JPH06297758A

JPH06297758A - 走査線ピッチ計測方法

Info

Publication number: JPH06297758A
Application number: JP10991093A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Oishi; 篤大石; Motoharu Maeda; 元治前田; Koichi Ono; 浩一大野
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 1993-04-13
Filing date: 1993-04-13
Publication date: 1994-10-25
Anticipated expiration: 2017-10-07
Also published as: JP3332468B2

Abstract

(57)【要約】【目的】光ビームを走査して画像記録を行うレーザプ
リンタ等の装置において走査線ピッチを高精度に計測す
ること。【構成】光ビームを所定のピッチで走査することによ
りこのピッチで濃淡が繰り返されて記録される画像の走
査線ピッチを計測する方法において、記録画像から求め
た走査線ごとの濃度変動を表わす信号中の１走査線に対
応する信号の波形の山の最高点における信号値と谷の最
低点における信号値との間に複数の閾値を設け、１走査
線に対応する濃度変動を表わす信号の信号値が各閾値と
等しくなる信号波形上の２つの点の中心点を閾値ごとに
求め、閾値のそれぞれに対して求めた中心点に対し直線
近似を行って近似直線を求め、この近似直線が信号波形
の山の最高点の信号値と等しい値を有する画像上の位置
を、１走査線の中心位置とみなし、隣接する走査線の中
心位置どうしの間隔を走査線ピッチとして計測する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、感光体上で光ビームを
走査して画像記録を行うレーザプリンタ等の装置におけ
る走査線ピッチを計測する走査線ピッチ計測方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】感光体上で光ビームを走査して画像記録
を行うレーザプリンタ等の画像記録装置においては様々
な原因で走査線に直角方向の濃度むらが生ずることがあ
り、その原因の１つに光ビームの走査線間隔すなわちピ
ッチのむらが考えられている。そこで、画像濃度むらの
評価、従って画像記録装置の評価に当り、記録した画像
の走査線のピッチを定量的に測定する必要がある。記録
された画像から走査線ピッチを計測するためには、その
画像の平面の濃度を検出し、たとえば縦軸に画像の濃
度、横軸に画像平面上の位置を取って画像平面上の濃度
分布を求めた濃度分布曲線のある上側変曲点とそのとな
りの上側変曲点との間隔から走査線ピッチを算出する必
要がある。

【０００３】従来、このような画像の濃度分布曲線から
画像記録時の走査線ピッチを求める方法としては、単
に、濃度分布曲線において濃度が最大値となる複数の点
を各走査線の中心位置とみなしてサンプリングし、この
複数の点どうしの間隔を走査線ピッチとみなす方法が知
られている。

【０００４】また、別の方法としては、濃度分布曲線の
濃度の最大値と最小値との間に予め閾値を一つだけ定
め、濃度分布曲線の１つの山に注目して濃度分布曲線が
この閾値と交わる２点を取り、この２点の中間点を走査
線の中心位置とみなし、こうしてすべての山に対して走
査線の中心位置とみなす点を求め、この走査線の中心位
置とみなす点どうしの間隔を走査線ピッチとみなす方法
が知られている。

【０００５】一方、医用の分野などで用いられるフィル
ムに画像を記録するレーザイメージャ等を評価するに
は、走査線ピッチを高い精度で求める方法が望まれる
が、従来、そのような方法は特になく、たとえば画像記
録用フィルムを搬送するユニットの速度むらや光ビーム
の走査むらなどピッチむらを引き起こす要因をユニット
単位ごとに検査して推定していた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した濃度
分布曲線において濃度が極大となる複数の点を、各走査
線の中心位置とみなしてサンプリングし、この複数の点
どうしの間隔を走査線ピッチとみなす方法では、濃度が
極大となる点の付近では濃度値の変化量が小さいため、
走査線の中心位置を正確に見つけ出すことが困難であ
り、中心位置を見つけ出したとしても誤差が大きい。

【０００７】また、上述した濃度分布曲線の濃度の最大
値と最小値との間に予め閾値を一つだけ定める方法で
は、濃度分布曲線の１つの山の形状が山の頂点に対して
線対称になっていない場合（走査線ピッチむらがある場
合）には測定誤差が大きくなってしまう。

【０００８】さらに、走査線ピッチむらの原因と考えら
れるユニットを予め単体で検査しておく方法では、各ユ
ニット単体では許容できる誤差しかなかったとしても他
のユニットで発生する誤差と合成されると記録画像には
走査線ピッチむらが生じてしまう場合がある。

【０００９】本発明は上記の点にかんがみてなされたも
ので、光ビームを走査して画像記録を行うレーザプリン
タ等の装置において走査線ピッチを高精度に計測するこ
とを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために、光ビームを所定のピッチで走査すること
によりこのピッチで濃淡が繰り返されて記録される画像
の走査線ピッチを計測する方法において、記録画像から
求めた走査線ごとの濃度変動を表わす信号中の１走査線
に対応する信号の波形の山の最高点における信号値と谷
の最低点における信号値との間に複数の閾値を設け、前
記１走査線に対応する濃度変動を表わす信号の信号値が
各閾値と等しくなる信号波形上の２つの点の中心点を閾
値ごとに求め、前記閾値のそれぞれに対して求めた中心
点に対し直線近似を行って近似直線を求め、この近似直
線が前記信号波形の山の最高点の信号値と等しい値を有
する画像上の位置を、前記１走査線の中心位置とみな
し、隣接する走査線の中心位置どうしの間隔を走査線ピ
ッチとして計測する。

【００１１】また、前記走査線ごとの濃度変動を表わす
信号を、画像の濃度分布と画像の記録体の感度特性とに
基づいて求めた画像記録時の光ビーム強度分布を表わす
信号とした。

【００１２】

【作用】本発明は以上の構成によって、走査線の中心位
置を高い精度で見つけ出すことができ、この中心位置ど
うしの間隔を求めることで走査線ピッチを高精度に計測
することができる。

【００１３】

【実施例】以下本発明を図面に基づいて説明する。

【００１４】図１は、本発明による走査線ピッチ計測方
法を適用した走査線ピッチむら計測装置のブロック線図
である。

【００１５】１はＨｅ−Ｎｅレーザであり、破線で示し
たレーザ光２を照射する。一点鎖線で示した筒３は、レ
ーザ光２の光路の周囲に設けられ、レーザ光２が空気の
ゆらぎの影響を受けて屈折し光路が変動してしまうのを
防いでいる。４はビームエキスパンダであり、レーザ光
２の径を拡大している。Ｈｅ−Ｎｅレーザ１で照射され
たレーザ光２の断面の直径は約０．８ｍｍであり、ビー
ムエキスパンダ４で約４ｍｍに拡大される。

【００１６】ビームエキスパンダ４で拡大されたレーザ
光２は、シリンドリカルレンズ５でその断面が縦長のス
リット状に変形された後、スリット６で上下がカットさ
れて、横が約２０μｍ、縦が約１０００μｍのビーム光
になる。このように縦長のスリット光とすることで試料
の粒状性ノイズを抑制している。また、横径のビームウ
エストの少し手前（たとえば０．１ｍｍ前後Ｈｅ−Ｎｅ
レーザ１側）に試料面をセットすれば、収束状態のビー
ムが試料に照射されるためさらに効果的に粒状性ノイズ
を抑制できる。

【００１７】７は一軸メカニカルステージであり、ＣＰ
Ｕ１５からの指令を受けたステージコントローラ１２に
より制御され左右方向に移動するようになっている。一
軸メカニカルステージ７には、画像記録済の試料９が試
料ホルダ８に固定されて配置されており、一軸メカニカ
ルステージ７を左右に移動させることにより試料９を左
右に動かして、試料９をミクロトレースすることができ
る。

【００１８】一軸メカニカルステージ７の位置（移動距
離）はレーザ測長器１１により精密に測定されてＣＰＵ
１５に報告される。本実施例で用いられる試料９はレー
ザイメージャで画像記録されたフィルムであり、この試
料９を透過するレーザ光２の光量に基づいて試料９の濃
度が測定される。レーザイメージャによる試料９への画
像の記録は、試料９を縦方向に搬送しながら光ビームを
試料９の横方向に反復的に走査をすることによって行わ
れる。このようにして画像記録された試料９は縦横を逆
にして試料ホルダ８に固定される。

【００１９】スリット６を通過したレーザ光２は試料９
を透過し、ホトダイオード１０で受光される。ホトダイ
オード１０は受光したレーザ光２の光量に応じた電流を
発生する。この電流は、アンプ１３で電圧変換および増
幅されてＡ／Ｄ変換器１４でデジタル値に変換された後
ＣＰＵ１５に入力される。１６は表示装置であり、ＣＰ
Ｕ１５に接続されており、本発明による走査線ピッチ計
測方法で求められた試料９の走査線ピッチを表示する。

【００２０】ＣＰＵ１５は、Ａ／Ｄ変換器１４から入力
された透過光量とＨｅ−Ｎｅレーザ１で照射された光源
光量とに基づき数１を用いて試料９の濃度を求める。数
１において、Ｄは試料の濃度、Ｉ₀ は光源光量、Ｉは透
過光量である。

【００２１】

【数１】Ｄ＝ｌｏｇ（Ｉ₀ ／Ｉ）数１により求められた試料９の濃度は、レーザ測長器１
１で精密に測定された試料９上におけるレーザ光２の照
射位置と対応づけられてＣＰＵ１５に備えられたメモリ
（図示せず）に記憶される。次に、ＣＰＵ１５はステー
ジコントローラ１２に指令を与え、一軸メカニカルステ
ージ７を１μｍだけ横方向に移動する。移動後一軸メカ
ニカルステージ７を一旦停止させ、上述したのと同様に
移動後の位置で試料９の濃度を求め、その濃度を、レー
ザ測長器１１で精密に測定された試料９上におけるレー
ザ光２の照射位置と対応づけてＣＰＵ１５に備えられた
メモリに記憶する。このように、試料９上の各位置にお
ける試料９の濃度を求め記憶していくことにより試料９
の濃度の分布を求めることができる。

【００２２】ところで、本実施例のように一軸メカニカ
ルステージ７を１μｍづつ横方向に移動しながら試料９
の濃度を求めて濃度分布を作成した場合であってもほぼ
正確な濃度分布が求められるが、よりきめ細かい濃度分
布を求めるためにはより細かい間隔で濃度測定をすれば
よく、たとえば一軸メカニカルステージ７を０．１μｍ
だけ動かすごとに試料９の濃度を求めて濃度分布を作成
するようにすればよい。

【００２３】図２は、試料９に画像記録する際に用いら
れるレーザイメージャの光ビームの光量を示す図であ
る。

【００２４】図２において、縦軸は光ビームの強度（光
量）であり、横軸は光ビームの断面の中心点からの距離
である。光ビームの強度の分布は断面の中心点が最も強
く図２に示すようなガウス分布の曲線で表わされる。こ
の光ビームの断面の半径は６０μｍであるが、断面の中
心点から６０μｍ以上離れた点でも光ビームの強度があ
ることが図２からわかる。

【００２５】また、試料９には光ビームの強度が強いほ
ど濃い画像が記録され、数１により濃度Ｄがわかれば、
試料９への画像記録時の光ビームの強度は数２から逆算
して求めることができる。数２において、γは試料９の
フィルムの感度特性、Ｅは試料９への画像記録時の光ビ
ームの強度である。

【００２６】

【数２】Ｄ＝γ・ｌｏｇＥ試料９への画像記録時には、たとえば、図２に示した光
ビームを試料９上で横方向に走査し１本の走査線による
画像記録を行った後、試料９を縦方向に移動させて次の
１本の走査線による画像記録を行う。

【００２７】図３は、光ビームにより５回の走査を行っ
た場合について試料９で受光した光ビームの強度を示し
た図である。

【００２８】図３において、縦軸は光ビームの強度（光
量）を示し、横軸は試料９の縦方向の位置を示す。図
中、実線で示した曲線は、図２に示したのと同様の光ビ
ームを８０μｍの走査線ピッチで５回照射した場合の個
々の光ビームの強度の分布を示すものであり、一点鎖線
で示した曲線は、実線で示した曲線の光ビームの強度を
重ね合わせたもので、試料９で受光する光ビームの強度
分布曲線である。先にも説明したように、この一点鎖線
で示した光ビームの強度分布は、図１の説明で求めた試
料９の濃度分布から数２を用いて求めることができるの
で、試料９の濃度分布がわかれば、図３に一点鎖線で示
した画像記録時に試料９が受光した光ビームの強度分布
が求められる。

【００２９】ところで、本発明で求めたいのは走査線ピ
ッチであるので、たとえば、図３の一点鎖線の曲線の山
ａの頂点である点ａ₁ の位置ではなく、実線の曲線の山
ｂの頂点である点ｂ₁ の位置を求める必要がある。図３
は、各光ビームの強度が一定で走査線ピッチのむらがな
い状態の図であるために点ａ₁ と点ｂ₁ の位置が一致し
ているが、各光ビームの強度にばらつきがあったり走査
線ピッチにむらがあると点ａ₁ と点ｂ₁ の位置が一致し
ない場合がある。本発明による走査線ピッチ計測方法を
用いれば、従来の技術よりも高い精度で点ｂ₁ の位置を
求めることができる。

【００３０】図４は、本発明による走査線ピッチ計測方
法のフローチャートである。

【００３１】まず、図１の説明で求めた試料９の濃度分
布から、数２を用いて試料９に画像を記録した際の光ビ
ームの強度分布を求める（Ｆ−１）。

【００３２】図５は、図４のステップ（Ｆ−１）で求め
た試料９に画像を記録した際の光ビームの強度分布を示
す。

【００３３】ここでは、図４に示したフローチャートに
従って、図５に示した山Ｇに対応する光ビームの中心点
の位置を求める方法を説明する。

【００３４】図４のステップ（Ｆ−２）では、山Ｇの頂
点における光ビームの強度を０とし、山Ｇの両脇の谷の
うち低い方の谷の最低点における光ビームの強度を１と
してその間の強度を規格化する。本実施例では、山Ｇの
頂点から低い方の谷（図では山Ｇの左側にある）の最低
点までを０から１に規格化したときに規格化値が０．
４、０．５、０．６に対応する３つの閾値を設ける。

【００３５】ところで、本実施例では山Ｇの両脇の谷の
うち低い方の谷の最低点における光ビームの強度を１と
したが、本発明はこれに限らず、山Ｇの両脇の谷の最低
点の平均値における光ビームの強度を１としてもよい
し、山Ｇの両脇の谷のうち低くない方の谷の最低点にお
ける光ビームの強度を１としてもよい。

【００３６】また、本実施例では閾値を３つ設けたが、
閾値の数と値はこれに限らず、たとえば規格化値が０．
４、０．５、０．６、０．７に対応する４つの閾値を設
けるようにしてもよい。

【００３７】本実施例の説明に戻り、次に、図５に示し
た光ビームの強度分布曲線と、３つの閾値とが交わる点
の座標を求める（Ｆ−３）。この交点は、図５に示した
点Ｇ_U6、Ｇ_U5、Ｇ_U4、Ｇ_D4、Ｇ_D5、Ｇ_D6であり、それぞ
れの座標は、（Ｕ₆ ，０．６）、（Ｕ₅ ，０．５）、
（Ｕ₄ ，０．４）、（Ｄ₄ ，０．４）、（Ｄ₅ ，０．
５）、（Ｄ₆ ，０．６）である。

【００３８】ステップ（Ｆ−４）では、ステップ（Ｆ−
３）で求めた６つの点を用いて、同じ閾値での２点の中
点の座標を求める。つまり、同じ閾値０．６に対する２
つの点Ｇ_U6と点Ｇ_D6との中点Ｃ₆ の座標（Ｃ_UD6 ，０．
６）、同様に同じ閾値０．５に対する２つの点Ｇ_U5と点
Ｇ_D5との中点Ｃ₅ の座標（Ｃ_UD5 ，０．５）、同様に同
じ閾値０．４に対する２つの点Ｇ_U4と点Ｇ_D4との中点Ｃ
₄ の座標（Ｃ_UD4 ，０．４）を求める。ここで、Ｃ
_UD4 、Ｃ_UD5 、Ｃ_UD6 の値はそれぞれ数３、数４、数５
で求めることができる。

【００３９】

【数３】Ｃ_UD4 ＝（Ｕ₄ ＋Ｄ₄ ）／２

【００４０】

【数４】Ｃ_UD5 ＝（Ｕ₅ ＋Ｄ₅ ）／２

【００４１】

【数５】Ｃ_UD6 ＝（Ｕ₆ ＋Ｄ₆ ）／２次に、ステップ（Ｆ−４）で求めた中点Ｃ₄ （Ｃ_UD4 ，
０．４）、中点Ｃ₅ （Ｃ_UD5 ，０．５）、中点Ｃ₆ （Ｃ
_UD6 ，０．６）に対して最小２乗法で近似直線の式を求
める（Ｆ−５）。ここで、図５の横軸をｘ軸、縦軸をｙ
軸とすると、中点Ｃ₄ 、Ｃ₅ 、Ｃ₆ に対する近似直線
は、数６、数７、数８の前提の元で数９の式で表わすこ
とができる。

【００４２】

【数６】

【００４３】

【数７】α＝（３・ｆ（ｘ・ｙ）−ｆ（ｘ）・ｆ
（ｙ））／（３・ｆ（ｘ² ）−ｆ（ｘ）² ）

【００４４】

【数８】β＝（ｆ（ｘ² ）・ｆ（ｙ）−ｆ（ｘ）・ｆ
（ｘ・ｙ））／（３・ｆ（ｘ² ）−ｆ（ｘ）² ）

【００４５】

【数９】ｙ＝α・ｘ＋β 次に、数９の式においてｙを０（山Ｇの頂点における光
ビームの強度の規格化値）としたときのｘの値を求め
（Ｆ−６）、この値を図５に示した山Ｇに対応する光ビ
ーム（走査線）の中心点の位置とする。上述したのと同
様の計算により、試料９に画像を記録した際の光ビーム
の強度分布におけるすべての山に関してそれぞれに対応
する光ビーム（走査線）の中心点の位置を求めることが
でき、こうして求めた各中心点の間隔を計算すれば走査
線のピッチが求まる（Ｆ−７）。

【００４６】図６は、３本の走査線で走査線ピッチを変
えて画像記録した試料における画像記録時の光ビームの
強度の分布を示した図である。

【００４７】詳しくは、山ｈ、山ｊ、山ｋのそれぞれに
対応する光ビームの強度はすべて１、直径はすべて１２
０μｍであり、山ｈに対応する光ビームの中心点と山ｊ
に対応する光ビームの中心点との間隔は７９μｍであ
り、山ｊに対応する光ビームの中心点と山ｋに対応する
光ビームの中心点との間隔は８０μｍである。

【００４８】図７は、図６の山ｊに対応する光ビームの
中心点の位置を、本発明による走査線ピッチ計測方法で
求めた場合の誤差を示す図である。ただし、この誤差
は、光ビームをガウス分布と仮定し、そのガウス曲線上
で求めた理論値である。

【００４９】図７に示した直線は上述した最小２乗法で
求めた近似直線であり、この直線で横軸０のときの縦軸
の値が、本発明による走査線ピッチ計測方法で山ｊに対
応する光ビームの中心点を求めた場合の誤差であり、図
７では誤差が０．１０５μｍであった。一方、上述した
従来技術の濃度分布曲線の縦軸の最大値と最小値との間
に予め閾値を一つだけ定め、濃度分布曲線の１つの山に
おいてこの閾値と交わる２点を取り、この２点の中間点
を光ビームの中心点とみなす方法を用いたところ、閾値
を光ビームの規格値で０．４に相当するところに設定し
た場合では０．４３４μｍの誤差があり、閾値を光ビー
ムの規格値で０．５に相当するところに設定した場合で
は０．５０１μｍの誤差があり、閾値を光ビームの規格
値で０．６に相当するところに設定した場合では０．５
９６μｍの誤差があった。このことから、本発明による
走査線ピッチ計測方法がいかに高精度であるかがわか
る。

【００５０】図８は、３本の走査線で走査線ピッチを変
えるとともに光ビームの直径を図６とは変えて画像記録
した試料における画像記録時の光ビームの強度分布を示
したものである。

【００５１】詳しくは、山ｍ、山ｎ、山ｐのそれぞれに
対応する光ビームの強度はすべて１、直径はすべて１１
０μｍであり、山ｍに対応する光ビームの中心点と山ｎ
に対応する光ビームの中心点との間隔は７９μｍであ
り、山ｎに対応する光ビームの中心点と山ｐに対応する
光ビームの中心点との間隔は８０μｍである。

【００５２】図９は、図８の山ｎに対応する光ビームの
中心点の位置を、本発明による走査線ピッチ計測方法で
求めた場合の誤差を示す図である。ただし、この誤差
は、光ビームをガウス分布と仮定し、そのガウス曲線上
で求めた理論値である。

【００５３】図９に示した直線は上述した最小２乗法で
求めた近似直線であり、この直線で横軸０のときの縦軸
の値が、本発明による走査線ピッチ計測方法で山ｎに対
応する光ビームの中心点を求めた場合の誤差であり、図
９では誤差が０．０２９μｍであった。一方、上述した
従来技術の濃度分布曲線の縦軸の最大値と最小値との間
に予め閾値を一つだけ定め、濃度分布曲線の１つの山に
おいてこの閾値と交わる２点を取り、この２点の中間点
を光ビームの中心点とみなす方法を用いたところ、閾値
を光ビームの規格値で０．４に相当するところに設定し
た場合では０．２４６μｍの誤差があり、閾値を光ビー
ムの規格値で０．５に相当するところに設定した場合で
は０．２９０μｍの誤差があり、閾値を光ビームの規格
値で０．６に相当するところに設定した場合では０．３
５３μｍの誤差があった。このことからも、本発明によ
る走査線ピッチ計測方法がいかに高精度であるかがわか
る。

【００５４】図１０は、３本の走査線で光ビームの強度
を変えて画像記録した試料における画像記録時の光ビー
ムの強度分布を示したものである。

【００５５】詳しくは、山ｑに対応する光ビームの強度
は１．０１であり、山ｓに対応する光ビームの強度は１
であり、山ｔに対応する光ビームの強度は０．９９であ
る。また、山ｑ、山ｓ、山ｔのそれぞれに対応する光ビ
ームの直径はすべて１２０μｍであり、山ｑに対応する
光ビームの中心点と山ｓに対応する光ビームの中心点と
の間隔は８０μｍであり、山ｓに対応する光ビームの中
心点と山ｔに対応する光ビームの中心点との間隔は８０
μｍである。

【００５６】図１１は、図１０の山ｓに対応する光ビー
ムの中心点の位置を、本発明による走査線ピッチ計測方
法で求めた場合の誤差を示す図である。ただし、この誤
差は、光ビームをガウス分布と仮定し、そのガウス曲線
上で求めた理論値である。

【００５７】図１１に示した直線は上述した最小２乗法
で求めた近似直線であり、この直線で横軸０のときの縦
軸の値が、本発明による走査線ピッチ計測方法で山ｓに
対応する光ビームの中心点を求めた場合の誤差であり、
図１１では誤差が０．００７μｍであった。一方、上述
した従来技術の濃度分布曲線の縦軸の最大値と最小値と
の間に予め閾値を一つだけ定め、濃度分布曲線の１つの
山においてこの閾値と交わる２点を取り、この２点の中
間点を光ビームの中心点とみなす方法を用いたところ、
閾値を光ビームの規格値で０．４に相当するところに設
定した場合では０．１２２μｍの誤差があり、閾値を光
ビームの規格値で０．５に相当するところに設定した場
合では０．１４５μｍの誤差があり、閾値を光ビームの
規格値で０．６に相当するところに設定した場合では
０．１７９μｍの誤差があった。このことからも、本発
明による走査線ピッチ計測方法がいかに高精度であるか
がわかる。

【００５８】本実施例では、試料９の濃度分布を試料９
への画像記録時の光ビームの強度分布に変換してから光
ビームの中心点を求めたが、試料９の濃度分布に閾値を
設け、最小２乗法で光ビームの中心点を求めるようにし
てもよい。ただし、光ビームの強度の分布に変換してか
ら光ビームの中心点を求めるようにしておけば、試料と
して扱うものがフィルムの感度特性の異なるものであっ
ても走査線ピッチを正確に計測することが可能である。

【００５９】また、本実施例では試料９の透過光によっ
て試料９の濃度を検出するようにしたが、本発明はこれ
に限らず、試料の反射光によって試料の濃度を検出する
場合にも適用できることはもちろんである。

【００６０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光ビームを走査して画像記録を行うレーザプリンタ等の
装置の走査線ピッチを高精度に計測することができる。

【００６１】また、本発明によれば、試料のフィルムの
感度特性によらず高精度な走査線ピッチの計測が可能で
ある。

【００６２】さらに、本発明によれば、高精度に走査線
ピッチを計測できるので、試料に画像を記録するレーザ
イメージャ等の機器での記録画像濃度むらの要因を把握
することができ、レーザイメージャ等の機器の改良の精
度を向上させ、改良に要する時間を短縮させることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による走査線ピッチ計測方法を適用した
走査線ピッチむら計測装置のブロック線図である。

【図２】試料に画像記録する際に用いられるレーザイメ
ージャの光ビームの光量を示す図である。

【図３】光ビームにより５回の走査を行った場合の試料
で受光した光ビームの強度を示す図である。

【図４】本発明による走査線ピッチ計測方法のフローチ
ャートである。

【図５】試料に画像を記録した際の光ビームの強度分布
を示す図である。

【図６】３本の走査線で走査線ピッチを変えて画像記録
した試料における画像記録時の光ビームの強度分布を示
した図である。

【図７】図６の山に対応する光ビームの中心点の位置
を、本発明による走査線ピッチ計測方法で求めた場合の
誤差を示す図である。

【図８】３本の走査線で走査線ピッチを変えるとともに
光ビームの直径を図６とは変えて画像記録した試料にお
ける画像記録時の光ビームの強度分布を示した図であ
る。

【図９】図８の山に対応する光ビームの中心点の位置
を、本発明による走査線ピッチ計測方法で求めた場合の
誤差を示す図である。

【図１０】３本の走査線で光ビームの強度を変えて画像
記録した試料における画像記録時の光ビームの強度分布
を示した図である。

【図１１】図１０の山に対応する光ビームの中心点の位
置を、本発明による走査線ピッチ計測方法で求めた場合
の誤差を示す図である。

【符号の説明】

１Ｈｅ−Ｎｅレーザ２レーザ光３筒４ビームエキスパンダ５シリンドリカルレンズ６スリット７一軸メカニカルステージ８試料ホルダ９試料１０ホトダイオード１１レーザ測長器１２ステージコントローラ１３アンプ１４Ａ／Ｄ変換器１５ＣＰＵ１６表示装置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光ビームを所定のピッチで走査すること
により該ピッチで濃淡が繰り返されて記録される画像の
走査線ピッチを計測する方法において、記録画像から求めた走査線ごとの濃度変動を表わす信号
中の１走査線に対応する信号の波形の山の最高点におけ
る信号値と谷の最低点における信号値との間に複数の閾
値を設け、前記１走査線に対応する濃度変動を表わす信号の信号値
が各閾値と等しくなる信号波形上の２つの点の中心点を
閾値ごとに求め、前記閾値のそれぞれに対して求めた中心点に対し直線近
似を行って近似直線を求め、該近似直線が前記信号波形の山の最高点の信号値と等し
い値を有する画像上の位置を、前記１走査線の中心位置
とみなし、隣接する走査線の中心位置どうしの間隔を走査線ピッチ
として計測することを特徴とする走査線ピッチ計測方
法。
【請求項２】前記走査線ごとの濃度変動を表わす信号
が、画像の濃度分布と画像の記録体の感度特性とに基づ
いて求めた画像記録時の光ビーム強度分布を表わす信号
であることを特徴とする請求項１に記載の走査線ピッチ
計測方法。