JPS58124A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
- Publication number
- JPS58124A JPS58124A JP56098523A JP9852381A JPS58124A JP S58124 A JPS58124 A JP S58124A JP 56098523 A JP56098523 A JP 56098523A JP 9852381 A JP9852381 A JP 9852381A JP S58124 A JPS58124 A JP S58124A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- thickness
- photo
- resist
- photoresist
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は紫外線の照射源又は被照射物のどちらか一方を
移動させ、試料の全域に亘って紫外線を照射してフォト
レジストを露光する方法に関する。
移動させ、試料の全域に亘って紫外線を照射してフォト
レジストを露光する方法に関する。
現在電子部品の７オＦエツチング工程で使用されている
、７オトレジス）の試料上への皺布方法はスプレーコー
ト法、ｐ−ルプート法、スピンコード法が一般に用いら
れている。これらのうちスプレーコート法は二次元的形
状の制御はなく、又高さ方向の凹凸も数十Ａｍであれば
条件次第では均一に７オトレジストを塗布することが可
能であり、又ロールコート法は試料の端部の１露程度を
除けば７オシレジスト厚を均一に塗布できるという反面
酸スプレーコート決、該ロールコート法共使用後のメン
テナンスを怠るとその後の使用に着しい影響を及ぼす為
、装置を断続的に使用する場合には不向きであるという
欠点がある。一方スビンコート法は連続的に使用した場
合でも、断続的に使用した場合でも゛、試料の回転数、
７オトレジストの粘度が変らなければ安定した再現性が
得られるが１反面試料の回転中心から遠ざかるに従って
塗布されたフォトレジストが厚くなる傾向にあり、特に
試料の端部では、該試料の形状、サイズ。
、７オトレジス）の試料上への皺布方法はスプレーコー
ト法、ｐ−ルプート法、スピンコード法が一般に用いら
れている。これらのうちスプレーコート法は二次元的形
状の制御はなく、又高さ方向の凹凸も数十Ａｍであれば
条件次第では均一に７オトレジストを塗布することが可
能であり、又ロールコート法は試料の端部の１露程度を
除けば７オシレジスト厚を均一に塗布できるという反面
酸スプレーコート決、該ロールコート法共使用後のメン
テナンスを怠るとその後の使用に着しい影響を及ぼす為
、装置を断続的に使用する場合には不向きであるという
欠点がある。一方スビンコート法は連続的に使用した場
合でも、断続的に使用した場合でも゛、試料の回転数、
７オトレジストの粘度が変らなければ安定した再現性が
得られるが１反面試料の回転中心から遠ざかるに従って
塗布されたフォトレジストが厚くなる傾向にあり、特に
試料の端部では、該試料の形状、サイズ。
回転数、フォトレジストの粘度にもよるが、回転中心付
近に比べて２乃至３倍もの厚みになる。このフォトレジ
スト厚の不均一さにも拘らず、従来の露光法はフォトレ
ジスＦの最も厚い試料の外周部に適正露光量を合せて一
様に紫外線を照射していた為％フォトレジスＦの薄い中
心付近が過露光になり、フォトマスクのパターンに比べ
てでき上がった試料の中心付近のパターンはポジ型レジ
ストの場合は細くなり、又ネガ型レジストの場合は太く
なる欠点があった。
近に比べて２乃至３倍もの厚みになる。このフォトレジ
スト厚の不均一さにも拘らず、従来の露光法はフォトレ
ジスＦの最も厚い試料の外周部に適正露光量を合せて一
様に紫外線を照射していた為％フォトレジスＦの薄い中
心付近が過露光になり、フォトマスクのパターンに比べ
てでき上がった試料の中心付近のパターンはポジ型レジ
ストの場合は細くなり、又ネガ型レジストの場合は太く
なる欠点があった。
これを解消する為の手段として、従来は予めフォトマス
クの中心付近のパターン巾を所望とする巾に比べてポジ
型レジストの場合は太く、ネガ型レジストの場合は細く
していた。これは７オトマスクの般社及び製作に時間、
費用共費やし、結果的にフォトマスクの価格を上昇させ
る要因になっていた。
クの中心付近のパターン巾を所望とする巾に比べてポジ
型レジストの場合は太く、ネガ型レジストの場合は細く
していた。これは７オトマスクの般社及び製作に時間、
費用共費やし、結果的にフォトマスクの価格を上昇させ
る要因になっていた。
本発明は試料上の紫外線の照射位置を移動させ該試料の
全域を露光させる装置を使用して該試料の紫外線の照射
されている位置の７オＦレジストの厚さにほぼ反比例し
た速度、言い換れば７オＦレジストの単位厚み当りの紫
外線の眉射時間を一定にする速度で、試料及びフォトマ
スクとからなる被照射物又は紫外線の照射源のどちらか
一方を移動させることにより、該試料全域に亘って均一
な露光ができる方法を提供するものである。
全域を露光させる装置を使用して該試料の紫外線の照射
されている位置の７オＦレジストの厚さにほぼ反比例し
た速度、言い換れば７オＦレジストの単位厚み当りの紫
外線の眉射時間を一定にする速度で、試料及びフォトマ
スクとからなる被照射物又は紫外線の照射源のどちらか
一方を移動させることにより、該試料全域に亘って均一
な露光ができる方法を提供するものである。
次に本発明の実施例を図を用いて説明する。
第１図は整合されたフォトマスクと試料との上を紫外線
の照射源が走行する蓋の露光装置の概略図、第２図はス
ピンフート法で塗布された代表的な試料上の７オトレジ
ストの厚みの分布を示す図。
の照射源が走行する蓋の露光装置の概略図、第２図はス
ピンフート法で塗布された代表的な試料上の７オトレジ
ストの厚みの分布を示す図。
第３図は第２ｍのＸ Ｘ／に於けるフォトレジストの
厚みを断面図示したもの％ｌ１１４図は第１図の装置に
よって８２図及び第３図に示した７オシレジスト厚のバ
ラツキに対して最適な露光をする為の照射源の移動速度
を示したものである。
厚みを断面図示したもの％ｌ１１４図は第１図の装置に
よって８２図及び第３図に示した７オシレジスト厚のバ
ラツキに対して最適な露光をする為の照射源の移動速度
を示したものである。
１ｓ１図に於いて、水銀灯、キセノンランプ等の紫外線
の発生源１１該発生源からの光を平行又は近似的に平行
な光にする光学系３、不要な際に紫外線が照射されるの
を防止する為のシャッター４等を内部に有した照射源１
は、該照射源１を移動させる例えばステッピングモータ
ー、直流モーター等の動力源５に連結された送りネジ６
にかみ合うメネジと、両端を支持具７に保持されたガイ
ド軸８０軸受とを内部に有した移動台９に取り付けられ
ている。
の発生源１１該発生源からの光を平行又は近似的に平行
な光にする光学系３、不要な際に紫外線が照射されるの
を防止する為のシャッター４等を内部に有した照射源１
は、該照射源１を移動させる例えばステッピングモータ
ー、直流モーター等の動力源５に連結された送りネジ６
にかみ合うメネジと、両端を支持具７に保持されたガイ
ド軸８０軸受とを内部に有した移動台９に取り付けられ
ている。
又該照射源からの光が照射される領域の所定位置には、
紫外線透過率の勝れた硝子板又はプラスチックフィルム
の下面に、試料に転写すべきパターンが描かれたフォト
マスクと、表面に７オトレジスＦが塗布された矩形状の
試料とが所定の位置で密着又は近接した状態でセッシさ
れている。
紫外線透過率の勝れた硝子板又はプラスチックフィルム
の下面に、試料に転写すべきパターンが描かれたフォト
マスクと、表面に７オトレジスＦが塗布された矩形状の
試料とが所定の位置で密着又は近接した状態でセッシさ
れている。
−カスビンコート法で塗布した試料上の７オトレジスト
の厚みは大略第２図及び第３図に示す如く、試料の回転
中心Ｏ付近は比較的均一に塗布され、外周Ａ、Ａ／付近
で急激に厚くなる傾向にある。
の厚みは大略第２図及び第３図に示す如く、試料の回転
中心Ｏ付近は比較的均一に塗布され、外周Ａ、Ａ／付近
で急激に厚くなる傾向にある。
しかし、フォトレジスト塗布時の試料の回転数。
フォトレジストの粘度等の条件を一定にしておけば不均
一なりにも塗布されたフォトレジスト厚の再現性は良い
といえる。
一なりにも塗布されたフォトレジスト厚の再現性は良い
といえる。
以上の如き厚みの不均一なフォトレジストを前述の構成
の装置に於いて均一なパターンを作成するには、照射源
からの照射される紫外４１１強度が一定の場合、最適露
光時間は７オＹレジスジ厚にほぼ比例するという事実か
ら、第４Ｆ！Ａに示す如くフォトレジスト厚の厚い試料
端部ムから７オシレジスト厚の薄い試料中心０に移動す
るに従って、フォトレジスト厚の変化量にほぼ反比例し
た速度変化で照射源の移動速度を上げ、逆に該試料中心
０から試料の他端部人′へは該照射源の移動速度を下げ
るべく動力源５を制御すればよい。
の装置に於いて均一なパターンを作成するには、照射源
からの照射される紫外４１１強度が一定の場合、最適露
光時間は７オＹレジスジ厚にほぼ比例するという事実か
ら、第４Ｆ！Ａに示す如くフォトレジスト厚の厚い試料
端部ムから７オシレジスト厚の薄い試料中心０に移動す
るに従って、フォトレジスト厚の変化量にほぼ反比例し
た速度変化で照射源の移動速度を上げ、逆に該試料中心
０から試料の他端部人′へは該照射源の移動速度を下げ
るべく動力源５を制御すればよい。
以上の如くスピンコード法で塗布した不均一なフォトレ
ジスト厚でも均一なパターンを作ることができ、これは
フォトマスクが安価に製作できるだけでなく、でき上が
った製品の品質に効果をもたらすに充分なものである。
ジスト厚でも均一なパターンを作ることができ、これは
フォトマスクが安価に製作できるだけでなく、でき上が
った製品の品質に効果をもたらすに充分なものである。
又本実施例では、最も７＃トレジスト厚の均一性Ｏｌｌ
いスピンコード法で塗布した試料に対して述べてきたが
、ｐ−ルコート法、スプレーコート沫で塗布した試料で
も効果があることは言う迄もない。
いスピンコード法で塗布した試料に対して述べてきたが
、ｐ−ルコート法、スプレーコート沫で塗布した試料で
も効果があることは言う迄もない。
第１図は本発明の実施例で使用する露光装置。
１ｍ２図はスピンコード法により試料上に塗布したフォ
トレジストの厚みを示す図、第３図は第２図のｘ−ｘ’
に於けるフォトレジストの断面図、第４図は試料の位置
による照射源の移動速度変化を示す図、である。 なお図に於いて、１・パ紫外線の照射源、１０・°゛試
料１１−・７オトマスク、人ｖ Ａ’・−・試料端面。 Ｏ・・・試料中心、である。 第１図 第Ｚ図
トレジストの厚みを示す図、第３図は第２図のｘ−ｘ’
に於けるフォトレジストの断面図、第４図は試料の位置
による照射源の移動速度変化を示す図、である。 なお図に於いて、１・パ紫外線の照射源、１０・°゛試
料１１−・７オトマスク、人ｖ Ａ’・−・試料端面。 Ｏ・・・試料中心、である。 第１図 第Ｚ図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 数ミクロン乃至十数ミク胃ンの厚さの７オトレジストを
表面に形成した試料と、透明な硝子板又はプラスチック
フィルムの下面に、該試料に転写すべきパターンを形成
したフォトマスクとを密着又は近接した状態で固定した
被照射物と、水銀灯。 キ七ノンランプ等の光源からの光を平行又は平行に近い
光にする光学系を内部に備え、該被照射物に紫外線を照
射する照射源と、該被照射物又は該照射源のどちらか一
方を移動させる駆動装置とからなる露光装置に於いて、
該試料の紫外線の照射位置の７オトレジスト厚の変化に
ほぼ反比例した速度変化で該照射位置を該試料全域に亘
って走査する露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56098523A JPS58124A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56098523A JPS58124A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58124A true JPS58124A (ja) | 1983-01-05 |
Family
ID=14222015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56098523A Pending JPS58124A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58124A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4685014A (en) * | 1981-08-14 | 1987-08-04 | Computer Basic Technology Association | Production method of thin film magnetic head |
| JPH01132124A (ja) * | 1987-08-28 | 1989-05-24 | Teru Kyushu Kk | 露光方法及びその装置 |
| US7845855B2 (en) | 2007-04-13 | 2010-12-07 | Delaware Capital Formation, Inc. | Integral tilting pad bearing |
| US10677459B2 (en) | 2015-02-27 | 2020-06-09 | Taiyo Nippon Sanso Corporation | Gas fuel burner and method for heating with gas fuel burner |
-
1981
- 1981-06-25 JP JP56098523A patent/JPS58124A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4685014A (en) * | 1981-08-14 | 1987-08-04 | Computer Basic Technology Association | Production method of thin film magnetic head |
| JPH01132124A (ja) * | 1987-08-28 | 1989-05-24 | Teru Kyushu Kk | 露光方法及びその装置 |
| US7845855B2 (en) | 2007-04-13 | 2010-12-07 | Delaware Capital Formation, Inc. | Integral tilting pad bearing |
| US10677459B2 (en) | 2015-02-27 | 2020-06-09 | Taiyo Nippon Sanso Corporation | Gas fuel burner and method for heating with gas fuel burner |
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