JPH06130393A - 配向膜の配向処理方法 - Google Patents
配向膜の配向処理方法Info
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- JPH06130393A JPH06130393A JP30663992A JP30663992A JPH06130393A JP H06130393 A JPH06130393 A JP H06130393A JP 30663992 A JP30663992 A JP 30663992A JP 30663992 A JP30663992 A JP 30663992A JP H06130393 A JPH06130393 A JP H06130393A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alignment film
- alignment
- ion beam
- liquid crystal
- oriented film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 配向処理の際のパーティクルおよび静電気の
発生を抑えることができる配向膜の配向処理方法を提供
する。 【構成】 ガラス基板４上に形成された配向膜８に対し
て、まず真空容器１２内で、イオン源１４から引き出し
たイオンビーム１６を照射する。しかもそれと同時に、
同配向膜８に対して、イオンビーム１６による正電荷を
中和させる電子２０をフィラメント１８から供給する。
次いで、このようにして処理された配向膜８に対して、
電子線照射装置２２から引き出した電子線２４を照射す
る。
発生を抑えることができる配向膜の配向処理方法を提供
する。 【構成】 ガラス基板４上に形成された配向膜８に対し
て、まず真空容器１２内で、イオン源１４から引き出し
たイオンビーム１６を照射する。しかもそれと同時に、
同配向膜８に対して、イオンビーム１６による正電荷を
中和させる電子２０をフィラメント１８から供給する。
次いで、このようにして処理された配向膜８に対して、
電子線照射装置２２から引き出した電子線２４を照射す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば液晶ディスプ
レイの製造等に利用されるものであって、液晶分子を一
定方向に配向させるための配向膜に対して配向処理を施
す、配向膜の配向処理方法に関する。
レイの製造等に利用されるものであって、液晶分子を一
定方向に配向させるための配向膜に対して配向処理を施
す、配向膜の配向処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶分子を基板の表面に平行に配向させ
るために、基板の表面に、ポリイミド等の高分子有機材
料から成る配向膜を塗布することが行われている。
るために、基板の表面に、ポリイミド等の高分子有機材
料から成る配向膜を塗布することが行われている。
【０００３】この場合、基板の表面に単に配向膜を塗布
しただけでは、液晶分子が基板の表面に対して平行に配
列するだけで、液晶分子を一定方向に配列させることは
できない。
しただけでは、液晶分子が基板の表面に対して平行に配
列するだけで、液晶分子を一定方向に配列させることは
できない。
【０００４】そこで従来は、配向膜に、その表面をナイ
ロンやレーヨン等の布で一定方向に機械的にラビング
（摩擦）することによって配向処理を施し、これによっ
て液晶分子をラビングした方向に配列させることが行わ
れている。
ロンやレーヨン等の布で一定方向に機械的にラビング
（摩擦）することによって配向処理を施し、これによっ
て液晶分子をラビングした方向に配列させることが行わ
れている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
にラビングによって配向膜に配向処理を施す方法では、
パーティクル（ゴミ）および静電気が発生して、これが
液晶ディスプレイの特性を悪化させ、ひいては歩留まり
を低下させる要因になるという問題がある。例えば、パ
ーティクルが発生し付着すると、それによって表示むら
が生じたり、電気的にショートする個所が生じたりす
る。また、静電気が発生すると、それによって液晶分子
の配向が阻害されたり、ＴＦＴ−ＬＣＤ（薄膜トランジ
スタ液晶ディスプレイ）の場合は薄膜トランジスタが壊
れたりする。
にラビングによって配向膜に配向処理を施す方法では、
パーティクル（ゴミ）および静電気が発生して、これが
液晶ディスプレイの特性を悪化させ、ひいては歩留まり
を低下させる要因になるという問題がある。例えば、パ
ーティクルが発生し付着すると、それによって表示むら
が生じたり、電気的にショートする個所が生じたりす
る。また、静電気が発生すると、それによって液晶分子
の配向が阻害されたり、ＴＦＴ−ＬＣＤ（薄膜トランジ
スタ液晶ディスプレイ）の場合は薄膜トランジスタが壊
れたりする。
【０００６】そこでこの発明は、配向処理の際のパーテ
ィクルおよび静電気の発生を抑えることができる配向膜
の配向処理方法を提供することを主たる目的とする。
ィクルおよび静電気の発生を抑えることができる配向膜
の配向処理方法を提供することを主たる目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の配向膜の配向処理方法は、基板上に形成
されていて液晶分子を一定方向に配向させるための配向
膜に対して、まず真空中でイオンビームを照射すると同
時にこのイオンビームによる正電荷を中和させる電子を
供給し、次いでこの配向膜に電子線を照射することを特
徴とする。
め、この発明の配向膜の配向処理方法は、基板上に形成
されていて液晶分子を一定方向に配向させるための配向
膜に対して、まず真空中でイオンビームを照射すると同
時にこのイオンビームによる正電荷を中和させる電子を
供給し、次いでこの配向膜に電子線を照射することを特
徴とする。
【０００８】
【作用】上記のように配向膜にイオンビームを照射する
ことで、配向膜に配向処理を施すことができることが確
かめられた。これは、ミクロ的に見ると、イオンビーム
の照射によって配向膜の表面に多数の微小な溝状の歪の
ようなものが形成され、それに沿って液晶分子が配向す
るようになるためであると考えられる。
ことで、配向膜に配向処理を施すことができることが確
かめられた。これは、ミクロ的に見ると、イオンビーム
の照射によって配向膜の表面に多数の微小な溝状の歪の
ようなものが形成され、それに沿って液晶分子が配向す
るようになるためであると考えられる。
【０００９】イオンビーム照射の際、電子によってイオ
ンビームの正電荷を中和させるのは、イオンビームによ
る正電荷が配向膜の表面に溜まると、それがイオンビー
ムの飛来を邪魔して、配向膜の処理が困難になったり不
均一になったりするので、更には配向処理後に液晶セル
を構成したときに電荷によって液晶分子の配向が乱され
たりするので、それを防止するためである。
ンビームの正電荷を中和させるのは、イオンビームによ
る正電荷が配向膜の表面に溜まると、それがイオンビー
ムの飛来を邪魔して、配向膜の処理が困難になったり不
均一になったりするので、更には配向処理後に液晶セル
を構成したときに電荷によって液晶分子の配向が乱され
たりするので、それを防止するためである。
【００１０】このように上記方法では、従来の機械的ラ
ビング法と違って、非接触で配向膜に配向処理を施すこ
とができるので、パーティクルおよび静電気の発生を抑
えることができる。
ビング法と違って、非接触で配向膜に配向処理を施すこ
とができるので、パーティクルおよび静電気の発生を抑
えることができる。
【００１１】但し、上記のようにイオンビーム照射によ
って配向膜に配向処理を施しただけでは、実験の結果、
液晶分子の配向状態を保持する作用の寿命が短い点にな
お改善の余地があることが分かった。これは、イオンビ
ーム照射によって配向膜の表面に形成された前記溝状の
歪のようなものが、配向膜が有機高分子材料から成るこ
ともあって、時間経過と共に元に戻るからであると考え
られる。
って配向膜に配向処理を施しただけでは、実験の結果、
液晶分子の配向状態を保持する作用の寿命が短い点にな
お改善の余地があることが分かった。これは、イオンビ
ーム照射によって配向膜の表面に形成された前記溝状の
歪のようなものが、配向膜が有機高分子材料から成るこ
ともあって、時間経過と共に元に戻るからであると考え
られる。
【００１２】そこでこの発明は、イオンビーム照射を行
った配向膜に更に電子線を照射するようにしており、こ
れによって当該配向膜が化学反応を起こし架橋され、そ
れによってイオンビーム照射によって形成された前記溝
状の歪のようなものが固定される。その結果、液晶分子
の配向状態を保持する作用の寿命の長い配向膜が得られ
る。
った配向膜に更に電子線を照射するようにしており、こ
れによって当該配向膜が化学反応を起こし架橋され、そ
れによってイオンビーム照射によって形成された前記溝
状の歪のようなものが固定される。その結果、液晶分子
の配向状態を保持する作用の寿命の長い配向膜が得られ
る。
【００１３】
【実施例】図１は、この発明に係る配向処理方法を実施
する装置構成の一例を示す概略断面図である。
する装置構成の一例を示す概略断面図である。
【００１４】この図の（Ａ）側は、イオンビーム照射を
行う装置であり、図示しない真空排気装置によって真空
排気される真空容器１２内にホルダ１３が設けられてお
り、その上に、配向処理を施そうとする配向膜付基板２
が載せられている。また、このホルダ１３の上方には、
ホルダ１３の方に向けてフィラメント１８およびイオン
源１４が設けられている。なお、このように真空中で、
より具体的には真空排気される真空容器１２内で、配向
膜８にイオンビーム照射を行うのは、イオンビーム照射
に伴って配向膜８から放出される物質を速やかに排出し
てそれが配向膜８の表面に付着するのを防止する上で好
ましいからである。
行う装置であり、図示しない真空排気装置によって真空
排気される真空容器１２内にホルダ１３が設けられてお
り、その上に、配向処理を施そうとする配向膜付基板２
が載せられている。また、このホルダ１３の上方には、
ホルダ１３の方に向けてフィラメント１８およびイオン
源１４が設けられている。なお、このように真空中で、
より具体的には真空排気される真空容器１２内で、配向
膜８にイオンビーム照射を行うのは、イオンビーム照射
に伴って配向膜８から放出される物質を速やかに排出し
てそれが配向膜８の表面に付着するのを防止する上で好
ましいからである。
【００１５】図１の（Ｂ）側は、電子線照射を行う装置
であり、搬送機構２６上に、当該搬送機構２６に載せら
れた配向膜付基板２上の配向膜８に電子線２４を照射す
る電子線照射装置２２が配置されている。なお、配向膜
８に対する電子線２４の照射は、敢えて真空中で行う必
要はなく、大気中で行っても良い。この例は大気中で行
うものである。あるいは、容器２８を設けてその中に窒
素ガスのような不活性ガスを充填して不活性ガス雰囲気
中で電子線照射を行っても良く、そのようにすれば電子
線照射の際の配向膜８の表面の酸化を防ぐことができ
る。
であり、搬送機構２６上に、当該搬送機構２６に載せら
れた配向膜付基板２上の配向膜８に電子線２４を照射す
る電子線照射装置２２が配置されている。なお、配向膜
８に対する電子線２４の照射は、敢えて真空中で行う必
要はなく、大気中で行っても良い。この例は大気中で行
うものである。あるいは、容器２８を設けてその中に窒
素ガスのような不活性ガスを充填して不活性ガス雰囲気
中で電子線照射を行っても良く、そのようにすれば電子
線照射の際の配向膜８の表面の酸化を防ぐことができ
る。
【００１６】配向膜付基板２は、図２も参照して、この
例ではガラス基板４の表面にＩＴＯ（スズをドープした
酸化インジウム）から成る透明電極膜６を形成し、更に
その上にポリイミドから成る配向膜８を塗布したもので
ある。なお、この例で透明電極膜６を図２に示すように
四角形にしているのは試験用のためであり、実際の液晶
ディスプレイでは透明電極膜は例えば細線状にされる。
例ではガラス基板４の表面にＩＴＯ（スズをドープした
酸化インジウム）から成る透明電極膜６を形成し、更に
その上にポリイミドから成る配向膜８を塗布したもので
ある。なお、この例で透明電極膜６を図２に示すように
四角形にしているのは試験用のためであり、実際の液晶
ディスプレイでは透明電極膜は例えば細線状にされる。
【００１７】上記のような装置構成によって、まず図１
中の（Ａ）側の装置を用いて、真空容器１２内を所定の
真空度（この例の場合は５×１０-7Ｔｏｒｒ程度）に保
ちながら、イオン源１４から引き出したイオンビーム１
６をホルダ１３上の配向膜付基板２の配向膜８に照射す
ると同時に、フィラメント１８から電子２０を引き出し
てそれを配向膜付基板２の配向膜８に供給して、イオン
ビーム１６による正電荷を中和させるようにした。
中の（Ａ）側の装置を用いて、真空容器１２内を所定の
真空度（この例の場合は５×１０-7Ｔｏｒｒ程度）に保
ちながら、イオン源１４から引き出したイオンビーム１
６をホルダ１３上の配向膜付基板２の配向膜８に照射す
ると同時に、フィラメント１８から電子２０を引き出し
てそれを配向膜付基板２の配向膜８に供給して、イオン
ビーム１６による正電荷を中和させるようにした。
【００１８】上記イオンビーム１６には、そのイオンが
配向膜８と反応して配向膜８の性質を変えないようにす
るために、ヘリウム、ネオン、アルゴン等の不活性ガス
イオンビームを用いるのが好ましい。この例では、アル
ゴンイオンビームを用いた。
配向膜８と反応して配向膜８の性質を変えないようにす
るために、ヘリウム、ネオン、アルゴン等の不活性ガス
イオンビームを用いるのが好ましい。この例では、アル
ゴンイオンビームを用いた。
【００１９】上記のような方法で、イオンビーム１６の
加速エネルギーが２００ｅＶ、ビーム電流が１０ｍＡの
条件で、２枚の配向膜付基板２に対してイオンビーム照
射を行った。
加速エネルギーが２００ｅＶ、ビーム電流が１０ｍＡの
条件で、２枚の配向膜付基板２に対してイオンビーム照
射を行った。
【００２０】次いで、図１中の（Ｂ）側の装置を用い
て、上記のようにしてイオンビーム照射された２枚の配
向膜付基板２の配向膜８に対して、電子線照射装置２２
から引き出した電子線２４を照射した。このときの条件
は、電子線２４の加速電圧が１５０ｋＶ、電子線電流が
１０ｍＡ、照射面積が１００ｃｍ2 であった。
て、上記のようにしてイオンビーム照射された２枚の配
向膜付基板２の配向膜８に対して、電子線照射装置２２
から引き出した電子線２４を照射した。このときの条件
は、電子線２４の加速電圧が１５０ｋＶ、電子線電流が
１０ｍＡ、照射面積が１００ｃｍ2 であった。
【００２１】そして、上記のようにして処理された２枚
の配向膜付基板２を、図３に示すように配向膜８を内側
にして、しかも一方の配向膜付基板２を９０度右回りに
回転させて重ね合わせ、かつ両者間に右回りのカイラル
剤を添加した液晶１０を注入して、ＴＮ（ツイストネマ
ティック）モードの液晶セルを構成し、その液晶１０の
配向状況を調べた。
の配向膜付基板２を、図３に示すように配向膜８を内側
にして、しかも一方の配向膜付基板２を９０度右回りに
回転させて重ね合わせ、かつ両者間に右回りのカイラル
剤を添加した液晶１０を注入して、ＴＮ（ツイストネマ
ティック）モードの液晶セルを構成し、その液晶１０の
配向状況を調べた。
【００２２】その結果、上記液晶セルは光学的異方性を
示しており、液晶１０の配向が確認できた。また、同様
の測定を配向処理後１か月経過して行ったが、配向状態
に特に変化は見られなかった。
示しており、液晶１０の配向が確認できた。また、同様
の測定を配向処理後１か月経過して行ったが、配向状態
に特に変化は見られなかった。
【００２３】なお、上記配向膜８は、ポリイミド以外の
有機高分子材料で形成されていても良い。
有機高分子材料で形成されていても良い。
【００２４】また、配向膜８への電子２０の供給は、例
えば電子銃のようなフィラメント１８以外の電子供給手
段によって行っても良い。
えば電子銃のようなフィラメント１８以外の電子供給手
段によって行っても良い。
【００２５】また、上記のようなイオンビーム照射工程
と電子線照射工程とを次々と連続して行うようにしても
良く、そのようにすればスループットが向上する。
と電子線照射工程とを次々と連続して行うようにしても
良く、そのようにすればスループットが向上する。
【００２６】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、イオン
ビーム照射によって非接触で配向膜に配向処理を施すこ
とができるので、配向処理の際のパーティクルおよび静
電気の発生を抑えることができる。その結果例えば、液
晶ディスプレイの特性を悪化させる要因が少なくなるの
で、液晶ディスプレイの歩留まりを向上させることがで
きるようになる。
ビーム照射によって非接触で配向膜に配向処理を施すこ
とができるので、配向処理の際のパーティクルおよび静
電気の発生を抑えることができる。その結果例えば、液
晶ディスプレイの特性を悪化させる要因が少なくなるの
で、液晶ディスプレイの歩留まりを向上させることがで
きるようになる。
【００２７】しかも、イオンビーム照射によって配向処
理された配向膜に電子線を照射して架橋させるようにし
ているので、配向作用の寿命の長い配向膜を得ることが
できる。その結果例えば、寿命の長い液晶ディスプレイ
を実現することができるようになる。
理された配向膜に電子線を照射して架橋させるようにし
ているので、配向作用の寿命の長い配向膜を得ることが
できる。その結果例えば、寿命の長い液晶ディスプレイ
を実現することができるようになる。
【図１】この発明に係る配向処理方法を実施する装置構
成の一例を示す概略断面図である。
成の一例を示す概略断面図である。
【図２】図１中の配向膜付基板の平面図である。
【図３】液晶セルの一例を示す概略断面図である。
２ 配向膜付基板 ４ ガラス基板 ６ 透明電極膜 ８ 配向膜 １２ 真空容器 １４ イオン源 １６ イオンビーム １８ フィラメント ２０ 電子 ２２ 電子線照射装置 ２４ 電子線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 江原 泰蔵 東京都日野市日野1164番地 株式会社イ ー・エッチ・シー内
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に形成されていて液晶分子を一定
方向に配向させるための配向膜に対して、まず真空中で
イオンビームを照射すると同時にこのイオンビームによ
る正電荷を中和させる電子を供給し、次いでこの配向膜
に電子線を照射することを特徴とする配向膜の配向処理
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30663992A JPH06130393A (ja) | 1992-10-20 | 1992-10-20 | 配向膜の配向処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30663992A JPH06130393A (ja) | 1992-10-20 | 1992-10-20 | 配向膜の配向処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06130393A true JPH06130393A (ja) | 1994-05-13 |
Family
ID=17959524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30663992A Pending JPH06130393A (ja) | 1992-10-20 | 1992-10-20 | 配向膜の配向処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06130393A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100977976B1 (ko) * | 2003-08-21 | 2010-08-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 이온 빔 조사 장치 및 그 방법 |
-
1992
- 1992-10-20 JP JP30663992A patent/JPH06130393A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100977976B1 (ko) * | 2003-08-21 | 2010-08-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 이온 빔 조사 장치 및 그 방법 |
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