JPS58127349A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置の製造方法、特に多層配線構造の形
成方法に関するものである。

従来、半導体装置製造工程における配Ｓ技術として、高
密度化を図るため１ｃＡＪ２層配ｍ等が一般的に用いら
れている。これら各層の配線相互間の導通をとるために
、層間絶縁膜に導通の穴（以下、スルーホールという）
を形成する。このスルーホール形成方法としては、広く
フッ酸系漆液によるエツチングが使用されている。しか
し、この加工法の大きな欠点は、マスクＷで被覆された
部分くおいても、マスク材と層間絶縁膜表面とのわずか
な間隙からエツチング溶液がしみ込んでマスク材の下部
の絶縁膜までもがエツチングされるために、加工精度が
低く微細化を図ることができない。

このような欠点を解消するために、０．０１４％、。

の低圧ガスに高周波電圧を印加して発生させた低温ガス
プラズマを用いる加工法が提案され、現在ドライエツチ
ング技術として主流となっている。

この方法では、マスク材で被覆された部分がエツチング
されないため、微細加工の点で非常に有利である。しか
し、この方法でスルーホールを形成しただけでは次のよ
うな問題が生じることがわかった。

（１）　　スルーホール加工形状が急峻なために、その
上に付着させる第２層目の配線が十分に被覆できない。

（２）スルーホール部分が大きな段差となり、多層配線
化を図る場合に平坦化できない。

本発明は、前記現状を考慮したもので、その目的は特に
多層配線を平坦化させ、かつ高精度な微細加工を行なう
方法を提供することである。

本発明による方法は、マスク材とマスク形状を利用した
リフトオフ技術によりスルーホールを形成することを特
徴とするものである。

本発明による方法の実施手順は次のとおりである。先ず
、半導体素子間を接続する第１層目配線１上に層間絶縁
膜２が付着され【いる試料をスルーホール加工するため
、図（ｍｌのようなひさし構造のマスク材５を層間絶縁
膜２上に形成する。この状態で、層間絶縁膜２をドライ
エツチングして図１ｂｌのような微細で急峻な形状のス
ルーホール３を形成する。

次に、スルーホール３形成後、マスク材５をそのまま利
用して、第２層目の配線材を付着させる。

マスク材５の形状がひさし構造となっているため、スル
ーホール部３に配線材４を埋め、これをマスク材５上の
配線材４と分離できる。従って、マスク材５をエツチン
グして図（ｄｉのように、マスク材５を除去するリフト
オフ方式で配線材４を除去し、配線材４をスルーホール
３内にセルファラインに残す。再度、配線材６を付着さ
せバターニングすることにより、電極配線を完全に平坦
化させて、スルーホール部３での配線材の被覆性を飛や
く的に向上させた多層配線構造を形成できる（図（ｃｌ
）。

本発明の実施にあたっては、以上のべた２層構造の配線
工程だけに限定されるものではなく、３次元素子への応
用も可能であり、多層配線工程において必要不可欠なも
のである。また図（ａｌに示すよ５なマスク材のひさし
構造の形状は、これに限定されるものではない。

以上のように本発明により、次のような効果が予想され
る。

（１）スルーホールの加工が、すべ【ドライエツチング
技術だけで行なえるため、配線の微細化が可能である。

（２）　　リフトオフ技術による多層配−を用いた場合
、スルーホール部における配線材の断線を防止できる。

（３）配線構造が平坦化でき、多層配線を実現できる。

【図面の簡単な説明】

図１ａｌ〜ｌｅｌは本発明による一方法の工程図を示す
。 なお、図面に示す符号において、１及び６は配線、２は
層間絶縁膜、３はスルーホール、４は配線材、５はマス
ク材である。 代理人　弁理士　　薄　１）利　９− ２　　　　　　　　　　／

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、　１ｉ１１ひさし形状の開口を有するマスク材を絶
   縁層上に形成する工程と、前記開口を介して前記絶縁層
   をエツチングして前記−口Ｆにスルーホールを形成する
   工ｉと、このスルー・トールを含む全面に導体材料を被
   着する工程と、碗紀マスク材をエツチングして同マスク
   材と共に、七の上の導体材料を除去することにより前記
   スノーホール内にのみ導体材料を選択的に残す工程と、
   更に全面に導体材料を被着した後に所定形状にパターニ
   ングする工ｉとを夫々有することを特徴とする半導体装
   置のｍ＊方法。