向処理方法によっても、ラン
ダム配向を実現することができ、その結果、液晶ディス
プレイの視野角を広げることができる。また、上記各実
施例と同様、ラビング処理を２回行う従来法よりもパー
ティクルの発生を減少させることができる。
ダム配向を実現することができ、その結果、液晶ディス
プレイの視野角を広げることができる。また、上記各実
施例と同様、ラビング処理を２回行う従来法よりもパー
ティクルの発生を減少させることができる。
【００５４】次に、上記のような配向処理方法の実施に
適している配向処理装置の実施例を説明する。図６は、
この発明に係る配向処理装置の一例を示す横断面図であ
る。図７は、図６の線ａ−ａに沿う縦断面図である。
適している配向処理装置の実施例を説明する。図６は、
この発明に係る配向処理装置の一例を示す横断面図であ
る。図７は、図６の線ａ−ａに沿う縦断面図である。
【００５５】この配向処理装置は、前述したような配向
膜付基板２に真空中でラビング処理を施すラビング装置
３０と、同配向膜付基板２に真空中でイオンビームを照
射するイオンビーム照射装置５０と、このラビング装置
３０とイオンビーム照射装置５０との間に設けられてい
て真空雰囲気中において配向膜付基板２をラビング装置
３０とイオンビーム照射装置５０との間で可逆的に搬送
する基板搬送装置４０とを備えている。更にこの実施例
では、基板搬送装置４０に接続されていて基板搬送装置
４０との間で基板２を受け渡しする基板供給装置６０を
備えている。
膜付基板２に真空中でラビング処理を施すラビング装置
３０と、同配向膜付基板２に真空中でイオンビームを照
射するイオンビーム照射装置５０と、このラビング装置
３０とイオンビーム照射装置５０との間に設けられてい
て真空雰囲気中において配向膜付基板２をラビング装置
３０とイオンビーム照射装置５０との間で可逆的に搬送
する基板搬送装置４０とを備えている。更にこの実施例
では、基板搬送装置４０に接続されていて基板搬送装置
４０との間で基板２を受け渡しする基板供給装置６０を
備えている。
【００５６】ラビング装置３０は、この実施例では、真
空排気装置３４によって真空に（例えば１０-5〜１０-7
Ｔｏｒｒ程度に）排気される真空容器３２と、この真空
容器３２内に設けられていて配向膜付基板２を一定方
向、例えば矢印Ａ方向に移動させる基板移動装置３６
と、この基板移動装置３６上の配向膜付基板２の配向膜
６（図１参照。以下同じ）の表面をラビングする前述し
たようなラビング材２２とを有している。基板移動装置
３６は、配向膜付基板２を載置して一定方向、この例で
は矢印Ａ方向に移動する前述したような移動テーブル２
０を有している。
空排気装置３４によって真空に（例えば１０-5〜１０-7
Ｔｏｒｒ程度に）排気される真空容器３２と、この真空
容器３２内に設けられていて配向膜付基板２を一定方
向、例えば矢印Ａ方向に移動させる基板移動装置３６
と、この基板移動装置３６上の配向膜付基板２の配向膜
６（図１参照。以下同じ）の表面をラビングする前述し
たようなラビング材２２とを有している。基板移動装置
３６は、配向膜付基板２を載置して一定方向、この例で
は矢印Ａ方向に移動する前述したような移動テーブル２
０を有している。
【００５７】イオンビーム照射装置５０は、この実施例
では、真空排気装置５４によって真空に（例えば１０-5
〜１０-7Ｔｏｒｒ程度に）排気される真空容器５２と、
この真空容器５２内に設けられていて基板２を保持する
前述したようなホルダ８と、このホルダ８のほぼ真上に
ホルダ８に向けて設けられていて、ホルダ８上の配向膜
付基板２の配向膜６にイオンビーム１４を照射する前述
したようなイオン源１２と、同配向膜６に電子１８を供
給する前述したようなフィラメント１６とを有してい
る。
では、真空排気装置５４によって真空に（例えば１０-5
〜１０-7Ｔｏｒｒ程度に）排気される真空容器５２と、
この真空容器５２内に設けられていて基板２を保持する
前述したようなホルダ８と、このホルダ８のほぼ真上に
ホルダ８に向けて設けられていて、ホルダ８上の配向膜
付基板２の配向膜６にイオンビーム１４を照射する前述
したようなイオン源１２と、同配向膜６に電子１８を供
給する前述したようなフィラメント１６とを有してい
る。
【００５８】ホルダ８は、この実施例では、真空シール
部５７を介して真空容器５２を貫通する連結部５８の一
端部に取り付けられており、この連結部５８の他端部に
はホルダ駆動装置５６が接続されている。ホルダ駆動装
置５６によってホルダ８を、その回転軸１０を中心にし
て矢印Ｃのように、かつその中心軸１１を中心にして矢
印Ｆのように、それぞれ可逆的に回転可能である。ホル
ダ駆動装置５６は、電動式が好ましいが、手動式等でも
良い。
部５７を介して真空容器５２を貫通する連結部５８の一
端部に取り付けられており、この連結部５８の他端部に
はホルダ駆動装置５６が接続されている。ホルダ駆動装
置５６によってホルダ８を、その回転軸１０を中心にし
て矢印Ｃのように、かつその中心軸１１を中心にして矢
印Ｆのように、それぞれ可逆的に回転可能である。ホル
ダ駆動装置５６は、電動式が好ましいが、手動式等でも
良い。
【００５９】ホルダ８を、回転軸１０を中心にして矢印
Ｃのように回転させることによって、当該ホルダ８の傾
き角度を変えることができ、それによって配向膜６表面
に対するイオンビーム１４の前述した照射角度φを変え
ることができる。また、ホルダ８を、その中心軸１１を
中心にして矢印Ｆのように面内で回転させることによっ
て、当該ホルダ８の面内での回転方向の角度を変えるこ
とができ、それによって前述した方位角度θ（図３参
照）を変えることができる。これを詳述すると、図６を
参照して、ラビング装置３０で矢印Ｄ（＝Ａ）方向にラ
ビングされた配向膜付基板２は、この実施例では基板搬
送装置４０の後述する搬送ロボット４６によって、イオ
ンビーム照射装置５０内のホルダ８に、１８０度逆向き
に（即ち図６中において矢印Ｄが左向きになるように）
装着される。そのままの向きで、ホルダ８を図７に示す
ように左に傾けておいてイオンビーム１４を照射する
と、配向膜付基板２の配向膜６の表面にイオンビーム１
４は右斜め上から左斜め下に向けて照射されることにな
る。従ってそのままでは、方位角度θは０度になるが、
ホルダ８を矢印Ｆ方向に回転させると、その回転角度に
応じて方位角度θの大きさが変わる。ちなみに、図６の
状態と図３の状態とは、図示方向が異なるだけで両者は
ほぼ同じ状態を表している。
Ｃのように回転させることによって、当該ホルダ８の傾
き角度を変えることができ、それによって配向膜６表面
に対するイオンビーム１４の前述した照射角度φを変え
ることができる。また、ホルダ８を、その中心軸１１を
中心にして矢印Ｆのように面内で回転させることによっ
て、当該ホルダ８の面内での回転方向の角度を変えるこ
とができ、それによって前述した方位角度θ（図３参
照）を変えることができる。これを詳述すると、図６を
参照して、ラビング装置３０で矢印Ｄ（＝Ａ）方向にラ
ビングされた配向膜付基板２は、この実施例では基板搬
送装置４０の後述する搬送ロボット４６によって、イオ
ンビーム照射装置５０内のホルダ８に、１８０度逆向き
に（即ち図６中において矢印Ｄが左向きになるように）
装着される。そのままの向きで、ホルダ８を図７に示す
ように左に傾けておいてイオンビーム１４を照射する
と、配向膜付基板２の配向膜６の表面にイオンビーム１
４は右斜め上から左斜め下に向けて照射されることにな
る。従ってそのままでは、方位角度θは０度になるが、
ホルダ８を矢印Ｆ方向に回転させると、その回転角度に
応じて方位角度θの大きさが変わる。ちなみに、図６の
状態と図３の状態とは、図示方向が異なるだけで両者は
ほぼ同じ状態を表している。
【００６０】基板搬送装置４０は、この実施例では、真
空排気装置４４によって真空に（例えば１０-5〜１０-7
Ｔｏｒｒ程度に）排気される真空容器４２と、この真空
容器４２内に設けられていて多関節のアーム４８を有す
る搬送ロボット４６とを有している。搬送ロボット４６
は、この例では、上下方向に１自由度と、水平面内で３
自由度とを有する、合計４自由度のロボットである。
空排気装置４４によって真空に（例えば１０-5〜１０-7
Ｔｏｒｒ程度に）排気される真空容器４２と、この真空
容器４２内に設けられていて多関節のアーム４８を有す
る搬送ロボット４６とを有している。搬送ロボット４６
は、この例では、上下方向に１自由度と、水平面内で３
自由度とを有する、合計４自由度のロボットである。
【００６１】この搬送ロボット４６によって、基板供給
装置６０内の後述するカセット６６から未処理の基板２
を１枚取り出してそれをラビング装置３０内の基板移動
装置３６の移動テーブル２０上に装着し、ラビング処理
後の配向膜付基板２を基板移動装置３６から取り外して
それをイオンビーム照射装置５０内のホルダ８上に装着
し、イオンビーム照射後の配向膜付基板２をホルダ８か
ら取り外してそれを基板供給装置６０内のカセット６６
に戻すことができる。またこれとは逆に、カセット６６
から取り出した未処理の配向膜付基板２をイオンビーム
照射装置５０内のホルダ８に装着し、イオンビーム照射
後の配向膜付基板２をホルダ８から取り外してそれをラ
ビング装置３０内の基板移動装置３６に装着し、ラビン
グ処理後の配向膜付基板２をカセット６６に戻すことも
可能である。いずれの場合も、配向膜付基板２の搬送は
全て真空雰囲気中で行われる。
装置６０内の後述するカセット６６から未処理の基板２
を１枚取り出してそれをラビング装置３０内の基板移動
装置３６の移動テーブル２０上に装着し、ラビング処理
後の配向膜付基板２を基板移動装置３６から取り外して
それをイオンビーム照射装置５０内のホルダ８上に装着
し、イオンビーム照射後の配向膜付基板２をホルダ８か
ら取り外してそれを基板供給装置６０内のカセット６６
に戻すことができる。またこれとは逆に、カセット６６
から取り出した未処理の配向膜付基板２をイオンビーム
照射装置５０内のホルダ８に装着し、イオンビーム照射
後の配向膜付基板２をホルダ８から取り外してそれをラ
ビング装置３０内の基板移動装置３６に装着し、ラビン
グ処理後の配向膜付基板２をカセット６６に戻すことも
可能である。いずれの場合も、配向膜付基板２の搬送は
全て真空雰囲気中で行われる。
【００６２】基板供給装置６０は、この実施例では、真
空排気装置６４によって真空に（例えば１０-3〜１０-5
Ｔｏｒｒ程度に）排気される真空容器６２を有してお
り、この真空容器６２内に、複数枚の配向膜付基板２を
収納したカセット６６が装着される。６８はカセット６
６の出し入れ用の扉である。
空排気装置６４によって真空に（例えば１０-3〜１０-5
Ｔｏｒｒ程度に）排気される真空容器６２を有してお
り、この真空容器６２内に、複数枚の配向膜付基板２を
収納したカセット６６が装着される。６８はカセット６
６の出し入れ用の扉である。
【００６３】上記真空容器３２、４２、５２および６２
は、真空弁７０〜７２を介して図６に示すように互いに
Ｔ字状に接続されている。各真空弁７０〜７２は、そこ
を、配向膜付基板２を載置したアーム４８が通過可能な
ものである。
は、真空弁７０〜７２を介して図６に示すように互いに
Ｔ字状に接続されている。各真空弁７０〜７２は、そこ
を、配向膜付基板２を載置したアーム４８が通過可能な
ものである。
【００６４】この実施例の配向処理装置によれば、一つ
の装置で、先に説明した四つの配向処理方法、即ち、
配向膜６の表面をラビング材２２を用いて一定方向にラ
ビングし、その後同配向膜６にイオンビーム１４を、先
のラビング材２２によるラビング方向とは異なった方向
から、かつ配向膜表面に対して斜め上方から照射する配
向処理方法、配向膜６にイオンビーム１４を、配向膜
表面に対して斜め上方から照射し、その後同配向膜６の
表面をラビング材２２を用いて、先のイオンビーム照射
方向とは異なった方向にラビングする配向処理方法、
配向膜６にイオンビーム１４を、配向膜表面に対してほ
ぼ直角方向から照射し、その後同配向膜６の表面をラビ
ング材２２を用いてラビングする配向処理方法および
配向膜６の表面をラビング材２２を用いてラビングし、
その後同配向膜６にイオンビーム１４を、配向膜表面に
対してほぼ直角方向から照射する配向処理方法、の実施
が可能である。
の装置で、先に説明した四つの配向処理方法、即ち、
配向膜６の表面をラビング材２２を用いて一定方向にラ
ビングし、その後同配向膜６にイオンビーム１４を、先
のラビング材２２によるラビング方向とは異なった方向
から、かつ配向膜表面に対して斜め上方から照射する配
向処理方法、配向膜６にイオンビーム１４を、配向膜
表面に対して斜め上方から照射し、その後同配向膜６の
表面をラビング材２２を用いて、先のイオンビーム照射
方向とは異なった方向にラビングする配向処理方法、
配向膜６にイオンビーム１４を、配向膜表面に対してほ
ぼ直角方向から照射し、その後同配向膜６の表面をラビ
ング材２２を用いてラビングする配向処理方法および
配向膜６の表面をラビング材２２を用いてラビングし、
その後同配向膜６にイオンビーム１４を、配向膜表面に
対してほぼ直角方向から照射する配向処理方法、の実施
が可能である。
【００６５】上記の配向処理方法を実施するには、ま
ずラビング装置３０において配向膜付基板２の配向膜６
にラビング処理を施し、その後の配向膜付基板２を基板
搬送装置４０によってイオンビーム照射装置５０へ搬送
し、そこでこの配向膜付基板２の配向膜６にイオンビー
ム１４を、ラビング装置３０におけるラビング方向Ｄと
は異なった方向から（即ち方位角度θを０度以外にし
て）、かつ配向膜６表面に対して斜め上方から（即ち照
射角度φを９０度未満にして）照射すれば良い。勿論、
この際の方位角度θおよび照射角度φは可変である。
ずラビング装置３０において配向膜付基板２の配向膜６
にラビング処理を施し、その後の配向膜付基板２を基板
搬送装置４０によってイオンビーム照射装置５０へ搬送
し、そこでこの配向膜付基板２の配向膜６にイオンビー
ム１４を、ラビング装置３０におけるラビング方向Ｄと
は異なった方向から（即ち方位角度θを０度以外にし
て）、かつ配向膜６表面に対して斜め上方から（即ち照
射角度φを９０度未満にして）照射すれば良い。勿論、
この際の方位角度θおよび照射角度φは可変である。
【００６６】上記の配向処理方法を実施するには、ま
ずイオンビーム照射装置５０において配向膜付基板２の
配向膜６にイオンビーム１４を、配向膜６表面に対して
斜め上方から（即ち照射角度φを９０度未満にして）、
かつ後のラビング装置３０におけるラビング方向Ｄとは
異なった方向から（即ち、後にラビング処理する際の方
位角度θが０度以外になるようにして）照射し、その後
の配向膜付基板２を基板搬送装置４０によってラビング
装置３０へ搬送し、そこでこの配向膜付基板２の配向膜
６の表面を、先のイオンビーム照射方向とは異なった方
向に（即ち方位角度θを０度以外にして）ラビングすれ
ば良い。この際の方位角度θおよび照射角度φは可変で
ある。
ずイオンビーム照射装置５０において配向膜付基板２の
配向膜６にイオンビーム１４を、配向膜６表面に対して
斜め上方から（即ち照射角度φを９０度未満にして）、
かつ後のラビング装置３０におけるラビング方向Ｄとは
異なった方向から（即ち、後にラビング処理する際の方
位角度θが０度以外になるようにして）照射し、その後
の配向膜付基板２を基板搬送装置４０によってラビング
装置３０へ搬送し、そこでこの配向膜付基板２の配向膜
６の表面を、先のイオンビーム照射方向とは異なった方
向に（即ち方位角度θを０度以外にして）ラビングすれ
ば良い。この際の方位角度θおよび照射角度φは可変で
ある。
【００６７】上記の配向処理方法を実施するには、ま
ずイオンビーム照射装置５０において配向膜付基板２の
配向膜６にイオンビーム１４をほぼ直角方向から（即ち
照射角度φをほぼ９０度にして）照射し、その後の配向
膜付基板２を基板搬送装置４０によってラビング装置３
０へ搬送し、そこでこの配向膜付基板２の配向膜６にラ
ビング処理を施せば良い。この場合のラビング方向は、
前述したように任意である。
ずイオンビーム照射装置５０において配向膜付基板２の
配向膜６にイオンビーム１４をほぼ直角方向から（即ち
照射角度φをほぼ９０度にして）照射し、その後の配向
膜付基板２を基板搬送装置４０によってラビング装置３
０へ搬送し、そこでこの配向膜付基板２の配向膜６にラ
ビング処理を施せば良い。この場合のラビング方向は、
前述したように任意である。
【００６８】上記の配向処理方法を実施するには、ま
ずラビング装置３０において配向膜付基板２の配向膜６
にラビング処理を施し、その後の配向膜付基板２を基板
搬送装置４０によってイオンビーム照射装置５０へ搬送
し、そこでこの配向膜付基板２の配向膜６にイオンビー
ム１４をほぼ直角方向から（即ち照射角度φをほぼ９０
度にして）照射すれば良い。この場合のラビング方向
も、上記の場合と同様に任意である。
ずラビング装置３０において配向膜付基板２の配向膜６
にラビング処理を施し、その後の配向膜付基板２を基板
搬送装置４０によってイオンビーム照射装置５０へ搬送
し、そこでこの配向膜付基板２の配向膜６にイオンビー
ム１４をほぼ直角方向から（即ち照射角度φをほぼ９０
度にして）照射すれば良い。この場合のラビング方向
も、上記の場合と同様に任意である。
【００６９】この実施例の配向処理装置によれば、ラビ
ング処理を真空中において行うことができ、ラビングに
よってパーティクルが発生してもそれを真空排気装置３
４等によって速やかに排出することができるので、ラビ
ングを大気中で行う場合よりも、配向膜付基板２へのパ
ーティクルの付着を低減することができる。その結果例
えば、液晶ディスプレイの特性を悪化させる要因がより
少なくなるので、液晶ディスプレイの歩留まりをより向
上させることができる。
ング処理を真空中において行うことができ、ラビングに
よってパーティクルが発生してもそれを真空排気装置３
４等によって速やかに排出することができるので、ラビ
ングを大気中で行う場合よりも、配向膜付基板２へのパ
ーティクルの付着を低減することができる。その結果例
えば、液晶ディスプレイの特性を悪化させる要因がより
少なくなるので、液晶ディスプレイの歩留まりをより向
上させることができる。
【００７０】また、ラビング処理とイオンビーム照射処
理の連続処理が可能であり、しかも両処理および基板搬
送の全てを真空雰囲気中において行うことができるの
で、スループット（配向膜付基板２の単位時間当たりの
処理能力）が高く、量産性に富んでいる。
理の連続処理が可能であり、しかも両処理および基板搬
送の全てを真空雰囲気中において行うことができるの
で、スループット（配向膜付基板２の単位時間当たりの
処理能力）が高く、量産性に富んでいる。
【００７１】また、一つの装置で上記〜に示した四
つの配向処理方法を実施することができるので、処理の
柔軟性も高い。
つの配向処理方法を実施することができるので、処理の
柔軟性も高い。
【００７２】更に、照射角度φおよび方位角度θが可変
であるので、この意味からも処理の柔軟性が高い。即
ち、照射角度φを可変にしたことによって、先に説明し
たように、配向秩序度の制御が可能である。また、方位
角度θを可変にしたことによって、先に説明したマルチ
ドメイン配向における配向方向関係の制御が可能であ
る。
であるので、この意味からも処理の柔軟性が高い。即
ち、照射角度φを可変にしたことによって、先に説明し
たように、配向秩序度の制御が可能である。また、方位
角度θを可変にしたことによって、先に説明したマルチ
ドメイン配向における配向方向関係の制御が可能であ
る。
【００７３】また、基板供給装置６０内にカセット６６
を装着するようにしていて、複数枚の配向膜付基板２を
真空を破らずに連続処理することができるので、この意
味からもスループットが向上する。ただし、このように
せずに、基板供給装置６０を単なる真空予備室（エアロ
ック室）にして、配向膜付基板２を１枚ずつ搬出入する
ようにしても良い。
を装着するようにしていて、複数枚の配向膜付基板２を
真空を破らずに連続処理することができるので、この意
味からもスループットが向上する。ただし、このように
せずに、基板供給装置６０を単なる真空予備室（エアロ
ック室）にして、配向膜付基板２を１枚ずつ搬出入する
ようにしても良い。
【００７４】なお、基板搬送手段として、搬送ロボット
４６の代わりに、配向膜付基板２を載置して搬送する可
逆転式の搬送ベルトを設けても良い。
４６の代わりに、配向膜付基板２を載置して搬送する可
逆転式の搬送ベルトを設けても良い。
【００７５】また、上記の配向処理方法のみを実施す
ることができ、しかも照射角度φおよび方位角度θが一
定で良い場合は、イオンビーム照射装置５０におけるホ
ルダ８を固定、例えば配向膜付基板２の着脱が容易なよ
うに水平方向に固定しておき、かつこのホルダ８上の配
向膜付基板２に対して一定の前述したような照射角度φ
および方位角度θが取れるように、イオン源１２をホル
ダ８に対して斜めに向けて固定しておいても良い。しか
もこの場合は、基板搬送装置は、配向膜付基板２を少な
くともラビング装置３０からイオンビーム照射装置５０
へ搬送することができるものであれば良い。
ることができ、しかも照射角度φおよび方位角度θが一
定で良い場合は、イオンビーム照射装置５０におけるホ
ルダ８を固定、例えば配向膜付基板２の着脱が容易なよ
うに水平方向に固定しておき、かつこのホルダ８上の配
向膜付基板２に対して一定の前述したような照射角度φ
および方位角度θが取れるように、イオン源１２をホル
ダ８に対して斜めに向けて固定しておいても良い。しか
もこの場合は、基板搬送装置は、配向膜付基板２を少な
くともラビング装置３０からイオンビーム照射装置５０
へ搬送することができるものであれば良い。
【００７６】上記の配向処理方法のみを実施すること
ができ、しかも照射角度φおよび方位角度θが一定で良
い場合は、イオンビーム照射装置５０におけるホルダ８
およびイオン源１２を上記のように固定しておいても良
い。しかもこの場合は、基板搬送装置は、配向膜付基板
２を少なくともイオンビーム照射装置５０からラビング
装置３０へ搬送することができるものであれば良い。
ができ、しかも照射角度φおよび方位角度θが一定で良
い場合は、イオンビーム照射装置５０におけるホルダ８
およびイオン源１２を上記のように固定しておいても良
い。しかもこの場合は、基板搬送装置は、配向膜付基板
２を少なくともイオンビーム照射装置５０からラビング
装置３０へ搬送することができるものであれば良い。
【００７７】上記の配向処理方法のみを実施する場合
は、イオンビーム照射装置５０におけるホルダ８を固
定、例えば配向膜付基板２の着脱が容易なように水平方
向に固定しておき、かつこのホルダ８上の配向膜付基板
２に対して前記照射角度φがほぼ９０度になるように、
イオン源１２をホルダ８のほぼ真上に下向きに固定して
おいても良い。しかもこの場合は、基板搬送装置は、配
向膜付基板２を少なくともイオンビーム照射装置５０か
らラビング装置３０へ搬送することができるものであれ
ば良い。
は、イオンビーム照射装置５０におけるホルダ８を固
定、例えば配向膜付基板２の着脱が容易なように水平方
向に固定しておき、かつこのホルダ８上の配向膜付基板
２に対して前記照射角度φがほぼ９０度になるように、
イオン源１２をホルダ８のほぼ真上に下向きに固定して
おいても良い。しかもこの場合は、基板搬送装置は、配
向膜付基板２を少なくともイオンビーム照射装置５０か
らラビング装置３０へ搬送することができるものであれ
ば良い。
【００７８】上記の配向処理方法のみを実施する場合
は、イオンビーム照射装置５０におけるホルダ８および
イオン源１２を上記のように固定しておいても良い。し
かもこの場合は、基板搬送装置は、配向膜付基板２を少
なくともラビング装置３０からイオンビーム照射装置５
０へ搬送することができるものであれば良い。
は、イオンビーム照射装置５０におけるホルダ８および
イオン源１２を上記のように固定しておいても良い。し
かもこの場合は、基板搬送装置は、配向膜付基板２を少
なくともラビング装置３０からイオンビーム照射装置５
０へ搬送することができるものであれば良い。
【００７９】また、上記および／またはの配向処理
方法を実施することができ、しかも照射角度φのみを可
変にして方位角度θが固定で良い場合は、イオンビーム
照射装置５０におけるホルダ８をその面内において矢印
Ｆ方向に回転可能にするのを止めて、この方向は固定、
例えば配向膜付基板２の着脱が容易なようにホルダ８を
配向膜付基板２の搬出入方向に平行に（換言すれば移動
テーブル２０に平行に）固定しておき、かつこのホルダ
８上の配向膜付基板２に対して一定の方位角度θが取れ
るように、イオン源１２を配向膜付基板２の搬出入方向
に対して斜めに向くように固定しておいても良い。ただ
し照射角度φを可変にするために、ホルダ８は矢印Ｃ方
向には回転可能にしておくものとする。
方法を実施することができ、しかも照射角度φのみを可
変にして方位角度θが固定で良い場合は、イオンビーム
照射装置５０におけるホルダ８をその面内において矢印
Ｆ方向に回転可能にするのを止めて、この方向は固定、
例えば配向膜付基板２の着脱が容易なようにホルダ８を
配向膜付基板２の搬出入方向に平行に（換言すれば移動
テーブル２０に平行に）固定しておき、かつこのホルダ
８上の配向膜付基板２に対して一定の方位角度θが取れ
るように、イオン源１２を配向膜付基板２の搬出入方向
に対して斜めに向くように固定しておいても良い。ただ
し照射角度φを可変にするために、ホルダ８は矢印Ｃ方
向には回転可能にしておくものとする。
【００８０】
【発明の効果】この発明は、上記のとおり構成されてい
るので、次のような効果を奏する。
るので、次のような効果を奏する。
【００８１】請求項１または２記載の配向処理方法によ
れば、配向膜表面に対してイオンビームを斜め上方から
照射し、しかもイオンビーム照射方向とラビング方向と
を互いに異ならせるので、配向膜は互いに異なる二つの
配向方向を持つようになり、マルチドメイン配向を実現
することができる。その結果、液晶ディスプレイの視野
角を広げることができる。
れば、配向膜表面に対してイオンビームを斜め上方から
照射し、しかもイオンビーム照射方向とラビング方向と
を互いに異ならせるので、配向膜は互いに異なる二つの
配向方向を持つようになり、マルチドメイン配向を実現
することができる。その結果、液晶ディスプレイの視野
角を広げることができる。
【００８２】しかもこの配向処理方法によれば、イオン
ビーム照射においては非接触で配向膜に配向処理を施す
ことができるのでパーティクルの発生は非常に少なく、
従ってラビング処理を２回行う従来法よりもパーティク
ルの発生を減少させることができる。その結果例えば、
液晶ディスプレイの特性を悪化させる要因が少なくなる
ので、液晶ディスプレイの歩留まりを向上させることが
できるようになる。
ビーム照射においては非接触で配向膜に配向処理を施す
ことができるのでパーティクルの発生は非常に少なく、
従ってラビング処理を２回行う従来法よりもパーティク
ルの発生を減少させることができる。その結果例えば、
液晶ディスプレイの特性を悪化させる要因が少なくなる
ので、液晶ディスプレイの歩留まりを向上させることが
できるようになる。
【００８３】請求項３または４記載の配向処理方法によ
れば、配向膜にラビング処理を施すことによってプレテ
ィルト角を大きくすることができ、しかも配向膜表面に
対してイオンビームをほぼ直角方向から照射することに
よってランダム配向を実現することができるので、液晶
ディスプレイの視野角を広げることができる。
れば、配向膜にラビング処理を施すことによってプレテ
ィルト角を大きくすることができ、しかも配向膜表面に
対してイオンビームをほぼ直角方向から照射することに
よってランダム配向を実現することができるので、液晶
ディスプレイの視野角を広げることができる。
【００８４】しかもこの配向処理方法によれば、イオン
ビーム照射においては非接触で配向膜に配向処理を施す
ことができるのでパーティクルの発生は非常に少なく、
従ってラビング処理を２回行う従来法よりもパーティク
ルの発生を減少させることができる。その結果例えば、
液晶ディスプレイの特性を悪化させる要因が少なくなる
ので、液晶ディスプレイの歩留まりを向上させることが
できるようになる。
ビーム照射においては非接触で配向膜に配向処理を施す
ことができるのでパーティクルの発生は非常に少なく、
従ってラビング処理を２回行う従来法よりもパーティク
ルの発生を減少させることができる。その結果例えば、
液晶ディスプレイの特性を悪化させる要因が少なくなる
ので、液晶ディスプレイの歩留まりを向上させることが
できるようになる。
【００８５】請求項５記載の配向処理装置によれば、請
求項１または２記載の配向処理方法を実施することがで
きる。しかもこの配向処理装置によれば、ラビング処理
を真空中において行うことができ、ラビングによってパ
ーティクルが発生してもそれを速やかに排出することが
できるので、ラビングを大気中で行う場合よりも、配向
膜付基板へのパーティクルの付着を低減することができ
る。その結果例えば、液晶ディスプレイの特性を悪化さ
せる要因がより少なくなるので、液晶ディスプレイの歩
留まりをより向上させることができる。また、ラビング
処理とイオンビーム照射処理の連続処理が可能であり、
しかも両処理および基板搬送の全てを真空雰囲気中にお
いて行うことができるので、スループットが高く、量産
性に富んでいる。
求項１または２記載の配向処理方法を実施することがで
きる。しかもこの配向処理装置によれば、ラビング処理
を真空中において行うことができ、ラビングによってパ
ーティクルが発生してもそれを速やかに排出することが
できるので、ラビングを大気中で行う場合よりも、配向
膜付基板へのパーティクルの付着を低減することができ
る。その結果例えば、液晶ディスプレイの特性を悪化さ
せる要因がより少なくなるので、液晶ディスプレイの歩
留まりをより向上させることができる。また、ラビング
処理とイオンビーム照射処理の連続処理が可能であり、
しかも両処理および基板搬送の全てを真空雰囲気中にお
いて行うことができるので、スループットが高く、量産
性に富んでいる。
【００８６】請求項６記載の配向処理装置によれば、請
求項３または４記載の配向処理方法を実施することがで
きる。しかも、請求項５記載の配向処理装置と同様の効
果を奏する。
求項３または４記載の配向処理方法を実施することがで
きる。しかも、請求項５記載の配向処理装置と同様の効
果を奏する。
【００８７】請求項７記載の配向処理装置によれば、請
求項１または２記載の配向処理方法を実施することがで
きる。しかも、請求項５記載の配向処理装置と同様の効
果を奏する。更に、ホルダの傾き角度が可変であって照
射角度φが可変であるので、処理の柔軟性が高く、配向
秩序度の制御が可能である。
求項１または２記載の配向処理方法を実施することがで
きる。しかも、請求項５記載の配向処理装置と同様の効
果を奏する。更に、ホルダの傾き角度が可変であって照
射角度φが可変であるので、処理の柔軟性が高く、配向
秩序度の制御が可能である。
【００８８】請求項８記載の配向処理装置によれば、請
求項１〜４記載の配向処理方法を実施することができ
る。しかも、請求項５記載の配向処理装置と同様の効果
を奏する。更に、一つの装置で請求項１〜４に記載の四
つの配向処理方法を実施することができるので、処理の
柔軟性が高い。また、ホルダの傾き角度および面内での
回転角度が可変であって照射角度φおよび方位角度θが
可変であるので、この意味からも処理の柔軟性が高く、
配向秩序度の制御およびマルチドメイン配向における配
向方向関係の制御が可能である。
求項１〜４記載の配向処理方法を実施することができ
る。しかも、請求項５記載の配向処理装置と同様の効果
を奏する。更に、一つの装置で請求項１〜４に記載の四
つの配向処理方法を実施することができるので、処理の
柔軟性が高い。また、ホルダの傾き角度および面内での
回転角度が可変であって照射角度φおよび方位角度θが
可変であるので、この意味からも処理の柔軟性が高く、
配向秩序度の制御およびマルチドメイン配向における配
向方向関係の制御が可能である。
【図１】配向膜にラビング処理を施す装置の一例を示す
概略図である。
概略図である。
【図２】配向膜にイオンビームを照射する装置の一例を
示す概略図である。
示す概略図である。
【図３】ラビング方向とイオンビーム照射方向との関係
の一例を示す平面図である。
の一例を示す平面図である。
【図４】ラビング処理後の配向膜にイオンビームを照射
する状態の一例を模式的に示す拡大図である。
する状態の一例を模式的に示す拡大図である。
【図５】イオンビームの照射角度と配向膜の配向秩序度
との関係の測定結果の一例を示す図である。
との関係の測定結果の一例を示す図である。
【図６】この発明に係る配向処理装置の一例を示す横断
面図である。
面図である。
【図７】図６の線ａ−ａに沿う縦断面図である。
２ 配向膜付基板 ４ ガラス基板 ６ 配向膜 ８ ホルダ １２ イオン源 １４ イオンビーム ２０ 移動テーブル ２２ ラビング材 ３０ ラビング装置 ３２ 真空容器 ３６ 基板移動装置 ４０ 基板搬送装置 ４２ 真空容器 ４６ 搬送ロボット ５０ イオンビーム照射装置 ５２ 真空容器 ５６ ホルダ駆動装置 ６０ 基板供給装置 ６２ 真空容器 ６６ カセット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 桑原 創 京都府京都市右京区梅津高畝町47番地 日 新電機株式会社内 (72)発明者 江原 泰蔵 東京都日野市日野1164番地 株式会社イ ー・エッチ・シー内
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上に形成されていて液晶分子を配向
させるための配向膜の表面をラビング材を用いて一定方
向にラビングし、その後真空中で同配向膜に対してイオ
ンビームを、先のラビング材によるラビング方向とは異
なった方向から、かつ配向膜表面に対して斜め上方から
照射することを特徴とする配向膜の配向処理方法。 - 【請求項２】 基板上に形成されていて液晶分子を配向
させるための配向膜に対して真空中でイオンビームを、
配向膜表面に対して斜め上方から照射し、その後同配向
膜の表面をラビング材を用いて、先のイオンビーム照射
方向とは異なった方向にラビングすることを特徴とする
配向膜の配向処理方法。 - 【請求項３】 基板上に形成されていて液晶分子を配向
させるための配向膜に対して真空中でイオンビームを、
配向膜表面に対してほぼ直角方向から照射し、その後同
配向膜の表面を、ラビング材を用いてラビングすること
を特徴とする配向膜の配向処理方法。 - 【請求項４】 基板上に形成されていて液晶分子を配向
させるための配向膜の表面をラビング材を用いてラビン
グし、その後真空中で同配向膜に対してイオンビーム
を、配向膜表面に対してほぼ直角方向から照射すること
を特徴とする配向膜の配向処理方法。 - 【請求項５】 （イ）真空に排気される真空容器と、こ
の真空容器内に設けられていて配向膜付基板を移動させ
る基板移動装置と、この基板移動装置上の配向膜付基板
の配向膜の表面をラビングするラビング材とを有するラ
ビング装置と、 （ロ）真空に排気される真空容器と、この真空容器内に
設けられていて配向膜付基板を保持するホルダと、この
ホルダ上の配向膜付基板の配向膜にイオンビームを、前
記ラビング装置におけるラビング方向とは異なる方向か
ら、かつ配向膜表面に対して斜め上方から照射するイオ
ン源とを有するイオンビーム照射装置と、 （ハ）真空雰囲気中において前記配向膜付基板を前記ラ
ビング装置から前記イオンビーム照射装置へまたはその
逆に搬送する基板搬送装置とを備えることを特徴とする
配向処理装置。 - 【請求項６】 （イ）真空に排気される真空容器と、こ
の真空容器内に設けられていて配向膜付基板を移動させ
る基板移動装置と、この基板移動装置上の配向膜付基板
の配向膜の表面をラビングするラビング材とを有するラ
ビング装置と、 （ロ）真空に排気される真空容器と、この真空容器内に
設けられていて配向膜付基板を保持するホルダと、この
ホルダ上の配向膜付基板の配向膜にイオンビームを、配
向膜表面に対してほぼ直角方向から照射するイオン源と
を有するイオンビーム照射装置と、 （ハ）真空雰囲気中において前記配向膜付基板を前記ラ
ビング装置から前記イオンビーム照射装置へまたはその
逆に搬送する基板搬送装置とを備えることを特徴とする
配向処理装置。 - 【請求項７】 （イ）真空に排気される真空容器と、こ
の真空容器内に設けられていて配向膜付基板を移動させ
る基板移動装置と、この基板移動装置上の配向膜付基板
の配向膜の表面をラビングするラビング材とを有するラ
ビング装置と、 （ロ）真空に排気される真空容器と、この真空容器内に
設けられていて配向膜付基板を保持するものであってそ
の傾き角度が可変のホルダと、このホルダ上の配向膜付
基板の配向膜にイオンビームを、前記ラビング装置にお
けるラビング方向とは異なった方向から照射するイオン
源とを有するイオンビーム照射装置と、 （ハ）真空雰囲気中において前記配向膜付基板を前記ラ
ビング装置から前記イオンビーム照射装置へまたはその
逆に搬送する基板搬送装置とを備えることを特徴とする
配向処理装置。 - 【請求項８】 （イ）真空に排気される真空容器と、こ
の真空容器内に設けられていて配向膜付基板を移動させ
る基板移動装置と、この基板移動装置上の配向膜付基板
の配向膜の表面をラビングするラビング材とを有するラ
ビング装置と、 （ロ）真空に排気される真空容器と、この真空容器内に
設けられていて配向膜付基板を保持するものであってそ
の傾き角度および面内での回転方向の角度が可変のホル
ダと、このホルダ上の配向膜付基板の配向膜にイオンビ
ームを照射するイオン源とを有するイオンビーム照射装
置と、 （ハ）真空雰囲気中において前記配向膜付基板を前記ラ
ビング装置から前記イオンビーム照射装置へまたはその
逆に搬送する基板搬送装置とを備えることを特徴とする
配向処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7353580A JPH08234207A (ja) | 1994-12-28 | 1995-12-28 | 配向膜の配向処理方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33846994 | 1994-12-28 | ||
| JP6-338469 | 1994-12-28 | ||
| JP7353580A JPH08234207A (ja) | 1994-12-28 | 1995-12-28 | 配向膜の配向処理方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08234207A true JPH08234207A (ja) | 1996-09-13 |
Family
ID=18318460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7353580A Pending JPH08234207A (ja) | 1994-12-28 | 1995-12-28 | 配向膜の配向処理方法およびその装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5710608A (ja) |
| JP (1) | JPH08234207A (ja) |
| KR (1) | KR960022713A (ja) |
| SG (1) | SG34346A1 (ja) |
| TW (1) | TW348227B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007256485A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Jsr Corp | 液晶配向剤、液晶配向膜および液晶表示素子 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6924860B2 (en) * | 1997-11-05 | 2005-08-02 | Hitachi, Ltd. | Polarized UV light irradiation method for liquid crystal display device |
| JPH11142850A (ja) * | 1997-11-05 | 1999-05-28 | Hitachi Ltd | 偏光照射方法とその装置 |
| US6346975B2 (en) * | 1998-08-04 | 2002-02-12 | International Business Machines Corporation | Liquid crystal display having alignment layer using ion bombarded amorphous material 100Å thickness or less |
| US6665033B2 (en) * | 2000-11-30 | 2003-12-16 | International Business Machines Corporation | Method for forming alignment layer by ion beam surface modification |
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