JPS58131504A - 等高線表示方法 - Google Patents
等高線表示方法Info
- Publication number
- JPS58131504A JPS58131504A JP57014646A JP1464682A JPS58131504A JP S58131504 A JPS58131504 A JP S58131504A JP 57014646 A JP57014646 A JP 57014646A JP 1464682 A JP1464682 A JP 1464682A JP S58131504 A JPS58131504 A JP S58131504A
- Authority
- JP
- Japan
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- point
- pixel
- contour line
- sample
- display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B15/00—Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons
- G01B15/04—Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons for measuring contours or curvatures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Image Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本預明は電子プローブで試料表面上を二次元的に走査し
、該走査に伴って発生する反射電子、二次電子或は特性
Ｘ＃Ｉ等を検出し、核検出信号値が特定の値を有する地
点を結線して所謂等高融表示する方法化関する。
、該走査に伴って発生する反射電子、二次電子或は特性
Ｘ＃Ｉ等を検出し、核検出信号値が特定の値を有する地
点を結線して所謂等高融表示する方法化関する。
試料表面上において電子線プローブを二次元的に走査す
れば、この走査に伴って各電子線照射点からは反射電子
、二次電子或は特性Ｘ線等が発生する。そこで例えば反
射電子を検出すれば、反射電子の検出信号値は電子線照
射点における試料物質の平均原子番号に応じて変化する
ため、逆にこの検出信号値から試料表面の組成を知るこ
とができる。このような試料表面の分析を更に詳細に行
うため、試料表面を走査することによって検出された信
号の値が成る特定の値を有する点を結線して等高融を表
示することが行なわれている。この際従来においては表
示される等高融が例えば試料組成の分布等をより良く反
映する起伏に富んだものにするため電子線プローブで試
料表面上をデジタル走査する際の走査ステップを細Ｔｈ
＜して、できるだけ画素数を多くすることｋより行なお
うとしている。しかしながら画素数を多くすると試料面
蒼走査するために要する時間が長くなると共に、画素デ
ータを電子計算機処理するための記憶装置の容量が大き
くなり、画素数を多くすることくも限界がある。
れば、この走査に伴って各電子線照射点からは反射電子
、二次電子或は特性Ｘ線等が発生する。そこで例えば反
射電子を検出すれば、反射電子の検出信号値は電子線照
射点における試料物質の平均原子番号に応じて変化する
ため、逆にこの検出信号値から試料表面の組成を知るこ
とができる。このような試料表面の分析を更に詳細に行
うため、試料表面を走査することによって検出された信
号の値が成る特定の値を有する点を結線して等高融を表
示することが行なわれている。この際従来においては表
示される等高融が例えば試料組成の分布等をより良く反
映する起伏に富んだものにするため電子線プローブで試
料表面上をデジタル走査する際の走査ステップを細Ｔｈ
＜して、できるだけ画素数を多くすることｋより行なお
うとしている。しかしながら画素数を多くすると試料面
蒼走査するために要する時間が長くなると共に、画素デ
ータを電子計算機処理するための記憶装置の容量が大き
くなり、画素数を多くすることくも限界がある。
本発明はこのような従来の問題を解決し、検出信号値が
同一の点を結線して岬高融を表示する際に比較的少い画
素数の検出信号に基づいて起伏に富んだ等高線を表示す
ることのできる等高線表示方法を提供するもので、以下
図面に基づき反射電子を検出することにより、試料表面
に存在する物質の組成分布即ち平均原子番号値の分布に
関する等高線を表示する場合を例にとり本発明の一実施
例を詳述する。
同一の点を結線して岬高融を表示する際に比較的少い画
素数の検出信号に基づいて起伏に富んだ等高線を表示す
ることのできる等高線表示方法を提供するもので、以下
図面に基づき反射電子を検出することにより、試料表面
に存在する物質の組成分布即ち平均原子番号値の分布に
関する等高線を表示する場合を例にとり本発明の一実施
例を詳述する。
第１図は実施に使用される装置の一例を示すもので、図
中１は電子銃であり、該電子銃１よりの電子線２は収束
レンズ３．対物レンズ４．Ｘ方向及びＹ方向偏向器５ｘ
、５ｙを経て試料６に投射される。１は電子計算機であ
り該電子計算機ＴからはＸ方向及びＹ方向偏向信号が発
生し、これらデジタルの両偏向信号は各々９人変換器８
．９においてアナログ信号に変換された後、増幅器１０
゜１１において増幅され各々Ｘ方向及びＹ方向偏向器ｓ
ｘ、ｓｙに供給される。従って電子線２は試料６上を二
次元的に走査する。１２ｍ、１２ｂは試料面法線（この
場合は光軸）に対して対称に配置された反射電子検出器
であり、両反射電子検出幸Φ出力信号は各々増幅器１３
′Ｍ、１３ｂを介して加算回路１４に供給される。咳加
算回路１４の出力信号はＡＤ変換器１５を介して電子計
算機Ｔによって制御される記憶装置１１ｉに供給され画
素毎に記憶される。１１はペンレコーダである。
中１は電子銃であり、該電子銃１よりの電子線２は収束
レンズ３．対物レンズ４．Ｘ方向及びＹ方向偏向器５ｘ
、５ｙを経て試料６に投射される。１は電子計算機であ
り該電子計算機ＴからはＸ方向及びＹ方向偏向信号が発
生し、これらデジタルの両偏向信号は各々９人変換器８
．９においてアナログ信号に変換された後、増幅器１０
゜１１において増幅され各々Ｘ方向及びＹ方向偏向器ｓ
ｘ、ｓｙに供給される。従って電子線２は試料６上を二
次元的に走査する。１２ｍ、１２ｂは試料面法線（この
場合は光軸）に対して対称に配置された反射電子検出器
であり、両反射電子検出幸Φ出力信号は各々増幅器１３
′Ｍ、１３ｂを介して加算回路１４に供給される。咳加
算回路１４の出力信号はＡＤ変換器１５を介して電子計
算機Ｔによって制御される記憶装置１１ｉに供給され画
素毎に記憶される。１１はペンレコーダである。
このような装置を用いて電子線２を試料６上においてデ
ジタル走査すれば、各電子線照射点から反射電子が発生
し、反射電子検出器１２ｍ、１２ｂによって検出される
０反射電子検出器１２ｍ。
ジタル走査すれば、各電子線照射点から反射電子が発生
し、反射電子検出器１２ｍ、１２ｂによって検出される
０反射電子検出器１２ｍ。
１２ｂの検出信号は試料面の凹凸の影響によって正確に
は電子線照射点に怠ける試料の平均原子番号に応じた強
度を有する信号を検出できないが、加算回路１４によっ
て両信号を加算することにより、前記凹凸の影響を除き
各電子線照射点における試料の平均原子番号に応じた強
度を有する信号が得られ、この信号を記憶装置１６に供
給して各画素における信号強度本記憶装置１６に記憶す
る。
は電子線照射点に怠ける試料の平均原子番号に応じた強
度を有する信号を検出できないが、加算回路１４によっ
て両信号を加算することにより、前記凹凸の影響を除き
各電子線照射点における試料の平均原子番号に応じた強
度を有する信号が得られ、この信号を記憶装置１６に供
給して各画素における信号強度本記憶装置１６に記憶す
る。
次にあらかじめ決定しである反射電子信号強度と試料の
平均原子番号との関係から、岬高融で描きたい平均原子
番号数に対応する反射電子信号強度を電子計算機７にお
いて算出する。この算出された値りが例えば５０であり
、試料面の各画素の検出信号強度が例えば第２図番こ示
す如きものであるとする。但し第２図に示したデータの
うち最初及び最後の行と列に示したデータは測定値では
なく、等高線を描くためのプログラムを簡単にするため
に利用される値０を記憶しているデータである。
平均原子番号との関係から、岬高融で描きたい平均原子
番号数に対応する反射電子信号強度を電子計算機７にお
いて算出する。この算出された値りが例えば５０であり
、試料面の各画素の検出信号強度が例えば第２図番こ示
す如きものであるとする。但し第２図に示したデータの
うち最初及び最後の行と列に示したデータは測定値では
なく、等高線を描くためのプログラムを簡単にするため
に利用される値０を記憶しているデータである。
従って実際に描かれた等高線のうち端の部分の等高線は
実際には存在しないものである。第３図はこのようなデ
ータが与えられた際番ことのよう化して等高線が描かれ
るかを説明するためのフローチャートであり、以下の説
明及び図面において、第２図の各画素を平面上に互いに
等間隔を置いて分布する点のように取り扱い、１行１列
目の点ｐ＋ｊに対応したデータをＤ（Ｐｉｊ）で、又一
般に点Ｘに対応するデータをＤ（Ｘ）で表わすものとす
る。
実際には存在しないものである。第３図はこのようなデ
ータが与えられた際番ことのよう化して等高線が描かれ
るかを説明するためのフローチャートであり、以下の説
明及び図面において、第２図の各画素を平面上に互いに
等間隔を置いて分布する点のように取り扱い、１行１列
目の点ｐ＋ｊに対応したデータをＤ（Ｐｉｊ）で、又一
般に点Ｘに対応するデータをＤ（Ｘ）で表わすものとす
る。
電子計算機Ｔにセいては第３図のステップ２０のように
第２図のようなデータを１行月より列の若い顔に読み出
して行き、即ち画素座標上のサーチ原点Ｐを移動させて
行き、その都度そのデータ値Ｄ（Ｐ）がＬ＝５０より大
きいか否かを判定する（ステップ２１）。そしてデータ
Ｄ （Ｐａ１） −６０のようにＬ＝５０より大きなデ
ータがあると、その時のサーチ原点であるＰＩを基点ｙ
とする。
第２図のようなデータを１行月より列の若い顔に読み出
して行き、即ち画素座標上のサーチ原点Ｐを移動させて
行き、その都度そのデータ値Ｄ（Ｐ）がＬ＝５０より大
きいか否かを判定する（ステップ２１）。そしてデータ
Ｄ （Ｐａ１） −６０のようにＬ＝５０より大きなデ
ータがあると、その時のサーチ原点であるＰＩを基点ｙ
とする。
基点とは第４図に示すように周囲化存在する８隣接点を
サーチする際の中心点となる点を意味しており、成る基
点ｙの隣接点はｙに向きを表わす浴数８を付してＰｌと
表わす。Ｓは第４゛図のよう＃ｃ１から８までの数値に
よって定義付けられている。
サーチする際の中心点となる点を意味しており、成る基
点ｙの隣接点はｙに向きを表わす浴数８を付してＰｌと
表わす。Ｓは第４゛図のよう＃ｃ１から８までの数値に
よって定義付けられている。
さて基点となる点が発見されたら基点ｙとＰ１′とを結
ぶ線分をＤ（Ｐ’）−Ｌ対し−Ｄ（Ｐｌ’）に内分する
点を算出し、この点に対応するレコーダーチャート上の
点にペンを下ろし等高線を描き始める。
ぶ線分をＤ（Ｐ’）−Ｌ対し−Ｄ（Ｐｌ’）に内分する
点を算出し、この点に対応するレコーダーチャート上の
点にペンを下ろし等高線を描き始める。
この点は第２図に示した例にセいてはＰｍ’、Ｉ！Ｆ（
Ｐ＊＊になるため点ａ＃ｃ対応する点になる。尚、同時
に等高融を２重に描くことのないよう基点ｙには標識を
付ける（ステップ２３）。次にＳ−２として（ステップ
２４ ） Ｄ （Ｐ、’）がＬより大きいか否かを判定
する（ステップ２５）。そこでもしＰ、’％Ｌ以下であ
れば基点Ｐ′とｐ、ｔとをＤ（Ｐ’）−Ｌ対し−Ｄ（Ｐ
ｇ’）に内分する点を算出しこの点に対応する表示座標
上の点までペンを移動させ（ステップ２６Ｘ更に隣接サ
ーチ点を反時計回りに次の点に回転させ（ステップ２７
）た後、ステップ２５に戻って次の点のデータがＬ＝５
０より大きいか否かを判定する。仁のようなループは次
々に回転した点のデータ値がＬ＝５０より大きくなるま
で続く、第２図の例においては最初の基点Ｐ′はＰ、で
あり、この点を基点とする隣接サーチ点式０式のデータ
はいずれもＬ−５０以下であるため第２図に示した例に
おいてはループを２回繰り返すことにより点す、ｃに対
応する点が結ばれる。しかしながら、もしＤ （Ｐ’ｓ
）がＬより大きいと基点ｙをＰ：、に移動させ（ステ
ップ２９）、この新しい基点を中心として周辺の点との
間に内分点を求め等高融を結んで行く、第２図の例にお
いてはサーチ基点ｙがＰ。
Ｐ＊＊になるため点ａ＃ｃ対応する点になる。尚、同時
に等高融を２重に描くことのないよう基点ｙには標識を
付ける（ステップ２３）。次にＳ−２として（ステップ
２４ ） Ｄ （Ｐ、’）がＬより大きいか否かを判定
する（ステップ２５）。そこでもしＰ、’％Ｌ以下であ
れば基点Ｐ′とｐ、ｔとをＤ（Ｐ’）−Ｌ対し−Ｄ（Ｐ
ｇ’）に内分する点を算出しこの点に対応する表示座標
上の点までペンを移動させ（ステップ２６Ｘ更に隣接サ
ーチ点を反時計回りに次の点に回転させ（ステップ２７
）た後、ステップ２５に戻って次の点のデータがＬ＝５
０より大きいか否かを判定する。仁のようなループは次
々に回転した点のデータ値がＬ＝５０より大きくなるま
で続く、第２図の例においては最初の基点Ｐ′はＰ、で
あり、この点を基点とする隣接サーチ点式０式のデータ
はいずれもＬ−５０以下であるため第２図に示した例に
おいてはループを２回繰り返すことにより点す、ｃに対
応する点が結ばれる。しかしながら、もしＤ （Ｐ’ｓ
）がＬより大きいと基点ｙをＰ：、に移動させ（ステ
ップ２９）、この新しい基点を中心として周辺の点との
間に内分点を求め等高融を結んで行く、第２図の例にお
いてはサーチ基点ｙがＰ。
のときＤ（Ｉ）Ｓ）−ｓｏであるため式即ちＰ、が新た
に基点となり、次からはこの基点を中心に隣接する周辺
のデータを判定して内分点を求めて行く。
に基点となり、次からはこの基点を中心に隣接する周辺
のデータを判定して内分点を求めて行く。
この場合基点を移すことになった点の飼の基点から見た
向きＳが偶数であるか否かを判定しくステップ３０）、
もし偶数であれば新しい基点を中心として隣接点との間
に内分点を求めるためのサーチを８が３だけ戻った向き
の点から行い（ステップ３１）、又奇数であればＳが２
だけ戻った向きの隣接サーチ点から行い（ステップ３２
）、実際の試料の組成分布をより忠実に反映するような
等高融を描くようになっている。第２図の場合には８−
４で基点が移動したので、Ｐｓ４から見て４−３−１の
向きの点Ｐ謔が最初に判定すべき隣接サーチ点とナリ、
Ｄ （Ｐａｗ）＝４０であるので第２図においてｄで
示す点に対応する点までレコーダー上のペンが走る。こ
のようにして基点は第２図において点線で示すように移
動しながら等高融が書かれて行くが、新しい基点がサー
チ原点まで移動するとステップ２８により等高融が−ま
わりしたと判定され、新たにサーチ原点を移動しての処
理が続けられる。仁の除脱に基点となった点には標識が
付けられているためステップ２２１Ｃよってこの点のデ
ータがＬより大きくてもこのような点はとばして処理さ
れ、サーチ原点となることはない。
向きＳが偶数であるか否かを判定しくステップ３０）、
もし偶数であれば新しい基点を中心として隣接点との間
に内分点を求めるためのサーチを８が３だけ戻った向き
の点から行い（ステップ３１）、又奇数であればＳが２
だけ戻った向きの隣接サーチ点から行い（ステップ３２
）、実際の試料の組成分布をより忠実に反映するような
等高融を描くようになっている。第２図の場合には８−
４で基点が移動したので、Ｐｓ４から見て４−３−１の
向きの点Ｐ謔が最初に判定すべき隣接サーチ点とナリ、
Ｄ （Ｐａｗ）＝４０であるので第２図においてｄで
示す点に対応する点までレコーダー上のペンが走る。こ
のようにして基点は第２図において点線で示すように移
動しながら等高融が書かれて行くが、新しい基点がサー
チ原点まで移動するとステップ２８により等高融が−ま
わりしたと判定され、新たにサーチ原点を移動しての処
理が続けられる。仁の除脱に基点となった点には標識が
付けられているためステップ２２１Ｃよってこの点のデ
ータがＬより大きくてもこのような点はとばして処理さ
れ、サーチ原点となることはない。
上述したように本発明によれば比較的少い画素数の検出
信号に基づいて試料表面をより良く反映する起伏に富ん
だ等高融を表示することができ、試料表面の分析を行う
上で寄与するところ大である。
信号に基づいて試料表面をより良く反映する起伏に富ん
だ等高融を表示することができ、試料表面の分析を行う
上で寄与するところ大である。
尚、上述した実施例においては、電子線プローブの走査
に伴って発生する反射電子を検出する場合に本発明を適
用した例について記載したが、特性Ｘ線或は二次電子等
を検出した信号に基づいて等高融を表示する場合にも本
発明は同様に適用できる。
に伴って発生する反射電子を検出する場合に本発明を適
用した例について記載したが、特性Ｘ線或は二次電子等
を検出した信号に基づいて等高融を表示する場合にも本
発明は同様に適用できる。
又、上述した実施例においては設定された値りより大き
な値を有する画素を見つけ、この画素の表示点とこの画
素に隣接し且つ前記りより小さな値ｄを有する画素の表
示点とを結ぶ線分をＤ−Ｌ対し−ｎ’［内分する点を算
出し、この様な点を結線することにより等高線を表示す
るようにしたが、画素の表示点からこの内分点に向かう
ベクトルを定数倍して得られるベクトルの終点を算出し
、このような終点同志を結線することにより等高融を表
示するようにしても良い。
な値を有する画素を見つけ、この画素の表示点とこの画
素に隣接し且つ前記りより小さな値ｄを有する画素の表
示点とを結ぶ線分をＤ−Ｌ対し−ｎ’［内分する点を算
出し、この様な点を結線することにより等高線を表示す
るようにしたが、画素の表示点からこの内分点に向かう
ベクトルを定数倍して得られるベクトルの終点を算出し
、このような終点同志を結線することにより等高融を表
示するようにしても良い。
更に又、上記内分の比率は等高融に丸みをつける等のた
め、局所的には上記比率から多少ずれた値を用いても良
い。
め、局所的には上記比率から多少ずれた値を用いても良
い。
又、異った値に対応する複数種の等高融を表示する場合
に、各等高線の表示色を互いに異ったものにすることが
、分析を容易にする上で好ましい。
に、各等高線の表示色を互いに異ったものにすることが
、分析を容易にする上で好ましい。
第１図は本発明を実施するための装置の一例を示すため
の図、第２図は記憶装置に記憶されている等高融を表示
するためのデータの一例を示すための図、第３図は等高
融を描くためのステップを説明するための図、第４図は
基点と隣接サーチ点を説明するための図である。 １：電子銃、２：電子線、３：収束レンズ、４：対物レ
ンズ、ＳＸ、Ｓ工：偏向器、６：試料、１：電子計算機
、１２Ｊ１．１２ｂ：反射電子検出器、１４：加算回路
、１ｓ：記憶装置、１１ニレコーダー。 特許出願人 日本電子株式会社 代表者 加勢 忠 維 新日本製鉄株式会社 代表者 武 １） 豊 ベ 、シー ＬＱ４−） ｅ） ３０ １１６ Ｅｌ） Ｊ＃ ２ａ
３６ ｊａ ／６ ６ｔ） １０ １１６
４ｔＯＪ’ａ Ｑａ ４１０ ６１） ｊρ
ρｇ ＠６ ４ａ Ｑａ ｇｔａ ３０
Ｆｏｌｅａ ｇｔｏ ６０ （ＩＱ ＪＯｌｌ
ｏ ２１） ＪｏＪａ 知 ３６ 。 ｏｏａｏｐｏｏｏｏａ
の図、第２図は記憶装置に記憶されている等高融を表示
するためのデータの一例を示すための図、第３図は等高
融を描くためのステップを説明するための図、第４図は
基点と隣接サーチ点を説明するための図である。 １：電子銃、２：電子線、３：収束レンズ、４：対物レ
ンズ、ＳＸ、Ｓ工：偏向器、６：試料、１：電子計算機
、１２Ｊ１．１２ｂ：反射電子検出器、１４：加算回路
、１ｓ：記憶装置、１１ニレコーダー。 特許出願人 日本電子株式会社 代表者 加勢 忠 維 新日本製鉄株式会社 代表者 武 １） 豊 ベ 、シー ＬＱ４−） ｅ） ３０ １１６ Ｅｌ） Ｊ＃ ２ａ
３６ ｊａ ／６ ６ｔ） １０ １１６
４ｔＯＪ’ａ Ｑａ ４１０ ６１） ｊρ
ρｇ ＠６ ４ａ Ｑａ ｇｔａ ３０
Ｆｏｌｅａ ｇｔｏ ６０ （ＩＱ ＪＯｌｌ
ｏ ２１） ＪｏＪａ 知 ３６ 。 ｏｏａｏｐｏｏｏｏａ
Claims (1)
- 電子線プローブで試料表面上を二次元的に走査し、その
際発生する信号を検出して各画素毎の検出信号量を記憶
装置に記憶させ、該記憶されていた各画素の検出信号値
を順次読み出し、該読み出された成る画素の検出信号値
りが予じめ設定された値りより大きな値を有する場合に
、この画素の表示点とこの画素に隣接する画素の表示点
とを結ぶ直線上にあって前記値り、Ｌと該隣接する画素
の検出信号値「とに基づいて決定される点の座標を算出
し、この様な点を結線することにより等高融を表示する
ようにしたことを特徴とする等高線表示方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57014646A JPS58131504A (ja) | 1982-02-01 | 1982-02-01 | 等高線表示方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57014646A JPS58131504A (ja) | 1982-02-01 | 1982-02-01 | 等高線表示方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58131504A true JPS58131504A (ja) | 1983-08-05 |
Family
ID=11866955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57014646A Pending JPS58131504A (ja) | 1982-02-01 | 1982-02-01 | 等高線表示方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58131504A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6282473A (ja) * | 1985-10-07 | 1987-04-15 | Jeol Ltd | ２次元強度デ−タの等高線描画方式 |
| JPS6288065A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-22 | Jeol Ltd | 分析用２次元強度デ−タの等高線出力装置 |
| JPH0240848A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-09 | Jeol Ltd | 三次元立体像構築方法 |
-
1982
- 1982-02-01 JP JP57014646A patent/JPS58131504A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6282473A (ja) * | 1985-10-07 | 1987-04-15 | Jeol Ltd | ２次元強度デ−タの等高線描画方式 |
| JPS6288065A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-22 | Jeol Ltd | 分析用２次元強度デ−タの等高線出力装置 |
| JPH0240848A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-09 | Jeol Ltd | 三次元立体像構築方法 |
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