JP2016139679A - レーザー加工用銅膜形成用組成物、配線基板の製造方法、および電子機器 - Google Patents
レーザー加工用銅膜形成用組成物、配線基板の製造方法、および電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016139679A JP2016139679A JP2015012980A JP2015012980A JP2016139679A JP 2016139679 A JP2016139679 A JP 2016139679A JP 2015012980 A JP2015012980 A JP 2015012980A JP 2015012980 A JP2015012980 A JP 2015012980A JP 2016139679 A JP2016139679 A JP 2016139679A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- wiring board
- laser processing
- composition
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
Description
[1]レーザー加工による配線基板の製造に用いられる銅膜形成用組成物であって、銅塩(A)、および溶剤(B)を含むことを特徴とするレーザー加工用銅膜形成用組成物。
本発明のレーザー加工用銅膜形成用組成物は、レーザー加工による配線基板の製造に用いられる銅膜形成用組成物であって、銅塩(A)、および溶剤(B)を含むことを特徴とする。
銅塩(A)とは、銅カチオン、およびアニオンを含有する化合物を示す。
(B)溶剤は、少なくとも銅塩(A)を溶解または分散するために用いられる成分である。
溶剤(B)は1種単独でも用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
本発明のレーザー加工用銅膜形成用組成物は、上述した(A)成分および(B)成分に加え、本発明の目的や効果を損なわない限りにおいて、銅粒子、分散剤、酸化防止剤、濃度調整剤、表面張力調整剤、粘度調整剤、および塗膜形成補助剤等の成分を含有することが可能である。
レーザー加工用銅膜形成用組成物は、少なくとも銅塩(A)、および溶剤(B)を均一に混合することで、製造することができる。混合する順序は特に限定するものではない。また、ゴミを取り除くために、各成分を均一に混合した後、得られた混合物をフィルター等で濾過してもよい。
本発明の配線基板の製造方法は、基板上に、本願発明のレーザー加工用銅膜形成用組成物を塗布し、塗膜を形成する工程(1)、前記塗膜を加熱し、銅膜を形成する工程(2)、および前記銅膜をレーザー加工し、銅配線を形成する工程(3)を有する。
工程(1)は、基板上に、本願発明のレーザー加工用銅膜形成用組成物を塗布し、塗膜を形成する工程である。
工程(2)は、工程(1)で形成した塗膜を加熱し銅膜を形成する工程である。
工程(3)は、工程(2)で形成した銅膜にレーザーを選択的に照射することで、銅膜を選択的に加工し、銅配線を形成する工程である。
本発明の電子機器は、本発明の配線基板の製造方法によって得られた配線基板を有することを特徴とする。
[実施例1A〜6A]
冷却ジャケットおよび攪拌機を装備したガラス製反応器へ、表1に示す各種成分を入れ、液温を30℃にコントロールしながら300rpmで20時間混合し、金属膜形成組成物を製造した。
冷却ジャケットおよび攪拌機を装備したガラス製反応器へ、1−ブタノール(32.3部)、2−エチルヘキシルアミン(46.2部)、オレイン酸(3.2部)、及び無水ギ酸銅(II)(18.3部)を入れ、窒素流通下で均一溶解するまで攪拌した。次いで、100℃60分間加熱攪拌した。反応液を室温にした後、ガラス製反応器に、メタノール(100部)を入れ、遠心分離により上澄みを分離除去し、銅ナノ粒子の分散体を得た(銅ナノ粒子の含有割合は10.2質量%)。また、透過型電子顕微鏡(TEM)によると、得られた銅ナノ粒子の平均粒径は54nmであった。
実施例1Aにおいて、ギ酸銅4水和物に代えて無水ギ酸銅(22部)、オクチルアミンに代えて2−エチルヘキシルアミン(58部)、及び銅粉(商品名「1020Y」、三井金属鉱業社製、20部)を用いた以外は、実施例1Aと同様の操作にて、金属膜形成組成物を製造した。
[実施例1B]
実施例1Aの金属膜形成用組成物を、基板として、UVクリーニング処理を施した厚さ0.1mmのポリエチレンテレフタレートフィルム上に、バーコート法(スペーサ厚0.1mm、バー速度5cm/秒)にて塗布し塗膜を形成した。
塗膜を有する基板を、窒素雰囲気下、170℃10分間加熱し、厚さ0.5μmの銅膜を形成した。
発信器:波長355nm
出力:10W
加工点出力:0.015mJ
レーザービーム径:直径0.02mm
ガルバノ周波数:700Hz
加工モード:バーストモード
エネルギー量:1500〜10500μJ/mm
実施例1Bにおいて、実施例1Aの金属膜形成用組成物を実施例2A〜6A、および比較例1Aの金属膜形成用組成物に代える以外は実施例1Bと同様の操作にて、配線基板を製造した。
実施例1Bにおいて、実施例1Aの金属膜形成用組成物を実施例7Aの金属膜形成用組成物に、基板をポリエチレンテレフタレートフィルムから厚さ0.9mmのガラス基板に、加熱温度を250℃に変更した以外は実施例1Bと同様の操作にて、配線基板を製造した。
実施例1Bにおいて、基板として、UVクリーニング処理を施した厚さ0.1mmのポリエチレンテレフタレートフィルム上に、バッチ式スパッタリング装置(装置名「SX−200」、アルバック社製)にて、厚さ0.5μmの銅膜を用いる以外は実施例1Bと同様の走査にて、配線基板を製造した。
実施例1Aの金属膜形成用組成物を、基板として、UVクリーニング処理を施した厚さ0.1mmのポリエチレンテレフタレートフィルム上に、バーコート法(スペーサ厚0.1mm、バー速度5cm/秒)にて塗布し塗膜を形成した。
塗膜を有する基板を、窒素雰囲気下、170℃10分間加熱し、厚さ0.5μmの銅膜を形成した。
発信器:波長1064nm
パルス幅:20nsec
周波数域:15kHz〜100kHz
出力:7W
光学系:fθレンズによる集光光学系(集光スポット径:30μm)
走査方法:ガルバノスキャナー
エネルギー量:1200〜9200μJ/mm
実施例1Cにおいて、実施例1Aの金属膜形成用組成物を実施例2A〜6A、および比較例1Aの金属膜形成用組成物に代える以外は実施例1Cと同様の操作にて、配線基板を製造した。
実施例1Cにおいて、実施例1Aの金属膜形成用組成物を実施例7Aの金属膜形成用組成物に、基板をポリエチレンテレフタレートフィルムから厚さ0.9mmのガラス基板に、焼成温度を250℃に変更した以外は実施例1Cと同様の操作にて、配線基板を製造した。
実施例1Cにおいて、基板として、UVクリーニング処理を施した厚さ0.1mmのポリエチレンテレフタレートフィルム上に、バッチ式スパッタリング装置(装置名「SX−200」、アルバック社製)にて、厚さ0.5μmの銅膜を用いる以外は実施例1Cと同様の走査にて、配線基板を製造した。
実施例1B〜7B、比較例1B、2B、実施例1C〜7C、および比較例1C、2Cで製造した配線基板の配線の比抵抗値、および配線間の抵抗値を測定した。比抵抗値等の測定はデジタルマルチメーター(商品名「Keithley2000」、ケスレーインスツルメンツ(株)製)にて行った。評価結果を表2に示す。
Claims (6)
- レーザー加工による配線基板の製造に用いられる銅膜形成用組成物であって、
銅塩(A)、および溶剤(B)を含むことを特徴とするレーザー加工用銅膜形成用組成物。 - 銅塩(A)が、カルボン酸銅塩またはその水和物である請求項1に記載のレーザー加工用銅膜形成用組成物。
- 前記カルボン酸銅塩がギ酸銅(II)、又はその水和物であることを特徴とする請求項2に記載のレーザー加工用銅膜形成用組成物。
- 溶剤(B)がアミン化合物であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のレーザー加工用銅膜形成用組成物。
- 基板上に、請求項1〜4のいずれか1項に記載のレーザー加工用銅膜形成用組成物を塗布し、塗膜を形成する工程(1)、および前記塗膜を加熱し、銅膜を形成する工程(2)、および前記銅膜をレーザー加工し、銅配線を形成する工程(3)を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
- 請求項5に記載の配線基板の製造方法によって得られた配線基板を有することを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015012980A JP2016139679A (ja) | 2015-01-27 | 2015-01-27 | レーザー加工用銅膜形成用組成物、配線基板の製造方法、および電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015012980A JP2016139679A (ja) | 2015-01-27 | 2015-01-27 | レーザー加工用銅膜形成用組成物、配線基板の製造方法、および電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016139679A true JP2016139679A (ja) | 2016-08-04 |
Family
ID=56559343
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015012980A Pending JP2016139679A (ja) | 2015-01-27 | 2015-01-27 | レーザー加工用銅膜形成用組成物、配線基板の製造方法、および電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2016139679A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0389544A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 厚膜回路基板の製造方法 |
WO2013073331A1 (ja) * | 2011-11-17 | 2013-05-23 | Jsr株式会社 | 銅膜形成方法、銅膜、回路基板および銅膜形成組成物溶液 |
WO2014013899A1 (ja) * | 2012-07-20 | 2014-01-23 | 東洋紡株式会社 | レーザーエッチング加工用導電性ペースト、導電性薄膜および導電性積層体 |
-
2015
- 2015-01-27 JP JP2015012980A patent/JP2016139679A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0389544A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 厚膜回路基板の製造方法 |
WO2013073331A1 (ja) * | 2011-11-17 | 2013-05-23 | Jsr株式会社 | 銅膜形成方法、銅膜、回路基板および銅膜形成組成物溶液 |
WO2014013899A1 (ja) * | 2012-07-20 | 2014-01-23 | 東洋紡株式会社 | レーザーエッチング加工用導電性ペースト、導電性薄膜および導電性積層体 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7403512B2 (ja) | 酸化銅インク及びこれを用いた導電性基板の製造方法、塗膜を含む製品及びこれを用いた製品の製造方法、導電性パターン付製品の製造方法、並びに、導電性パターン付製品 | |
JP5205717B2 (ja) | ギ酸銅錯体、銅粒子の製造方法および配線基板の製造方法 | |
KR100864268B1 (ko) | 전자 부착 보조에 의한 전기 도체의 형성 방법 | |
JP5994811B2 (ja) | 銅ナノ粒子分散体、及び導電性基板の製造方法 | |
JP2012172135A (ja) | ナノ粒子インク組成物及びその製造方法 | |
JP2007321215A5 (ja) | ||
JP7430483B2 (ja) | 導電性パターン領域付構造体及びその製造方法 | |
WO2013145953A1 (ja) | 液状組成物、金属膜、及び導体配線、並びに金属膜の製造方法 | |
WO2018169012A1 (ja) | 分散体並びにこれを用いた導電性パターン付構造体の製造方法及び導電性パターン付構造体 | |
WO2013073331A1 (ja) | 銅膜形成方法、銅膜、回路基板および銅膜形成組成物溶液 | |
JP6331386B2 (ja) | 被覆銅ナノ粒子、銅ナノ粒子分散体、及び導電性基板の製造方法 | |
JP7208803B2 (ja) | 導電性パターン領域付構造体及びその製造方法 | |
JP2016139679A (ja) | レーザー加工用銅膜形成用組成物、配線基板の製造方法、および電子機器 | |
WO2020153101A1 (ja) | 導電性ペースト、導電膜付き基材、および導電膜付き基材の製造方法 | |
TW201344712A (zh) | 導體膜之製造方法 | |
JP2010037574A (ja) | 金属ナノ粒子ペースト及びパターン形成方法 | |
JP2019178059A (ja) | 分散体の製造方法 | |
JP7174618B2 (ja) | 錫又は酸化錫インク、塗膜を含む製品及び導電性基板の製造方法 | |
JP2019160689A (ja) | 分散体、塗膜を含む製品、導電性パターン付き構造体の製造方法、及び、導電性パターン付き構造体 | |
JP2020004648A (ja) | 導電性パターンの製造方法、及びプラズマ処理装置 | |
US11217359B2 (en) | Method for synthesizing copper-silver alloy, method for forming conduction part, copper-silver alloy, and conduction part | |
WO2022130892A1 (ja) | 銅ニッケル合金電極用導電性インク、銅ニッケル合金電極付基板、および、それらの製造方法 | |
JP7340179B2 (ja) | 導体の製造方法、配線基板の製造方法及び導体形成用組成物 | |
EP4210073A1 (en) | Production method for metal wiring and kit | |
JP2022087105A (ja) | 分散体及びこれを用いた導電性パターン付構造体の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20160727 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20161011 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170721 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180413 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180424 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20181127 |