JPS58130534A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS58130534A JPS58130534A JP1273182A JP1273182A JPS58130534A JP S58130534 A JPS58130534 A JP S58130534A JP 1273182 A JP1273182 A JP 1273182A JP 1273182 A JP1273182 A JP 1273182A JP S58130534 A JPS58130534 A JP S58130534A
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- JP
- Japan
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- film
- substrate
- implanted
- etching
- selective oxidation
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本＊ｔｎは半導体装置の製造方法特に遇択鈑化の前処理
に関する。
に関する。
従来遥択讃化法＃ｉ段差構造の低減等の目的の丸めに一
般的に使用されている。しかし、微細化の上では酸化マ
スクの窒化ケイ素躾憂いかに精度喪〈エツチングするか
、パースビイークと呼ばれる部分をいかに小さくするか
が１豪な問題である。
般的に使用されている。しかし、微細化の上では酸化マ
スクの窒化ケイ素躾憂いかに精度喪〈エツチングするか
、パースビイークと呼ばれる部分をいかに小さくするか
が１豪な問題である。
本発明は選択酸化の前に前処理に施し、かかる間ｊｌｌ
ｌを部域することを目的とする。
ｌを部域することを目的とする。
以下本発明を図面をもうて説明する。
第１図社従来の方法で半導体幕板ｌ上に下敷となる酸化
ｌＩ２を形成し、その後電化ケイ素ｌＩ［８を形成して
から、フォトレジストパターン４を所定領域に形成した
とζろである１本発明ａζζでアルゴン等の中性イオン
をシリコン基［１へ鉤達する橡なエネルギで比較的高談
度に注入したのが第２１ａであ）５はアルゴンが注入さ
れ走電化ケイ素膜、６は同様にアルゴンが注入され大基
板である。ζこで中性イオンである喪め比較的高一度に
注入しても耐圧の低下やリークをひき起と畜ないｅｇｇ
ｓ図はアルゴン等が注入され走電化ケイ素１ｌｌＩｔ−
エツチングし九ところで、アルゴン勢Ｏ注入によりエツ
チングレートが湿式のエツチングでは数倍、プラズマ勢
のエツチングでも微開エツチングレートが大きくなる丸
め、サイドエツチングが小さい良軒なエツチング時性を
示す。躬４図はチャンネルストッパー７をこの物化ケイ
素腓をエツチングされた部分に導入し友ところであり、
Ｐチャンネル領域には蟻をＮチャンネル領域にはホウ木
を導入する。１ｌｌＥＳ図はレジスト除去後酸化を行う
友ととろで８Ｆｉ形成された酸化膜である。
ｌＩ２を形成し、その後電化ケイ素ｌＩ［８を形成して
から、フォトレジストパターン４を所定領域に形成した
とζろである１本発明ａζζでアルゴン等の中性イオン
をシリコン基［１へ鉤達する橡なエネルギで比較的高談
度に注入したのが第２１ａであ）５はアルゴンが注入さ
れ走電化ケイ素膜、６は同様にアルゴンが注入され大基
板である。ζこで中性イオンである喪め比較的高一度に
注入しても耐圧の低下やリークをひき起と畜ないｅｇｇ
ｓ図はアルゴン等が注入され走電化ケイ素１ｌｌＩｔ−
エツチングし九ところで、アルゴン勢Ｏ注入によりエツ
チングレートが湿式のエツチングでは数倍、プラズマ勢
のエツチングでも微開エツチングレートが大きくなる丸
め、サイドエツチングが小さい良軒なエツチング時性を
示す。躬４図はチャンネルストッパー７をこの物化ケイ
素腓をエツチングされた部分に導入し友ところであり、
Ｐチャンネル領域には蟻をＮチャンネル領域にはホウ木
を導入する。１ｌｌＥＳ図はレジスト除去後酸化を行う
友ととろで８Ｆｉ形成された酸化膜である。
この時このアルゴン注入された部分の酸化レートは注入
１によっても異なるが通常の基板より数倍大きくなる。
１によっても異なるが通常の基板より数倍大きくなる。
よって従来のものより酸化時間の短−かで自、かつ横方
向の拡がりつまシバーズビークと呼ばれる部分も小さく
なる。
向の拡がりつまシバーズビークと呼ばれる部分も小さく
なる。
この様にして本発明により７９＜ １８化マスクの勧化
ケイ素腓の１％釉度エツチングと埴択酸化時間の愉−お
よびバーズビイークの減少等ができ、微細化にとって有
用である。
ケイ素腓の１％釉度エツチングと埴択酸化時間の愉−お
よびバーズビイークの減少等ができ、微細化にとって有
用である。
謔１図乃至第會−図祉本発明の敗明図で製造方法を玉揚
ＩＮＫ示し九＃内図である。 尚図由に於いて ｌは半導体Ｊｌ ２は酸化ケイ素ｊ［３はｉ！（上ダ
イ＄１１１ ４＃ｉフオトレジストノくターフ ５祉ア
ルゴンが注入された窒化ケイ素Ｈ６はアルゴンが注入さ
れた基板 ７ｉｊチヤンネルストツノ（−領域 ８は厚
い酸化ケイ素膜。 以 上 出願人 株式会社趣訪精工舎 代理人 弁理士最 上 務 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図
ＩＮＫ示し九＃内図である。 尚図由に於いて ｌは半導体Ｊｌ ２は酸化ケイ素ｊ［３はｉ！（上ダ
イ＄１１１ ４＃ｉフオトレジストノくターフ ５祉ア
ルゴンが注入された窒化ケイ素Ｈ６はアルゴンが注入さ
れた基板 ７ｉｊチヤンネルストツノ（−領域 ８は厚
い酸化ケイ素膜。 以 上 出願人 株式会社趣訪精工舎 代理人 弁理士最 上 務 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図
Claims (1)
- 中導体基板上Ｋｌｌ化ケイ素腓を形成する工程、電化ケ
イ嵩１ｌＩＩＩを形成する工程、Ｑｒ定の部分にレジス
パターンを形成する工程、アルゴン婢の中性イオンを注
入する工程、窒化ケイＩＩ＆鱗をエツチングする工程、
Ｐチャンネル領域に燐をｙチャンネ羨Ｉｋ械にホク嵩を
注入する工程、レジストを除去する工１ｉＩおよび酸化
層を形成する工程とから成ることを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1273182A JPS58130534A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1273182A JPS58130534A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58130534A true JPS58130534A (ja) | 1983-08-04 |
Family
ID=11813578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1273182A Pending JPS58130534A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58130534A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5570046A (en) * | 1978-11-21 | 1980-05-27 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Forming method of oxide film |
-
1982
- 1982-01-29 JP JP1273182A patent/JPS58130534A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5570046A (en) * | 1978-11-21 | 1980-05-27 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Forming method of oxide film |
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