JPH06130392A - 配向膜の配向処理方法 - Google Patents
配向膜の配向処理方法Info
- Publication number
- JPH06130392A JPH06130392A JP30663892A JP30663892A JPH06130392A JP H06130392 A JPH06130392 A JP H06130392A JP 30663892 A JP30663892 A JP 30663892A JP 30663892 A JP30663892 A JP 30663892A JP H06130392 A JPH06130392 A JP H06130392A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alignment film
- liquid crystal
- ion beam
- oriented film
- alignment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 配向処理の際のパーティクルおよび静電気の
発生を抑えることができ、しかもプレティルト角の制御
が可能な配向膜の配向処理方法を提供する。 【構成】 ガラス基板４上に形成された配向膜８に対し
て、真空容器１２内で、多数の互いに平行なスリット穴
２４を有するマスク２２を通して、イオン源１４から引
き出したイオンビーム１６を照射する。しかもそれと同
時に、同配向膜８に対して、イオンビーム１６による正
電荷を中和させる電子２０をフィラメント１８から供給
する。
発生を抑えることができ、しかもプレティルト角の制御
が可能な配向膜の配向処理方法を提供する。 【構成】 ガラス基板４上に形成された配向膜８に対し
て、真空容器１２内で、多数の互いに平行なスリット穴
２４を有するマスク２２を通して、イオン源１４から引
き出したイオンビーム１６を照射する。しかもそれと同
時に、同配向膜８に対して、イオンビーム１６による正
電荷を中和させる電子２０をフィラメント１８から供給
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば液晶ディスプ
レイの製造等に利用されるものであって、液晶分子を一
定方向に配向させるための配向膜に対して配向処理を施
す、配向膜の配向処理方法に関する。
レイの製造等に利用されるものであって、液晶分子を一
定方向に配向させるための配向膜に対して配向処理を施
す、配向膜の配向処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶分子を基板の表面に平行に配向させ
るために、基板の表面に、ポリイミド等の高分子有機材
料から成る配向膜を塗布することが行われている。
るために、基板の表面に、ポリイミド等の高分子有機材
料から成る配向膜を塗布することが行われている。
【０００３】この場合、基板の表面に単に配向膜を塗布
しただけでは、液晶分子が基板の表面に対して平行に配
列するだけで、液晶分子を一定方向に配列させることは
できない。
しただけでは、液晶分子が基板の表面に対して平行に配
列するだけで、液晶分子を一定方向に配列させることは
できない。
【０００４】そこで従来は、配向膜に、その表面をナイ
ロンやレーヨン等の布で一定方向に機械的にラビング
（摩擦）することによって配向処理を施し、これによっ
て液晶分子をラビングした方向に配列させることが行わ
れている。
ロンやレーヨン等の布で一定方向に機械的にラビング
（摩擦）することによって配向処理を施し、これによっ
て液晶分子をラビングした方向に配列させることが行わ
れている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
にラビングによって配向膜に配向処理を施す方法では、
パーティクル（ゴミ）および静電気が発生して、これが
液晶ディスプレイの特性を悪化させ、ひいては歩留まり
を低下させる要因になるという問題がある。例えば、パ
ーティクルが発生し付着すると、それによって表示むら
が生じたり、電気的にショートする個所が生じたりす
る。また、静電気が発生すると、それによって液晶分子
の配向が阻害されたり、ＴＦＴ−ＬＣＤ（薄膜トランジ
スタ液晶ディスプレイ）の場合は薄膜トランジスタが壊
れたりする。
にラビングによって配向膜に配向処理を施す方法では、
パーティクル（ゴミ）および静電気が発生して、これが
液晶ディスプレイの特性を悪化させ、ひいては歩留まり
を低下させる要因になるという問題がある。例えば、パ
ーティクルが発生し付着すると、それによって表示むら
が生じたり、電気的にショートする個所が生じたりす
る。また、静電気が発生すると、それによって液晶分子
の配向が阻害されたり、ＴＦＴ−ＬＣＤ（薄膜トランジ
スタ液晶ディスプレイ）の場合は薄膜トランジスタが壊
れたりする。
【０００６】また、液晶ディスプレイにおいては、特に
ＳＴＮ−ＬＣＤ（スーパーツイストネマティック液晶デ
ィスプレイ）においては、また最近ではＴＦＴ−ＬＣＤ
においても、液晶の配向不良を防止する等のために、液
晶分子のプレティルト角（液晶分子が配向膜の表面より
起き上がった角度）の制御が重要であるが、上記のよう
なラビング法では、せいぜい１〜３度程度のプレティル
ト角しか得られず、またその制御も困難である。
ＳＴＮ−ＬＣＤ（スーパーツイストネマティック液晶デ
ィスプレイ）においては、また最近ではＴＦＴ−ＬＣＤ
においても、液晶の配向不良を防止する等のために、液
晶分子のプレティルト角（液晶分子が配向膜の表面より
起き上がった角度）の制御が重要であるが、上記のよう
なラビング法では、せいぜい１〜３度程度のプレティル
ト角しか得られず、またその制御も困難である。
【０００７】そこでこの発明は、配向処理の際のパーテ
ィクルおよび静電気の発生を抑えることができ、しかも
プレティルト角の制御が可能な配向膜の配向処理方法を
提供することを主たる目的とする。
ィクルおよび静電気の発生を抑えることができ、しかも
プレティルト角の制御が可能な配向膜の配向処理方法を
提供することを主たる目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の配向膜の配向処理方法は、基板上に形成
されていて液晶分子を一定方向に配向させるための配向
膜に対して、真空中で、多数の互いに平行なスリット穴
を有するマスクを通してイオンビームを照射すると共
に、同配向膜に対して、このイオンビームによる正電荷
を中和させる電子を供給することを特徴とする。
め、この発明の配向膜の配向処理方法は、基板上に形成
されていて液晶分子を一定方向に配向させるための配向
膜に対して、真空中で、多数の互いに平行なスリット穴
を有するマスクを通してイオンビームを照射すると共
に、同配向膜に対して、このイオンビームによる正電荷
を中和させる電子を供給することを特徴とする。
【０００９】
【作用】上記のように配向膜に、多数の互いに平行なス
リット穴を有するマスクを通してイオンビームを照射す
ると、イオンビームのスパッタ作用によって、配向膜の
表面に、多数の微小な溝が形成される。このときのイオ
ンビームの電荷は、同時に供給される電子により中和さ
れる。このようにして配向膜の表面に多数の溝を形成す
ると、液晶分子は、その溝に沿って配向するようにな
る。このように上記方法では、従来の機械的ラビング法
と違って、非接触で配向膜に配向処理を施すことができ
るので、パーティクルおよび静電気の発生を抑えること
ができる。
リット穴を有するマスクを通してイオンビームを照射す
ると、イオンビームのスパッタ作用によって、配向膜の
表面に、多数の微小な溝が形成される。このときのイオ
ンビームの電荷は、同時に供給される電子により中和さ
れる。このようにして配向膜の表面に多数の溝を形成す
ると、液晶分子は、その溝に沿って配向するようにな
る。このように上記方法では、従来の機械的ラビング法
と違って、非接触で配向膜に配向処理を施すことができ
るので、パーティクルおよび静電気の発生を抑えること
ができる。
【００１０】また、上記方法によれば、照射するイオン
ビームの電流密度を変えることによって、プレティルト
角を制御することができる、より具体的にはイオンビー
ムの電流密度を大にするとプレティルト角を大にできる
ことが実験によって確かめられた。これは、イオンビー
ムの電流密度を大きくすると、配向膜の表面に形成され
る溝が深くなり、それによって液晶分子の起き上がる角
度が大になり、プレティルト角が大きくなるからである
と考えられる。
ビームの電流密度を変えることによって、プレティルト
角を制御することができる、より具体的にはイオンビー
ムの電流密度を大にするとプレティルト角を大にできる
ことが実験によって確かめられた。これは、イオンビー
ムの電流密度を大きくすると、配向膜の表面に形成され
る溝が深くなり、それによって液晶分子の起き上がる角
度が大になり、プレティルト角が大きくなるからである
と考えられる。
【００１１】
【実施例】図１は、この発明に係る配向処理方法を実施
する装置の一例を示す概略断面図である。図示しない真
空排気装置によって真空排気される真空容器１２内にホ
ルダ１３が設けられており、その上に、配向処理を施そ
うとする配向膜付基板２が載せられている。また、この
ホルダ１３の上方にはマスク２２が設けられており、更
にその上方に、ホルダ１３の方に向けてフィラメント１
８およびイオン源１４が設けられている。
する装置の一例を示す概略断面図である。図示しない真
空排気装置によって真空排気される真空容器１２内にホ
ルダ１３が設けられており、その上に、配向処理を施そ
うとする配向膜付基板２が載せられている。また、この
ホルダ１３の上方にはマスク２２が設けられており、更
にその上方に、ホルダ１３の方に向けてフィラメント１
８およびイオン源１４が設けられている。
【００１２】配向膜付基板２は、図２も参照して、この
例ではガラス基板４の表面にＩＴＯ（スズをドープした
酸化インジウム）から成る透明電極膜６を形成し、更に
その上にポリイミドから成る配向膜８を塗布したもので
ある。なお、この例で透明電極膜６を図２に示すように
四角形にしているのは試験用のためであり、実際の液晶
ディスプレイでは透明電極膜は例えば細線状にされる。
例ではガラス基板４の表面にＩＴＯ（スズをドープした
酸化インジウム）から成る透明電極膜６を形成し、更に
その上にポリイミドから成る配向膜８を塗布したもので
ある。なお、この例で透明電極膜６を図２に示すように
四角形にしているのは試験用のためであり、実際の液晶
ディスプレイでは透明電極膜は例えば細線状にされる。
【００１３】マスク２２は、図３も参照して、この例で
は金属から成り、多数の互いに平行なスリット穴２４を
有している。この各スリット穴２４（スペース）および
それらの間の各ライン２３の幅は、この例ではいずれも
５μｍである。
は金属から成り、多数の互いに平行なスリット穴２４を
有している。この各スリット穴２４（スペース）および
それらの間の各ライン２３の幅は、この例ではいずれも
５μｍである。
【００１４】上記のような装置を用いて、真空容器１２
内を所定の真空度（例えば１０-6Ｔｏｒｒ程度）に保っ
て、イオン源１４から引き出したイオンビーム１６をマ
スク２２を通してホルダ１３上の配向膜付基板２の配向
膜８に照射すると共に、フィラメント１８から電子２０
を引き出してそれをこの例ではマスク２２を通して配向
膜付基板２の配向膜８に供給して、イオンビーム１６に
よる正電荷を中和させるようにした。
内を所定の真空度（例えば１０-6Ｔｏｒｒ程度）に保っ
て、イオン源１４から引き出したイオンビーム１６をマ
スク２２を通してホルダ１３上の配向膜付基板２の配向
膜８に照射すると共に、フィラメント１８から電子２０
を引き出してそれをこの例ではマスク２２を通して配向
膜付基板２の配向膜８に供給して、イオンビーム１６に
よる正電荷を中和させるようにした。
【００１５】この電子２０によってイオンビーム１６の
正電荷を中和させるのは、イオンビーム１６による正電
荷が配向膜８の表面に溜まると、それがイオンビーム１
６の飛来を邪魔して配向膜８の表面に形成される溝のプ
ロファイルが悪化したり、液晶セルを構成した時に液晶
分子の配向が乱されたりするようになるので、それを防
止するためである。
正電荷を中和させるのは、イオンビーム１６による正電
荷が配向膜８の表面に溜まると、それがイオンビーム１
６の飛来を邪魔して配向膜８の表面に形成される溝のプ
ロファイルが悪化したり、液晶セルを構成した時に液晶
分子の配向が乱されたりするようになるので、それを防
止するためである。
【００１６】上記イオンビーム１６には、そのイオンが
配向膜８と反応して配向膜８の性質を変えないようにす
るために、ヘリウム、ネオン、アルゴン等の不活性ガス
イオンビームを用いるのが好ましい。この例では、アル
ゴンイオンビームを用いた。
配向膜８と反応して配向膜８の性質を変えないようにす
るために、ヘリウム、ネオン、アルゴン等の不活性ガス
イオンビームを用いるのが好ましい。この例では、アル
ゴンイオンビームを用いた。
【００１７】上記のような方法で、表１に示すような加
工条件で、試料（試験用の配向膜付基板）２ａ〜２ｆお
よび２ａ′〜２ｆ′に対してイオンビーム照射を行っ
た。ここで試料２ａ〜２ｆは、マスク２２のスリット穴
２４が例えば図４に示すような方向でイオンビーム１６
を照射したものであり、試料２ａ′〜２ｆ′は図５に示
すように図４とはスリット穴２４が直交する方向でイオ
ンビーム１６を照射したものであり、これによって、イ
オンビーム１６のスパッタ作用によって配向膜８の表面
に形成される溝は、試料２ａ〜２ｆ側と試料２ａ′〜２
ｆ′側とでは互いに直交するようになる。
工条件で、試料（試験用の配向膜付基板）２ａ〜２ｆお
よび２ａ′〜２ｆ′に対してイオンビーム照射を行っ
た。ここで試料２ａ〜２ｆは、マスク２２のスリット穴
２４が例えば図４に示すような方向でイオンビーム１６
を照射したものであり、試料２ａ′〜２ｆ′は図５に示
すように図４とはスリット穴２４が直交する方向でイオ
ンビーム１６を照射したものであり、これによって、イ
オンビーム１６のスパッタ作用によって配向膜８の表面
に形成される溝は、試料２ａ〜２ｆ側と試料２ａ′〜２
ｆ′側とでは互いに直交するようになる。
【００１８】
【表１】
【００１９】そして、同じ加工条件の試料２ａ〜２ｆと
２ａ′〜２ｆ′とを、図６に示すように配向膜８を内側
にして、しかも配向膜８の表面の溝が互いに直交するよ
うにそれぞれ重ね合わせ、かつ両者間に液晶１０を注入
して、ＴＮ（ツイストネマティック）モードの液晶セル
をそれぞれ構成し、その液晶分子のプレティルト角をそ
れぞれ測定した。その結果を表２に示す。
２ａ′〜２ｆ′とを、図６に示すように配向膜８を内側
にして、しかも配向膜８の表面の溝が互いに直交するよ
うにそれぞれ重ね合わせ、かつ両者間に液晶１０を注入
して、ＴＮ（ツイストネマティック）モードの液晶セル
をそれぞれ構成し、その液晶分子のプレティルト角をそ
れぞれ測定した。その結果を表２に示す。
【００２０】
【表２】
【００２１】この表２から分かるように、試料番号２
ａ，２ａ′〜２ｄ，２ｄ′までは、プレティルト角はイ
オンビームの電流密度の増加に比例して増加する傾向に
あるが、試料番号２ｅ，２ｅ′および２ｆ，２ｆ′にな
るとプレティルト角は飽和している。このことから、上
記方法によれば、イオンビームの電流密度によって、約
１度から約１５度の範囲でプレティルト角を制御するこ
とができると言える。
ａ，２ａ′〜２ｄ，２ｄ′までは、プレティルト角はイ
オンビームの電流密度の増加に比例して増加する傾向に
あるが、試料番号２ｅ，２ｅ′および２ｆ，２ｆ′にな
るとプレティルト角は飽和している。このことから、上
記方法によれば、イオンビームの電流密度によって、約
１度から約１５度の範囲でプレティルト角を制御するこ
とができると言える。
【００２２】なお、上記配向膜８は、ポリイミド以外の
有機高分子材料で形成されていても良い。
有機高分子材料で形成されていても良い。
【００２３】また、配向膜８への電子２０の供給は、上
記実施例と違って、マスク２２の下流側から行っても良
い。また、例えば電子銃のようなフィラメント１８以外
の電子供給手段によって行っても良い。
記実施例と違って、マスク２２の下流側から行っても良
い。また、例えば電子銃のようなフィラメント１８以外
の電子供給手段によって行っても良い。
【００２４】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、イオン
ビーム照射によって非接触で配向膜に配向処理を施すこ
とができるので、配向処理の際のパーティクルおよび静
電気の発生を抑えることができる。その結果例えば、液
晶ディスプレイの特性を悪化させる要因が少なくなるの
で、液晶ディスプレイの歩留まりを向上させることがで
きるようになる。
ビーム照射によって非接触で配向膜に配向処理を施すこ
とができるので、配向処理の際のパーティクルおよび静
電気の発生を抑えることができる。その結果例えば、液
晶ディスプレイの特性を悪化させる要因が少なくなるの
で、液晶ディスプレイの歩留まりを向上させることがで
きるようになる。
【００２５】しかも、照射するイオンビームの電流密度
を変化させることによって、プレティルト角を、約１度
から約１５度という比較的広い範囲に亘って制御するこ
とができる。その結果例えば、液晶の配向不良を無くし
て、特性の良好な液晶ディスプレイを実現することがで
きるようになる。
を変化させることによって、プレティルト角を、約１度
から約１５度という比較的広い範囲に亘って制御するこ
とができる。その結果例えば、液晶の配向不良を無くし
て、特性の良好な液晶ディスプレイを実現することがで
きるようになる。
【図１】この発明に係る配向処理方法を実施する装置の
一例を示す概略断面図である。
一例を示す概略断面図である。
【図２】図１中の配向膜付基板の平面図である。
【図３】図１中のマスクの拡大部分平面図である。
【図４】マスクと配向膜付基板との関係の一例を示す平
面図である。
面図である。
【図５】マスクと配向膜付基板との関係の他の例を示す
平面図である。
平面図である。
【図６】液晶セルの一例を示す概略断面図である。
２ 配向膜付基板 ４ ガラス基板 ６ 透明電極膜 ８ 配向膜 １２ 真空容器 １４ イオン源 １６ イオンビーム １８ フィラメント ２０ 電子 ２２ マスク ２４ スリット穴
フロントページの続き (72)発明者 江原 泰蔵 東京都日野市日野1164番地 株式会社イ ー・エッチ・シー内
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に形成されていて液晶分子を一定
方向に配向させるための配向膜に対して、真空中で、多
数の互いに平行なスリット穴を有するマスクを通してイ
オンビームを照射すると共に、同配向膜に対して、この
イオンビームによる正電荷を中和させる電子を供給する
ことを特徴とする配向膜の配向処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30663892A JPH06130392A (ja) | 1992-10-20 | 1992-10-20 | 配向膜の配向処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30663892A JPH06130392A (ja) | 1992-10-20 | 1992-10-20 | 配向膜の配向処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06130392A true JPH06130392A (ja) | 1994-05-13 |
Family
ID=17959511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30663892A Pending JPH06130392A (ja) | 1992-10-20 | 1992-10-20 | 配向膜の配向処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06130392A (ja) |
-
1992
- 1992-10-20 JP JP30663892A patent/JPH06130392A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5770826A (en) | Atomic beam alignment of liquid crystals | |
| US6124914A (en) | Method an apparatus for forming an alignment pattern on a surface using a particle beam useful for a liquid crystal | |
| US6195146B1 (en) | Tilted liquid crystal alignment produced by ion beam treatment on the alignment layer using a voltage less than 200v | |
| US7612851B2 (en) | Method of manufacturing a liquid crystal display device | |
| US6593586B2 (en) | Method and apparatus for making a crystal alignment layer | |
| JP3738990B2 (ja) | 液晶配向膜、該液晶配向膜の製造方法、液晶パネルおよび液晶表示装置 | |
| KR20080047284A (ko) | 액정 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 | |
| US6967340B2 (en) | Ion beam irradiation device and operating method thereof | |
| US7570333B2 (en) | Method and system for improving ion beam alignment for liquid crystal displays by a grooving under layer | |
| JPH06130392A (ja) | 配向膜の配向処理方法 | |
| JPH06130391A (ja) | 配向膜の配向処理方法 | |
| KR101097537B1 (ko) | 횡전계 방식 액정 표시 장치의 제조 방법 | |
| US20090257013A1 (en) | Liquid crystal device and method of manufacturing the same | |
| EP1507163A2 (en) | A liquid crystal display | |
| JPH06130389A (ja) | 配向膜の配向処理方法 | |
| JP3123647B2 (ja) | 液晶配向膜の配向処理方法およびその装置 | |
| JP3355592B2 (ja) | 透明導電膜基板 | |
| US7223990B2 (en) | Ion beam irradiation device | |
| KR20040058898A (ko) | 배향막을 형성하기 위한 이온 빔 조사 장치 | |
| JPH08184831A (ja) | 配向膜の配向処理方法 | |
| US20100219064A1 (en) | Film forming method | |
| JPH06130393A (ja) | 配向膜の配向処理方法 | |
| KR100937822B1 (ko) | 이온 빔 조사 장치 및 그 방법 | |
| KR100488065B1 (ko) | 배향막을 형성하기 위한 이온 빔 조사 장치 | |
| KR100954968B1 (ko) | 이온빔 장치의 차단막 |