JPH10268315A

JPH10268315A - 反射型液晶表示パネル及びそれを用いた投写型液晶表示装置

Info

Publication number: JPH10268315A
Application number: JP9088911A
Authority: JP
Inventors: Takaaki Tanaka; 孝昭田中
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1997-03-24
Filing date: 1997-03-24
Publication date: 1998-10-09

Abstract

(57)【要約】【課題】コントラスト比を向上できる反射型液晶表示
パネルを提供すること。【解決手段】アクティブマトリクス基板１０と対向基
板１００との間に、誘電異方性が負となる液晶分子から
成る液晶層２００を有する。アクティブマトリクス基板
１０には、各々の画素毎に、光反射性画素電極４６とそ
れに接続されたＴＦＴ２４とが形成される。アクティブ
マトリクス基板１０が液晶と接する面には、液晶分子を
該アクティブマトリクス基板１０に対して垂直に立たせ
る、ラビング処理されない第１の配向膜５０が形成され
る。対向基板１００には、各々の画素電極４６と対向す
る透明電極１０６が形成される。対向基板１００が液晶
と接する面には、液晶分子を該対向基板１００に対して
垂直に立たせる配向膜を、液晶分子が所定のプレチルト
角を有するようにラビング処理して成る第２の配向膜１
０８が形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶分子の複屈折
を印加される電界により制御する電界制御複屈折（ＥＣ
Ｂ：ＥｌｅｃｔｏｒｉｃａｌｌｙＣｏｎｔｒｏｌｌｅ
ｄＢｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）効果を利用した反射
型液晶表示パネルおよびそれを用いた投写型液晶表示装
置に関する。

【０００２】

【背景技術及び発明が解決しようとする課題】液晶表示
パネルとして、透過型と反射型とが知られている。本発
明者は透過型液晶表示パネルを用いた時と比較して、反
射型液晶表示パネルを用いた時には、表示画面上のコン
トラスト比が低下する事実に着目した。透過型液晶表示
パネルと反射型液晶表示パネルとの構造上の差異は、ア
クティブマトリクス基板側に形成される画素電極が、透
明電極であるか光反射性電極であるかの相違にすぎな
い。

【０００３】表示動作上の相違としては、透過型液晶表
示パネルでは、液晶層を１回だけ光が通過するのに対し
て、反射型液晶表示パネルでは、入射時と反射時とで液
晶層を２回通過する点が相違している。

【０００４】ここで、液晶にしきい値以上の電圧を印加
すると、その電界方向と直交する方向に液晶分子が傾く
が、その傾きの方向付けをするために、２枚の基板が液
晶と接する各面に形成した配向膜をラビング処理してい
る。このラビング処理により、無電界状態にて液晶分子
は基板に対してプレチルト角を持つ。本発明者は、この
プレチルト角を持つ液晶分子から成る液晶層を１回通過
するか２回通過するかの動作上の相違により、反射型液
晶表示パネルではコントラスト比が低下することを見い
だした。

【０００５】そこで、本発明の目的は、反射型液晶表示
パネルでのコントラスト比を向上させることにある。

【０００６】本発明の他の目的は、反射型液晶表示パネ
ルをライトバルブとして用いながらも、スクリーンに投
影される画像のコントラスト比を向上することができる
投写型液晶表示装置を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る反
射型液晶表示パネルは、各々の画素毎に、光反射性画素
電極とそれに接続されたスイッチング素子とが形成され
たアクティブマトリクス基板と、各々の前記画素電極と
対向する透明電極が形成された透明な対向基板と、前記
アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に封入
された誘電異方性が負となる液晶と、前記液晶の分子を
前記アクティブマトリクス基板に対して垂直に立たせ
る、ラビング処理されない第１の配向膜と、前記液晶の
分子を前記対向基板に対して垂直に立たせる配向膜を、
前記液晶分子が所定のプレチルト角を有するようにラビ
ング処理して成る第２の配向膜と、を有することを特徴
とする。

【０００８】請求項１の発明によれば、アクティブマト
リクス基板側の第１の配向膜はラビング処理されていな
いので、そのアクティブマトリクス基板側の液晶分子
は、液晶のしきい値未満の電界が印加された状態では、
該基板に対してその長軸が垂直となるように配列され
る。対向基板側の第２の配向膜のみがラビング処理され
ているので、その対向基板側の液晶分子は、液晶のしき
い値未満の電界が印加された状態では、該基板に対して
その長軸が所定のプレチルト角を持つように傾斜して配
列される。

【０００９】ここで、基板に対して垂直に入射する光
は、プレチルト角を持つ液晶分子のみにより複屈折効果
が生じ、垂直状態の液晶分子によっては複屈折効果は生
じない。

【００１０】本発明では、対向基板側の液晶分子のみが
プレチルト角を持つので、セルギャップ方向にて縦列に
配列された液晶分子の平均傾斜角度は小さくなり、液晶
のしきい値未満の電界が印加された状態での複屈折効果
の影響も少なく、光が液晶層を２回通過しても、トータ
ルの複屈折効果を少なくできる。このため、液晶のしき
い値未満の電界が印加された例えばオフ駆動時に、複屈
折効果に起因した光漏れを低減でき、オン、オフ時の明
暗の差が大きくなってコントラスト比を大きくできる。

【００１１】さらに、アクティブマトリクス基板側の第
１の配向膜はラビング処理されないので、画素電極上で
の反射時に光散乱が少なくなり、これによってもコント
ラスト比の向上が期待できる。

【００１２】また、アクティブマトリクス基板側の第１
の配向膜がラビング処理されないと、ラビング処理時に
発生する静電気に起因した素子の静電破壊をも防止でき
る。

【００１３】請求項２の発明は、請求項１において、前
記対向基板側の前記液晶分子のプレチルト角は、前記対
向基板に対して８５゜以上であることを特徴とする。

【００１４】プレチルト角を持つ液晶分子によって生ず
るオフ時の複屈折効果は、プレチルト角が９０゜に近ず
くほど少なく、コントラスト比を高くできるからであ
る。

【００１５】請求項３の発明は、請求項１又は２に記載
の反射型液晶表示パネルを、ライドバルブとして用いた
投写型液晶表示装置を定義している。本発明の液晶表示
パネルは、投写型液晶表示装置以外の他の液晶表示装置
にも使用できるが、反射型液晶表示パネルへの入射光と
して、自然光でなく光源光を用いることができる投写型
液晶表示装置とすると、より鮮明でかつコントラスト比
の高い画像を表示できる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。図１は、液晶表示パネル
の断面図であり、図２はアクティブマトリクス基板１０
の概略平面図である。この液晶表示パネルは、図１に示
すように、アクティブマトリクス基板１０と対向基板１
００との間に、液晶を封入して構成される液晶層２００
を有している。

【００１７】アクティブマトリクス基板１０は、図２に
示すように、透明な例えばガラス基板１２上に、駆動回
路領域１４Ａ，１４Ｂと、液晶表示領域１６とを有す
る。液晶表示領域１６は、複数の走査信号線２０と、こ
れと直交する複数のデータ信号線２２とを有する。これ
らの線２０，２２が交差する各交点付近には、薄膜半導
体（ＴＦＴ）スイッチ２４がそれぞれ形成される。この
ＴＦＴスイッチ２４のゲートが走査信号線２０に接続さ
れ、ソースがデータ信号線２２に接続され、ドレインが
後述する画素電極４６に接続される。なお、この画素電
極４６と、対向基板１００に形成された共通電極１０６
との間に、液晶層２００が配置され、画素電極４６と共
通電極１０６との差電圧が各画素の液晶層２００に印加
される。

【００１８】このアクティブマトリクス基板１０上に
は、低温ポリシリコン形成方法を利用して、チャネル層
がポリシリコンのＴＦＴスイッチ２４が形成されてい
る。図１に示すように、ガラス基板１２上にはＳｉＯ₂
膜３０が形成されている。このＳｉＯ₂膜３０上に形成
されたアモルファスシリコン層にレーザ光を照射して、
ＳｉＯ₂膜３０上にポリシリコン層が形成される。その
後のフォトリソグラフィ工程の実施により、図１に示す
アイランド状のポリシリコン層３２が形成される。その
上にゲート酸化膜３４、ゲート３６が形成され、このゲ
ート３６を用いたセルフアラインにてポリシリコン層３
２に不純物を導入することで、ソース３２Ａ、ドレイン
３２Ｂが形成される。さらに、第１層間絶縁膜３８の形
成後、配線層４０，４２を形成する。そして、第２層間
絶縁膜４４を形成した後に、画素電極４６を形成する。
ここで、図２に示すＴＦＴスイッチ２４は、ソース３２
Ａ，ドレイン３２Ｂ、その間のチャネル層３２Ｃ、ゲー
ト絶縁膜３４およびゲート３６にて構成される。また、
図２に示す走査信号線２０は、図１の配線層４０を一方
向に延在形成することで形成され、図２に示すデータ信
号線２２は、図１のゲート３６を配線層４０の延在方向
と直交する方向に延在させることで形成される。

【００１９】なお、本実施の形態では、反射型の液晶表
示パネルを構成するために、画素電極４６は例えばＡｌ
にて代表される金属などの光反射性の材料にて形成され
る。

【００２０】このアクティブマトリクス基板１０の表面
には、液晶分子を垂直に配向させる垂直配向膜（第１の
配向膜）５０が形成される。そして、この垂直配向膜５
０はラビング処理されない。

【００２１】なお、本実施例では、ガラス基板上にＴＦ
Ｔなどを形成したが、基板はガラス基板に限られるもの
ではなく、例えばシリコン基板を用いることも可能であ
る。

【００２２】次に対向基板１００について説明すると、
図１に示すように、ガラス基板１０１の下面に、例えば
ＩＴＯから成る透明電極（共通電極）１０６が形成され
ている。この共通電極１０６上に、上述した垂直配向層
５０と同じ材料から成る垂直配向層（第２の配向膜）１
０８が形成され、この垂直配向層１０８は液晶分子にプ
レチルト角を与えるためにラビング処理されている。

【００２３】次に、図３，図４を参照して、液晶層２０
０について説明する。図３、図４は共に液晶層２００の
縦断面を模式的に示したもので、図３は液晶層２００に
印加される電界Ｅ＝０のとき（例えばオフ状態で表示上
は黒となるとき）の液晶分子２０２の配列を示してい
る。図４は電界Ｅ＞Ｖｔｈのとき（例えばオン状態で表
示上は白となるとき）の液晶分子２０２の配列を示して
いる。

【００２４】図３に示すように、オフ状態にあっては、
対向基板１００側の液晶分子２０２は、上述したラビン
グ処理により、該対向基板１００に対する初期の傾斜角
度θｐがプレチルト角として設定される。このプレチル
ト角θｐは、８５゜以上、好ましくは８９゜以上であ
る。このプレチルト角θｐは、液晶層２００の両端に電
圧を印加した際に液晶分子２０２が倒れる方向の方向付
けをするためのものである。このプレチルト角θｐは、
後述する理由により９０゜に近いほど好ましい。

【００２５】図３に示すように、オフ状態にあっては、
アクティブマトリクス基板１０側の液晶分子２０２は、
該基板１０に対して垂直に立った状態となっている。

【００２６】このオフ状態にあっては、液晶層２００に
入射された光は、原理的には偏光方向がねじれることな
く、画素電極４６に到達する。さらに、画素電極４６に
て反射された反射光は、再度液晶層２００を通って出射
されるが、このときにも原理的には偏光方向がねじれる
ことなく出射される。この偏光状態が変わらない出射光
は、例えば後述する偏光ビームスプリッタによりスクリ
ーンに導かれることが無く、表示画面上では黒となる。

【００２７】図４に示すように、液晶層２００の両端に
液晶のしきい値電圧Ｖｔｈ以上の電圧が印加されると、
基板１０，１００に対して垂直状態であった液晶分子２
０２が倒されることになる。そして、液晶層２００に入
射される入射光の偏光方向が例えば４５゜ねじられる。
さらにその入射光が画素電極４６にて反射され、その反
射光が再度液晶層２００を通過するときに、反射光の偏
光方向がさらに４５゜ねじられる。結果として、偏光方
向が９０゜ねじられた光が出射され、これが後述する偏
光ビームスプリッタによりスクリーンに導かれて、表示
画面上では白となる。

【００２８】次に、上述の表示原理を、液晶分子２０２
の複屈折を印加される電界により制御する電界制御複屈
折（ＥＣＢ）効果に基づき説明すると共に、上述の構造
の反射型液晶表示パネルにてコントラストが向上する理
由について説明する。

【００２９】液晶分子２０２の長軸に対して直角方向に
振動する光は常光線と呼ばれ、常光線に対する屈折率を
ｎｏと表される。一方、液晶分子２０２の長軸に対して
平行に振動する光は異常光線と呼ばれ、異常光線に対す
る屈折率をｎｅと表される。

【００３０】屈折率異方性（または複屈折）Δｎは、ｎ
ｅとｎｏとの差で表される。ここで、液晶分子２０２の
長軸方向に沿って入射した光は、常光線に相当する屈折
特性を示し、複屈折は生じない。液晶層２００にしきい
値Ｖｔｈ以上の電圧を印加すると、その電界方向と直角
の方向に液晶分子２０２が傾き、複屈折が生ずる。すな
わち、常光線に対する屈折率ｎｏと異常光線に対する屈
折率ｎｅが相違するため、入射光線はそれぞれ常光線と
異常光線とに分かれて液晶層２０２を進行することにな
る。

【００３１】本実施の形態では、屈折率異方性Δｎ＝ｎ
ｅ−ｎｏが正となる液晶を使用している。また、液晶分
子２０２の長軸方向の誘電率はεｅと表され、その長軸
方向と直交する方向の誘電率はεｏと表され、誘電率異
方性Δεは、Δε＝εｅ−εｏとして表される。本実施
の形態では、誘電率異方性Δεが負となる液晶を用いて
いる。

【００３２】ここで、図５に示すように、液晶分子２０
２が基板放線Ｌに対して角度θで倒れた場合であって、
この場合に偏光方向が９０゜ずれる条件を求める。

【００３３】図６は、図５に示すオン、オフ状態の液晶
分子を一方の基板に投影した状態を拡大して示す投影図
である。

【００３４】図６において、Ｘ方向，Ｙ方向に振動する
光に対する液晶分子２０２の屈折率を、それぞれｎｘ，
ｎｙとすると、ｎｘ＝ｎｏ−ｎｅ（ただし、ｎｘは液晶への印加電圧に
よって変わる図５の角度θに依存して変化する）ｎｙ＝ｎｏとなる。

【００３５】また、入射光の波長をλｏとし、Ｘ方向，
Ｙ方向に振動する光の波長をλｘ，λｙとすると、 λｘ＝λｏ／ｎｘ λｙ＝λｏ／ｎｙとなる。

【００３６】図５の角度θを用いると、ｎｘ−ｎｙ＝（ｎｅ−ｎｏ）ｓｉｎθ と表される。ここで、ｘ方向に振動する光と、ｙ方向に
振動する光の位相差がπ（＝１８０゜）の整数倍となっ
て、入射光の偏光方向を９０°回転するためには、基板
１０，１００間のセルギャップをｄとすると、位相差＝（ｎｘ−ｎｙ）ｄ＝（ｍ＋１／２）λｏただし、ｍ＝０，１，２…となる。よって、上記式を満
足するように、液晶材料、セルギャップなどを選択すれ
ば、液晶のオン、オフ駆動が可能となる。

【００３７】図７は、この液晶表示パネルを反射型ライ
トバルブとして用い、投写光強度を測定する装置の概略
説明図である。なお、図７において、偏光面が直交する
関係にある光をそれぞれＰ波、Ｓ波としている。

【００３８】光源３００から出射されたある偏光面を持
つＰ波は、偏光ビームスプリッタ３０２を直進して反射
型液晶表示パネル３０４に入射される。このパネル３０
４のある画素がオフ状態のときには、複屈折が生じない
ため、Ｐ波の偏光面は回転されず、その偏光面を保った
ままの反射光がパネル３０４より出射される。このＰ波
の反射光は偏光ビームスプリッタ３０２を再度直進する
ため、投影レンズ３０６を介して光検出器３０８に向か
うことはない。従って、後述するプレチルト角θｐに基
づく光漏れを除いて、光検出器３０８にて投写光強度は
検出されることなない。

【００３９】一方、パネル３０４のある画素がオン状態
のときには、Ｐ波が液晶層２００を２回通過する際に、
それぞれ複屈折効果を生じて、その偏光面は９０°回転
される。したがって、Ｐ波の偏光面が９０°回転された
Ｓ波が、パネル３０４より出射される。このＳ波の反射
光は偏光ビームスプリッタ３０２にて屈曲され、投影レ
ンズ３０６を介して光検出器３０８に向かうことにな
る。従って、光検出器３０８にて投写光強度が検出され
ることになる。

【００４０】次に、オフ状態にて光検出器３０８にて検
出される光強度について説明する。

【００４１】図３に示すオフ状態にあっては、対向基板
１０側の液晶分子２０２がプレチルト角だけ傾いてい
る。従って、このプレチルト角を持つ液晶分子２０２で
の複屈折によって、Ｐ波の偏光面はわずかに回転される
ことになる。反射型液晶表示パネル３０４の場合、光は
液晶層２００を２回通過するため、入射時と反射時にそ
れぞれ、プレチルト角を持つ液晶分子２０２によりＰ波
の偏光面が回転されることになる。これにより、わずか
であるがパネル３０４よりＳ波の成分が出射され、それ
が偏光ビームスプリッタ３０２、投影レンズ３０６を介
して光検出器３０に入射されることになる。

【００４２】ところで、本発明のようにアクティブマト
リクス基板１０の配向膜５０をラビング処理せずに、そ
の付近の液晶分子２０２を垂直状態としておくと、アク
ティブマトリクス基板１０側の液晶分子２０２はプレチ
ルト角θｐをもたず、ここでの偏光面の回転（位相差）
は生じない。従って、オフ時に光検出器３０８にて検出
される光強度は、基板１０，１００側の配向層５０，１
０８を共にラビング処理したものと比較して、小さくす
ることができる。

【００４３】これにより、オフ時とオン時の明暗の差が
大きくなり、コントラストを大きくとることができる。

【００４４】ここで、図４の角度θの補角をθ’とする
と、その液晶分子２０２により生ずる位相差Ｒは、Ｒ＝ｄ×Δｎｃｏｓθ’ で表される。

【００４５】傾斜角θ’を持つ液晶分子２０２にて生ず
る位相差の総和が、オフ時に液晶表示パネルより出射さ
れるＳ波成分の発生に影響するが、本実施の形態では基
板１０側にラビング処理を施さずに、基板１０側の液晶
分子２０２はプレチルト角を有しないので、縦列方向の
液晶分子の平均傾斜角度を小さくできる。この結果、オ
フ時の液晶分子２０２の傾斜角度に起因したＳ波成分の
発生を低減し、コントラストを向上できる。

【００４６】なお、位相差Ｒを少なくするには、上述の
位相差Ｒの式から、θ’の補角である角度θと対応する
プレチルト角θｐを９０°に近ずければよいことが分か
る。

【００４７】図８は、上述した液晶表示パネルを３枚用
いたプロジェクタの概略説明図である。図８において、
光源４０２および反射鏡４０４から成る光源装置４００
から出射された光は、偏光手段である偏光ビームスプリ
ッタプリズム４１０にて各偏光成分毎に屈曲され、ダイ
クロイックプリズム４２０に導かれる。ダイクロイック
プリズム４２０は、その入射光を偏光成分毎に、直進、
左屈折、右屈折の３方向に分配する。この３方向には、
ライトバルブとして用いられる上述した構成の３枚の液
晶表示パネル４３０，４４０，４５０が配置されてい
る。

【００４８】各々の液晶表示パネル４３０，４４０，４
５０からの反射光は、ダイクロイックプリズム４２０を
介して偏光ビームスプリッタプリズム４１０に入射され
る。図７にて説明した反射光のＰ波成分は、偏光ビーム
スプリッタプリズム４１０にて直角に屈曲されて光源装
置４００に戻される。図７にて説明した反射光のＳ波成
分は、偏光ビームスプリッタプリズム４１０を直進し
て、投写レンズ４６０を介してスクリーン４７０に導か
れる。このようにして、スクリーン４７０上にカラー画
像が投写される。

【００４９】このとき、本発明によれば各々の液晶表示
パネル４３０，４４０，４５０の画素がオフ駆動された
ときに、上述した通りＳ波成分の光が出射されることが
低減するので、スクリーン４７０上に投射されるカラー
画像のコントラストを向上することができる。

【００５０】なお、本発明が適用されるアクティブマト
リクス型液晶表示パネルとしては、必ずしもポリシリコ
ンＴＦＴを用いたものに限らず、アモルファスシリコン
ＴＦＴを用いても良く、これらの３端子型スイッチング
素子を用いる代わりに、ＭＩＭ（金属−絶縁−金属）な
どにて代表される２端子素子を用いることもできる。

【実施例】液晶層２００の液晶材料として、Ｅ．Ｍｅｒ
ｃｋ製のＺＬＩ−４３１８を用いた。この液晶は、屈折
率異方性Δｎ＝０．１２４３、誘電率異方性Δε＝−
２．０である。基板１０，１００に形成される配向膜５
０，１０８として、日産化学工業（株）製のＳＥ−７５
１１Ｌを用いた。そして、配向膜１０８のみをラビング
処理した。また、基板１０，１００間のセルギャップｄ
＝４．０μｍとした。

【００５１】ここで、図９に示す投写光強度が１０％の
ときの液晶への印加電圧をＶ₁₀＝３．３９Ｖとし、投写
光強度が９０％のときの液晶への印加電圧をＶ₉₀＝４．
４７Ｖとした。β＝Ｖ₉₀／Ｖ₁₀＝１．３１８である。

【００５２】このとき、コントラスト比は７００〜８０
０であった。これは、基板１０側の配向層５０での光散
乱が少ないことに加えて、オフ時の光の位相差が少ない
ことに起因している。

【００５３】比較例として、上記実施例と同一の部材を
用い、基板１０，１００側の配向層５０，１０８を共に
ラビング処理し、コントラスト比を測定してみた。この
ときは、３００〜４００のコントラスト比しか得られな
かった。これは、基板１０側の配向層５０での光散乱が
多いことに加えて、オフ時の光の位相差も大きいことに
起因していると考えられる。

【００５４】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液晶表示パネルの一例を示す概略断面
図である。

【図２】図１に示す液晶表示パネルのアクティブマトリ
クス基板の概略平面図である。

【図３】オフ時の液晶分子の配列状態を示す概略説明図
である

【図４】オン時の液晶分子の配列状態を示す概略説明図
である。

【図５】オン、オフ時の液晶分子の状態を示す概略説明
図である。

【図６】図５の液晶分子を一方の基板に投影した状態を
拡大して示す概略説明図である。

【図７】図１の液晶表示パネルを反射型ライトバルブと
して用いた投写光強度測定装置の概略説明図である。

【図８】図１の液晶表示パネルをＲ，Ｇ，Ｂの反射型ラ
イトバルブとして用いたプロジェクタの概略説明図であ
る。

【図９】液晶への印加電圧と投写光強度との関係を示す
特性図である。

【符号の説明】

１０アクティブマトリクス基板１２ガラス基板１４Ａ，１４Ｂ駆動回路領域１６液晶表示領域２０走査信号線２２データ信号線２４ＴＦＴスイッチ３０ＳｉＯ₂膜３２ポリシリコン層３２Ａソース３２Ｂドレイン３２Ｃチャネル層３４ゲート絶縁膜３６ゲート３８第１層間絶縁膜４０，４２配線層４４第２層間絶縁膜４６画素電極５０垂直配向膜（第１の配向膜）１００対向基板１０１ガラス基板１０６共通電極１０８垂直配向膜（第２の配向膜）２００液晶層２０２液晶分子３００光源３０２偏光ビームスプリッタ３０４液晶表示パネル３０６投影レンズ３０８投写光検出器４００光源装置４１０偏光ビームスプリッタプリズム４２０ダイクロイックプリズム４３０，４４０，４５０液晶表示パネル４６０投影レンズ４７０スクリーン

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】各々の画素毎に、光反射性画素電極とそ
れに接続されたスイッチング素子とが形成されたアクテ
ィブマトリクス基板と、各々の前記画素電極と対向する透明電極が形成された透
明な対向基板と、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に
封入された誘電異方性が負となる液晶と、前記液晶の分子を前記アクティブマトリクス基板に対し
て垂直に立たせる、ラビング処理されない第１の配向膜
と、前記液晶の分子を前記対向基板に対して垂直に立たせる
配向膜を、前記液晶分子が所定のプレチルト角を有する
ようにラビング処理して成る第２の配向膜と、を有することを特徴とする反射型液晶表示パネル。
【請求項２】請求項１において、前記対向基板側の前記液晶分子のプレチルト角は、前記
対向基板に対して８５゜以上であることを特徴とする反
射型液晶表示パネル。
【請求項３】請求項１又は２に記載の反射型液晶表示
パネルと、前記反射型液晶表示パネルに所定の偏光面を
持つ光を入射させる偏光手段と、を有することを特徴と
する投写型液晶表示装置。