JPS58131782A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS58131782A JPS58131782A JP57013787A JP1378782A JPS58131782A JP S58131782 A JPS58131782 A JP S58131782A JP 57013787 A JP57013787 A JP 57013787A JP 1378782 A JP1378782 A JP 1378782A JP S58131782 A JPS58131782 A JP S58131782A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mesa
- gaas
- semiconductor device
- circumference
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 abstract 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、メサを有する発光ダイオード、ガンダイオー
ド等の半導体装置に関するものである。
ド等の半導体装置に関するものである。
従来、メサを有する半導体装置においては、メサの周囲
が、チッピング、ダイボンディング等の組立工程におい
て、かけることがあり、半導体装置の寿命を著しく低下
させる原因となっている。
が、チッピング、ダイボンディング等の組立工程におい
て、かけることがあり、半導体装置の寿命を著しく低下
させる原因となっている。
例をＧａＡｓ 拡散型発光ダイオードにとって第１図
で説明する。
で説明する。
第１図はＧａＡｓ 拡散型発光ダイオードの構造を示
すものである。
すものである。
ｌはＺｎ 拡散により形成されたＰ−ＧａＡｓ 層
であり、２はｎ−ＧａＡｓ 基板である。３はＰ型オ
ーミック電極のＡｕ−Ｚｎ合金、４はｎ型オーミック電
極でＡｕ−Ｇｅ Ｎｉ合金である。このダイオードの加
工プロ七ス中ウェハからチップに分離する工程および、
チップをダイボンディングする工程において、メサの周
囲がかけることがある。この原因は、材料として、割れ
やすくてもろいＧａＡｓ 結晶を用いているために、
ビンセットあるいはコレットで保持する場合に、メサの
かどにあたってかけてしまうことである。
であり、２はｎ−ＧａＡｓ 基板である。３はＰ型オ
ーミック電極のＡｕ−Ｚｎ合金、４はｎ型オーミック電
極でＡｕ−Ｇｅ Ｎｉ合金である。このダイオードの加
工プロ七ス中ウェハからチップに分離する工程および、
チップをダイボンディングする工程において、メサの周
囲がかけることがある。この原因は、材料として、割れ
やすくてもろいＧａＡｓ 結晶を用いているために、
ビンセットあるいはコレットで保持する場合に、メサの
かどにあたってかけてしまうことである。
（またメサの高さは１０〜８０μｍ と高いためにビン
セットと接触しやすくなっている。）この様子は第２図
の５に示すが如きものである。
セットと接触しやすくなっている。）この様子は第２図
の５に示すが如きものである。
本発明は、従来の前述の如き欠点を改善したメサを有す
る半導体装置を提供することを目的とし、取扱いが容易
でメサの周囲がかけないように保護壁を形成したことを
特徴とする。製造歩留が良いことを特徴とする発光ダイ
オード、ガンダイオード等のメサを有する半導体装置を
提供することを目的とするものである。
る半導体装置を提供することを目的とし、取扱いが容易
でメサの周囲がかけないように保護壁を形成したことを
特徴とする。製造歩留が良いことを特徴とする発光ダイ
オード、ガンダイオード等のメサを有する半導体装置を
提供することを目的とするものである。
本発明は、メサを有する半導体装置において、メサの周
囲の一部または全部に第２のメサを形成した半導体装置
である。
囲の一部または全部に第２のメサを形成した半導体装置
である。
以下第３図、第４図において本発明の半導体装置の構造
の一例を具体的に示す。第８図においてＰ−ＧａＡｓ
ｌ ＋ ｎ−ＧａＡｓ基板２、Ａｕ−Ｚｎ合金電極３５
Ａｕ−Ｇｅ −Ｎ ｉ 電極４に対して、発光に寄与
する部分としての第１のメサ６、この周囲に第２のメサ
７を設ける。このような構造においては、第２のメサが
保護壁の役目をになっており、結晶はかけたとしてもこ
の第２のメサだけであり、内側の第１のメサには影響を
与えないために、メサがかけて発光ダイオードが不良と
なることはない。またこのような第２のメサを周囲につ
くると、その分だけチップが大きくなり、同一のウェハ
からのチップのとれる割合が小さくなる。
の一例を具体的に示す。第８図においてＰ−ＧａＡｓ
ｌ ＋ ｎ−ＧａＡｓ基板２、Ａｕ−Ｚｎ合金電極３５
Ａｕ−Ｇｅ −Ｎ ｉ 電極４に対して、発光に寄与
する部分としての第１のメサ６、この周囲に第２のメサ
７を設ける。このような構造においては、第２のメサが
保護壁の役目をになっており、結晶はかけたとしてもこ
の第２のメサだけであり、内側の第１のメサには影響を
与えないために、メサがかけて発光ダイオードが不良と
なることはない。またこのような第２のメサを周囲につ
くると、その分だけチップが大きくなり、同一のウェハ
からのチップのとれる割合が小さくなる。
この保護機能をもつものとしての第２のメサは、第１の
メサの周囲を全部囲む必要はなく、少くとも四スミに第
２のメサを形成するだけでもよく、その場合でも効果が
著しく低下することはない。
メサの周囲を全部囲む必要はなく、少くとも四スミに第
２のメサを形成するだけでもよく、その場合でも効果が
著しく低下することはない。
これは第４図に示す如きにすればよい。
なお第２のメサを形成する工程は第１のメサを形成する
工程によし同時にできあがるため製造工程は何らかわる
ことはない。
工程によし同時にできあがるため製造工程は何らかわる
ことはない。
次に、本発明の半導体装置の製造方法の一例を説明する
。
。
まず、ｎ −ＧａＡｓ 基板にＳｉｎｇ １１をＯＪ
ｐｍ ：ｌ−）する（第５図（４））。次に石英アンプ
ルに真空封入し、Ｚｎ を拡散して、Ｉ”ＧａＡｓ
拡散層１８をｌ Ｏｔｔｍ形成する（第５図俤））。そ
して表面のＳｉｎｇ をエツチングにより除去し、さ
らに裏面のＳｉｎｇとＰ−ＧａＡｓ 拡散層をエツチ
ングする（第５図（Ｃ））。この後フォトエツチング技
術を用いたリフトオフ法により、Ａｕ−Ｚｎ電極１４を
真空蒸着を用いて形成する。（第５図（Ｄ））さらにフ
ォトエツチング技術とエツチングによりメサを形成する
（第５図（Ｅ））。
ｐｍ ：ｌ−）する（第５図（４））。次に石英アンプ
ルに真空封入し、Ｚｎ を拡散して、Ｉ”ＧａＡｓ
拡散層１８をｌ Ｏｔｔｍ形成する（第５図俤））。そ
して表面のＳｉｎｇ をエツチングにより除去し、さ
らに裏面のＳｉｎｇとＰ−ＧａＡｓ 拡散層をエツチ
ングする（第５図（Ｃ））。この後フォトエツチング技
術を用いたリフトオフ法により、Ａｕ−Ｚｎ電極１４を
真空蒸着を用いて形成する。（第５図（Ｄ））さらにフ
ォトエツチング技術とエツチングによりメサを形成する
（第５図（Ｅ））。
（第２のメサを同時に形成する。）
最後に裏面にＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉ を真空蒸着し、４７
０°Ｃで８分間Ｎ８ 中で熱処理を行い、オーミック
電極を形成する。（第５図（Ｆ）） このようにして作製した半導体装置の一断面を第６図に
示すが、これは多少乱雑に取り扱っても、従来のものに
比して不良となる率が小さかった。
０°Ｃで８分間Ｎ８ 中で熱処理を行い、オーミック
電極を形成する。（第５図（Ｆ）） このようにして作製した半導体装置の一断面を第６図に
示すが、これは多少乱雑に取り扱っても、従来のものに
比して不良となる率が小さかった。
本発明はＧａＡｓ 拡散型発光ダイオードを例にとっ
て説明してきたが、他のメサ型の半導体装置であっても
さしつかえない。他の例としては、ダブルへテロ接合型
の発光ダイオード、ガンダイオード、インバットダイオ
ード、フォトダイオードなどがある。また半導体の材料
はＧａＡｓ に限ったことはな（Ｎ Ｓ ｉｅ Ｉ
ｎＰその他混晶であってもさしつかえない。
て説明してきたが、他のメサ型の半導体装置であっても
さしつかえない。他の例としては、ダブルへテロ接合型
の発光ダイオード、ガンダイオード、インバットダイオ
ード、フォトダイオードなどがある。また半導体の材料
はＧａＡｓ に限ったことはな（Ｎ Ｓ ｉｅ Ｉ
ｎＰその他混晶であってもさしつかえない。
第１図及び第２図は従来のメサ半導体装置の断面構造を
示し、第３図は本発明の一メサ半導体装置の断面構造を
示し、第４図は本発明の他の構造を示すものである。第
５図囚乃至Ｃ）は本発明の半導体装置の一製造方法を示
すもので、第６図は第５図（４）乃至便）に示す方法で
作った半導体装置の断面構造を示すものである。 図中、ｌ −−−Ｐ−ＧａＡｓ ２ ・−−ｎ−ＧａＡｓ ８・・・Ａｕ＝Ｚｎ電極 ４ ・−Ａｕ −Ｇｅ−Ｎｉ電極 ５・・・欠損部 ６・・・第１のメサ ７・・・第２のメサ １１・・・Ｓｉｎｇ １ ２ −−− ｎ−ＧａＡｓ １８ ・−Ｐ−ＧａＡｓ拡散層 １４ ”・Ａｕ−Ｚｎ 電極 １５ ・・・Ａｕ−Ｇｅ−Ｎｉ電極 力１図 力２図 力３図 ／ 力５図 （Ａ）
示し、第３図は本発明の一メサ半導体装置の断面構造を
示し、第４図は本発明の他の構造を示すものである。第
５図囚乃至Ｃ）は本発明の半導体装置の一製造方法を示
すもので、第６図は第５図（４）乃至便）に示す方法で
作った半導体装置の断面構造を示すものである。 図中、ｌ −−−Ｐ−ＧａＡｓ ２ ・−−ｎ−ＧａＡｓ ８・・・Ａｕ＝Ｚｎ電極 ４ ・−Ａｕ −Ｇｅ−Ｎｉ電極 ５・・・欠損部 ６・・・第１のメサ ７・・・第２のメサ １１・・・Ｓｉｎｇ １ ２ −−− ｎ−ＧａＡｓ １８ ・−Ｐ−ＧａＡｓ拡散層 １４ ”・Ａｕ−Ｚｎ 電極 １５ ・・・Ａｕ−Ｇｅ−Ｎｉ電極 力１図 力２図 力３図 ／ 力５図 （Ａ）
Claims (1)
- （１）メサを有する半導体装置において、前記メサの周
囲の少なくとも一部に、第２のメサを設けたことを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57013787A JPS58131782A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57013787A JPS58131782A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58131782A true JPS58131782A (ja) | 1983-08-05 |
Family
ID=11842954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57013787A Pending JPS58131782A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58131782A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002005358A1 (de) * | 2000-07-10 | 2002-01-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender halbleiterchip |
-
1982
- 1982-01-29 JP JP57013787A patent/JPS58131782A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002005358A1 (de) * | 2000-07-10 | 2002-01-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender halbleiterchip |
| US6946687B2 (en) | 2000-07-10 | 2005-09-20 | Osram Gmbh | Radiation-emitting semiconductor chip with a radiation-emitting active layer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2953468B2 (ja) | 化合物半導体装置及びその表面処理加工方法 | |
| JP3239774B2 (ja) | ３族窒化物半導体発光素子の基板分離方法 | |
| JPH114020A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法、並びに半導体発光装置 | |
| JP2001036129A (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| JPH02224282A (ja) | 半導体発光装置 | |
| EP1403933B1 (en) | Semiconductor light emitting diode | |
| JP4121551B2 (ja) | 発光素子の製造方法及び発光素子 | |
| JPS58131782A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH08167738A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH08306643A (ja) | ３−５族化合物半導体用電極および発光素子 | |
| JPH0531317B2 (ja) | ||
| JPH07153993A (ja) | 発光ダイオード | |
| JPH07263743A (ja) | 発光ダイオード | |
| JPH05343744A (ja) | ダイボンド型発光ダイオード及びその製造方法 | |
| JP2001085741A (ja) | 半導体素子および発光半導体素子 | |
| JPH05145118A (ja) | 発光素子 | |
| JP2007081360A (ja) | 垂直型発光ダイオードおよびその製造方法 | |
| JP3410166B2 (ja) | 赤色発光ダイオード素子 | |
| JPH11126924A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法 | |
| JPH07254731A (ja) | 発光素子 | |
| JPH08250770A (ja) | 発光デバイスの製造方法 | |
| JPH05110140A (ja) | 化合物半導体光デバイス | |
| JP2001135853A (ja) | 発光素子およびその製造方法 | |
| JPH06350136A (ja) | ＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用チップの製造方法 | |
| JPS6133277B2 (ja) |