JPH02126638A - 高解像度の導体パターンの形成 - Google Patents
高解像度の導体パターンの形成Info
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- JPH02126638A JPH02126638A JP1215854A JP21585489A JPH02126638A JP H02126638 A JPH02126638 A JP H02126638A JP 1215854 A JP1215854 A JP 1215854A JP 21585489 A JP21585489 A JP 21585489A JP H02126638 A JPH02126638 A JP H02126638A
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- Japan
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 title description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 14
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 abstract 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 resistor Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000035876 healing Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000135 prohibitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
- H05K2203/107—Using laser light
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
本発明はレーザーによる硬膜化に関する。特に、厚膜材
料に高解像度のパターンを形成する方法に関する。
料に高解像度のパターンを形成する方法に関する。
技術的背景
スウィッチ可能な基体上にマイクロ電子回路用の抵抗体
や導体パターンのような厚膜パターンを設けるための方
法は数多く存在する。電気的なパターンを付与するには
蒸着や、スパッタリングや、フォトレジストエツチング
のような様々な薄膜法が知られている。また、基体上に
導電性インキを所望のパターンにシルクスクリーニング
、基体を定着処理し、それからパターンを所望の仕様に
レーザートリミングするような厚膜法も知られている。
や導体パターンのような厚膜パターンを設けるための方
法は数多く存在する。電気的なパターンを付与するには
蒸着や、スパッタリングや、フォトレジストエツチング
のような様々な薄膜法が知られている。また、基体上に
導電性インキを所望のパターンにシルクスクリーニング
、基体を定着処理し、それからパターンを所望の仕様に
レーザートリミングするような厚膜法も知られている。
この方法は加工のために正確な条件下に維持された適切
な気体またはその他の化合物を収容したチャンバーを必
要とする。シリコン自体を加熱するだけでは所望の結果
をもたらさない。別の例としては、シリコン表面に適切
なパワーのレーザービームを選択的に導いてシリコンを
局部的に加熱し、そして表面の加熱部分に対応したパタ
ーンで金属導電性被膜を沈析させることによって、シリ
コン基体上に導電性パターンを付着させることができる
。
な気体またはその他の化合物を収容したチャンバーを必
要とする。シリコン自体を加熱するだけでは所望の結果
をもたらさない。別の例としては、シリコン表面に適切
なパワーのレーザービームを選択的に導いてシリコンを
局部的に加熱し、そして表面の加熱部分に対応したパタ
ーンで金属導電性被膜を沈析させることによって、シリ
コン基体上に導電性パターンを付着させることができる
。
従来の方法には様々な困難がある。例えば、非平坦表面
上にパターンをスクリーン印刷することは不可能でない
としても、非常に困難である。また、薄膜法は材料的に
も技術的にも比較的経費がかかる。他方、厚膜法は通常
、比較的低い解像度を呈する。また、レーザーを使用し
て必要なパターン以外の全てを焼き尽くす方法は高パワ
ーレーザーの比較的高価で法外な使用を必要とし、そし
てこのプロセスは比較的遅い。
上にパターンをスクリーン印刷することは不可能でない
としても、非常に困難である。また、薄膜法は材料的に
も技術的にも比較的経費がかかる。他方、厚膜法は通常
、比較的低い解像度を呈する。また、レーザーを使用し
て必要なパターン以外の全てを焼き尽くす方法は高パワ
ーレーザーの比較的高価で法外な使用を必要とし、そし
てこのプロセスは比較的遅い。
従って、本発明の目的は抵抗体、導体、および絶縁体を
レーザーによって形成するための新規な改善された方法
を提供することであり、特に、厚膜材料を使用して非平
坦表面上にパターンを付与するための比較的経済的な方
法を提供することであり、それでいてなお比較的高い解
像度をもたらすことである。本発明のさらに別の利点は
以下の記述から明らかになろう。また、本発明の特徴は
特に本明細書に添えられその一部を成している特許請求
の範囲の項に規定されている。
レーザーによって形成するための新規な改善された方法
を提供することであり、特に、厚膜材料を使用して非平
坦表面上にパターンを付与するための比較的経済的な方
法を提供することであり、それでいてなお比較的高い解
像度をもたらすことである。本発明のさらに別の利点は
以下の記述から明らかになろう。また、本発明の特徴は
特に本明細書に添えられその一部を成している特許請求
の範囲の項に規定されている。
発明の概要
簡単に言うと、本発明は基体上に均一に被覆され有機塗
布溶剤を除去するためにオーブン乾燥された適切な厚膜
抵抗体または導体材料を局部的に硬化させるために適切
なレーザービームを当てることによって、非平坦表面上
に高解像度の抵抗体または導体パターンを発生させる技
術である。パターンは被覆基体を横切ってレーザービー
ムを走査させることによって、または固定したレーザー
ビームを使用し基体をコンピュタ−制御によって移動さ
せることによって発生させられる。厚膜被膜はレーザー
ビームによって露光されたところが硬化して基体に接着
する。露光されなかった被膜材料はアルコールまたはそ
の他の適する溶剤の中で洗うことによって、または結合
されなかった材料を取り除くことができるその他の方法
によって、容易に除去される。パターンが露光され現像
されたら、残留厚膜材料は常態で操作可能な特性を確保
するために適切な時間−温度関係で焼成される。
布溶剤を除去するためにオーブン乾燥された適切な厚膜
抵抗体または導体材料を局部的に硬化させるために適切
なレーザービームを当てることによって、非平坦表面上
に高解像度の抵抗体または導体パターンを発生させる技
術である。パターンは被覆基体を横切ってレーザービー
ムを走査させることによって、または固定したレーザー
ビームを使用し基体をコンピュタ−制御によって移動さ
せることによって発生させられる。厚膜被膜はレーザー
ビームによって露光されたところが硬化して基体に接着
する。露光されなかった被膜材料はアルコールまたはそ
の他の適する溶剤の中で洗うことによって、または結合
されなかった材料を取り除くことができるその他の方法
によって、容易に除去される。パターンが露光され現像
されたら、残留厚膜材料は常態で操作可能な特性を確保
するために適切な時間−温度関係で焼成される。
好ましい態様
一般に本発明によれば、適する厚膜材料が浸漬塗布、ド
クター塗布、またはその他の適する方法によって基体上
に均一に適用される。それから、被覆基体は有機溶剤を
被膜から除去するためにオーブン乾燥される。パターン
は被覆基体を横切ってレーザービームを走査させること
による集束CO2レーザ−ビームによって(ビーム直径
、走査速度、およびレーザーパワーに依存する線幅をも
って)発生する。パターンはアルゴン−イオンレーザ−
ビームのようなその他の適するあらゆるレーザーによっ
ても発生できることに留、らすべきである。被膜はレー
ザービームによって露光されたところでは基体に接着す
るようになる。露光されなかった被膜材料はアルコール
のような適切な溶剤中で洗うことによって容易に除去さ
れる(そして再被覆性になってもよい)。パターンが露
光され「現像」されたら、残されたパターン状厚膜材料
は常態で操作可能な特性を確保するためには、材料製造
元によって特定された時間−温度関係で焼成される。(
代表的な厚膜焼成温度は300〜850℃の範囲である
。) 本発明をより良く理解するために、図面を参考にしなが
ら説明する。同じような部分には同一符号を符しである
。
クター塗布、またはその他の適する方法によって基体上
に均一に適用される。それから、被覆基体は有機溶剤を
被膜から除去するためにオーブン乾燥される。パターン
は被覆基体を横切ってレーザービームを走査させること
による集束CO2レーザ−ビームによって(ビーム直径
、走査速度、およびレーザーパワーに依存する線幅をも
って)発生する。パターンはアルゴン−イオンレーザ−
ビームのようなその他の適するあらゆるレーザーによっ
ても発生できることに留、らすべきである。被膜はレー
ザービームによって露光されたところでは基体に接着す
るようになる。露光されなかった被膜材料はアルコール
のような適切な溶剤中で洗うことによって容易に除去さ
れる(そして再被覆性になってもよい)。パターンが露
光され「現像」されたら、残されたパターン状厚膜材料
は常態で操作可能な特性を確保するためには、材料製造
元によって特定された時間−温度関係で焼成される。(
代表的な厚膜焼成温度は300〜850℃の範囲である
。) 本発明をより良く理解するために、図面を参考にしなが
ら説明する。同じような部分には同一符号を符しである
。
第1図および第2図を参考にして説明すると、従来の厚
膜法または本発明の方法によって製造された代表的なパ
ターン形成された基体が示されている。詳しくは、パタ
ーン12および14はシルクスクリーニング、溶着、ま
たはその他の適する方法によって基体16に適用される
。パターン12および14は金属トレース(+「ace
) 、抵抗被膜、または導体、抵抗体、絶縁体、もしく
はあらゆる好ましい電気的素子もしくは接続を提供する
あらゆる材料であることができる。第2図は基体上に設
けられるべき他のパターンまたは層からパターン12お
よび14を仕切るためのガラス18またはその他の的す
る絶縁体材料の層を図解している。図示されているよう
に、ガラス1日の層はその下に横たわる厚膜構造体のせ
いで、20a。
膜法または本発明の方法によって製造された代表的なパ
ターン形成された基体が示されている。詳しくは、パタ
ーン12および14はシルクスクリーニング、溶着、ま
たはその他の適する方法によって基体16に適用される
。パターン12および14は金属トレース(+「ace
) 、抵抗被膜、または導体、抵抗体、絶縁体、もしく
はあらゆる好ましい電気的素子もしくは接続を提供する
あらゆる材料であることができる。第2図は基体上に設
けられるべき他のパターンまたは層からパターン12お
よび14を仕切るためのガラス18またはその他の的す
る絶縁体材料の層を図解している。図示されているよう
に、ガラス1日の層はその下に横たわる厚膜構造体のせ
いで、20a。
20b、20c、および20dで示されているような非
平坦な又は波打った表面を呈する。この非平坦表面は次
のパターン層の付与をかなり困難なものにする。例えば
、非平坦表面18の上に複雑な高解像度のパターンをシ
ルクスクリーニングすることは非常に困難であろう。
平坦な又は波打った表面を呈する。この非平坦表面は次
のパターン層の付与をかなり困難なものにする。例えば
、非平坦表面18の上に複雑な高解像度のパターンをシ
ルクスクリーニングすることは非常に困難であろう。
本発明によれば、第3図および第4図を参考にして、非
平坦表面18の上にパターンを容易にかつ鮮鋭に形成す
る方法が例証される。まず、適切な厚膜材料が適切な方
法によって層22を形成するように表面18に均一に適
用される。それから層22は有機塗被溶剤を除去するた
めにオーブン乾燥される。次に、集束CO2レーザービ
ーム26によって、層22を横切ってレーザービーム2
6を走査させることによって、パターン24が生成され
る。レーザービームによって露光されたところのパター
ン24は基体に接着する。層22の露光されなかった部
分lよアルコール中で洗うことによって除去され、その
結果、第4図に示されているように、表面18の上に支
持されたパターン28が得られる。パターンが露光され
「現像」されたら、それは適切な時間−温度関係に従っ
て焼成される。パターン28は表面18の波および非平
坦部分に順応していることに留意すべきである。
平坦表面18の上にパターンを容易にかつ鮮鋭に形成す
る方法が例証される。まず、適切な厚膜材料が適切な方
法によって層22を形成するように表面18に均一に適
用される。それから層22は有機塗被溶剤を除去するた
めにオーブン乾燥される。次に、集束CO2レーザービ
ーム26によって、層22を横切ってレーザービーム2
6を走査させることによって、パターン24が生成され
る。レーザービームによって露光されたところのパター
ン24は基体に接着する。層22の露光されなかった部
分lよアルコール中で洗うことによって除去され、その
結果、第4図に示されているように、表面18の上に支
持されたパターン28が得られる。パターンが露光され
「現像」されたら、それは適切な時間−温度関係に従っ
て焼成される。パターン28は表面18の波および非平
坦部分に順応していることに留意すべきである。
レーザーパワー1ワツトおよび走査速度2■/秒は代表
的なものである。線幅は集束レーザービーム直径(〜2
50μ)によって決まる。線は一様であり、そしてレー
ザービームの作用によって基体に強く接着する。本発明
によれば、焦点距離275胴のレンズを使用することに
よって250μの線を、そして焦点距離125薗のレン
ズを使用することによって175μの線を発生させるこ
とができる。どちらの場合も、線幅は系F#(焦点距離
/そのレンズでのビーム直径の比)によって決まるレー
ザービーム直径にほぼ等しい。最終解像度は吸光性の被
膜および基体における熱エネルギーのいくらかの拡散に
対する許容度をもって、回折限定レーザースポットサイ
ズ(代表的なTEMOOCO2レーザーでは〜50μ未
満)によって制限されると考えられる。約5μのサイズ
のレーザースポットはアルゴンレーザーによって達成で
きたことに注目すべきである。また、このプロセスは導
体、抵抗体、絶縁体、およびその他のあらゆる厚膜材料
に適用可能である。
的なものである。線幅は集束レーザービーム直径(〜2
50μ)によって決まる。線は一様であり、そしてレー
ザービームの作用によって基体に強く接着する。本発明
によれば、焦点距離275胴のレンズを使用することに
よって250μの線を、そして焦点距離125薗のレン
ズを使用することによって175μの線を発生させるこ
とができる。どちらの場合も、線幅は系F#(焦点距離
/そのレンズでのビーム直径の比)によって決まるレー
ザービーム直径にほぼ等しい。最終解像度は吸光性の被
膜および基体における熱エネルギーのいくらかの拡散に
対する許容度をもって、回折限定レーザースポットサイ
ズ(代表的なTEMOOCO2レーザーでは〜50μ未
満)によって制限されると考えられる。約5μのサイズ
のレーザースポットはアルゴンレーザーによって達成で
きたことに注目すべきである。また、このプロセスは導
体、抵抗体、絶縁体、およびその他のあらゆる厚膜材料
に適用可能である。
また、レーザー結像用レンズの妥当な焦点深度特性は下
に横たわる基体によって生じた階段を覆って導電性トレ
ース、抵抗体、または絶縁体が形成されなければならな
い多層構造の容易な加工を可能にすることに注目すべき
である。これはシルクスクリーンでは高解像度で遂行す
ることが実際上不可能である。何故ならば、正確にイン
キが付着するべき領域を規定するためにはスクリーンが
十分に基体に密着しなければならないからである。
に横たわる基体によって生じた階段を覆って導電性トレ
ース、抵抗体、または絶縁体が形成されなければならな
い多層構造の容易な加工を可能にすることに注目すべき
である。これはシルクスクリーンでは高解像度で遂行す
ることが実際上不可能である。何故ならば、正確にイン
キが付着するべき領域を規定するためにはスクリーンが
十分に基体に密着しなければならないからである。
レーザー法によればスクリーンが省かれ、実験的なおよ
びプロトタイプのパターンの迅速な変更再設計が可能に
なる。インターアクティブコンピュタ−システムを使用
して、不要な付着を融除すること(これ等インキは常套
的にレーザートリミングされる)によって又は損傷領域
を選択的に再被覆することによって「修復Jを行うシス
テムは本4゜ 発明の範囲に包含される。
びプロトタイプのパターンの迅速な変更再設計が可能に
なる。インターアクティブコンピュタ−システムを使用
して、不要な付着を融除すること(これ等インキは常套
的にレーザートリミングされる)によって又は損傷領域
を選択的に再被覆することによって「修復Jを行うシス
テムは本4゜ 発明の範囲に包含される。
現時点で本発明の好ましい態様であると思われるものを
例示的に示したが、当業者には多数の変形が明らかにな
るであろう。そして本願の特許請求の範囲は本発明の思
想に包含されるこれ等変形をカバーするものである。
例示的に示したが、当業者には多数の変形が明らかにな
るであろう。そして本願の特許請求の範囲は本発明の思
想に包含されるこれ等変形をカバーするものである。
第1図および第2図は代表的な先行技術の製品およびオ
ーバーコートを示す。 第3図および第4図は本発明によって生成されたオーバ
ーレイの高解像パターンの例示である。
ーバーコートを示す。 第3図および第4図は本発明によって生成されたオーバ
ーレイの高解像パターンの例示である。
Claims (1)
- (1)基体の非平坦表面を厚膜材料で被覆し、被膜を乾
燥して有機塗布溶剤を除去し、 発生パターンを溶剤不溶性にするのに十分なパワーをも
つたレーザービームを、前記被覆基体を横切つて走査さ
せることによつて、基体上にパターンを発生させ、 基体に溶剤を適用して余分の厚膜材料を洗除して、レー
ザーによつて発生したパターンを残し、そして 基体を焼いてパターンを基体に定着させる 諸工程からなる、基体の非平坦表面上に電気的性質を有
する硬化パターンをレーザーによつて形成する方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/237,804 US4942110A (en) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | High resolution conductor patterning |
US237804 | 1994-05-04 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02126638A true JPH02126638A (ja) | 1990-05-15 |
Family
ID=22895258
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1215854A Pending JPH02126638A (ja) | 1988-08-29 | 1989-08-22 | 高解像度の導体パターンの形成 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4942110A (ja) |
JP (1) | JPH02126638A (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03297102A (ja) * | 1990-04-17 | 1991-12-27 | Cmk Corp | プリント配線板におけるカーボン抵抗体の形成方法 |
DE4029522A1 (de) * | 1990-09-18 | 1992-03-19 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur herstellung von leitfaehigen strukturen in dickschichttechnik |
JPH05504422A (ja) * | 1990-11-30 | 1993-07-08 | イーストマン・コダック・カンパニー | 移動画像形成システム |
US5227265A (en) * | 1990-11-30 | 1993-07-13 | Eastman Kodak Company | Migration imaging system |
WO1993004411A1 (en) * | 1991-08-16 | 1993-03-04 | Eastman Kodak Company | Migration imaging with dyes or pigments to effect bleaching |
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