JPS58142544A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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Publication number
JPS58142544A
JPS58142544A JP57024374A JP2437482A JPS58142544A JP S58142544 A JPS58142544 A JP S58142544A JP 57024374 A JP57024374 A JP 57024374A JP 2437482 A JP2437482 A JP 2437482A JP S58142544 A JPS58142544 A JP S58142544A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
block
lsi
power supply
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57024374A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshinori Sakataya
坂田谷 義憲
Toshiyuki Katada
堅田 敏幸
Kyoji Chiba
千葉 恭治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP57024374A priority Critical patent/JPS58142544A/ja
Publication of JPS58142544A publication Critical patent/JPS58142544A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/0203Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0207Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の対象 本発明は半導体集積回路(以下rL8■」という。)に
関し、特に半導体チップ上に不規則的に配置された半導
体素子の好適な電源配線に関する。
従来技術 従来のLSIは、チップの実装密変を高めるために、半
導体素子をチップ内のどこKでも配置可能とするLSI
設計方式が採用されつつあるが、半導体素子への電源配
線は規則的な配列により配線されていたので、配線チャ
ネル使用率が増加し、その結果、多大な亀源配線工継に
よる開発期間の増大、チップサイズの増大といりた欠点
がありた。
発明の目的 本発明は、従来の欠点を解消することを目的としており
、給電のための電源配線本数を低減できる電源配線の配
置方法を有し、結果としてLSIサイズを小さくでき細
発期間を短縮できるLSIを提供するととにある。
本発明の上記目的は、半導体チップ上に配列した多数の
回路素子間を接続する電源配線を有するLSIにおいて
、前記回路素子相互に接続する電源幹線のうち特定電位
の電源幹線を共有することによって達成される。
発明の実施例とその効果 以下、本発明の一実施例を図面に従って詳細に説明する
@1図は、従来の論理用LSI構成の概要図を示す。
第1図において、半導体チップ1には、行列状に複数の
ブロック2が配列されている。ブロック2は矩形状で、
より小さな構成要素である囲路素子(以下「セル」とい
う。)を複数個組合せて構成されている。セルはトラン
ジスタ、抵抗、コンデンサ等の基本回路素子を1個ある
いは複数個組合せたものである。また、すべてのブロッ
ク2の大きさは、略等しく設定されているのが普通であ
る。
ブロック2の周辺には、ブロック2に給電するための給
電点5が複数個設けられている。ブロック2の内部を配
線するためのブロック内配線領域6が設けられており、
隣接するブロック間の領域には、ブロック間を配線する
ための領域7が格子状に設けられている。
ブロック2の内部構成のml!をlk2図に示す。
第2図において、8はいくつかのセル9が図上で横方向
に直線上に配列されたセル列であり、ブロック2にはこ
のようなセル列9が複数個配列されている。セル9の各
々の大きさやWaSは必ずしも一様ではない。
ブロック内配線領域6においては、セル9同志がセル列
8と−(じ方向に走る横方向配線用の第1層配線4と、
セル列8と直交する方向に走る縦方向配線用の第2層配
線5とを用いてブロック20周辺に導かれる。
第1図にもどって説明を続ける。ブロック間配線領域7
においては、異なるブロック2間を紬記ブロック内配線
領域6におけると同様K。
横方向配線用の第1層配置14と縦方向配線用の第2層
配線5とにより接続されている。
LSIの設計に際しては、チップ上に配列し−たセル同
志の電源配線を実現するのに、次の2通りの方式が可能
である。第1はママタスライス方式と呼ばれる方式で、
配線領域が固定されている方式、第2はビルディングブ
ロック方式と呼ばれる方式で配線領域が可愛で、チップ
全体として小さくなるように回路を配置・配線する方式
である。
本発明は、特にビルディングブロック方式に有効なもの
である。
第3図は本発明の一実施例である論理用LSI構成図を
示すものであり、第1図と同じ構成要素には同じ符号を
付している。
本実施例に示した論理用L8I構成と第1図に示した従
来LSIとの相異は、本実施例に示した論理用LSI構
成においては、ブロック間配線領域7上に配線される縦
方向配線用の第2)@配線5を隣り合うブロック2の中
央に配置する。すなわち、半導体チップ1の左右辺上の
第2層配縁5を除き各ブロックの縦方向配線用の第2層
配線50本数は4本から3本となる。
94図は本発明の一実施例であるブロックの内部構成を
示すものであり、第2図と同じ構成要素には同じ符号を
付している。
本実施例に示したブロックの内部構成とj112図に示
した従来ブロックの相異は、本実施例で示したブロック
の内部構成については、ブロック内配線領域6上に配線
される縦方向配線用のに21fk配線5は不要となり、
横方向配線用の帛1#配線5は、ブロック2の左右辺上
まで延長する構成となる。
発明の効果 本発明によれは、LSIチップ上の電源配線本数を少く
とも5/4に低減できるので、結果として%LSI開発
期間の短縮、LSIチップサイズを小さくできる経済的
効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のLSIの構成図、第2図はその一部であ
るブロックの構成図、第5図は本発明の一実施例を示す
LSIの構成図、第4図はその一部であるブロックの構
成図である。 1・・・半導体チップ  2・・・ブロック3・・・給
′醒点     4・・・tIL1層配線5・・・第2
層配線    6・・・ブロック内配線領域7・・・ブ
ロック間配線領域 8・・・セル列     9・・・セル?  1  図 才  Z  図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 半導体チップ上に配列した多数の回路素子を相互に
    接続した半導体集積回路において、前記回路素子が非整
    列に配置されている相互の回路素子間を接続する異なる
    電位の電源配線を有し、さらに各電位単位に複数の電源
    線から成る電源幹線を有し、この隣り合う電源幹線が交
    互に配置され、特定電位の電源幹線を中央に配置し、該
    幹線の左右もしくは上下の回路素子に給電を行なうこと
    を4I黴とする半導体集積回路。
JP57024374A 1982-02-19 1982-02-19 半導体集積回路 Pending JPS58142544A (ja)

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JP57024374A JPS58142544A (ja) 1982-02-19 1982-02-19 半導体集積回路

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JP57024374A JPS58142544A (ja) 1982-02-19 1982-02-19 半導体集積回路

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JPS58142544A true JPS58142544A (ja) 1983-08-24

Family

ID=12136412

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JP57024374A Pending JPS58142544A (ja) 1982-02-19 1982-02-19 半導体集積回路

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JP (1) JPS58142544A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0231821A2 (en) * 1986-01-22 1987-08-12 Nec Corporation A semiconductor integrated circuit having wirings for power supply
US4831433A (en) * 1984-07-31 1989-05-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device
JPH029149A (ja) * 1988-06-28 1990-01-12 Toshiba Corp スタンダードセル

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4831433A (en) * 1984-07-31 1989-05-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device
EP0231821A2 (en) * 1986-01-22 1987-08-12 Nec Corporation A semiconductor integrated circuit having wirings for power supply
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