JPH0389544A - 厚膜回路基板の製造方法 - Google Patents
厚膜回路基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH0389544A JPH0389544A JP1226284A JP22628489A JPH0389544A JP H0389544 A JPH0389544 A JP H0389544A JP 1226284 A JP1226284 A JP 1226284A JP 22628489 A JP22628489 A JP 22628489A JP H0389544 A JPH0389544 A JP H0389544A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- paste
- thick film
- laser beam
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 35
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 31
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 14
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/4664—Adding a circuit layer by thick film methods, e.g. printing techniques or by other techniques for making conductive patterns by using pastes, inks or powders
- H05K3/4667—Adding a circuit layer by thick film methods, e.g. printing techniques or by other techniques for making conductive patterns by using pastes, inks or powders characterized by using an inorganic intermediate insulating layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/027—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed by irradiation, e.g. by photons, alpha or beta particles
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0137—Materials
- H05K2201/017—Glass ceramic coating, e.g. formed on inorganic substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/08—Treatments involving gases
- H05K2203/082—Suction, e.g. for holding solder balls or components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
- H05K3/0026—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation
- H05K3/0029—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation of inorganic insulating material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は厚膜回路基板の製造方法に関するものである。
従来の技術
電子機器製品の小型化、高信頼性化のためにセラミック
基板上に厚膜回路を焼付けて製造する厚膜回路基板が注
目されている。
基板上に厚膜回路を焼付けて製造する厚膜回路基板が注
目されている。
このような厚膜回路基板の製造方法としては、通常スク
リーン印刷法が用−いられている、この方法は、金属又
はプラスチックのメツシュに感光性樹脂を塗布し、所定
のパターンを形成したフォトマスクを通して光を当てて
樹脂を露光、現像し、所定のパターンを有する印刷用ス
クリーンを予め作製しておく、そして、このスクリーン
を通してセラミック基板上にＡｇ／Ｐｄ、Ｃｕ等の導体
、又はガラス等の絶縁体の厚膜ペーストを印刷塗布し、
所定の厚膜ペーストパターンを形成する。厚膜ペースト
は、例えば導体であれば、Ａｇ／ＰｄやＣｕ等の金属粒
子と有機物であるビヒクルと特性向上のための金属・無
機添加物と粘度調整用としての有機系希釈剤から構成さ
れている。その後１００℃〜１８０℃で乾燥し、約８０
０ ’Ｃ〜１０００°Ｃで焼成している。
リーン印刷法が用−いられている、この方法は、金属又
はプラスチックのメツシュに感光性樹脂を塗布し、所定
のパターンを形成したフォトマスクを通して光を当てて
樹脂を露光、現像し、所定のパターンを有する印刷用ス
クリーンを予め作製しておく、そして、このスクリーン
を通してセラミック基板上にＡｇ／Ｐｄ、Ｃｕ等の導体
、又はガラス等の絶縁体の厚膜ペーストを印刷塗布し、
所定の厚膜ペーストパターンを形成する。厚膜ペースト
は、例えば導体であれば、Ａｇ／ＰｄやＣｕ等の金属粒
子と有機物であるビヒクルと特性向上のための金属・無
機添加物と粘度調整用としての有機系希釈剤から構成さ
れている。その後１００℃〜１８０℃で乾燥し、約８０
０ ’Ｃ〜１０００°Ｃで焼成している。
又、回路基板の高密度化のために多層化する場合には、
第６図に示すように、基板３１上に導体厚膜ペーストの
印刷−乾燥一焼成を行って回路パターン３２を形成した
後、通孔形成パターンを有するスクリーンを用いて絶縁
体厚膜ペーストの印刷−乾燥一焼成を行って通孔３４を
備えた絶縁膜３３を形成し、さらにその上に上記と同様
に回路パターン３５を形成するという工程を繰り返して
いる。
第６図に示すように、基板３１上に導体厚膜ペーストの
印刷−乾燥一焼成を行って回路パターン３２を形成した
後、通孔形成パターンを有するスクリーンを用いて絶縁
体厚膜ペーストの印刷−乾燥一焼成を行って通孔３４を
備えた絶縁膜３３を形成し、さらにその上に上記と同様
に回路パターン３５を形成するという工程を繰り返して
いる。
ところが、このようなスクリーン印刷法では、回路パタ
ーン毎にスクリーンを必要とし、このスクリーンの作威
には所望のパターンと等しいフォトマスクを作成する必
要があるため、パターンの修正と変更に対して新たなフ
ォトマスクを作威しなければならず、コスト高になると
いう問題がある。又、スクリーンを使用するため、回路
パターンの幅を十分に小さくできず、高密度配線が困難
であるという問題がある。即ち、必要な導体や絶縁体の
厚さ、スクリーンの繰り返し寿命等の観点から現状では
約１５０〜３００メツシユ程度のスクリーンを使用して
おり、その場合は回路の線幅、線間はＯ，１５ｍ５程度
が量産の限界値である。
ーン毎にスクリーンを必要とし、このスクリーンの作威
には所望のパターンと等しいフォトマスクを作成する必
要があるため、パターンの修正と変更に対して新たなフ
ォトマスクを作威しなければならず、コスト高になると
いう問題がある。又、スクリーンを使用するため、回路
パターンの幅を十分に小さくできず、高密度配線が困難
であるという問題がある。即ち、必要な導体や絶縁体の
厚さ、スクリーンの繰り返し寿命等の観点から現状では
約１５０〜３００メツシユ程度のスクリーンを使用して
おり、その場合は回路の線幅、線間はＯ，１５ｍ５程度
が量産の限界値である。
又、多層回路基板の場合、その絶縁膜に０．３問以下の
微小な通孔を形成するのは困難であり、高密度化の障害
となるという問題があった。
微小な通孔を形成するのは困難であり、高密度化の障害
となるという問題があった。
そこで、特公昭５９−２９１６０号公報や特開昭６１−
２９０７９６号公報には、レーザビーム加工によりこの
ような問題を解消する厚膜回路基板の製造方法が開示さ
れている。その方法は、第７図に示すように、基板上に
厚膜ペーストを塗布し、この厚膜ペーストにレーザビー
ムを回路パターンに対応するパターンで照射して仮焼威
し、その後レーザビーム未照射部の厚膜ペーストを溶融
除去して所定のパターンを形成し、次いで炉中で本焼成
している。
２９０７９６号公報には、レーザビーム加工によりこの
ような問題を解消する厚膜回路基板の製造方法が開示さ
れている。その方法は、第７図に示すように、基板上に
厚膜ペーストを塗布し、この厚膜ペーストにレーザビー
ムを回路パターンに対応するパターンで照射して仮焼威
し、その後レーザビーム未照射部の厚膜ペーストを溶融
除去して所定のパターンを形成し、次いで炉中で本焼成
している。
又、多層回路基板の場合には、上記のように回路パター
ンを形成した後、その上に厚膜絶縁ペーストを塗布し、
炉中で焼成し、その後レーザビームを用いて通孔を形成
している。
ンを形成した後、その上に厚膜絶縁ペーストを塗布し、
炉中で焼成し、その後レーザビームを用いて通孔を形成
している。
又、特開昭６１−１９４７５９号公報には、基板に厚膜
ペーストを塗布し、乾燥、焼成を行った後にレーザビー
ムを照射し、レーザビーム照射部の焼成膜を除去するこ
とで所定の回路パターンを形成する厚膜回路基板の製造
方法が開示されている。
ペーストを塗布し、乾燥、焼成を行った後にレーザビー
ムを照射し、レーザビーム照射部の焼成膜を除去するこ
とで所定の回路パターンを形成する厚膜回路基板の製造
方法が開示されている。
発明が解決しようとする課題
ところが、上記特公昭５９−２９１６０号公報等に開示
された方法においては、レーザビーム未照射領域の厚膜
ペーストを溶融除去する工程が必要であり、かつその溶
融除去用溶液の廃液処理に設備とコストを要するという
問題がある。又、表面にレーザビームを照射し、膜厚方
向の熱伝導により加熱して仮焼威しているが、第８図（
ａ）、（ロ）に示すように、その仮焼成領域４１の断面
形状は仮想線で示す理想的な台形状に対して倒立台形状
になるとともにシャープな断面形状とならず、またレー
ザビームの走査方向に沿う側縁４１ａの直線性も良くな
いという問題がある。さらに、膜厚が厚い場合上層の蒸
発を防止しながら下層が所定温度になるように加熱する
必要があり、低出力、低速加工を余儀なくされるため、
膜厚を厚くすることができず、２０μｍ程度の膜厚が限
界である等、種々の問題がある。
された方法においては、レーザビーム未照射領域の厚膜
ペーストを溶融除去する工程が必要であり、かつその溶
融除去用溶液の廃液処理に設備とコストを要するという
問題がある。又、表面にレーザビームを照射し、膜厚方
向の熱伝導により加熱して仮焼威しているが、第８図（
ａ）、（ロ）に示すように、その仮焼成領域４１の断面
形状は仮想線で示す理想的な台形状に対して倒立台形状
になるとともにシャープな断面形状とならず、またレー
ザビームの走査方向に沿う側縁４１ａの直線性も良くな
いという問題がある。さらに、膜厚が厚い場合上層の蒸
発を防止しながら下層が所定温度になるように加熱する
必要があり、低出力、低速加工を余儀なくされるため、
膜厚を厚くすることができず、２０μｍ程度の膜厚が限
界である等、種々の問題がある。
又、多層回路基板の場合に、その絶縁膜の通孔を形成す
るのに焼成後にレーザビームで加工しているので、微小
な加工は可能であるが加工に時間を要するという問題が
ある。
るのに焼成後にレーザビームで加工しているので、微小
な加工は可能であるが加工に時間を要するという問題が
ある。
又、特開昭６１−１９４７５９号公報に開示された方法
では、厚膜ペーストを焼成した後に、所望のパターン以
外の部分をレーザビームの照射で除去するようにしてい
るため、その除去に非常に大きなエネルギーを必要とし
、生産性及びエネルギー効率が悪いという問題がある。
では、厚膜ペーストを焼成した後に、所望のパターン以
外の部分をレーザビームの照射で除去するようにしてい
るため、その除去に非常に大きなエネルギーを必要とし
、生産性及びエネルギー効率が悪いという問題がある。
本発明は上記従来の問題点に鑑み、高密度でかつ膜厚の
厚い回路パターンを有する厚膜回路基板を低コストで生
産性良く製造でき、又回路の形状精度が高く、電気特性
にも優れた厚膜回路基板が得られ、さらに多層回路基板
の場合にもその絶縁膜に微小な通孔を能率的に形成でき
て高密度配線が可能な厚膜回路基板の製造方法を提供す
ることを目的とする。
厚い回路パターンを有する厚膜回路基板を低コストで生
産性良く製造でき、又回路の形状精度が高く、電気特性
にも優れた厚膜回路基板が得られ、さらに多層回路基板
の場合にもその絶縁膜に微小な通孔を能率的に形成でき
て高密度配線が可能な厚膜回路基板の製造方法を提供す
ることを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明の厚膜回路基板の製造方法は、上記目的を達成す
るために、基板上に厚膜ペーストを塗布する工程と、塗
布されたペースト膜を乾燥する工程と、乾燥ペースト膜
にレーザビームを照射し、レーザビーム照射部の乾燥ペ
ースト膜を除去してパターン膜を形成する工程と、パタ
ーン膜を焼成する工程とを備えたことを特徴とする。
るために、基板上に厚膜ペーストを塗布する工程と、塗
布されたペースト膜を乾燥する工程と、乾燥ペースト膜
にレーザビームを照射し、レーザビーム照射部の乾燥ペ
ースト膜を除去してパターン膜を形成する工程と、パタ
ーン膜を焼成する工程とを備えたことを特徴とする。
前記乾燥工程においては、乾燥ペースト膜中の溶剤分重
量が、乾燥前のペースト膜中の溶剤分の重量の２〜５０
％となるようにするとよい。また、パターン膜形成工程
において、レーザビーム照射加工時に発生する粉塵を吹
き飛ばし又は吸引して除去するのが好ましく、若しくは
焼成工程後に弱くエツチングしてもよい。
量が、乾燥前のペースト膜中の溶剤分の重量の２〜５０
％となるようにするとよい。また、パターン膜形成工程
において、レーザビーム照射加工時に発生する粉塵を吹
き飛ばし又は吸引して除去するのが好ましく、若しくは
焼成工程後に弱くエツチングしてもよい。
また、多層回路基板の製造方法においては、上記方法ま
たは他の方法にて基板上に焼成された回路パターン膜を
形成する工程と、回路パターン膜及び基板の表面に厚膜
絶縁ペーストを塗布する工程と、塗布された絶縁ペース
ト膜を乾燥する工程と、乾燥絶縁ペースト膜の所定位置
にレーザビームを照射して通孔を形威する工程と、通孔
を形威した乾燥絶縁ペースト膜を焼成する工程とを備え
たことを特徴とする。
たは他の方法にて基板上に焼成された回路パターン膜を
形成する工程と、回路パターン膜及び基板の表面に厚膜
絶縁ペーストを塗布する工程と、塗布された絶縁ペース
ト膜を乾燥する工程と、乾燥絶縁ペースト膜の所定位置
にレーザビームを照射して通孔を形威する工程と、通孔
を形威した乾燥絶縁ペースト膜を焼成する工程とを備え
たことを特徴とする。
作 用
本発明によると、厚膜ペーストを塗布したペースト膜を
乾燥した後レーザビームを照射し、その照射部分のペー
スト膜を蒸発除去することによってパターン膜を形威し
、その後焼成しているので、フォトマスクなしで微細な
パターン形成が可能であり、またペースト膜の溶融除去
工程及びその廃液処理が不要であり、かつ乾燥ペースト
膜のレーザビームの照射部分を蒸発除去してしまうので
、パターン膜の断面形状及び側縁がシャープに形威され
てノイズ、絶縁性、インピーダンス等の電気特性に優れ
た厚膜回路が得られ、又、膜厚が厚くても高出力のレー
ザーを用いて高速加工が可能であるため、膜厚の厚い厚
膜回路を生産性良く形成することができ、さらに配線抵
抗を少なくした線幅の広いパターンも生産性よく形成で
きる。また、基板上に厚膜ペーストを所定パターンで形
威し、必要箇所をレーザビームで加工するようにして印
刷とレーザビーム加工を組み合わせて実施することも可
能である。
乾燥した後レーザビームを照射し、その照射部分のペー
スト膜を蒸発除去することによってパターン膜を形威し
、その後焼成しているので、フォトマスクなしで微細な
パターン形成が可能であり、またペースト膜の溶融除去
工程及びその廃液処理が不要であり、かつ乾燥ペースト
膜のレーザビームの照射部分を蒸発除去してしまうので
、パターン膜の断面形状及び側縁がシャープに形威され
てノイズ、絶縁性、インピーダンス等の電気特性に優れ
た厚膜回路が得られ、又、膜厚が厚くても高出力のレー
ザーを用いて高速加工が可能であるため、膜厚の厚い厚
膜回路を生産性良く形成することができ、さらに配線抵
抗を少なくした線幅の広いパターンも生産性よく形成で
きる。また、基板上に厚膜ペーストを所定パターンで形
威し、必要箇所をレーザビームで加工するようにして印
刷とレーザビーム加工を組み合わせて実施することも可
能である。
また、ペースト膜を半乾燥状態にしてレーザビーム加工
を行うと加工性が良好となり、パターンの側縁の直線性
が優れ、又基板への付着力も高まる。
を行うと加工性が良好となり、パターンの側縁の直線性
が優れ、又基板への付着力も高まる。
また、レーザビーム照射加工時に発生する粉塵を吹き飛
ばしたり吸引したりして除去し、若しくは焼成後に弱く
エツチングを行うことによって、配線間に付着した粉塵
によって絶縁性が劣化することがなく、絶縁性の高い回
路基板が得られる。
ばしたり吸引したりして除去し、若しくは焼成後に弱く
エツチングを行うことによって、配線間に付着した粉塵
によって絶縁性が劣化することがなく、絶縁性の高い回
路基板が得られる。
さらに、回路パターン間に絶縁膜を介装した多層回路基
板においても、その絶縁膜に形成する通孔を乾燥状態の
絶縁ペースト膜にレーザビームを照射して形成すること
によって、０．０５〜０゜１ａ＋−程度の微細な通孔を
能率的に形成でき、高密度の多層配線基板が得られる。
板においても、その絶縁膜に形成する通孔を乾燥状態の
絶縁ペースト膜にレーザビームを照射して形成すること
によって、０．０５〜０゜１ａ＋−程度の微細な通孔を
能率的に形成でき、高密度の多層配線基板が得られる。
実施例
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
本発明の第１実施例を示す第１図及び第２図において、
まずセラミック製の基板ｌ上に厚膜ペースト２を塗布す
る。その塗布方法としては、第１図の工程（ａ）に示す
スクリーン印刷法や工程（ロ）に示すディッピング法等
を用いることができる。工程（ａ）において、３はスク
リーン、４はスキージであり、工程（ｂ）において、５
はペースト槽である。
まずセラミック製の基板ｌ上に厚膜ペースト２を塗布す
る。その塗布方法としては、第１図の工程（ａ）に示す
スクリーン印刷法や工程（ロ）に示すディッピング法等
を用いることができる。工程（ａ）において、３はスク
リーン、４はスキージであり、工程（ｂ）において、５
はペースト槽である。
次に、工程（Ｃ）に示すように、この基板ｌを乾燥炉６
に挿入して略７０ ’Ｃで５〜３０分乃至１５０°Ｃで
２〜１５分加熱乾燥する。この乾燥工程においては、乾
燥後のペースト膜中の溶剤用重量が、乾燥前のペースト
中の溶剤用の重量の２〜５０％となるようにするのが好
ましい。
に挿入して略７０ ’Ｃで５〜３０分乃至１５０°Ｃで
２〜１５分加熱乾燥する。この乾燥工程においては、乾
燥後のペースト膜中の溶剤用重量が、乾燥前のペースト
中の溶剤用の重量の２〜５０％となるようにするのが好
ましい。
次に、工程（山に示すように、基板ｌ上の乾燥ペースト
膜に所望のパターンに沿ってレーザビーム７を照射する
ことによってレーザビーム照射部を加熱蒸発させて除去
し、パターン膜を形成する。
膜に所望のパターンに沿ってレーザビーム７を照射する
ことによってレーザビーム照射部を加熱蒸発させて除去
し、パターン膜を形成する。
レーザビーム７を出力するレーザとしては、ＹＡＧレー
ザ、ＣＯ！レーザ、エキシマレーザ、ＹＡＧの第二次高
調波を用いたレーザ等を用いることができ、レーザ繰返
し周波数が１〜１０ ＫＨｚ、出力が０．５〜ＬＯＷで
、ｌＯ〜３５μ−〇膜厚の乾燥ペースト膜を５〜２００
Ｉｌｌｌｌ／ｓｅｃの速度で加工することができる。又
、形成されるパターン膜としては線幅が２０〜５０μ鋼
程度の微細なパターンが可能である。
ザ、ＣＯ！レーザ、エキシマレーザ、ＹＡＧの第二次高
調波を用いたレーザ等を用いることができ、レーザ繰返
し周波数が１〜１０ ＫＨｚ、出力が０．５〜ＬＯＷで
、ｌＯ〜３５μ−〇膜厚の乾燥ペースト膜を５〜２００
Ｉｌｌｌｌ／ｓｅｃの速度で加工することができる。又
、形成されるパターン膜としては線幅が２０〜５０μ鋼
程度の微細なパターンが可能である。
又、この時レーザビーム照射部に吹出しノズル８からエ
アや不活性ガスを吹きつけて発生した粉塵を吹き飛ばた
り、或いは発生した粉塵を吸引ノズル９にて吸引除去す
ることによって、第３図（ａ）に示すようにパターン１
１，１１間のレーザ除去部１２に粉Ｆ１１３が付着する
のを防止でき、第３図（ロ）に示すように、パターン１
１，１１間に粉塵１３等の無い絶縁性の高いパターンが
得られる。
アや不活性ガスを吹きつけて発生した粉塵を吹き飛ばた
り、或いは発生した粉塵を吸引ノズル９にて吸引除去す
ることによって、第３図（ａ）に示すようにパターン１
１，１１間のレーザ除去部１２に粉Ｆ１１３が付着する
のを防止でき、第３図（ロ）に示すように、パターン１
１，１１間に粉塵１３等の無い絶縁性の高いパターンが
得られる。
次に、工程（ｅ）に示すように、パターン膜を形成され
た基板ｌを焼成炉１０に挿入して６００℃〜９００℃で
焼成する。
た基板ｌを焼成炉１０に挿入して６００℃〜９００℃で
焼成する。
その後、工程（ｆ）に示すように、基板１をエツチング
溶液１４中に浸漬して弱くエツチングを行った後洗浄す
れば、パターン１１．１１間に残存した粉ｍ１３を確実
に除去して、絶縁性の高いパターン１１が得られる。な
お、上記のようにレーザビーム照射時に粉塵を吹き飛ば
したり、吸引するようにした場合にはこのエツチング工
程を無くしてもよく、逆にこのエツチングを行えば、レ
ーザビーム照射時のガスの吹き付けや吸引は省略しても
よく、両方を行えばより確実に粉塵の付着を防止するこ
とができる。
溶液１４中に浸漬して弱くエツチングを行った後洗浄す
れば、パターン１１．１１間に残存した粉ｍ１３を確実
に除去して、絶縁性の高いパターン１１が得られる。な
お、上記のようにレーザビーム照射時に粉塵を吹き飛ば
したり、吸引するようにした場合にはこのエツチング工
程を無くしてもよく、逆にこのエツチングを行えば、レ
ーザビーム照射時のガスの吹き付けや吸引は省略しても
よく、両方を行えばより確実に粉塵の付着を防止するこ
とができる。
以上の説明では、厚膜ペーストの種類について特定しな
かったが、Ａｇ／Ｐｄ、Ｃｕ等の厚膜導体ペースト、ガ
ラス等の厚膜絶縁体ペースト、各種厚膜抵抗体ペースト
等を用いることによって各々任意のパターンの導体回路
パターン、絶縁膜、抵抗体等を形成することができる。
かったが、Ａｇ／Ｐｄ、Ｃｕ等の厚膜導体ペースト、ガ
ラス等の厚膜絶縁体ペースト、各種厚膜抵抗体ペースト
等を用いることによって各々任意のパターンの導体回路
パターン、絶縁膜、抵抗体等を形成することができる。
具体例を示すと、純度９６％のアルミナ基板に２５０メ
ツシユ、乳剤厚み１０μｍのステンレススクリーンを用
いて厚膜導体ペースト（デュポン社製のカタログＮｏ、
９１５３と６００１）を塗布し９０℃で１０分乾燥して
膜厚的２０μｍの乾燥導体ペースト膜を得た。
ツシユ、乳剤厚み１０μｍのステンレススクリーンを用
いて厚膜導体ペースト（デュポン社製のカタログＮｏ、
９１５３と６００１）を塗布し９０℃で１０分乾燥して
膜厚的２０μｍの乾燥導体ペースト膜を得た。
ここで、厚膜ペーストＮｏ、９１５３に対して、レーザ
繰返し周波数３ＫＨｚ、出力１．５Ｗのレーザビームを
照射し、吹出しノズルからエアを吹いて２０〜３０ ａ
ｍ／ ｓｅｃの速度で線幅及び線間距離が２０〜５０μ
鋼の微細導体パターンを形成し、その後Ｎ８連続焼威炉
により９００℃で１ｏ分焼威したところ、線幅、絶縁性
及び連続性の良好なパターンが形成された。
繰返し周波数３ＫＨｚ、出力１．５Ｗのレーザビームを
照射し、吹出しノズルからエアを吹いて２０〜３０ ａ
ｍ／ ｓｅｃの速度で線幅及び線間距離が２０〜５０μ
鋼の微細導体パターンを形成し、その後Ｎ８連続焼威炉
により９００℃で１ｏ分焼威したところ、線幅、絶縁性
及び連続性の良好なパターンが形成された。
また、厚膜ペーストＮｏ、６００１に対して、レーザ繰
返し周波数３ＫＨｚ、出力ｌＷのレーザビームを照射し
、吹出しノズルからエアを吹いて２０〜３０ ｎ’ｓ／
ｓｅｃの速度で線幅及び線間距離が２０〜５０μ輌の
微細導体パターンを形成し、Ｎ２連続焼威炉により６０
０″Ｃで５分焼成したところ、線幅、絶縁性及び連続性
の良好なパターンが形成された。
返し周波数３ＫＨｚ、出力ｌＷのレーザビームを照射し
、吹出しノズルからエアを吹いて２０〜３０ ｎ’ｓ／
ｓｅｃの速度で線幅及び線間距離が２０〜５０μ輌の
微細導体パターンを形成し、Ｎ２連続焼威炉により６０
０″Ｃで５分焼成したところ、線幅、絶縁性及び連続性
の良好なパターンが形成された。
次に、本発明を多層厚膜回路基板の製造に適用した第２
実施例を第４図及び第５図に基づいて説明する。
実施例を第４図及び第５図に基づいて説明する。
先ず、第４図の工程（ａ）に示すように基板２１上に厚
膜導体ペーストを塗布して導体ペースト膜２２を形成し
てこれを乾燥し、次に工程（ｂ）でレーザビームを照射
して導体回路パターン２３を形成した後これを焼成する
０以上の工程は第１実施例と同様である。
膜導体ペーストを塗布して導体ペースト膜２２を形成し
てこれを乾燥し、次に工程（ｂ）でレーザビームを照射
して導体回路パターン２３を形成した後これを焼成する
０以上の工程は第１実施例と同様である。
次に、工程（Ｃ）で導体回路パターン２３及び基板２１
上に厚膜絶縁ペーストを塗布して絶縁ペースト膜２４を
形成してこれを乾燥し、次に工程（ロ）で乾燥した絶縁
ペースト膜２４の所定位置にレーザビームを照射して一
般にヴイアホールと呼ばれている通孔２５を形成する。
上に厚膜絶縁ペーストを塗布して絶縁ペースト膜２４を
形成してこれを乾燥し、次に工程（ロ）で乾燥した絶縁
ペースト膜２４の所定位置にレーザビームを照射して一
般にヴイアホールと呼ばれている通孔２５を形成する。
このレーザ加工により０．０５〜０．１ｍｓの微細な通
孔２５を形成することができるとともに、絶縁ペースト
膜２４が未焼成であるため能率的に形成することができ
る。
孔２５を形成することができるとともに、絶縁ペースト
膜２４が未焼成であるため能率的に形成することができ
る。
この通孔２５を形成した後焼成して絶縁膜２６を得る。
次に、２層目の導体回路を形成するため、工程（ｅ）に
示すように絶縁膜２６上に厚膜導体ペーストを塗布して
２層目の導体ペースト膜２７を形成する。このとき、厚
膜導体ペーストが通孔２５を通して先に形成された導体
回路パターン２３に接続される。その後この導体ペース
ト膜２７を乾燥し、次に工程（ｆ）でレーザビームを照
射して上層の導体回路パターン２８をレーザ加工し、こ
れを焼成する。以上の工程も第１実施例と同様である。
示すように絶縁膜２６上に厚膜導体ペーストを塗布して
２層目の導体ペースト膜２７を形成する。このとき、厚
膜導体ペーストが通孔２５を通して先に形成された導体
回路パターン２３に接続される。その後この導体ペース
ト膜２７を乾燥し、次に工程（ｆ）でレーザビームを照
射して上層の導体回路パターン２８をレーザ加工し、こ
れを焼成する。以上の工程も第１実施例と同様である。
以降、工程（Ｃ）〜（ｆ）を繰り返すと、３層以上の導
体回路パターンを有する多層回路基板を製造することが
できる。
体回路パターンを有する多層回路基板を製造することが
できる。
尚、上記第２実施例では導体回路パターンを形成する際
に、第１実施例で示したように導体厚膜ペースト膜の塗
布、乾燥、レーザ加工、焼成という工程を経るものを例
示したが、この導体回路パターンの形成工程はスクリー
ン印刷法等の他の方法で行ってもよい。
に、第１実施例で示したように導体厚膜ペースト膜の塗
布、乾燥、レーザ加工、焼成という工程を経るものを例
示したが、この導体回路パターンの形成工程はスクリー
ン印刷法等の他の方法で行ってもよい。
発明の効果
本発明によれば、厚膜ペーストを乾燥した後レーザビー
ムを照射し、その照射部分のペースト膜を蒸発除去する
ことによってパターンを形成し、その後焼成しているの
で、フォトマスクなしで微細配線が可能であり、また厚
膜ペーストの溶融除去工程及びその廃液処理が不要であ
り、かつレーザビームの照射部分を蒸発除去するので、
厚膜パターンの断面形状及び側縁がシャープに形成され
てノイズ、絶縁性、インピーダンス等の電気特性に優れ
た厚膜回路が得られ、又、膜厚が厚くても高出力のレー
ザーを用いて高速加工が可能であるため、２０〜４０７
７１１程度の膜厚の厚い厚膜回路を生産性良く形成する
ことができ、さらに配線抵抗を少なくした線幅の広いパ
ターンも生産性よく形成できる。また、基板上に厚膜ペ
ーストを所定パターンで形成し、必要箇所をレーザビー
ムで加工するようにして印刷とレーザビーム加工を組み
合わせて実施することも可能である。
ムを照射し、その照射部分のペースト膜を蒸発除去する
ことによってパターンを形成し、その後焼成しているの
で、フォトマスクなしで微細配線が可能であり、また厚
膜ペーストの溶融除去工程及びその廃液処理が不要であ
り、かつレーザビームの照射部分を蒸発除去するので、
厚膜パターンの断面形状及び側縁がシャープに形成され
てノイズ、絶縁性、インピーダンス等の電気特性に優れ
た厚膜回路が得られ、又、膜厚が厚くても高出力のレー
ザーを用いて高速加工が可能であるため、２０〜４０７
７１１程度の膜厚の厚い厚膜回路を生産性良く形成する
ことができ、さらに配線抵抗を少なくした線幅の広いパ
ターンも生産性よく形成できる。また、基板上に厚膜ペ
ーストを所定パターンで形成し、必要箇所をレーザビー
ムで加工するようにして印刷とレーザビーム加工を組み
合わせて実施することも可能である。
又、厚膜ペーストを半乾燥状態にしてレーザビーム加工
を行うと加工性が良好となり、回路パターンの側縁の直
線性が優れ、又基板への付着力も高まる。
を行うと加工性が良好となり、回路パターンの側縁の直
線性が優れ、又基板への付着力も高まる。
また、レーザビーム照射加工時に発生する粉塵を吹き飛
ばしたり吸引したりして除去し、若しくは焼成後に弱エ
ツチングを行うことによって、配線間に付着した粉塵に
よって絶縁性が劣化することがなく、絶縁性の高い回路
基板が得られる。
ばしたり吸引したりして除去し、若しくは焼成後に弱エ
ツチングを行うことによって、配線間に付着した粉塵に
よって絶縁性が劣化することがなく、絶縁性の高い回路
基板が得られる。
さらに、回路パターン間に絶縁膜を介装した多層回路基
板においても、その絶縁膜に形成する通孔を乾燥状態の
絶縁体ペースト膜にレーザビームを照射して形成するこ
とによって、微細な通孔を能率的に形成でき、高密度の
多層配線基板が得られる等、大なる効果を発揮する。
板においても、その絶縁膜に形成する通孔を乾燥状態の
絶縁体ペースト膜にレーザビームを照射して形成するこ
とによって、微細な通孔を能率的に形成でき、高密度の
多層配線基板が得られる等、大なる効果を発揮する。
第１図は本発明の第１実施例の厚膜回路基板の製造過程
の説明図、第２図は同工程図、第３図（ａ）、（ｂ）は
レーザビーム照射加工時に粉塵が付着した状態と除去し
た状態を示す斜視図、第４図は本発明の第２実施例の多
層厚膜回路基板の製造過程の説明図、第５図は同工程図
、第６図は従来のスクリーン印刷法による多層厚膜回路
基板の製造過程の説明図、第７図は従来のレーザビーム
照射加工法による厚膜回路基板の製造方法の工程図、第
８図（ａ）は同レーザビーム照射による焼成時の加熱状
態を示す断面図、同図（ロ）は形成された回路パターン
の斜視図である。 １．２１・・・・・・基板、２・・・・・・厚膜ペース
ト、６・・・・・・乾燥炉、７・・・・・・レーザビー
ム、８・・・・・・吹出しノズル、９・・・・・・吸引
ノズル、１０・・・・・・焼成炉、１１・・・・・・パ
ターン、１２・・・・・・レーザ除去部、１３・・・・
・・粉塵、１４・・・・・・エツチング溶液、２２・・
・・・・導体ペースト膜、２３・・・・・・導体回路パ
ターン、２４・・・・・・絶縁ペースト膜、２５・・・
・・・通孔、２６・・・・・・絶縁膜２７・・・・・・
導体ペースト膜、２８・・・・・・導体回路パターン。
の説明図、第２図は同工程図、第３図（ａ）、（ｂ）は
レーザビーム照射加工時に粉塵が付着した状態と除去し
た状態を示す斜視図、第４図は本発明の第２実施例の多
層厚膜回路基板の製造過程の説明図、第５図は同工程図
、第６図は従来のスクリーン印刷法による多層厚膜回路
基板の製造過程の説明図、第７図は従来のレーザビーム
照射加工法による厚膜回路基板の製造方法の工程図、第
８図（ａ）は同レーザビーム照射による焼成時の加熱状
態を示す断面図、同図（ロ）は形成された回路パターン
の斜視図である。 １．２１・・・・・・基板、２・・・・・・厚膜ペース
ト、６・・・・・・乾燥炉、７・・・・・・レーザビー
ム、８・・・・・・吹出しノズル、９・・・・・・吸引
ノズル、１０・・・・・・焼成炉、１１・・・・・・パ
ターン、１２・・・・・・レーザ除去部、１３・・・・
・・粉塵、１４・・・・・・エツチング溶液、２２・・
・・・・導体ペースト膜、２３・・・・・・導体回路パ
ターン、２４・・・・・・絶縁ペースト膜、２５・・・
・・・通孔、２６・・・・・・絶縁膜２７・・・・・・
導体ペースト膜、２８・・・・・・導体回路パターン。
Claims (6)
- （１）基板上に厚膜ペーストを塗布する工程と、塗布さ
れたペースト膜を乾燥する工程と、乾燥ペースト膜にレ
ーザビームを照射し、レーザビーム照射部の乾燥ペース
ト膜を除去してパターン膜を形成する工程と、パターン
膜を焼成する工程とを備えたことを特徴とする厚膜回路
基板の製造方法。 - （２）乾燥工程において、乾燥ペースト膜中の溶剤分重
量が、乾燥前のペースト膜中の溶剤分の重量の２〜５０
％となるように乾燥することを特徴とする請求項１記載
の厚膜回路基板の製造方法。 - （３）パターン膜形成工程において、レーザビーム照射
加工時に発生する粉塵を吹き飛ばし又は吸引して除去す
ることを特徴とする請求項１記載の厚膜回路基板の製造
方法。 - （４）焼成工程後、弱くエッチングする工程を備えるこ
とを特徴とする請求項１記載の厚膜回路基板の製造方法
。 - （５）基板上に焼成された回路パターン膜を形成する工
程と、回路パターン膜及び基板の表面に厚膜絶縁ペース
トを塗布する工程と、塗布された絶縁ペースト膜を乾燥
する工程と、乾燥絶縁ペースト膜の所定位置にレーザビ
ームを照射して通孔を形成する工程と、通孔を形成した
乾燥絶縁ペースト膜を焼成する工程とを備えたことを特
徴とする厚膜回路基板の製造方法。 - （６）基板上に厚膜導体ペーストを塗布する工程と、塗
布された導体ペースト膜を乾燥する工程と、乾燥導体ペ
ースト膜にレーザビームを照射し、レーザビーム照射部
の乾燥導体ペースト膜を除去して回路パターン膜を形成
する工程と、回路パターン膜を焼成する工程と、焼成さ
れた回路パターン膜及び基板の表面に厚膜絶縁ペースト
を塗布する工程と、塗布された絶縁ペースト膜を乾燥す
る工程と、乾燥絶縁ペースト膜の所定位置にレーザビー
ムを照射して通孔を形成する工程と、通孔を形成した乾
燥絶縁ペースト膜を焼成する工程とを備えたことを特徴
とする厚膜回路基板の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1226284A JP2616040B2 (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 厚膜回路基板の製造方法 |
| DE69008459T DE69008459T2 (de) | 1989-08-31 | 1990-08-28 | Verfahren zur Herstellung eines Substrates für Dickschichtschaltkreise. |
| EP90116440A EP0415336B1 (en) | 1989-08-31 | 1990-08-28 | Method for manufacturing thick film circuit substrate |
| KR1019900013393A KR940006222B1 (ko) | 1989-08-31 | 1990-08-29 | 후막회로기판의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1226284A JP2616040B2 (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 厚膜回路基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0389544A true JPH0389544A (ja) | 1991-04-15 |
| JP2616040B2 JP2616040B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=16842802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1226284A Expired - Fee Related JP2616040B2 (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 厚膜回路基板の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0415336B1 (ja) |
| JP (1) | JP2616040B2 (ja) |
| KR (1) | KR940006222B1 (ja) |
| DE (1) | DE69008459T2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002236208A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Dainippon Printing Co Ltd | カラーフィルタ異物除去方法 |
| JP2012212888A (ja) * | 2005-01-21 | 2012-11-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
| JP2014194989A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-09 | Shibaura Mechatronics Corp | パターン膜の形成装置及び方法 |
| JP2016139679A (ja) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | Jsr株式会社 | レーザー加工用銅膜形成用組成物、配線基板の製造方法、および電子機器 |
| JP2019062195A (ja) * | 2017-09-27 | 2019-04-18 | 株式会社タムラ製作所 | ソルダーレジスト膜のパターン形成方法、および電子基板の製造方法 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4129835A1 (de) * | 1991-09-07 | 1993-03-11 | Bosch Gmbh Robert | Leistungselektroniksubstrat und verfahren zu dessen herstellung |
| KR100353311B1 (ko) * | 1996-09-30 | 2002-09-18 | 지멘스 에스. 아. | 전기적으로 절연된 지지물 상에 적어도 2개의 배선레벨을 형성하는 방법 |
| KR100352483B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2002-09-11 | 삼성전기주식회사 | 시딩층을 이용한 압전/전왜 후막의 형성방법 |
| GB0125350D0 (en) * | 2001-10-22 | 2001-12-12 | Sigtronics Ltd | PCB formation by laser cleaning of conductive ink |
| JP2005079010A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Seiko Epson Corp | 導電膜パターンの形成方法、電気光学装置及び電子機器 |
| CN103687319A (zh) * | 2012-09-25 | 2014-03-26 | 昆山联滔电子有限公司 | 非导电基板上形成导体线路的制造方法 |
| DE102020107311B4 (de) | 2020-03-17 | 2022-06-09 | Tdk Electronics Ag | Verfahren zur Feinstrukturierung von metallhaltigen Schichten und keramisches Vielschichtbauteil |
| CN113068310B (zh) * | 2021-03-19 | 2022-08-02 | 北京梦之墨科技有限公司 | 一种双面电路板及其制作方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51134874A (en) * | 1975-05-19 | 1976-11-22 | Nippon Electric Co | Method of manufacturing thick film multilayered wiring substrate |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5918669A (ja) * | 1982-07-22 | 1984-01-31 | Toshiba Corp | 厚膜回路の形成法 |
| JPS6165464A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-04 | Toshiba Corp | 厚膜多層基板における膜抵抗体の製造方法 |
| JPS61194759A (ja) * | 1985-02-22 | 1986-08-29 | Mitsubishi Electric Corp | 厚膜回路の製造方法 |
| JPS61240667A (ja) * | 1985-04-17 | 1986-10-25 | Soshin Denki Kk | 厚膜電子回路形成方法 |
| JPS62216259A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-22 | Fujitsu Ltd | 混成集積回路の製造方法および構造 |
| JPH01140695A (ja) * | 1987-11-26 | 1989-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子回路部品の製造方法 |
| JPH01170038A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-05 | Hitachi Ltd | 厚膜混成集積回路基板 |
-
1989
- 1989-08-31 JP JP1226284A patent/JP2616040B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-08-28 EP EP90116440A patent/EP0415336B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-08-28 DE DE69008459T patent/DE69008459T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-29 KR KR1019900013393A patent/KR940006222B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51134874A (en) * | 1975-05-19 | 1976-11-22 | Nippon Electric Co | Method of manufacturing thick film multilayered wiring substrate |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002236208A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Dainippon Printing Co Ltd | カラーフィルタ異物除去方法 |
| JP4641106B2 (ja) * | 2001-02-09 | 2011-03-02 | 大日本印刷株式会社 | カラーフィルタ異物除去方法 |
| JP2012212888A (ja) * | 2005-01-21 | 2012-11-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
| JP2014194989A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-09 | Shibaura Mechatronics Corp | パターン膜の形成装置及び方法 |
| JP2016139679A (ja) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | Jsr株式会社 | レーザー加工用銅膜形成用組成物、配線基板の製造方法、および電子機器 |
| JP2019062195A (ja) * | 2017-09-27 | 2019-04-18 | 株式会社タムラ製作所 | ソルダーレジスト膜のパターン形成方法、および電子基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69008459T2 (de) | 1994-08-18 |
| JP2616040B2 (ja) | 1997-06-04 |
| EP0415336A2 (en) | 1991-03-06 |
| KR910005445A (ko) | 1991-03-30 |
| DE69008459D1 (de) | 1994-06-01 |
| EP0415336B1 (en) | 1994-04-27 |
| KR940006222B1 (ko) | 1994-07-13 |
| EP0415336A3 (en) | 1992-05-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0389544A (ja) | 厚膜回路基板の製造方法 | |
| US5891527A (en) | Printed circuit board process using plasma spraying of conductive metal | |
| US2777193A (en) | Circuit construction | |
| JPS63115397A (ja) | 集積回路の修理方法 | |
| JPH10513314A (ja) | 金属層を非金属基板から選択的に除去する方法 | |
| US20110143021A1 (en) | Conformal coating system and method | |
| US20010012692A1 (en) | Thick-film etch-back process for use in manufacturing fine-line hybrid circuits | |
| JP2616040C (ja) | ||
| JPS5929160B2 (ja) | 配線板の製造方法 | |
| JPH0799375A (ja) | プリント回路基板 | |
| JP3136682B2 (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| JP2000503484A (ja) | 電気絶縁支持体上に少なくとも２つの配線面を形成する方法 | |
| JPS63295057A (ja) | はんだコ−ティング装置 | |
| JP2872834B2 (ja) | ２層フレキシブル印刷回路基板の製造方法 | |
| JP2563416B2 (ja) | プリント基板の表面処理方法 | |
| JPH05152750A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| JPH09107170A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JPS61240667A (ja) | 厚膜電子回路形成方法 | |
| Harris et al. | Printed Wiring Board Design and Fabrication | |
| JP3755193B2 (ja) | プリント配線板の製造方法とその製造装置 | |
| JPH0586679B2 (ja) | ||
| JPH05198924A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2000244102A (ja) | プリント基板の製造方法 | |
| JPH04501487A (ja) | 微細な要素の電気回路 | |
| JPH0548269A (ja) | 多層配線基板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |