JPH06130389A - 配向膜の配向処理方法 - Google Patents
配向膜の配向処理方法Info
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- JPH06130389A JPH06130389A JP4306462A JP30646292A JPH06130389A JP H06130389 A JPH06130389 A JP H06130389A JP 4306462 A JP4306462 A JP 4306462A JP 30646292 A JP30646292 A JP 30646292A JP H06130389 A JPH06130389 A JP H06130389A
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- liquid crystal
- alignment film
- film
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133765—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers without a surface treatment
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 配向処理の際のパーティクルおよび静電気の
発生を抑えることができる配向膜の配向処理方法を提供
する。 【構成】 ガラス基板４上に形成された配向膜８に対し
て、真空容器１２内で、多数の互いに平行なスリット穴
２４を有するマスク２２を通して、電子ビーム源１４か
ら引き出した電子ビーム１６を照射する。
発生を抑えることができる配向膜の配向処理方法を提供
する。 【構成】 ガラス基板４上に形成された配向膜８に対し
て、真空容器１２内で、多数の互いに平行なスリット穴
２４を有するマスク２２を通して、電子ビーム源１４か
ら引き出した電子ビーム１６を照射する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば液晶ディスプ
レイの製造等に利用されるものであって、液晶分子を一
定方向に配向させるための配向膜に対して配向処理を施
す、配向膜の配向処理方法に関する。
レイの製造等に利用されるものであって、液晶分子を一
定方向に配向させるための配向膜に対して配向処理を施
す、配向膜の配向処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶分子を基板の表面に平行に配向させ
るために、基板の表面に、ポリイミド等の高分子有機材
料から成る配向膜を塗布することが行われている。
るために、基板の表面に、ポリイミド等の高分子有機材
料から成る配向膜を塗布することが行われている。
【０００３】この場合、基板の表面に単に配向膜を塗布
しただけでは、液晶分子が基板の表面に対して平行に配
列するだけで、液晶分子を一定方向に配列させることは
できない。
しただけでは、液晶分子が基板の表面に対して平行に配
列するだけで、液晶分子を一定方向に配列させることは
できない。
【０００４】そこで従来は、配向膜に、その表面をナイ
ロンやレーヨン等の布で一定方向に機械的にラビング
（摩擦）することによって配向処理を施し、これによっ
て液晶分子をラビングした方向に配列させることが行わ
れている。
ロンやレーヨン等の布で一定方向に機械的にラビング
（摩擦）することによって配向処理を施し、これによっ
て液晶分子をラビングした方向に配列させることが行わ
れている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
にラビングによって配向膜に配向処理を施す方法では、
パーティクル（ゴミ）および静電気が発生して、これが
液晶ディスプレイの特性を悪化させ、ひいては歩留まり
を低下させる要因になるという問題がある。例えば、パ
ーティクルが発生し付着すると、それによって表示むら
が生じたり、電気的にショートする個所が生じたりす
る。また、静電気が発生すると、それによって液晶分子
の配向が阻害されたり、ＴＦＴ−ＬＣＤ（薄膜トランジ
スタ液晶ディスプレイ）の場合は薄膜トランジスタが壊
れたりする。
にラビングによって配向膜に配向処理を施す方法では、
パーティクル（ゴミ）および静電気が発生して、これが
液晶ディスプレイの特性を悪化させ、ひいては歩留まり
を低下させる要因になるという問題がある。例えば、パ
ーティクルが発生し付着すると、それによって表示むら
が生じたり、電気的にショートする個所が生じたりす
る。また、静電気が発生すると、それによって液晶分子
の配向が阻害されたり、ＴＦＴ−ＬＣＤ（薄膜トランジ
スタ液晶ディスプレイ）の場合は薄膜トランジスタが壊
れたりする。
【０００６】そこでこの発明は、配向処理の際のパーテ
ィクルおよび静電気の発生を抑えることができる配向膜
の配向処理方法を提供することを主たる目的とする。
ィクルおよび静電気の発生を抑えることができる配向膜
の配向処理方法を提供することを主たる目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の配向膜の配向処理方法は、基板上に形成
されていて液晶分子を一定方向に配向させるための配向
膜に対して、真空中で、多数の互いに平行なスリット穴
を有するマスクを通して電子ビームを照射することを特
徴とする。
め、この発明の配向膜の配向処理方法は、基板上に形成
されていて液晶分子を一定方向に配向させるための配向
膜に対して、真空中で、多数の互いに平行なスリット穴
を有するマスクを通して電子ビームを照射することを特
徴とする。
【０００８】
【作用】上記のように配向膜に、多数の互いに平行なス
リット穴を有するマスクを通して電子ビームを照射する
と、この電子ビームの熱的エネルギーによって配向膜の
表面が溶融・気化し、配向膜の表面に多数の微小な溝が
形成される。このようにして配向膜の表面に多数の溝を
形成すると、液晶分子は、その溝に沿って配向するよう
になる。このように上記方法では、従来の機械的ラビン
グ法と違って、非接触で配向膜に配向処理を施すことが
できるので、パーティクルおよび静電気の発生を抑える
ことができる。
リット穴を有するマスクを通して電子ビームを照射する
と、この電子ビームの熱的エネルギーによって配向膜の
表面が溶融・気化し、配向膜の表面に多数の微小な溝が
形成される。このようにして配向膜の表面に多数の溝を
形成すると、液晶分子は、その溝に沿って配向するよう
になる。このように上記方法では、従来の機械的ラビン
グ法と違って、非接触で配向膜に配向処理を施すことが
できるので、パーティクルおよび静電気の発生を抑える
ことができる。
【０００９】
【実施例】図１は、この発明に係る配向処理方法を実施
する装置の一例を示す概略断面図である。図示しない真
空排気装置によって真空排気される真空容器１２内にホ
ルダ１３が設けられており、その上に、配向処理を施そ
うとする配向膜付基板２が載せられている。また、この
ホルダ１３の上方にはマスク２２が設けられており、更
にその上方に、ホルダ１３の方に向けて電子ビーム源１
４が設けられている。
する装置の一例を示す概略断面図である。図示しない真
空排気装置によって真空排気される真空容器１２内にホ
ルダ１３が設けられており、その上に、配向処理を施そ
うとする配向膜付基板２が載せられている。また、この
ホルダ１３の上方にはマスク２２が設けられており、更
にその上方に、ホルダ１３の方に向けて電子ビーム源１
４が設けられている。
【００１０】配向膜付基板２は、図２も参照して、この
例ではガラス基板４の表面にＩＴＯ（スズをドープした
酸化インジウム）から成る透明電極膜６を形成し、更に
その上にポリイミドから成る配向膜８を塗布したもので
ある。なお、この例で透明電極膜６を図２に示すように
四角形にしているのは試験用のためであり、実際の液晶
ディスプレイでは透明電極膜は例えば細線状にされる。
例ではガラス基板４の表面にＩＴＯ（スズをドープした
酸化インジウム）から成る透明電極膜６を形成し、更に
その上にポリイミドから成る配向膜８を塗布したもので
ある。なお、この例で透明電極膜６を図２に示すように
四角形にしているのは試験用のためであり、実際の液晶
ディスプレイでは透明電極膜は例えば細線状にされる。
【００１１】マスク２２は、図３も参照して、この例で
は金属から成り、多数の互いに平行なスリット穴２４を
有している。この各スリット穴２４（スペース）および
それらの間の各ライン２３の幅は、この例ではいずれも
５μｍである。
は金属から成り、多数の互いに平行なスリット穴２４を
有している。この各スリット穴２４（スペース）および
それらの間の各ライン２３の幅は、この例ではいずれも
５μｍである。
【００１２】上記のような装置を用いて、真空容器１２
内を所定の真空度（例えば１０-6Ｔｏｒｒ程度）に保っ
て、電子ビーム源１４から引き出した電子ビーム１６を
マスク２２を通してホルダ１３上の配向膜付基板２の配
向膜８に照射した。
内を所定の真空度（例えば１０-6Ｔｏｒｒ程度）に保っ
て、電子ビーム源１４から引き出した電子ビーム１６を
マスク２２を通してホルダ１３上の配向膜付基板２の配
向膜８に照射した。
【００１３】上記のような方法で、表１に示すようなエ
ネルギーで、試料（試験用の配向膜付基板）２ａ〜２ｄ
および２ａ′〜２ｄ′に対して電子ビーム照射を行っ
た。ここで試料２ａ〜２ｄは、マスク２２のスリット穴
２４が例えば図４に示すような方向で電子ビーム１６を
照射したものであり、試料２ａ′〜２ｄ′は図５に示す
ように図４とはスリット穴２４が直交する方向で電子ビ
ーム１６を照射したものであり、これによって、電子ビ
ーム１６の熱的エネルギーによって配向膜８の表面に形
成される溝は、試料２ａ〜２ｄ側と試料２ａ′〜２ｄ′
側とでは互いに直交するようになる。
ネルギーで、試料（試験用の配向膜付基板）２ａ〜２ｄ
および２ａ′〜２ｄ′に対して電子ビーム照射を行っ
た。ここで試料２ａ〜２ｄは、マスク２２のスリット穴
２４が例えば図４に示すような方向で電子ビーム１６を
照射したものであり、試料２ａ′〜２ｄ′は図５に示す
ように図４とはスリット穴２４が直交する方向で電子ビ
ーム１６を照射したものであり、これによって、電子ビ
ーム１６の熱的エネルギーによって配向膜８の表面に形
成される溝は、試料２ａ〜２ｄ側と試料２ａ′〜２ｄ′
側とでは互いに直交するようになる。
【００１４】
【表１】
【００１５】そして、同じ処理条件の試料２ａ〜２ｄと
２ａ′〜２ｄ′とを、図６に示すように配向膜８を内側
にして、しかも配向膜８の表面の溝が互いに直交するよ
うにそれぞれ重ね合わせ、かつ両者間に右回りのカイラ
ル剤を添加した液晶１０を注入して、ＴＮ（ツイストネ
マティック）モードの液晶セルをそれぞれ構成し、この
液晶セルの上下に配向膜８の配向方向に合わせた偏光板
をそれぞれ貼り、このようにして液晶１０の配向状態を
調べた。
２ａ′〜２ｄ′とを、図６に示すように配向膜８を内側
にして、しかも配向膜８の表面の溝が互いに直交するよ
うにそれぞれ重ね合わせ、かつ両者間に右回りのカイラ
ル剤を添加した液晶１０を注入して、ＴＮ（ツイストネ
マティック）モードの液晶セルをそれぞれ構成し、この
液晶セルの上下に配向膜８の配向方向に合わせた偏光板
をそれぞれ貼り、このようにして液晶１０の配向状態を
調べた。
【００１６】その結果、電子ビーム１６のエネルギーが
０．５ＭｅＶの場合は、液晶１０の配向は殆ど確認でき
なかった。これは、電子ビーム１６のエネルギーが弱す
ぎて、配向膜８の表面に十分に溝を掘ることができなか
ったためである。
０．５ＭｅＶの場合は、液晶１０の配向は殆ど確認でき
なかった。これは、電子ビーム１６のエネルギーが弱す
ぎて、配向膜８の表面に十分に溝を掘ることができなか
ったためである。
【００１７】電子ビーム１６のエネルギーが１．０Ｍｅ
Ｖの場合は、配向膜８の表面にシャープに溝が掘られて
おり、上記液晶セルが十分に光学的異方性を示してお
り、液晶１０の配向が十分に確認できた。
Ｖの場合は、配向膜８の表面にシャープに溝が掘られて
おり、上記液晶セルが十分に光学的異方性を示してお
り、液晶１０の配向が十分に確認できた。
【００１８】電子ビーム１６のエネルギーが１．５Ｍｅ
Ｖの場合は、配向膜８の表面の溝が熱発生のために広が
ると共に深くなるが、液晶１０の配向は確認できた。
Ｖの場合は、配向膜８の表面の溝が熱発生のために広が
ると共に深くなるが、液晶１０の配向は確認できた。
【００１９】電子ビーム１６のエネルギーが２．０Ｍｅ
Ｖの場合は、液晶１０の配向は殆ど確認できなかった。
これは、電子ビーム１６のエネルギーが強すぎて、電子
が配向膜８（この例の場合は厚み２００Å）を透過して
しまったためである。
Ｖの場合は、液晶１０の配向は殆ど確認できなかった。
これは、電子ビーム１６のエネルギーが強すぎて、電子
が配向膜８（この例の場合は厚み２００Å）を透過して
しまったためである。
【００２０】このように、上記方法によれば、電子ビー
ム１６を配向膜８に照射することによって、しかもその
ときの電子ビーム１６のエネルギーを０．５ＭｅＶより
大きく２．０ＭｅＶより小さい範囲内に選定することに
よって、機械的ラビング法によらずに非接触で、配向膜
８に配向処理を施すことができることが確認できた。
ム１６を配向膜８に照射することによって、しかもその
ときの電子ビーム１６のエネルギーを０．５ＭｅＶより
大きく２．０ＭｅＶより小さい範囲内に選定することに
よって、機械的ラビング法によらずに非接触で、配向膜
８に配向処理を施すことができることが確認できた。
【００２１】なお、配向膜８に電子ビーム１６を照射し
ても、電子はイオンに比べて軽くて移動が容易であるの
で拡散して放電しやすく、従って配向膜８の表面が負に
帯電する可能性は殆どない。また配向処理後等に必要に
応じて液晶セルを加熱処理しても良く、そのようにすれ
ば電子がより移動しやすくなるので電子による負帯電を
より確実に防止することができるようになる。
ても、電子はイオンに比べて軽くて移動が容易であるの
で拡散して放電しやすく、従って配向膜８の表面が負に
帯電する可能性は殆どない。また配向処理後等に必要に
応じて液晶セルを加熱処理しても良く、そのようにすれ
ば電子がより移動しやすくなるので電子による負帯電を
より確実に防止することができるようになる。
【００２２】また、上記配向膜８は、ポリイミド以外の
有機高分子材料で形成されていても良い。
有機高分子材料で形成されていても良い。
【００２３】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、電子ビ
ーム照射によって非接触で配向膜に配向処理を施すこと
ができるので、配向処理の際のパーティクルおよび静電
気の発生を抑えることができる。その結果例えば、液晶
ディスプレイの特性を悪化させる要因が少なくなるの
で、液晶ディスプレイの歩留まりを向上させることがで
きるようになる。
ーム照射によって非接触で配向膜に配向処理を施すこと
ができるので、配向処理の際のパーティクルおよび静電
気の発生を抑えることができる。その結果例えば、液晶
ディスプレイの特性を悪化させる要因が少なくなるの
で、液晶ディスプレイの歩留まりを向上させることがで
きるようになる。
【図１】この発明に係る配向処理方法を実施する装置の
一例を示す概略断面図である。
一例を示す概略断面図である。
【図２】図１中の配向膜付基板の平面図である。
【図３】図１中のマスクの拡大部分平面図である。
【図４】マスクと配向膜付基板との関係の一例を示す平
面図である。
面図である。
【図５】マスクと配向膜付基板との関係の他の例を示す
平面図である。
平面図である。
【図６】液晶セルの一例を示す概略断面図である。
２ 配向膜付基板 ４ ガラス基板 ６ 透明電極膜 ８ 配向膜 １２ 真空容器 １４ 電子ビーム源 １６ 電子ビーム ２２ マスク ２４ スリット穴
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 江原 泰蔵 東京都日野市日野1164番地 株式会社イ ー・エッチ・シー内
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に形成されていて液晶分子を一定
方向に配向させるための配向膜に対して、真空中で、多
数の互いに平行なスリット穴を有するマスクを通して電
子ビームを照射することを特徴とする配向膜の配向処理
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4306462A JPH06130389A (ja) | 1992-10-19 | 1992-10-19 | 配向膜の配向処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4306462A JPH06130389A (ja) | 1992-10-19 | 1992-10-19 | 配向膜の配向処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06130389A true JPH06130389A (ja) | 1994-05-13 |
Family
ID=17957305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4306462A Pending JPH06130389A (ja) | 1992-10-19 | 1992-10-19 | 配向膜の配向処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06130389A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5587822A (en) * | 1994-01-28 | 1996-12-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal orientation control layer method and apparatus for manufacturing the same and mask for use in the manufacturing |
-
1992
- 1992-10-19 JP JP4306462A patent/JPH06130389A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5587822A (en) * | 1994-01-28 | 1996-12-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal orientation control layer method and apparatus for manufacturing the same and mask for use in the manufacturing |
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