JPS5812307A - ニッケルメッキ抵抗体の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は混成集積回路等に用いられるニッケルメッキ抵
抗体の形成方法に関する。

混成集積回路の基板として表面を７４１マイト処理した
１ル１ニクム基板が良く知られている。斯る基板は放熱
性が良好であるので大電力を消費する抵抗体も組込みで
き、特に金属被膜抵抗例えばニッケルメッキ抵抗の組込
みが可能となった。

従来のニッケルメッキ抵抗体の形成方法を第１図四（１
）に示す。

まず第１回国に示す如く％基板（１）上に離間した導電
路（２）（２１を設けた後、斜線で示すしシスト層（３
１をスクリーン印刷して所望の抵抗体形状の窓（４）を
形成する。斯る窓（４）はその両端に導電路１２１（２
）を露出している０次に第１図−ロー示す如く、窓Ｃ４
０：対応する部分に無電界ニッケルメッキ法はよりニッ
ケルメッキ抵抗体（５）を形成する。

しかしながら斯上の方法ではしシスト層（３）をスクリ
ーン印刷する際にスキーｅ−と基板（１表面に導電路（
２）によりすき間が発生し、レジスト層１３１がスキー
ジーの印刷方向に向って突出するために第１１囚に示す
如くレジス）ＩＩ（３１にひげ５（６）が発生した。こ
のひ１ｒ部［６ＪＥは二ｙケルメ７ｊｔされないために
ニッケルメッキ抵抗体（５）は第１図（Ｂｌに示す如く
導電路（２１１２１Ｑ部でひげ部（６）に応じた切り込
み部（７）ができる、二のためにニッケルメッキ抵抗体
（５）はこの部分で焼断し易くなり、”４流容量が設計
値の半分程度に減少してしまう欠点がある。

本発明は斯る欠点に鑑みてなされ、従来の欠点を除去し
たニッケルメッキ抵抗体の形成方法を提供するものであ
る。以下に第２図を参照して本発明の一実施例を詳述す
る。

本発明の第１の工程は第２図（５）：二示す如く％晶板
醤上に離間して導電路任υ（１１）を設けた後、斜線で
示すレジスト層Ｉをスクリーン印刷して第１の窓（１１
を形成することにある。基板Ｏｃとしては平担なアルマ
イト処理したアルミニクム基板を用い、第１の窓（１３
）よ導電路（１１）（１１）間）；形成され且つその両
端が導電路０υ（ｌυに達しない様に所望の抵抗体形状
に形成される。

本工程では第１の窓（１３と導゛鑞路Ｕυ１υとが電な
り合う部分がないために従来発生したひげ部は全く発生
しない。

次に本発明のｓ２の工程は４２図（Ｂ）（二示す如く。

第１の窓０３に露出された基板０１表面１ニニ７ケルの
無１解メツキによりニッケルメッキ抵抗体（ｔ４４’形
成し、続いて目１１工程のレジスＨ−’ｔ’除去して新
たに第２の窓ＵＳを有するレジス）ｉｉｉｉ（ｌｆｌｉ
）をスクリーン印刷することにある。

二ッケルメブキ抵抗体Ｉは基板ＯＩ全体を硫化ニツケノ
νと次亜ジン酸ソーダ等から成る無磁界メッキ液に浸し
Ｃ形成され、約２〜′５μ厚に形成する。

次４：第２の窓崗はニアケルメッキ抵抗体＋１４の端部
、対向する４′４路（１υの一部およびその両者間の基
板＋１１　′４Ｉ：１ｍ出している。また柔２の窓ＵＳ
の巾は抵抗体Ｉの巾より大きく形成され、スクリーン印
刷時に発生する導１＠路任υ喘部でのひげを十分に吸収
できる大きさに設定する。

本発明の４５の工程は′ｓ２因Ｏ（：示す如く、第２の
窓（１＄に対応する部分にニッケルメッキ連結体ａ７）
を形成することにある。

二１ケルメッキ連結体［υは助工程と同様にニラゲルの
無４界メツキにより形成され、且つニアケルメッキ抵抗
体Ｉより十分に低比抵抗：二形率される。このニッケル
メッキ連結体αＤによりニッヶノνメ・ツキ抵抗体１１
．４１の両端と対向する４域路（１υ唱１υ間を接続す
る。

斯るニアクルメッキ連結体ｔ１０は直接抵抗値に関与し
ないので十分に厚く（約５μくらいに）メッキでき且つ
ニッケルメッキ抵抗体＋１４１より巾広く形成されるの
で、従来の切込み部の形成を十分に防止でき、もし形成
されてもニアクルメッキ連結体ａηが十分な４ｍ谷臘を
持つので、焼断のおそれは全くなくなる。

以上に詳述した如く本発明に依れば二７ケルメ１キ抵抗
体の形成工程とニアクルメッキ連結体の形成工程を別工
程とすることにより、ニッヶルメｔ； ツキ連結体に十分な電流容置な持せられ焼断のおハ それは完全に排除できる。またニッケルメッキ抵抗体は
所望の比抵抗の選択および所囁のメッキ厚を自由に選べ
るので広い抵抗値のニッケルメッキ抵抗体を得られる。

【図面の簡単な説明】

第１１囚（Ｂ）は従来の二７ケルメ７キ抵抗体の形成方
法を説明する平面図、第２回内（ＢＩＴＯ）は本発明に
よるニッケルメッキ抵抗体の形成方法を説明する平面図
である。 Ｑｌは基板、ｔｔｎｔｔｎは導電路、Ｕ恥ｅはレジスト
層。 ａ机＄は第１および第２の窓、（１４１はニアケルメッ
キ抵抗体、ｄ７）はニアケルメッキ連結体である。 出願人　三洋電機株式会社外１、名

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）＆板上に離間して役けた導電路間にニッケルメッ
   キ抵抗体を形成する方法に於いて、前記導電路間にその
   両端がＵ記導電路まで達しない所望の抵抗体形状の第１
   の窓を有するし２１１層をス１−ン印刷した後１記第１
   の窓に対応する基板表面４’ニ一＝ｙケルメツキ抵抗体
   を形成し、然る後該ニッケルメ７＋抵抗体の端部と対向
   する前記導電路の端部を露出する第２の窓を有するしシ
   スト層をスクリーン印刷した後ｌ紀第２の窓に対応する
   部分にニッケルメッキ連結体を形成することを特徴とす
   るニッケルメッキ抵抗体の形成方法。 （２、特許請求の範囲第１項に於いて、前記導電路の巾
   は１１記ニッケルメッキ連結体の巾より大きくシ、且つ
   １紀二ｙケルメッキ連結体の巾は前記導電路の巾より大
   きく設定することを特徴とするニッケルメッキ抵抗体の
   形成方法。