JPS58137316A - 電圧クリスタル組立体およびその製造方法 - Google Patents

電圧クリスタル組立体およびその製造方法

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JPS58137316A
JPS58137316A JP57187338A JP18733882A JPS58137316A JP S58137316 A JPS58137316 A JP S58137316A JP 57187338 A JP57187338 A JP 57187338A JP 18733882 A JP18733882 A JP 18733882A JP S58137316 A JPS58137316 A JP S58137316A
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JP57187338A
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モ−リス・ワイ・ホワイト
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ESU EFU II TEKUNOROJIIZU
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    • H03H3/02Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
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    • H03H9/15Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/19Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator consisting of quartz

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、圧電分解に関し、さらに詳細にいエバ、ラジ
オ装置、テレビジョン装置およびその他の種々の電子装
置における周波数を制御する目的に使用される一般型式
の圧電クリスタル組立体の改良された構造とその製造方
法とに関するものである。
一般にいえば、圧電クリスタル組立体は石英またはその
他の圧電的活性物質を主両面を有する円形ディスクか長
方形状の板に切ったか成形したクリスタル素子と、クリ
スタル素子の主両面にそれぞれ装着されたかそれに保合
または近接して保持された導電性電極構造体と、ある型
式の保護ノ1ウジングまたはカッミーとクリスタル素子
を(およびクリスタル素子に固着されていないと電極構
造体も)保護ハウジングまたはカバー内にクリスタル素
子の所望の共振振動運動に干渉またはそのような運動を
過度に減衰しないように支持する何らかの手段とを含ん
でいる。
約1960年代までは、圧電気は広く実験室用の事象と
して取扱われていて、その当時存在していたクリスタル
組立体は比較的に粗野で典型的罠はクリスタル組立体を
製造する個々の実験者の移り気またはそのような目的に
容易に入手できたと思われる材料が特色であった。
しカルながら、無線通信の商業的、軍事的および海運上
の使用が発達し、普及するに従い、電子的発振器の振動
周波数を一層安定して制御するため圧電クリスタルの共
振特性を利用する利点が無線送信機等の励磁機器に組み
込まれるが、一層信頼でき個性の弱い型式の圧電クリス
タル組立体を商業的に大量に入手する必要を生じた。そ
の当時現在では大抵の目的には好適でないと考えられる
切片(天然の母クリスタルからの)の石英クリスタル素
子が人気があり典型的には約1インチまたはそれ以上の
長さ方向寸法を有する長方形状の板の形状に作られた。
従って、その当時の電極構造体は一般にある型式の金属
ばね手段によりクリスタル素子の主表面と接触するよう
に押圧される導電性金属板として供給され、これら金属
はね手段をかいして金属板は電極とまた電気的に接続で
きた。そのような初期の構造の1つのものではベースと
、は−クライトの如き電気的絶縁性材料で作られたベー
ス上の一体のハウジング・フレームと、クリスタル素子
を収容するためフレームを貫通して延びる長方形状の孔
と、間にはさんだクリスタル素子の主表面にそれぞれ接
触する1対の移動可能な金属電極板と、フレームのそれ
ぞれの側に装着した金属の側壁と、側壁の少なくとも1
つとそれに隣接した電極板との間の金属製圧縮ばねとベ
ースに支持さればね等により電極に適当に結合された1
対の端子ピンとを使用した。
次いで、圧電クリスタル組立体を更に開発したものは個
別の電極構造体の代りにクリスタル素子の主表面に接着
関係にして施した薄い導電性金属被覆を使用することと
、導電性被覆に直接接続されたワイヤによりクリスタル
素子を支持することと、これら型式の石英クリスタル素
子の高い共振周波数特性と高い周波数一温度安定特性と
を利用するためKいわゆる「厚み剪断」振動石英素子(
一般に、rATJおよびrBTJカットと呼称されてい
る。)の使用を増やすこととを含む方針にそい進展した
。そのような厚み剪断振動クリスタル素子をほとんど普
遍的顛使用する傾向には初期の頃のクリスタル組立体と
は違いクリスタル素子クリスタル組立体に包むためいく
ぶん異なる考え方の応用を伴っていた。第1に、厚み剪
断モード型石英クリスタル素子が初期の頃使用された型
式のクリスタル素子に必要であった寸法よりかなり小さ
い寸法で作った場合に、効率良く作用することがワカッ
タ。第2に、厚み剪断モード型クリスタル素子が円形デ
ィスクの形にきわめて有利に製造できることがわかった
。第6に、厚み剪断モートゝ振動型クリスタル素子の節
個所が初期の頃に使用された型式のクリスタル素子の節
個所とは異なる(厚み剪断モート8型クリスタル素子で
は1次的利用の圧電作用が素子の主表面の中心個所にあ
る)また、クリスタル素子が最大圧電効率にするには素
子を節または振動の観点から比較的に不活性の個所で支
持する必要がある(ディスク型厚み剪断モード素子の縁
部付近、またもし比較的大きい直径のものであれば、素
子の中心厚み面付近もまた好ましい。)ので、厚み剪断
クリスタル素子を支持する技術は初期の頃のクリスタル
素子に以前使用された技術とは変える必要がある。
従って、実質的には、ディスク型厚み剪断モードクリス
タル素子を広く使用し始めた頃から、この素子と共に使
用される電極構造体は典型的には素子に施した金属被覆
であった。そのようなりリスタル素子を支持するのに当
初使用された技術では一般にクリスタル素子自体も物理
的に支持するため電極被覆に電気的に接続されたワイヤ
を使用し、そのようなワイヤは典型的には非導電性のベ
ースの端子ピンに半田付けされ、金属製の中空のキャッ
プがベースに装着されクリスタル素子の保護的被包を形
成している。電極被覆に直接々続されたワイヤにより厚
み剪断モートゝ型クリスタル素子を支持する初期の頃の
慣習はクリスタル素子の主たる圧電作用個所でワイヤが
物理的に接続されているためクリスタル素子の振動作用
をある稈度減衰するので、その後間もなく電極被覆には
各電極被覆の円形の中心部分からクリスタルディスクの
縁部に向は半径方向に外方に延びるタブ部分を一体に設
けて所要とする電極への電気的接続部とクリスタル素子
の物理的支持部とをクリスタル素子の節の縁部個所に一
層接近して設けた。
そのような厚み一剪断モードクリスタル素子を内部Kま
とめたハウジングを次いで実質的に2つの線に沿い旋回
した。1つの技術では1対の接続および支持ワイヤをそ
れぞれ締め付ける1対の端子ピンを支持している電気的
絶縁1件のベースを使用し続け、次いで、ワイヤを半田
付けまたはその他の方法でクリスタル素子の縁部付近で
電極被覆の延長タブに取り付け、クリスタル素子を保護
的に包囲するため金属のタブ等をば一層に装着し、時に
はベースに錬金術で密封する。究極的には一層使用され
るようになった別の技術は内部にクリスタル素子が収容
されスリーブの両側に装着され別個のばねが弾性の指片
の如きある手段を有する金属キャップにより支持されて
いる電気的絶縁性の中心の環状スリープを必須的に使用
し、ばねまたは弾性の指片が電極被覆の半径方向タブ部
分が電気的に接続するよう延びて来ているへり部分も含
むクリスタル素子の主表面の縁部付近でクリスタル素子
に両側から係合する。最後に述べた型式のクリスタル素
子組立体を防湿にするため、クリスタル素子用ハウジン
グを端部キャップに固着した電気的接続導線のみしか突
出していない硬化したエポキシ材の層で包むことが慣習
として容認されるようになった。
米国特許第3,622,816号には最後に述べた型式
のクリスタル組立体が記載され、このクリスタル組立体
は本発明以前には現存し商業的慣習の問題として広く用
いられているクリスタル組立体の当該技術の構造の好ま
しい態様を実質的に代表するものとして高く評価できる
この米国特許の原理に基く圧電クリスタル組立体は作用
上の見地から非常に満足であるという事実にもかかわら
ず、この特許明細書の記載から、この特許の組立体の構
造はいくつかの別々の構造的部品を作り組み立てる必要
があることが観察される。従って、使用した石英クリス
タル素子がこわれ易くまた含まれている構造的構成要素
のすべてが小型であるため、そのような装置の製造およ
び組立は製造される各ユニットに対し熟練者が個々に相
当する必要があるとこれまで考えられた多くの作業が含
まれるので依然として比較的に時間を消費し比較的に高
価であることが認められる。
また、構造部品の数と性質とまたそのような部品の製造
方法とそれら部品を使用して各ユニツ)K組み立てる方
法とにより特にテレビジョン受債機およびその他多くの
型式の装置に使用するためそのような組立体の需要を満
たすのに現在必要である大量の圧電組立体に照して適当
な品質管理と均一性とを保持することが重要な任務忙な
る。
これらは本発明が解決しようとしている従来技術の現状
を特徴づけると同時にまた作用および信頼性の見地から
改善を要する主たる実用上の問題である。
本発明の圧電クリスタル組立体の構造と詳細に関連して
、偶然ある関心事である他の公知の従来技術が米国特許
第3,656,217号および第3.849,681号
に記載され、これら特許にはクリスタル素子に電気的に
接続され、またそれを物理的に支持するためフォーク状
すなわち2又に分かれた端部を有するワイヤまたは稈を
使用することが示してあり、また米国特許第5.747
. [76号および第4,017,752号にはクリス
タル素子を最初熱分散性材でおおい、次いでカプセルに
入れ次いで加熱して熱分散性材を分散させるかカプセル
本体内のクリスタル素子のポケットにおいて気体状に還
元させるようにしたカプセルに包んだクリスタル素子を
取巻き、空気またはガスのポケットを形成する技術が示
してあり、更にまた1975年10月16日付で出願し
た日本国特願昭50−124981号(特公昭52−4
8489号)は明かに電極が被覆され片面の端部で電極
に接触する導電性パッドが設けである絶縁材の大きい長
方形状ば−スに支持された長さ方向または屈折モードの
長方形状「陶器製」クリスタル素子を使用するクリスタ
ル組立体に係り、このクリスタル組立体では素子とベー
スとの組立体全体のまわりにこの組立体をはさみ込んだ
1対の熱可塑性シートの縁部を熱溶接することにより空
気を入れた袋を形成し、次いで、この袋を硬化した外側
のカプセル層でおおう。
しかしながら、これまで知る限り、従来の慣習も従来技
術の刊行物も本発明の圧電、クリスタル組立体もその方
法も教示も暗示もしてない。
本発明は圧電クリスタル組立体の構造の面とそれを大量
生産するに必要な工程の面について簡素化により好適に
することにより従来技術を改善するものである。使用す
る部品の数は極減され、部品は製造および組立を容易に
する材料と形状とで作られている。同様に、製造方法を
高能率で従ってバッチ式で複数のユニットを処理できる
性質の最少作業に減少しである。この改良された方法は
また容易に機械化され高度の熟練者を必要とする稈度を
減少することが認められる。
達成される結果には生産速度をかなり増大するばかりで
なく製造費を節減ることと、クリスタル組立体製品の均
一性を増すことと、品質を一層均一にすることと、作業
の信頼性を向上することとがある。改良された構造の更
に詳細な利点には、基本的製造手順を変えずに種々の寸
法のクリスタル素子に応用できることと、完成した組立
体の体積すなわちスペース要件を使用したクリスタル素
子の特定の寸法に対して事実上屋小成にまでかなり減少
することと、クリスタル素を支持するばね等を使用する
従来技術の組立体に比較して外部の衝撃または振動に対
する抵抗を意外な程向上することとがある。そのような
種々の特徴は互いに非常に相関関係を有している。たと
えば、クリスタル素子用に弾性の支持体を使用する従来
技術のクリスタルホルダーが外部衝撃または振動の作用
でホルダー内でクリスタル素子が運動できるようにする
必要がある場合には、本発明の改良された構造のクリス
タル素子はそれを包囲する構造体に相対的に一層確実に
固定位置に保持され、従って、従来技術のクリスタル組
立体がクリスタル素子とこの素子に係合し、外部要因に
より減衰されることのある隣接した壁構造体との間に余
分な間隙を形成する必要のある場合には本発明の構造で
はクーリスタル素子の主表面と隣接した壁構造体との間
の間隙をクリスタル素子自体の圧電振動運動を許容する
のに必要なわずかな最少限(100万分の1和度)に減
少でき、それにより改良された構造の体積またはスは−
ス要件を従来技術の構造に必要な要件のほんの一部分に
できる。このようにスは−ス要件の局限は圧電クリスタ
ル組立体が印刷回路盤型そ一層で広く使用されるに従い
次第九重要になっている。
圧電クリスタル組立体の構造とこの組立体の改良された
製造方法との詳細は、もちろん、現在のところ好ましい
具体例を参照して以下に更に説明する。しかしながら、
まず簡単に要約すると、改良されたクリスタル組立体は
厚み剪断モードで作用するようにした石英材の小型のデ
ィスク状でその主表面の中心の圧電的に活性部分に被覆
されそれと電気的に接続するためにこの部分から半径方
向外方に延びている金属ミソ構造体を有する圧電素子と
、一端部に2又に分かれた締付は部分が形成されタブ部
分がクリスタル素子の周辺付近に接続され、共働する頂
部と底部との皿状カバ一部材がクリスタル素子の外辺帯
域に沿い間にクリスタル素子を保持して互いにはまり合
っている1対の導電性導線と、任意ではあるが設けるこ
とが好ましい電気的接続+1−ドな突出させて組立体作
用の外側密封および保護カプセルを形成する硬化したエ
ポキシ材の層とを含んでいる。
改良された方法は要約するのがいくぶん困難であるが、
複数の対の接続リードワイヤを仮に支持することと、リ
ート9ワイヤを支持体に支持したまま各対のリードワイ
ヤにクリスタル素子を固着することと、□そのように支
持したままクリスタル素子に種々の作業を行うことと、
ストリップ材に頂部と底部との皿状カバ一部材を部分成
形するがストリップにカバ一部材を仮りに取り付けたま
まにし、頂部カバ一部材と底部カバ一部材とを各クリス
タル素子と複数の対の頂部および底部カバ一部材間のク
リスタル素子とに並べるようにしてスト+7ツプを支持
体と並置することと、頂部カバ一部材と底部カバ一部材
との接続を完成し、スト+7ツプからこれらカバ一部材
を取り除くことと、)1ぼ完成した組合体を浸漬および
硬化してエポキシのカプセルを組立体のまわりに形成し
た後、最終的に完成した組立体を組立作業中それを支持
していた支持体から取除くこととを含んでいる。組立方
法の全工稈にわたり複数の組立体を共通の支持体に組み
合わせると、支持体に支持されたすべての組立体に対し
てクリスタル素子が組立体に順次にきわめて望ましく作
用する加工段階に相対的1C支持体を割り出すことによ
り、仙の作業を効率的に行えるようにする。
本発明の組立体を例示するため選択した現在のところ好
ましい圧電クリスタル組立体が本発明の改良された方法
を利用しないか、更に効率的な大量生産に関して方法の
利点を十分に実現しない更に便利な方法で明かに製造お
よび組立ができることは理解する必要がある。反対に、
好ましい型式のクリスタル組立体の製造に応用した例示
的の現在のところ好ましい具体例に関連して説明した改
良された方法の少なくともいくつかの重要な面がまた構
造の細部の点が相違している圧電クリスタル組立体の製
造に有利に応用できるということも理解する必要がある
。従って、本発明の方法は本発明の改良されたクリスタ
ル組立体を大量生産をするのに現在では最善である。本
発明のクリスタル組立体をまず説明する。
第1図、第2図および第61を参照すると、改良された
圧電クリスタル組立体の現在のところ好ましい具体例が
総体的に符号60で示しである。
第1図と第6図とに示しであるように、り11スタル組
立体60は外部に外側のカプセルカバー62とそれから
突出している1対の電気的接続リートろ4.66とのみ
を現わしていて、組立体全体は小型のセラミック・コン
デンサとほぼ同じ寸法と一般的外観とを有している。
第2図と第6図とに示しであるように、組立体30は内
部にディスク状の圧電クリスタル素子40と、クリスタ
ル素子の主両面に取り付けた電極構造体42.44と、
間に支持された関係のクリスタル素子40を包囲してい
る1対の周辺で互いに接続されたカバ一部材46.48
とを含んでいる。
これら部品はり−ド64.66および外部カバー62と
共に細部を後記する改良された組立体60の主たる構成
要素を構成している。
クリスタル素子40は円形で好ましいのは石英で、高周
波厚み剪断モードで圧電的に振動するようにした「AC
−カット」、rBT−カット」、「SC−カット」また
は同様な型式であるのが好ましく、典型的には約4イン
チ直径0.015インチ穆度の厚みで良い(所望の共振
周波数に応じて)。
もし組立体60を高電力回路の用途に使用するよ ゛う
にすることが望ましい場合には、素子40とその他の部
品との直径を適当に増大し、その場合には、円周付近に
おける素子の両生表面のヘリ部分は従来方法で面取りし
て素子40には部材46.48が素子の圧電的振動のb
[望のモードにあまり干渉すなわちそれをあまり減衰し
ないようにするのに十分な節のある個所でのみ係合する
ようにする。
電極構造体42.44は素子40両主表面に真空被覆か
その他の公知の方法により形成され、それに取り付けら
れ、そのような目的に一般に使用される銀またはその他
の導電性材料で良い。電極構造体42.44はそれぞれ
素子40の圧電的に活性の中心個所をおおう円形の中心
部分50と中心部分から素子400表面の外側環状帯謔
の小さい扇形帯域に今では一般慣習となっていて第2図
に詳細に示した如く外方に延びている接触タブ部分52
とを含んでいる。電極構造体42.44のタブ部分52
が互いに角度的に変位していて、詳細に後記するが、リ
ード66.64をタブ部分に接続しやすいよう圧しであ
る。電極構造体42.44はもちろん典型的には0.0
01インチ以下程度の非常に薄い厚みを有している。
リー)”34,36は26ゲージの銅の母線ワイヤの如
き導電性ワイヤで形成され、端部には向かい合った締付
は指片を有する2又に分かれたクランプが設けてあり、
クランプはリードの端部部分を符号58で示した個所で
扁平にし、打ち抜き次いで折り曲げて指片54.56を
形成することにより作ることができる。第2図に詳細に
示しであるように、各り−+”54.56の締付は指片
54.56は素子40の縁部から素子40の両生表面の
外側帯域の部分と係合する位置Kまで延び、更に詳細に
いえば、各リード64.66の締付は指片は対応する電
極構造体42または44のタブ52によりおおわれる帯
域の小さい扇形部分に係合して電極構造体に電気的にま
た素子40に物理的に接続する。Il−ドロ4.66と
素子40との接続部にそれぞれ導電性は−ストを塗布し
次いで熱でイーストを硬化して接続を確実に恒久的にす
る。
カバ一部材46.48は共に約0.0025インチ厚み
のアルミニウム箔で作ることが好ましく成形後に従来技
術で陽極酸化される。そのような材料が陽極酸化される
と、その露出面はすべて酸化アルミニウムの層で被覆さ
れそれに触れる組合わせ体600作用に通常関連した種
類と大きさとの電気的信号を搬送する導体、に対し非常
に有効な電気的絶縁特性を示す。カバ一部材46.48
の形成はダイス型打抜きにより便利に行われ、本発明方
法に関連して後”記するが、そのようなカメ一部材の複
数を前記したアルミニウム箔のストリップから効率的に
打ち抜ける。
「頂部」力、a一部材と考えられる力、6一部材46は
一般に/!!イ皿状形状で平たい円形の中心部分60と
、横方向に角度を付けた環状の中間部分62と、平らな
外方に延びている環状部分64とを含み、この環状部分
64の内方の環状部は電極構造体を支持している素子4
0の面の最も外方部に係合している。
「底部」カッζ一部材と考えられるカバ一部材48は一
般にカバ一部材46に似ていて、平たい円形の中心部分
66と、横方向に角度を付けた環状の中間部分68と、
平坦な外方に延びている環状部分70とのほかKまた横
方向に延びている環状のフランジ部分72とを含みこの
部分72の末端縁部74は頂部カバ一部材46の外方に
延びている部分64の一部分上に巻縮またはその他の方
法で折り曲げられてカバ一部材46.48をそれらの間
にある素子40に接続している。カバ一部材46.48
がこのように組み合わされる妃、素子40がその主表面
のそれぞれのものの最も外側の環状部がこの素子を間に
はさんで保持しているカッ2一部材46の部分46の環
状の内方部とカバ一部材48の部分7oとに係合するこ
とにより確実に保持されることがわかる。
クリスタル素子40が前記した寸法を有していると、カ
バ一部材46はその部分60,64の平面間を約0.0
12インチ横方向に片寄せ部分640半径方向幅を約0
.40インチにして約0.455インチの外径を有し、
またカバ一部材48はその部分66.70をカラミ一部
材46の部分60,64の平面間の横方向片寄りと同程
度横方向に片寄せ、その部分70をカバ一部材460部
分64と同じ半径方向幅にし、またフランジ72.74
0幅を約0.60インチにして約0.460インチの外
径を有する。フランジ72.74はり−)”34.66
用の間隙を形成するため、符号76.78で示した個所
にノツチを設けることが好ましい。
素子40とカバ一部材46.48の中心部分60゜66
のそれぞれとの間のスイースは狭い室80゜82を形成
し、この室にはカバ一部材46.48を適当な雰囲気内
で組み合わせることにより窒素の如き非常に不活性のガ
スを(もし所望ならば空気と共に)満たすことが好まし
い。
組立体60のまわりの外側カプセルカバー62はある用
途では任意と考えられるが利用することが好ましく組立
体!10の外側部分を約300Fに予熱し組立体をザ・
モートン・カンパニイ(TheMorton Comp
any)販売して、いるType EPU−42の如き
エポキシ粉末に浸漬し、次いで組立体を約1時間約25
0Fで硬化させることにより形成する。
このようにし又組み立てると、圧電クリスタル組立体6
0は同じ目的のためにこれまで入手できたどのものより
もいちじるしい改良であると信じられる。今では明かに
なったが、この圧電りIJメタル組立体の利点はそれに
使用される部品の性質と配置とKよるばかりでなくまた
それでも向上した結果を達成しつつ省略できる部品にも
よるものである。
前記したが、これに限定されるものではない本発明の圧
電クリスタル組□立体を製造する改良された方法をi!
4図から第22図を参照して説明する。
第4図には、もはや必要でなくなった時に切り落とすこ
とのできる接続中間部分165を有する一体のループと
してクリスタル組合体用の複数の対の接続+7−)”1
34.136を部分的に成形する改良された方法が示し
である。ユニット糾合体164.165.166として
の対のI+−ト8のそのような当初の構造はり−トゝの
取扱い、クリスタル素子に接続中リードを互いに所望の
関係に保持し、それらに共;1#・の支持体101に第
5図に示した如くこのリードの複数を支持するのな容易
にする。
第5図から第8図、第11図から第14図および第20
図から第22図には6対のリードしか示してないがその
ような対のリードユニットはもっと数多く処理されるこ
とが好ましい。従つ又、第5図に示した支持体は典型的
には図示したよりも多いリート9ユニツト164.16
5.166と支持する寸法にしである。支持体101は
同様な材料のベースス) IJツブ107 (第9図)
の上にねじ105により真空で着脱自在に装着されて「
ガスが漏出」しないプラスチック材の上方ストリップ1
03で作ることができ、リート8ユニツト164165
.166のリード164.166を収容するため上面に
横方向の溝(図示せず)を設けることが好ましい。上方
ストリップ106には製造方法のその後の段階中に、リ
−r134.166に電気的に接続するのを容易にする
ため、ベースストリップ107に設けた溝のそれぞれの
上方に孔109を設けることが好ましい。ベースストリ
ップ107にはまた種々の作業が行われる部所に相対的
に支持体101を正確に位置決めすなわち割り出すため
に使用する一連の孔(図示せず)を設けることができる
。支持体101が図示した如く配列された複数のリード
ユニット164.165.166に組み合わされると、
そのようなり一ト9ユニットは支持体101がリート9
ユニツトを解放するため組み外されるまでそれらを所定
の関係にして確実に保持されたままになる。
第6図には複数のリードユニット1,4,135.16
6を支持する支持体101を導電性接合イースト116
を収容する容器116と並置する段階を示し、この接合
ペーストは熱硬化エポキシ材に混合された銀粉の如きも
のでありこのエポキシ材にり−)”134.156の末
端の締付は指片を浸漬シイ−スト116で被覆する。
第7図には、上に電極構造体146が形成された複数の
クリスタル素子140をその両側を1対のマスキングス
トリップ115(手前徊11のものしか示してない)で
支持しこのマスキングストリップに素子140を所定の
間隔で接着剤で取り付ける方法と、素子140が素子1
40のそれぞれとそれに形成された電極構造体146と
を導電性は一スト116を被覆された締付は指片155
と並置するため、グループとして移動する方法とが示し
である。実際には、第7図はまた電極構造体146、特
にそのタブ部分151が部分成形中に素子40に正確に
如何に位置決めできるかを暗示し1.この部分成形にお
いてマスキングストリップ115には一連の正確に位置
決めされ適当な形状にしたノツチ117が設けられ、こ
のノツチを通し複数の素子の面に電極材が被覆される。
あるいはまたもしそれに既に電極構造体146が形成さ
れている素子140が入手できれば、そのような素子1
40が適当な所定の位置に仮に接着できる唯一の支持ス
トリップ115を使用できる。
第8図には支持体101と、この支持体に支持されたマ
スキングストリップ115′、リート91絨166およ
び素子140がペースト116を硬化するためトンネル
炉119内で前記した如くに並置した状態で処理されて
いる状態が示してあり、ペースト116を硬化させるこ
とにより各素子140を対応するり一ト9ユニット16
4.165.166に恒久的に物理物に接続しまたリー
ド1341ろ6のそれぞれを対応する電極構造体146
のタブ部分151に電気的に接続し、この処理徒にマス
キングストリップ115゛は素子140(その際に支持
体101により支持されている)から取り除かれる。
素子140に対し周波数試験および調節を行う以前に、
中間部分165が存在していることKよりそれまで固有
なり−)’154,156間の電気的結合を除去する必
要がある。このことは第9図入 に示しであるように、支持体101に支持されている素
子40に関係したり−ト9ユニットの中間部165を同
時に切り取るシャー121とそれに共働するシャープロ
ック126とを使用して行う。
第10図には真空箱125内で周波数試験および調節方
法が示してあり、図示した如く、試験されるリート″’
134,136をこの目的のため上方の支持ストリップ
106に設けた孔1o9(第5図)を通してり−)’1
54.166に試験リードプローブ127,128に結
合し、従来技術の加熱手段161と素子140の共振周
波数を公知の技術により所望の値に調節するため素子1
40の電極構造体の1つ146上に十分な追加の物質を
被覆するため置かれた金属(ヨード)源物質166とに
接続する。
第11図には、アルミニウム箔161が立面で示してあ
り、このアルミニウム箔161にはダイス型打抜きによ
り複数の頂部カバ一部材147が形成され、またこの図
にはまた複数の底部カバ一部材149が同様に形成され
ている同様なストリップ163も示しである。ストリッ
プ166はまた第12図にも平面で示してあり、第12
図から、形成されたカバ一部材149がストリップ16
6からほぼ切り離されているが、カバ一部材149をス
トリップ166に仮に保持するため取付はブリッジが符
号165で示した如く残され、またカバ一部材147が
同様にス) 11ツブ161に保持されている。
第16図にはストリップ161,163がカバ一部材1
47,149を陽@酸化する溶液167を入れたタンク
165に浸漬されて示し又ある。
第14図と第15図と妊は共通の支持体101に支持さ
れストリップ161,166にそれぞれ支持された対応
する対のカバ一部材147.149間にそれぞれ並置さ
れた複数の素子140が示してあり、これら素子、支持
体、カバ一部材147゜149、ストリップ161.1
66はすべてその後の成形および組立作業に使用される
複数のキャビティを有する上方のダイス型181と複数
のキャビティを有する下方のダイス型186との間にそ
れらを並べて並置されている。ダイス型186にはダイ
ス型181,186が閉じられるとカバ一部材147,
149をストリップ161.163から完全圧切り離す
ためにシャー185が設ケである。
第16図にはダイス型181.186がそのキャビティ
187.189にカバ一部材147゜149を正確に並
べるために閉じられまたシャー185がカバ一部材14
7,149をストリップ161.166から完全に分離
するよう作動せしめられている。
第17図と第18図とにはカバ一部材149のフランジ
部分172をカッζ一部材147の環状の外方部分16
4に重なり係合させるよう順次に折り曲げ、しつかり巻
縮しそれによりカバ一部材147.149の各対をそれ
らの間に支持および保持されている対応する素子40に
その節鍬で接続するため上方の巻縮ダイス型191,1
95を1順次に使用する状態が示しである。第19図に
はダイス型196を後退させてこれら作業を終了する状
態が示してあり、この時点までに組み立てた関係する素
子140とカバ一部材147,149との複数の組がま
だ共通の支持体101に支持され、それぞれ関係した対
のり−154,156が支持体101(繁雑を避けるた
め第16図から第19図の背景には示してない)の方向
に図面を見る者から遠ざかり延びていることが理解でき
よう。
第20図にはこの時点までの組立体192の複数を第2
1図に示した如く容器197のエポキシカプセル材に浸
漬する以前に支持体101に支持されて炉194内で予
熱されている状態が示しである。第22図には支持体1
01とそれに支持されエポキシ材197が接着している
組立体192とがエポキシ材197を組立体192体全
体上それから延びているリード164.166を除いて
おおう硬化したカプセルに硬化するため硬化炉199内
に配置して示しである。
これまでに終った処理で、完成した製品は好ましい型式
の圧電クリスタル組立体30に関連して前記した性質の
ものである。すなわち、本発明の方法を応用して製造お
よび組み立てたクリスタル組立体の構造に使用者が行っ
た変化による異なる性質のものである。
本発明の改良された方法が圧電クリスタル組立体を製造
する従来技術と比較して効率および経済ならびに製品の
均一性という見地から多くの利点を示すものであること
は理解できよう。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の方法により現在のところ好ましい構造
に作られた圧電クリスタル組立体の側面図。第2図は第
1図の組立体のクリスタル素子、接続リード稈、頂部お
よび底部カバ一部材を分解し最終的にカプセルに包む以
前の状態で示す分解斜視図。第6図は第1図の6−6線
に沿い切断して示した拡大中心断面図。第4図から第2
1図までは第1図の組立体を製造する現在のところ好ま
しい方法により部品を製造および組立の種々の段階を示
し、特に第4図は1対の接続リート8が当初ユニットと
して作られる方法を示す側面図。第5図は複数の接続リ
ードユニットを共通の支持体に支持する方法を示す側面
図。第6図は接続リードのクランプ端部を導電性接合は
−ストに浸漬するよう支持体を位置決めして示す側面図
。第7図は電極構造体が表面に被覆され仮に接着する支
持ストリップに沿い互いに所定の関係にして支持された
複数のクリスタル素子をそれを接続リードユニットに取
り付けるため対応する複数の対のり一部のクランプ端部
に同時に並置する方法を示す側面図。第8図はクリスタ
ル素子をリードに取り付ける作業を終了するためリード
のクランプ部分に被覆した導電性被−ストを硬化する硬
化炉内に配置された第7図の部品の部分側面部分断面図
。第9図は各接続リートユニットの不用の中間部分を切
り落としを示す側面図。第10′図はクリスタル素、子
の作用周波数を最終的に調節および試験する方法を示す
一端側面一部断面。第11図は共通の支持体に支持され
たクリスタル素子の位置と並ぶように位置決めされたそ
れぞれのス) IJツブを打ち抜くようにより頂部およ
び底部カバ一部材を形成する方法を示す側面図。第12
図は底部カバーを形成するス) IJツブを示す平面図
。第16図は頂部カバ一部材と底部カバ一部材とを形成
するアルミニウム箔ストリップを陽極酸化浴に浸漬して
示す一部側面一部断面図。第14図は複数の対応するク
リスタル素子に頂部および底部カバ一部材を適当に位置
決めする方法を示す断面図。第15図は第14図の15
−15線に沿い切断して示した断面図。第16図は形成
された頂部カバーをストリップから分離する方法と頂部
カバ一部材を底部カバ一部材との間にクリスタル素子を
はさんで対応する底部カバ一部材内に位置決めする方法
とを示す断面図。第17図は頂部カバ一部材を底部カバ
一部材の7ランジ上に当初の巻縮位置にして示す断面図
。第18図はカバ一部材を最終的巻縮位置で示す断面図
。第19図はクリスタル素子を対応する1対の十分に巻
縮されたカバ一部材内の泄終的配置で示す断面図。第2
0図は最終的にカプセルに包む以前に炉内で予熱されて
いるそれぞれ巻縮された対のカバ一部材内で共通の支持
体に支持されたいくつかのクリスタル素子を示す部分断
面部分立面図。第21図はカプセルに包むため接着する
粉状エポキシ材中に浸漬されている予熱された組立体を
示す一部断面一部側面図。第22図は第21図に示した
組立体をその表面のカプセルおおいを硬化するため加熱
炉内で硬化中の組立体を示す一部断面一部側面図。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)1対の両生表面を有するほぼ円形のディスク状圧
    電素子であり、各主表面がほぼ円形の中心部分およびほ
    ぼ環状の外側帯域を含み、各外側帯域が大きい扇形部分
    および小さい扇形部分を含み、小さい扇形部分が素子の
    まわりで一方向に互いに角度的圧変位している圧電素子
    と、1つの主表面の中心部分と小さい扇形部分とに係合
    してそれにほぼ重なり合う関係にして該主表面に固着さ
    れた第1の導電性電極構造体と、他の主表面の中心部分
    と外側帯域の小さい扇形部分とに係合してそれにほぼお
    おいかぶさる関係にして該主表面に固着した第2の導電
    性電極構造体と、素子の1つの主表面の中心部分と間隔
    をあけた関係にした中心部分、該中心部分から素子の1
    つの主表面の外側部分に向は横方向に延びている中間部
    分および中間部分から外方に素子の1つの主表面の外側
    帯域のほぼ環状のへり部と保合関係に延びているほぼ環
    状の部分を有する第1のほぼ円形のカバ一部材と、 素子の他の主表面の中心部分に間隔をあけた関係の中心
    部分、該中心部分から素子の仙の主表面の外側帯域に向
    は横方向に延びている中間部分および該中間部分から外
    方に素子の他の主表面の外側帯域のほぼ環状のへり部と
    保合関係にして延びているほぼ環状の部分を有している
    第2のはぼ円形のカバ一部材と、 カバ一部材を素子にそれを間に支持する関係に保持する
    手段と、 カバ一部材の外側から素子の対応する主表面の外側帯域
    の小さい扇形部分に配置された電極構造体の1つのもの
    の部分にまでそれぞれ電気的に接続する手段とを備えて
    成ることを特徴とする圧電クリスタル組立体。 (2)  カバ一部材をおおう関係にした密封手段が設
    けである特許請求の範囲第(11項の組立体。 (3)保持手段が第1のカバ一部材の環状部分りへり部
    から当初横力向に延び次いで素子から離して第1のカフ
    2一部材の環状部分の表面と係合する関係に折り曲げて
    第2の部材に設けたフランジ手段から成る特許請求の範
    囲第(1)項の組立体。 (4)素子が厚み剪断モードで圧電的に振動するように
    した型式のものである特許請求の範囲第(1)項の組立
    体。 (5)カバ一部材の中心部分がほぼ円形で、カバ一部材
    の中間部分がほぼ環状である特許請求の範囲第(1)項
    の組立体。 (6)カバ一部材がアルミニウム箔で形成されている特
    許請求の範囲第(11項の組立体。 (7)アルミニウム箔が陽極酸化されてカッミ一部材を
    ほぼ不電導性にする特許請求の範囲第(6)項の組立体
    。 (8)素子の主表面のそれぞれのものの中心部分をおお
    う部分とカバ一部材の対応するものの中心および中間部
    分間に素子よりも薄い室がある特許請求の範囲第(11
    項の組立体。 (9)室がほぼ不活性の気体を収容している特許請求の
    範囲第(1)項の組立体。 Ql  電気的接続手段がカバ一部材の外側からカバ一
    部材の環状部分間に延びている1対の導電性リードから
    成る特許請求の範囲第(11項の組立体。 aυ リードの最内端にはそれぞれ素子の主表面にそれ
    ぞれ密接に係合する指片を有する2又状の締付は手段が
    設けである特許請求の範囲第01項の組立体。 02  カバ一部材をおおう関係にして密封手段が設け
    てあり、 密封手段が硬化したエポキシ材の被覆から成り、 保持手段が第1のカバ一部材の周縁の外側で第2のカバ
    一部材の環状部分から当初横方向に延び次いで素子から
    離して第1のカバ一部材の環状部分の表面と係合する関
    係に折り曲げて第2のカバ一部材に設けたフランジ手段
    から成り、素子が石英で形成され、 カバ一部材の中心部分がほぼ円形で、カバ一部材の中間
    部分がほぼ環状で、 カバ一部材の中心部分がほぼ平坦で且つ互いに平行で、 カバ一部材がアルミニウム箔で形成され、    (ア
    ルミニウム箔が陽極酸化されてカバ一部材をほぼ不導電
    性にし、 素材の各主表面の中心部分属おける電極構造体の部分と
    カッミ一部材の対応するものの中心および中間部分との
    間に素子より薄い厚みの室があり、 該室がほぼ不活性の気体を収容し、 電気的接続手段がカバ一部材の外側からカバ一部材の環
    状部分間に延びている1対の導電性リードから成り、 各リードの最内端には素子の主表面にそれぞれ係合する
    指片を有する2又状の締付は手段が設けてあり、 各リートの締付は手段の指片の1つが素子の主表面の外
    側帯域に係合し、各リードの締付は手段の別のものが素
    子の他のものの外側帯域の小さい扇形部分に被覆した電
    極構造体の対応するものの部分に係合している特許請求
    の範囲第(11項の組立体。 13  それぞれが両面に1対の電極構造体が装着され
    たディスク状圧電素子と、素子を包囲し間に素子を保持
    している第1および第2のほぼ凹凸のカバ一部材と、カ
    バ一部材の外側から電極構造体のそれぞれに電気的に接
    続する1対のり一ビとを有する型式の圧電クリスタル素
    子組立体を製造する方法において、 複数のIJ −)”を共通の支持体に所定の位置にして
    仮に装着することと、 電極を支持する複数の素子を共通の支持体に仮に装着す
    ることと、 両方の支持体を互いに相対的に並置し素子のそれぞれと
    その電極構造体のそれぞれを対応する1対のリードに所
    定の保合関係に配置することと、 各、素子の電極構造体と対応する対のIJ −1−”と
    の間を電気的に接続することと、 素子を支持体から分離して素子を支持体により仮に支持
    されたままにすることとから成ることを特徴とする圧電
    クリスタル組立体を製造する方法。 α(イ)支持体を周波数試験および調節部所に置くこと
    と、 支持体が試験および調節部所にある間に各素子の圧電振
    動周波数を試験および調節することを含む特許請求の範
    囲第α(8)項の方法。 (151第1のス) IJツブに第1の部材を所定の位
    置にして形成し第1のストリップに該部材を仮に取り付
    けたまま圧することと、 第2のス) IJツブに第2の部材を所定の位置に形成
    し第2のストリップに仮に取り付けたままにすることと
    、 支持体第1のストリップおよび第2のス) IJツブを
    互いに相対的に位置させて各素子を対応する第1の部材
    と対応する第2の部材との間に配置することと、 各第1の部材を対応する第2の部材に接続して間に各素
    子を包囲することと、 第1の部材を第1のストリップから分離し第2の部材を
    第2のストリップから分離し、素子とそれを包囲してい
    る部材とを支持体により仮に支持した状態のままにする
    ことを含む特許請求の範囲第09項の方法。 (16)  支持体を密封部所に置くことと、支持体が
    密封部所にある間に互いに接続された複数の第1および
    W、20部材に密封おおいをかけることと、 リードを支持体から分離して組立体を支持体から解放す
    ることを含んでいる特許請求の範囲第(n項の方法。
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