JPS58123701A - 抵抗基板の製造方法 - Google Patents
抵抗基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS58123701A JPS58123701A JP626582A JP626582A JPS58123701A JP S58123701 A JPS58123701 A JP S58123701A JP 626582 A JP626582 A JP 626582A JP 626582 A JP626582 A JP 626582A JP S58123701 A JPS58123701 A JP S58123701A
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- Japan
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- resistor
- substrate
- metal
- forming
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- Pending
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、抵抗基板ＯＩｌ造方法に関する。
尭−ｏｔｘｖｎ的背景とその問題点
従来、混成集積回路装置等に広く使用されている抵抗体
は、凰ｘＯ２系の抵抗体積−ストをアル々ナセッ建ツク
等からなる基板の所定領域に印刷し、糖酸して形成され
えものである。このようＫして形成さ、れた抵抗体線、
耐熱性に優れてＴｈｅ、Ｌかも抵“抗値にも変動が少な
く安定した＊＊を有するが、貴金属系統のペーストを使
用するため製造＝ストが高い、製造コストを低減させる
ために、フェノール樹脂基板上に樹脂層を基礎にしてカ
ーーン抵抗体を形成したものが開発されている。このよ
うな抵抗体は、製造コストを低減させて、しかも比較的
低温（１５０〜２００℃）で形成できる利点を有するが
、基板自体の耐湿を高々ＳＯｃ＠度にしが保てない欠点
がある。
は、凰ｘＯ２系の抵抗体積−ストをアル々ナセッ建ツク
等からなる基板の所定領域に印刷し、糖酸して形成され
えものである。このようＫして形成さ、れた抵抗体線、
耐熱性に優れてＴｈｅ、Ｌかも抵“抗値にも変動が少な
く安定した＊＊を有するが、貴金属系統のペーストを使
用するため製造＝ストが高い、製造コストを低減させる
ために、フェノール樹脂基板上に樹脂層を基礎にしてカ
ーーン抵抗体を形成したものが開発されている。このよ
うな抵抗体は、製造コストを低減させて、しかも比較的
低温（１５０〜２００℃）で形成できる利点を有するが
、基板自体の耐湿を高々ＳＯｃ＠度にしが保てない欠点
がある。
これらの抵抗体の形成方法に代わるものとして、溶射に
よ）抵抗体を彫威する方法が一発されている。この溶射
による抵抗体。形成方法は、グクズマ涛射ガンと称せら
れる電極間に、不活性ガスと水素またはヘリウムＯｉ＆
合ガスを供給し、電極間に電気アークを発生させてガス
を励起させ、熱プラズマを生じさせる。この熱グツズ！
の発生し九炎の中に抵抗体Ｏ材料である粉体を導入して
溶かし、溶し九ｔまの状態で抵抗体の形成材料を基板上
Ｏ所定領域に付着させるものであムこＯような溶射技術
を採用し良紙抗体の形成方法は、基板としてプラスチッ
ク基板、セライック基板、絶縁された金属基板と多種類
のものを使用することができる。ｔた、所望のシート抵
抗を有する抵抗体を、空気中で基板上に広い面積で容易
に形成できるので、生産性を高めることができる。
よ）抵抗体を彫威する方法が一発されている。この溶射
による抵抗体。形成方法は、グクズマ涛射ガンと称せら
れる電極間に、不活性ガスと水素またはヘリウムＯｉ＆
合ガスを供給し、電極間に電気アークを発生させてガス
を励起させ、熱プラズマを生じさせる。この熱グツズ！
の発生し九炎の中に抵抗体Ｏ材料である粉体を導入して
溶かし、溶し九ｔまの状態で抵抗体の形成材料を基板上
Ｏ所定領域に付着させるものであムこＯような溶射技術
を採用し良紙抗体の形成方法は、基板としてプラスチッ
ク基板、セライック基板、絶縁された金属基板と多種類
のものを使用することができる。ｔた、所望のシート抵
抗を有する抵抗体を、空気中で基板上に広い面積で容易
に形成できるので、生産性を高めることができる。
而して、所望形状の抵抗体を基板上に溶射によ多形成す
る方法として次のものが採用されている。
る方法として次のものが採用されている。
■ 炎を発生する溶射ガン１を、基板２上に形成する抵
抗体３０形状に応じて所定幅で走査して抵抗体３を形成
する。（第１Ｅ参照）■ 基板２０表１ｉＫ所望の抵抗
体形成予定領域４が露出するように、抵抗体ＳＯ穏類ご
とに応じ九レジスト膜５を形成し、レジスト展ｓ上から
溶射ガンＩＫより全部に溶射を施す、（第Ｚ＠参照） ■ 基板２上に形成する所望の抵抗体３の形状、配置に
対応して一口ｓＣを形成したメタルマスク１を基板２に
対向して設け、これをマスクにして溶射ガンｌによ〉抵
抗体３を形成する。
抗体３０形状に応じて所定幅で走査して抵抗体３を形成
する。（第１Ｅ参照）■ 基板２０表１ｉＫ所望の抵抗
体形成予定領域４が露出するように、抵抗体ＳＯ穏類ご
とに応じ九レジスト膜５を形成し、レジスト展ｓ上から
溶射ガンＩＫより全部に溶射を施す、（第Ｚ＠参照） ■ 基板２上に形成する所望の抵抗体３の形状、配置に
対応して一口ｓＣを形成したメタルマスク１を基板２に
対向して設け、これをマスクにして溶射ガンｌによ〉抵
抗体３を形成する。
（第３ｖＡ参照）
しかしながら、■Ｏ手段によるものでは、溶射ガン１０
走査を抵抗体３の形状に応じて極めて高い精度で制御し
なければならず、コンビーータコントロール等の煩雑な
操作を必要とする。
走査を抵抗体３の形状に応じて極めて高い精度で制御し
なければならず、コンビーータコントロール等の煩雑な
操作を必要とする。
ｔた、溶射ガン１を走査した際に抵抗体３の形成材料か
飛散し、高い形状精度で抵抗体３を形成で亀ない。
飛散し、高い形状精度で抵抗体３を形成で亀ない。
■の手段によるものでは、形成する抵抗体３０種類とと
にレジス１１の形成、剥離操作金必要とし極めて生産性
が悪い。
にレジス１１の形成、剥離操作金必要とし極めて生産性
が悪い。
■の手段によるものでは、メタルマスク１ｆ：マスクに
して溶射ガン１の走査を容易にし、作業性を向上させる
ことができるが、メタルマスク１を使用するために開口
部ｇｏ周囲で滲みが生じ、高い形状精度で抵抗体Ｊを形
成できない。
して溶射ガン１の走査を容易にし、作業性を向上させる
ことができるが、メタルマスク１を使用するために開口
部ｇｏ周囲で滲みが生じ、高い形状精度で抵抗体Ｊを形
成できない。
発明の目的
本発明は、基板上に多種Ｉ［Ｏシート抵抗値を有する複
数個の抵抗体を、高い形状精度で且つ高歩ｗｐの下に、
溶射法を用いて容易に形成することがで亀る抵抗基板の
製造方法を提供することをその目的とするものである。
数個の抵抗体を、高い形状精度で且つ高歩ｗｐの下に、
溶射法を用いて容易に形成することがで亀る抵抗基板の
製造方法を提供することをその目的とするものである。
発明の概要
本発明は、基板に形成すゐ全ての抵抗体の抵抗体形成予
定領域が露出するようにしレジスト膜を形成し、次いで
、この抵抗体形成予定領域のうちの所定のシート抵抗値
のもＯ毎に対応した形状と配置で５開口部を形成したメ
タルマスクを複数枚用意し、これらのメタルマスクを順
次使用して溶射法により、高い形状精度で、かつ高歩留
９の下に所望の抵抗体を形成できるようにした抵抗基板
の製造方法である。
定領域が露出するようにしレジスト膜を形成し、次いで
、この抵抗体形成予定領域のうちの所定のシート抵抗値
のもＯ毎に対応した形状と配置で５開口部を形成したメ
タルマスクを複数枚用意し、これらのメタルマスクを順
次使用して溶射法により、高い形状精度で、かつ高歩留
９の下に所望の抵抗体を形成できるようにした抵抗基板
の製造方法である。
発Ｗ１４ｏ実施例
第４Ｅ乃至第６図を参照して本発明の実り例を１！明す
る。
る。
先ず、第４図に示す如く、絶縁基板ＸＯＯ表面に、全て
の抵抗体形成予定領域１１ａ・・・ｌｉｇが露出するよ
うに所定Ｏ膜厚でレジスト膜１２を形成する。ここで、
絶縁基板１０としては、グラスチック基体、竜う宅ツク
基体、絶縁された金属基体からなるもの等を使用し、特
に金属基体上にセラミック絶縁層を形成し良ものを使用
するのが望ましい。
の抵抗体形成予定領域１１ａ・・・ｌｉｇが露出するよ
うに所定Ｏ膜厚でレジスト膜１２を形成する。ここで、
絶縁基板１０としては、グラスチック基体、竜う宅ツク
基体、絶縁された金属基体からなるもの等を使用し、特
に金属基体上にセラミック絶縁層を形成し良ものを使用
するのが望ましい。
次いで、１８５図に示す如く、抵抗体形成予定領域ＪＪ
ａ・・・Ｉｌｂのうちの所定のシート抵抗値を有するｔ
のの形状、配置に応じて開口部１１１′を形成し九メタ
ルｉスク１３を用意する。
ａ・・・Ｉｌｂのうちの所定のシート抵抗値を有するｔ
のの形状、配置に応じて開口部１１１′を形成し九メタ
ルｉスク１３を用意する。
このメタルマスク１３をマスクにして周知の溶射ガン（
図示せず）Ｋよシ、所定の抵抗体形成材料を選択的に溶
射せしめる。ここで、開口部１１１′の大きさは、レジ
ストｊｉ！ｉ［１２に対するメタルマスク１２の合わせ
ずれを考慮して、皇田された抵抗体形成予定領域１１ｍ
・・・Ｉｌｅよシも僅に大きくしておくのが望ましい。
図示せず）Ｋよシ、所定の抵抗体形成材料を選択的に溶
射せしめる。ここで、開口部１１１′の大きさは、レジ
ストｊｉ！ｉ［１２に対するメタルマスク１２の合わせ
ずれを考慮して、皇田された抵抗体形成予定領域１１ｍ
・・・Ｉｌｅよシも僅に大きくしておくのが望ましい。
次いで、第６図に示す如く、抵抗体形成予定領域１１ｍ
・・・１１＠のうちの前述のものとは異なるシート抵抗
値の抵抗体が形成されるものの形状、配置に対応した開
口部１１ｂ′を形成したメタルマスター４を用意する。
・・・１１＠のうちの前述のものとは異なるシート抵抗
値の抵抗体が形成されるものの形状、配置に対応した開
口部１１ｂ′を形成したメタルマスター４を用意する。
このメタルマスク１４をマスクにして前述と同様に溶射
ガンを用いて所定の抵抗体形成材料を選択的に溶射せし
、める。
ガンを用いて所定の抵抗体形成材料を選択的に溶射せし
、める。
以下、同様の操作を繰）返して全ての抵抗体形成予定領
域１１１・・・Ｉｌｅに、所望のシート抵抗値を有する
抵抗体を形成する。然る後、レジス１１２を所定の溶剤
で除去して、複数個の抵抗体が形成されえ抵抗基板を得
る。
域１１１・・・Ｉｌｅに、所望のシート抵抗値を有する
抵抗体を形成する。然る後、レジス１１２を所定の溶剤
で除去して、複数個の抵抗体が形成されえ抵抗基板を得
る。
このようにこの抵抗基板の製造方法によれば、レジスト
膜１２の形成処理は１回で良いので、・：１゜ 生産性を著しく向上させることができる。また、抵抗体
の形状は、レジスト膜１２に形成した抵抗体形成予定領
域ＪＪａ・・・１１・の形状と、メタルマスク１３．１
４の開口＠１１＊’・・・１１ｃ′の形状に規制されて
決定されるので、極めて為い形状精度のものにすること
ができる。
膜１２の形成処理は１回で良いので、・：１゜ 生産性を著しく向上させることができる。また、抵抗体
の形状は、レジスト膜１２に形成した抵抗体形成予定領
域ＪＪａ・・・１１・の形状と、メタルマスク１３．１
４の開口＠１１＊’・・・１１ｃ′の形状に規制されて
決定されるので、極めて為い形状精度のものにすること
ができる。
次に、本発＄１０効果を確認するために行った実験例に
ついて説明する。
ついて説明する。
第４図に示す如く、大きさが３３０Ｘ３３０ｕ＋。
厚さが２■Ｏアルミニウムからなる金属基体の時間以内
にその表面に、グッズマ溶射装置で粒径がｌθ〜４０μ
漢のムｔ２０．の粉末を厚さが１００〜１５０μ鋼にな
るまで堆積せしめてセラミック絶縁層を形成する。この
ようにして得られた絶縁基板１０の表面に、周知の印刷
技術を用いて全ての抵抗体形成予定領域１１ａ・・・Ｉ
ｌｃが露出されたレジスト膜１２を形成し、これを１２
０℃の温度で１０分間・、乾燥させる。
にその表面に、グッズマ溶射装置で粒径がｌθ〜４０μ
漢のムｔ２０．の粉末を厚さが１００〜１５０μ鋼にな
るまで堆積せしめてセラミック絶縁層を形成する。この
ようにして得られた絶縁基板１０の表面に、周知の印刷
技術を用いて全ての抵抗体形成予定領域１１ａ・・・Ｉ
ｌｃが露出されたレジスト膜１２を形成し、これを１２
０℃の温度で１０分間・、乾燥させる。
１弔
次いで、第５図に示す如く、抵抗体形成予定領域１１ｍ
・・・ｌｌｃのうちのシート抵抗値が１０Ω／ ｏ ｃ
Ｑ抵抗体が形成されるものに対応して開口＠Ｉ１ｍ’を
設は九メタルマスク１ｓを用意する。このメタルマスク
１３をマスクにして溶射ガン（図示せず）を用いて、Ｎ
ｉ Ｃｒ ／Ａｔ２０３の混合物からなる抵抗体形成
材料を選択的に所定の抵抗体形成予定領域１１１に形成
する。次いで、同様に第６ｍに示す如く、シート抵抗値
が１００帖の抵抗体が形成されるｉ抗体形成予定領・域
１１ｂＫ対応して開口＠Ｉｌｂ’を設けたメタルマスク
１４をマスクにして、ＮｉＣｒ／ＡＡ２０゜の混合物か
らなる抵抗体形成材料を溶射する。
・・・ｌｌｃのうちのシート抵抗値が１０Ω／ ｏ ｃ
Ｑ抵抗体が形成されるものに対応して開口＠Ｉ１ｍ’を
設は九メタルマスク１ｓを用意する。このメタルマスク
１３をマスクにして溶射ガン（図示せず）を用いて、Ｎ
ｉ Ｃｒ ／Ａｔ２０３の混合物からなる抵抗体形成
材料を選択的に所定の抵抗体形成予定領域１１１に形成
する。次いで、同様に第６ｍに示す如く、シート抵抗値
が１００帖の抵抗体が形成されるｉ抗体形成予定領・域
１１ｂＫ対応して開口＠Ｉｌｂ’を設けたメタルマスク
１４をマスクにして、ＮｉＣｒ／ＡＡ２０゜の混合物か
らなる抵抗体形成材料を溶射する。
以下、同様の処理を繰）返して全てのシート抵抗値の抵
抗体を溶射法にて形成する。
抗体を溶射法にて形成する。
然る後、メチルアルコールによりレジスト膜１２を除去
し、所定パターンＯレジスト膜を形成して１２０℃の温
度で１０分間乾燥する。このレジスト膜管マスクにして
粒径が１０〜４０μｍの銅を選択的に溶射して、所定、
ｐＪ？ターンの抵抗体電極、及び導体層を形成した抵抗
基板を得た。
し、所定パターンＯレジスト膜を形成して１２０℃の温
度で１０分間乾燥する。このレジスト膜管マスクにして
粒径が１０〜４０μｍの銅を選択的に溶射して、所定、
ｐＪ？ターンの抵抗体電極、及び導体層を形成した抵抗
基板を得た。
得られた抵抗基板は、極めて高い形状精度で抵抗体が形
成されており、かつ、優れた耐熱特性を有することが確
認され良、ｔた、従来の抵抗基板の製造方法に比べて生
産性を著しく向上させることがで龜た。
成されており、かつ、優れた耐熱特性を有することが確
認され良、ｔた、従来の抵抗基板の製造方法に比べて生
産性を著しく向上させることがで龜た。
発明の詳細
な説明した如く、本発明に係る抵抗基板の製造方法によ
れば、基板上に多種類のシート抵抗値を有する複数個の
抵抗体を、高い形状精度で且つ高い生産性で溶射法を用
いて容易に形成することができるものである。
れば、基板上に多種類のシート抵抗値を有する複数個の
抵抗体を、高い形状精度で且つ高い生産性で溶射法を用
いて容易に形成することができるものである。
第１図乃至第３図は、従来方法にて抵抗体をた状態を示
す斜視図、第５図、及び第６図は、本発明方法にて用い
るメタルマスクの斜視図である。 １０・・・絶縁基板、Ｊ ｉ ａ ｐ Ｉ Ｊ ｂ ｅ
ｘ ｚ ｅ ・・・抵抗体形成予定領域、１１ｈ’
＋ １ ｌｂ’、１１ｃ’・・・開口部、１２・−レジ
スト膜、１１．１４・・・メタル！スタ。 出願人代理人 昇履士 鈴 江 武 彦１１９１ １４１１ 箇５図 １ＩＧ図 第１頁の続き ０発 萌 者 馬場英− 川崎市幸区小向東芝町１番地東 京芝浦電気株式会社総合研究所 内
す斜視図、第５図、及び第６図は、本発明方法にて用い
るメタルマスクの斜視図である。 １０・・・絶縁基板、Ｊ ｉ ａ ｐ Ｉ Ｊ ｂ ｅ
ｘ ｚ ｅ ・・・抵抗体形成予定領域、１１ｈ’
＋ １ ｌｂ’、１１ｃ’・・・開口部、１２・−レジ
スト膜、１１．１４・・・メタル！スタ。 出願人代理人 昇履士 鈴 江 武 彦１１９１ １４１１ 箇５図 １ＩＧ図 第１頁の続き ０発 萌 者 馬場英− 川崎市幸区小向東芝町１番地東 京芝浦電気株式会社総合研究所 内
Claims (2)
- （１）絶縁基板上に＃Ｉ＆杭体形威形成領域を複数個露
出せしめたレジスト膜を形成する工場と、前記抵抗体彫
威予定領域Ｏ所定Ｏ％ＯＫ対応する開口部を有するメタ
ルマスクを前記絶縁基板に対向して設置し、該メタルマ
スクｔマスクにして前記所定Ｏ抵抗体影威予定領域に所
望のシート抵抗を有する抵抗体を溶射により形成する工
程とを具備することを轡黴とする抵抗基板の製造方法。 - （２） 絶縁基板が、金属基体上に溶射によシセラミ
ック絶縁層を形成した４０であ返特許請求の範囲第１項
記載の抵抗基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP626582A JPS58123701A (ja) | 1982-01-19 | 1982-01-19 | 抵抗基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP626582A JPS58123701A (ja) | 1982-01-19 | 1982-01-19 | 抵抗基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58123701A true JPS58123701A (ja) | 1983-07-23 |
Family
ID=11633612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP626582A Pending JPS58123701A (ja) | 1982-01-19 | 1982-01-19 | 抵抗基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58123701A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10188032B2 (en) | 2014-06-16 | 2019-01-29 | Kubota Corporation | Mower with motor cooling |
-
1982
- 1982-01-19 JP JP626582A patent/JPS58123701A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10188032B2 (en) | 2014-06-16 | 2019-01-29 | Kubota Corporation | Mower with motor cooling |
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