KR20030039401A - 광배향을 이용한 엘코스 액정디스플레이 장치 및 그제조방법 - Google Patents

광배향을 이용한 엘코스 액정디스플레이 장치 및 그제조방법 Download PDF

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KR20030039401A
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Abstract

본 발명은 엘코스 액정디스플레이 장치의 패널 내부에 주입된 액정을 배향시키기 위해 유리기판과 실리콘기판에 형성되는 배향막에 광을 조사하여 균일한 광배향을 형성함으로써 엘코스 디스플레이의 액정이 안정적으로 배향되어 구동될 수 있도록 하는 광배향이 적용된 엘코스 액정디스플레이 장치에 관한 것이다.
본 발명의 광배향이 적용된 엘코스 액정디스플레이 장치는 투명전극(11)이 형성된 유리기판(10)의 하층과 반사층(21)이 형성된 실리콘기판(20)의 상층 중 적어도 어느 한층은 광배향 처리된 배향막(12)(22)이 형성되어 액정(30)이 구동되도록 제작되는데, 상기 투명전극(11)이 형성된 유리기판(10) 하층에는 광을 조사하여 일정한 각도로 기울어지도록 배향 처리된 배향막(12)이 형성되고 상기 반사층(21)이 형성된 실리콘기판(20) 상층에는 반사각이 형성되지 않도록 광을 수직으로 조사하여 수직배향 또는 수평배향 처리되거나 무배향 처리된 배향막(22)이 형성되도록 하여 제조공정이 용이하고 간단하게 이루어진다.

Description

광배향을 이용한 엘코스 액정디스플레이 장치 및 그 제조방법{A Display Device of Liquid Crystal On Silicone by Photo Alignment Technology And Method For Producing The Same}
본 발명은 엘코스(LCOS) 액정디스플레이 장치에 관한 것으로, 보다 상세히는 엘코스 액정디스플레이 장치의 패널 내부에 주입된 액정을 배향시키기 위해 유리기판과 실리콘기판에 형성되는 배향막에 광을 조사하여 균일한 광배향을 형성함으로써 엘코스 디스플레이의 액정이 안정적으로 배향되어 구동될 수 있도록 하는 광배향이 적용된 엘코스 액정디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
근래에 들어 소비자들이 대형 사이즈와 고해상도 및 적은 부피의 디스플레이 장치를 선호함에 따라 디스플레이 장치는 점차 대형화되고 고해상도를 가지며 공간절약형으로 제작될 수 있도록 개발되고 있다.
이러한 디스플레이 중 액정디스플레이(LCD ; Liquid Crystal Display)는 광학적으로 이방성을 갖는 액정(Liquid Crystal)을 통하여 영상을 만들어 냄으로써, 전자빔을 통하여 영상을 형성하는 종래의 음극선관(CRT ; Cathode Ray tube)에 비해서 두께를 더 얇게 제작 할 수 있고, 전력소모가 적은 특징이 있어 근래에 많이 이용되고 있다. 특히, TFT-LCD(Thin Film Transistor-LCD)는 노트북이나 컴퓨터 모니터 등에 널리 쓰이는 디스플레이로 점차 그 사용범위가 확대되어 대면적에 쓰이는 프로젝션 디스플레이 시장에서도 그 비중이 점점 확대되고 있다.
최근에는 응답속도가 빠르고 시야각이 우수한 엘코스(LCOS ; Liquid Crystal On Silicone) 디스플레이가 개발되어 프로젝션 디스플레이 장치로 이용되고 있는데, 이 엘코스는 반사모드에서 작동하는 작은 크기의 능동구동방식의 액정디스플레이로 종래 TFT-LCD의 하판인 유리기판 대신 실리콘기판으로 대치하고 그 위에 회로를 형성하여 제작됨으로써 각 구성요소들의 배치가 용이하고 소형화가 가능한 디스플레이다.
도 1은 이러한 엘코스 디스플레이를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 엘코스 디스플레이는 크게 하부에 투명전극(11)이 형성된 유리기판(10)과 상부에 반사층(21)이 형성된 실리콘기판(20)으로 구성되며, 상기 유리기판(10)과 실리콘기판(20) 사이에는 액정(30)이 위치한다. 이때, 유리기판(10)의 투명전극(11)과 액정(30) 사이와 실리콘기판(20)의 반사층(21)과 액정(30) 사이에는 배향막(12)(22)이 형성되는데, 이 배향막(12)(22)은 고분자소재를 사용하여 구현된다. 배향막(12)(22)은 액정(30) 분자의 배열에 방향자 역할을 제공하고, 실리콘기판(20)에 형성된 TFT(Thin Film Transistor)와 C(Capacitor) 등의 반도체 집적회로(23)의 동작에 의해 공통전극인 투명전극(11)과 화소전극인 반사층(21)에서 발생되는 전계(Electric Field)에 의한 액정(30)의 움직임을 유도하여 화상을 형성할 수 있도록 한다.
엘코스 디스플레이에 있어서 액정의 배향을 유도하기 위하여 배향막을 형성하는 방법으로 러빙(Rubbing) 방법이 많이 이용되는데, 이 러빙 방법은 유리기판과실리콘기판에 형성되는 배향막에 일정한 방향으로 직홈을 만드는 공정으로, 회전하는 드럼에 부착된 러닝포로 배향막을 일정한 방향으로 문질러서 일정한 방향의 홈이 만들어지도록 하는 것이다. 하지만, 이 러빙 방법은 제조공정이 복잡하고 러빙 공정시 배향막에 불순물이 인입되어 오염되거나 정전기가 발생할 가능성이 상존하여 엘코스의 성능을 저하시키는 문제점이 발생된다.
이러한 러빙 공정에서 발생하는 불순물 인입이나 정전기 발생 등의 문제점을 해결하기 위한 방법 중 하나로 광배향법이 제안되어 이용되는데, 이 광배향법은 배향막에 광을 조사하여 조사된 방향으로 액정이 배향되도록 배향막을 배향 처리하는 방법이다.
상기 도 1에서 설명한 바와 같이, 엘코스 디스플레이에서는 투명한 유리기판(10)이 상판에 형성되고 하판에는 실리콘기판(20)이 형성되어 있다. 따라서, 상기 유리기판(10)과 실리콘기판(20)에 형성된 배향막(12)(22)에 광을 조사하면 유리기판(10)에서는 광이 투과되고 실리콘기판(20)에서는 반사층(21)에 의해 광이 반사된다.
도 2a는 투명전극(11)이 형성된 유리기판(10)에 자외선을 조사하였을 경우 자외선의 진행방향을 도시한 단면도이고, 도 2b는 반사층(21)이 형성된 실리콘기판(20)에 자외선을 조사하였을 경우 자외선의 진행방향을 도시한 단면도이다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 유리기판(10)에는 입사된 자외선은 유리기판(10)을 투과하고 이에 따라 배향막(12)이 입사각을 따라 일정한 방향으로 배향 처리된다. 하지만, 도 2b에 도시된 바와 같이, 실리콘기판(20)에 입사된 자외선은 반사층(21)에 의해 입사된 각도와 대칭되게 반사되기 때문에, 배향막(22)은 이 입사각과 반사각 모두에 의해 배향 방향이 영향을 받게 되어 액정의 틸트각을 유도할 수 없어서 균일한 액정배향 구현에 어려운 문제점이 발생된다
따라서, 본 발명은 상기 러빙 방법과 일반적인 광배향 방법에 따른 배향막의 배향 처리시 발생되는 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 엘코스 액정디스플레이 장치에서 반사층이 형성된 실리콘기판과 투명전극이 형성된 유리기판의 특성을 감안한 광배향 방법을 적용하여 배향막이 용이하고 균일하게 배향 처리 되도록 함으로써 액정의 배향을 안정적으로 유도하는 엘코스 액정디스플레이 장치를 제공하는데 있다.
도 1은 일반적인 엘코스 액정 디스플레이 장치의 액정패널을 개략적으로 도시한 단면도,
도 2a는 투명전극이 형성된 유리기판에 자외선을 조사하였을 경우 자외선의 진행방향을 도시한 단면도,
도 2b는 반사층이 형성된 실리콘기판에 자외선을 조사하였을 경우 자외선의 진행방향을 도시한 단면도,
도 3a는 본 발명의 실시예에 따라 일정한 각도로 틸트되어 배향 처리된 배향막이 형성된 유리기판과 수직으로 배향 처리된 배향막이 형성된 실리콘기판을 도시한 단면도이며,
3b는 본 발명의 실시예에 따라 일정한 각도로 틸트되어 배향 처리된 배향막이 형성된 유리기판과 수평으로 배향 처리된 배향막이 형성된 실리콘기판을 도시한 단면도이다.
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10 : 유리기판 11 : 투명전극
12 : 배향막 20 : 실리콘기판
21 : 반사층 22 : 배향막
23 : 반도체 집적회로 30 : 액정
상기의 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 제 1 양태로서의 엘코스 액정 디스플레이 장치는 반도체 집적회로가 설치되고 반사층이 상부에 형성된 실리콘기판과, 투명전극이 하부에 형성된 유리기판과, 상기 실리콘기판과 유리기판 사이에 액정이 구비되어 구동되는 엘코스 액정 디스플레이 장치에 있어서, 상기 유리기판과 액정 사이에 배치되는 제 1 배향막과; 상기 실리콘 기판과 액정 사이에 배치되는 제 2 배향막을 포함하고;
상기 제 1 배향막은 일정한 경사각으로 자외선을 조사하여 광배향 처리하고;
상기 제 2 배향막은 실리콘 기판에 대하여 수직방향으로 자외선을 조사하여광배향 처리한 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 제 2 양태로서의 엘코스 액정 디스플레이장치는 반도체 집적회로가 설치되고 반사층이 상부에 형성된 실리콘기판과, 투명전극이 하부에 형성된 유리기판과, 상기 실리콘기판과 유리기판 사이에 액정이 구비되어 구동되는 엘코스 액정 디스플레이 장치에 있어서, 상기 유리기판과 액정 사이에 배치되는 제 1 배향막과; 상기 실리콘 기판과 액정 사이에 배치되는 제 2 배향막을 포함하고;
상기 제 1 배향막은 일정한 경사각으로 자외선을 조사하여 광배향 처리하고;
상기 제 2 배향막은 자외선을 조사하지 않아 무배향 처리된 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 제 2 배향막은 수평배향용 배향막이거나 수직배향용 배향막인 것이 바람직하다.
또한, 상기 실리콘 기판상에는 전계왜곡을 일으켜 액정의 안정된 배향을 유도하기 위한 전극층이 더 포함될 수 있다.
이와 마찬가지로, 상기 유리기판상에도 역시 전계왜곡을 일으켜 액정의 안정된 배향을 유도하기 위한 전극층이 더 포함될 수도 있다.
본 발명에 따른 제 3 양태로서의 엘코스 액정셀의 제조방법은 반사층이 형성된 실리콘 기판과, 투명전극이 형성된 유리기판을 준비하는 단계와;
상기 유리기판의 투명전극이 형성된 면과, 상기 실리콘 기판의 반사층이 형성된 면에 각기 제 1 및 제 2 배향막을 형성하는 단계와;
상기 제 1 배향막에 일정한 각도로 경사진 자외선을 조사하는 제 1 광배향 단계와;
상기 제 2 배향막에 수직방향의 자외선을 조사하는 제 2 광배향 단계와;
상기 제 1 및 제 2 배향막이 서로 대향되게 배치되도록 상기 유리기판과 실리콘 기판을 스페이스를 개재하여 접착하고, 상기 제 1 및 제 2 배향막 사이에 액정을 주입하는 단계를 포함한다.
특히, 상기 제 2 광배향 처리단계에 있어서, 상기 제 2 배향막은 수직배향 처리되거나 수평배향 처리되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 4 양태로서의 엘코스 액정셀의 제조방법은 반사층이 형성된 실리콘 기판과, 투명전극이 형성된 유리기판을 준비하는 단계와;
상기 유리기판의 투명전극이 형성된 면과, 상기 실리콘 기판의 반사층이 형성된 면에 각기 제 1 및 제 2 배향막을 형성하는 단계와;
상기 제 1 배향막에 일정한 각도로 경사진 자외선을 조사하는 광배향 단계와;
광배향 처리된 상기 제 1 배향막과 무배향 처리된 제 2 배향막이 서로 대향되게 배치되도록 상기 유리기판과 실리콘 기판을 스페이스를 개재하여 접착하고, 상기 제 1 및 제 2 배향막 사이에 액정을 주입하는 단계를 포함한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
상기 도 2a와 도 2b에 도시된 바와 같이, 엘코스 디스플레이 장치의 액정 패널은 상판과 하판이 유리기판으로 형성된 액정디스플레이(LCD)와는 달리 상판은 투명전극(11)이 형성된 유리기판(10)으로, 하판은 반도체 집적회로(23)가 설치되고 반사층(21)이 형성된 실리콘기판(20)으로 이루어진다.
하판의 반사층(21)이 형성된 실리콘기판(20)의 배향막(22)에 광을 조사하면 반사층(21)에 의해 광이 입사각에 대칭되게 반사되므로 액정이 틸트각을 가질수 없어서 액정이 균일하게 배향되지 않는다. 따라서, 본 발명의 실시예에서는 실리콘기판(20)의 반사층(21) 위에 형성되는 배향막(22)에 광을 수직으로 조사하여 입사각과 반사각을 동일하게 처리하여 틸트각을 형성시키지 않도록 함으로써 상기 배향막(22)이 균일하게 배향 처리되도록 하였다. 이때, 실리콘기판(20)의 반사층(21) 위에 형성되는 배향막(22)은 수직배향막 또는 수평배향막을 이용하여 배향막(22)의 배향 처리가 수직 또는 수평 배향되도록 한다.
반면, 상판의 투명전극(11)이 형성된 유리기판(10)의 배향막(12)에는 일정한 각도로 기울여 광을 조사함으로써 배향막(12)이 일정한 각도로 틸트되어 배향 처리되도록 함으로써 액정(30)이 안정되게 구동되도록 한다.
도 3a는 상기의 방법에 의해 일정한 각도로 틸트되어 배향 처리된 배향막(12)이 형성된 유리기판(10)과 수직으로 배향 처리된 배향막(22)이 형성된 실리콘기판(20)을 도시한 단면도이며, 도 3b는 일정한 각도로 틸트되어 배향 처리된 배향막(12)이 형성된 유리기판(10)과 수평으로 배향 처리된 배향막(22)이 형성된 실리콘기판(20)을 도시한 단면도이다.
도 3a 또는 도 3b에 도시된 바와 같이, 액정 패널의 투명전극(11)이 형성된유리기판(10)의 배향막(12)은 일정한 각도로 틸트시켜 배향 처리하고, 반사층(21)이 형성된 실리콘기판(20)의 배향막(22)은 수직 또는 수평으로 배향 처리하여 상하 배향막(12)(22) 사이에 구비된 액정(30)을 안정적으로 구동되게 할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예로서 실리콘기판(20)의 배향막(22)을 무배향으로 처리할 수 있다. 즉, 유리기판(10)에 형성된 배향막(12)은 일정 각도로 틸트되도록 배향 처리하고 실리콘기판(20)에 형성된 배향막(22)은 무배향으로 처리하여, 실리콘기판(20)에 형성되는 배향막(22)이 광조사시 반사층(21)에 의해 광이 반사되어 배향 처리가 어려워지는 문제점을 방지할 수 있도록 한다.
이때, 배향 처리된 유리기판(10)의 배향막(12)과 무배향 처리된 실리콘기판(20)의 배향막(22) 사이에 구비된 액정(30)의 안정적인 배향을 유도하기 위하여 실리콘기판(20)에 형성되는 반사층(21)에 액정구동을 위한 전극층을 추가로 형성하여 구성할 수 있다. 이 전극층은 전계를 왜곡시킴으로써 상부에 위치된 액정(30)을 안정되게 배향시키는 역할을 수행한다. 또한, 이에 더하여 유리기판(10)의 투명전극(11)에도 전극층을 형성하여, 이 전극층에 의해 왜곡된 전계에 의해 하부에 위치된 액정(30)을 안정되게 배향시키도록 할 수 있다.
상기 실리콘기판(20)과 유리기판(10)에 추가로 설치되는 전극층은 상술한 수평배향 처리된 실리콘기판(20)에도 적용될 수 있다. 즉, 일정한 각도로 틸트되어 배향 처리된 배향막(12)이 형성된 유리기판(10)과 수평배향 처리된 배향막(22)이 형성된 실리콘기판(20)으로 이루어지는 액정 패널에 있어서도 액정(30)의 안정적인 배향을 유도하기 위하여 실리콘기판(20)에 형성된 반사층(21)에 전극층을 추가로형성하여 전계를 왜곡시킴으로써 상부에 위치된 액정(30)을 안정되게 배향시킬 수 있다. 또한, 유리기판(10)의 투명전극(11)에도 전극층을 형성하여 이 전극층에 의해 왜곡된 전계에 의해 하부에 위치된 액정(30)을 안정되게 배향시키도록 구성할 수도 있다.
이하, 본 발명에 따라 광배향을 적용한 엘코스 액정 디스플레이 장치의 액정패널을 제작하는 구체적인 실시예를 설명한다. 본 발명의 실시예에 적용된 배향막(12)(22)은 제이에스알(JSR)사의 수직배향용 PI 배향막인 JALS-2004-R1과 닛산화학(Nissan)사의 수평배향용 PI 배향막인 SE-7492를 사용하였으며, 광조사에 사용된 램프는 오리엘(ORIEL)사의 자외선 램프를 사용하였다. 또한, 패널에 주입되는 액정(30)은 머크사의 MJ96758 액정을 사용하였다.
(실시예 1)
1. 제이에스알(JSR)사의 수직배향용 PI 배향막인 JALS-2004-R1을 반사층(21)이 형성된 실리콘기판(20)과 투명전극(11)이 형성된 유리기판(10)에 롤코팅하여 섭씨 200℃에서 1시간 열처리한다.
2. 오리엘(ORIEL)사의 자외선 램프를 이용하여 2J/㎠ 자외선을 조사하여 실리콘기판(20)과 유리기판(10)에 형성된 배향막(22)(12)을 모두 광배향 처리한다. 이때, 유리기판(10)은 표면 법선방향에 대하여 60°로 경사를 주어 자외선을 조사하고, 실리콘기판(20)은 수직 방향으로 자외선을 조사하여 틸트각이 형성되지 않도록 한다.
3. 광배향 처리된 유리기판(10)과 실리콘기판(20) 표면에 4.5㎛스페이서(Spacer)를 산포하고 접착한다. 여기에 머크사의 MJ96758 액정(30)을 주입하고 봉지하여 액정 패널을 제작한다.
상기의 과정을 통하여 투명전극(11)이 형성된 유리기판(10)에는 표면 법선방향에 대해 30°기울어지도록 배향 처리된 배향막(12)이 형성되고, 반사층(21)이 형성된 실리콘기판(20)에는 수직으로 배향 처리된 배향막(22)이 형성된다.
(실시예 2)
1. 제이에스알(JSR)사의 수직배향용 PI 배향막인 JALS-2004-R1을 반사층(21)이 형성된 실리콘기판(20)과 투명전극(11)이 형성된 유리기판(10)에 롤코팅하여 섭씨 200℃에서 1시간 열처리한다.
2. 오리엘사의 자외선 램프를 사용하여 2J/㎠ 자외선을 조사하여 유리기판(10) 한면만 광배향 처리한다. 이때, 유리기판(10)은 표면 법선방향에 대해 60°로 경사를 주어 자외선을 조사하고 실리콘기판(20)은 자외선을 가하지 않아 비배향처리 한다.
3. 광배향 처리된 유리기판(10)과 비배향 처리된 실리콘기판(20) 표면에 4.5㎛ 스페이서(Spacer)를 산포하고 접착한다. 여기에 머크사의 MJ96758 액정(30)을 주입하고 봉지하여 액정 패널을 제작한다.
상기의 과정을 통하여 투명전극(11)이 형성된 유리기판(10)에는 표면 법선방향에 대해 60°기울어지도록 배향 처리된 배향막(12)이 형성되고, 반사층(21)이 형성된 실리콘기판(20)에는 비배향 처리된 배향막(22)이 형성된다.
(실시예 3)
1. 닛산화학(Nissan Chemical)사의 수평배향용 PI 배향막인 SE-7492를 반사층(21)이 형성된 실리콘기판(20)과 투명전극(11)이 형성된 유리기판(10)에 롤코팅하여 섭씨 200℃에서 1시간 열처리한다.
2. 오리엘사의 자외선 램프를 사용하여 2J/㎠ 자외선을 조사하여 유리기판(10)과 실리콘기판(20) 양면 모두 광배향 처리한다. 이때, 유리기판(10)은 표면 법선방향에 대해 60°로 경사를 주어 자외선을 조사하고 실리콘기판(20)은 수직으로 자외선을 조사하여 틸트각이 형성되지 않도록 한다.
3. 광배향 처리된 유리기판(10)과 실리콘기판(20) 표면에 4.5㎛ 스페이서(Spacer)를 산포하고 접착한다. 여기에 머크사의 MJ96758 액정(30)을 주입하고 봉지하여 액정 패널을 제작한다.
상기의 과정을 통하여 투명전극(11)이 형성된 유리기판(10)에는 표면 법선방향에 대해 60°기울어지도록 배향 처리된 배향막(12)이 형성되고, 반사층(21)이 형성된 실리콘기판(20)에는 수평으로 배향 처리된 배향막(22)이 형성된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 광배향이 적용된 엘코스 액정디스플레이 장치는 액정 패널을 제작하는데 있어 투명전극이 형성된 유리기판은 표면 법선방향에 대해 일정한 각도로 틸트되도록 배향막을 배향 처리하고 반사층이 형성된 실리콘기판은 수직 또는 수평으로 배향막을 배향 처리하거나 비배향 처리함으로써 균일하게 배향 처리된 배향막을 용이하게 형성할 수 있도록 하는 효과가 있다.
특히, 반사층이 형성된 실리콘기판의 배향막을 비배향 처리하는 경우에는 엘코스 디스플레이 장치의 제조공정을 단축시킬 수 있어, 제조공정에 소요되는 시간과 비용을 절감시키는 효과가 있다.

Claims (10)

  1. 반도체 집적회로가 설치되고 반사층이 상부에 형성된 실리콘기판과, 투명전극이 하부에 형성된 유리기판과, 상기 실리콘기판과 유리기판 사이에 액정이 구비되어 구동되는 엘코스 액정 디스플레이 장치에 있어서,
    상기 유리기판과 액정 사이에 배치되는 제 1 배향막과;
    상기 실리콘 기판과 액정 사이에 배치되는 제 2 배향막을 포함하고;
    상기 제 1 배향막은 일정한 경사각으로 자외선을 조사하여 광배향 처리하고;
    상기 제 2 배향막은 실리콘 기판에 대하여 수직방향으로 자외선을 조사하여 광배향 처리한 것을 특징으로 하는 엘코스 액정 디스플레이 장치.
  2. 반도체 집적회로가 설치되고 반사층이 상부에 형성된 실리콘기판과, 투명전극이 하부에 형성된 유리기판과, 상기 실리콘기판과 유리기판 사이에 액정이 구비되어 구동되는 엘코스 액정 디스플레이 장치에 있어서,
    상기 유리기판과 액정 사이에 배치되는 제 1 배향막과;
    상기 실리콘 기판과 액정 사이에 배치되는 제 2 배향막을 포함하고;
    상기 제 1 배향막은 일정한 경사각으로 자외선을 조사하여 광배향 처리하고;
    상기 제 2 배향막은 자외선을 조사하지 않아 무배향 처리된 것을 특징으로 하는 엘코스 액정 디스플레이 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 배향막이 수평배향용 배향막인 것을 특징으로 하는 엘코스 액정 디스플레이 장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 배향막이 수직배향용 배향막인 것을 특징으로 하는 엘코스 액정 디스플레이 장치.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 실리콘 기판상에는 전계왜곡을 일으켜 액정의 안정된 배향을 유도하기 위한 전극층이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 엘코스 액정 디스플레이 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 유리기판상에는 전계왜곡을 일으켜 액정의 안정된 배향을 유도하기 위한 전극층이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 엘코스 액정 디스플레이 장치.
  7. 반사층이 형성된 실리콘 기판과, 투명전극이 형성된 유리기판을 준비하는 단계와;
    상기 유리기판의 투명전극이 형성된 면과, 상기 실리콘 기판의 반사층이 형성된 면에 각기 제 1 및 제 2 배향막을 형성하는 단계와;
    상기 제 1 배향막에 일정한 각도로 경사진 자외선을 조사하는 제 1 광배향 단계와;
    상기 제 2 배향막에 수직방향의 자외선을 조사하는 제 2 광배향 단계와;
    상기 제 1 및 제 2 배향막이 서로 대향되게 배치되도록 상기 유리기판과 실리콘 기판을 스페이스를 개재하여 접착하고, 상기 제 1 및 제 2 배향막 사이에 액정을 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘코스 액정셀의 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 제 2 광배향 처리단계에서
    상기 제 2 배향막을 수직배향 처리하는 것을 특징으로 하는 엘코스 액정셀의 제조방법.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 제 2 광배향 처리단계에서
    상기 제 2 배향막을 수평배향 처리하는 것을 특징으로 하는 엘코스 액정셀의 제조방법.
  10. 반사층이 형성된 실리콘 기판과, 투명전극이 형성된 유리기판을 준비하는 단계와;
    상기 유리기판의 투명전극이 형성된 면과, 상기 실리콘 기판의 반사층이 형성된 면에 각기 제 1 및 제 2 배향막을 형성하는 단계와;
    상기 제 1 배향막에 일정한 각도로 경사진 자외선을 조사하는 광배향 단계와;
    광배향 처리된 상기 제 1 배향막과 무배향 처리된 제 2 배향막이 서로 대향되게 배치되도록 상기 유리기판과 실리콘 기판을 스페이스를 개재하여 접착하고, 상기 제 1 및 제 2 배향막 사이에 액정을 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘코스 액정셀의 제조방법.
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