JPS581195B2 - コウタクノアルスズ オヨビ スズナマリゴウキンノデンチヤクヨウメツキヨク オヨビ テンカブツ - Google Patents
コウタクノアルスズ オヨビ スズナマリゴウキンノデンチヤクヨウメツキヨク オヨビ テンカブツInfo
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- JPS581195B2 JPS581195B2 JP50019994A JP1999475A JPS581195B2 JP S581195 B2 JPS581195 B2 JP S581195B2 JP 50019994 A JP50019994 A JP 50019994A JP 1999475 A JP1999475 A JP 1999475A JP S581195 B2 JPS581195 B2 JP S581195B2
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- bath
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/30—Electroplating: Baths therefor from solutions of tin
- C25D3/32—Electroplating: Baths therefor from solutions of tin characterised by the organic bath constituents used
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/60—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of tin
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光沢のある錫および錫鉛合金の電着に関する
。
。
本発明は、新しい鍍金浴および鍍金浴添加物において実
施される。
施される。
新しい鍍金浴は、錫イオンあるいは錫鉛イオン、硫酸あ
るいはフルオロほう酸、および新しい添加物を含んでい
る。
るいはフルオロほう酸、および新しい添加物を含んでい
る。
新しい添加物は、置換されるオレフインを含むかあるい
は含まない乳化されたナフタリンモノカルボキシアルデ
ヒドを含んでいる。
は含まない乳化されたナフタリンモノカルボキシアルデ
ヒドを含んでいる。
本発明は、錫および錫鉛合金の半光沢あるいは光沢電着
を行うための水性酸性鍍金浴および添加物に関する。
を行うための水性酸性鍍金浴および添加物に関する。
本発明以前に最近紹介された商業的に使用可能な酸性錫
浴は、満足な光沢を出す電着を行うために、多成分光沢
剤から成っている。
浴は、満足な光沢を出す電着を行うために、多成分光沢
剤から成っている。
これらの浴の基本的な成分は、所定のアルデヒドおよび
ケトン、イミダゾリン表面活性剤、非イオン性表面活性
剤、およびアミンから成る種々の組合せである。
ケトン、イミダゾリン表面活性剤、非イオン性表面活性
剤、およびアミンから成る種々の組合せである。
これらの浴は、かなり光沢を出す電着を行うので、これ
らの電着の多くは、十分な広さの光沢電流密度範囲が不
足する。
らの電着の多くは、十分な広さの光沢電流密度範囲が不
足する。
このことは、電流の制御を注意深く行うということを意
味し、かつ部品の不規則な形が不均一な電流分布をひき
起こすことによる部品上の鈍いあるいは粗い電着を防ぐ
ために、時間を消費するラツキング処理を必要とする。
味し、かつ部品の不規則な形が不均一な電流分布をひき
起こすことによる部品上の鈍いあるいは粗い電着を防ぐ
ために、時間を消費するラツキング処理を必要とする。
これら全ての組合せに共通な１つのものは、光沢のある
電着を行うため成分が他のものに依存しているというこ
とである。
電着を行うため成分が他のものに依存しているというこ
とである。
基本的な成分は、これらのうちどの１つが不足あるいは
無くても、他の効果を無効にする。
無くても、他の効果を無効にする。
本発明の独創性を成すものは、ナフタリンモノカルボキ
シアルデヒドが、別の形式の乳化剤およびアミンに依存
することなく、光沢を出すということである。
シアルデヒドが、別の形式の乳化剤およびアミンに依存
することなく、光沢を出すということである。
基本的に唯一必要なことはナフタリンモノカルボキシア
ルデヒドを鍍金浴中において溶解可能にすることである
。
ルデヒドを鍍金浴中において溶解可能にすることである
。
これは一般にカツプラおよび乳化剤を用いることによっ
て達成できる。
て達成できる。
特別な表面活性剤の光沢出し能力が、全体として装置の
特性において基本的であるので、第１に光沢出し装置は
、使用すべき特別な表面活性剤を必要とする。
特性において基本的であるので、第１に光沢出し装置は
、使用すべき特別な表面活性剤を必要とする。
半光沢ないし光沢への極度の光沢出しのためにも次のよ
うな一般式の化合物を加えることが必要であることは事
実なので、均一な電着をこれらの化合物なしで得ること
ができる。
うな一般式の化合物を加えることが必要であることは事
実なので、均一な電着をこれらの化合物なしで得ること
ができる。
本発明を利用しても電流の厳重な制御および部品のラン
キングをすることなしに、極端に不規則な形のものに電
着するための機構を備えて非常に広い光沢電流密度範囲
が実現される。
キングをすることなしに、極端に不規則な形のものに電
着するための機構を備えて非常に広い光沢電流密度範囲
が実現される。
さらに電着装置が、一層短い時間内に一層厚い層を得る
ことを可能にして電着を粗くすることなく、一層高い電
着密度を実現することができる。
ことを可能にして電着を粗くすることなく、一層高い電
着密度を実現することができる。
合金が必要であるならば、本発明は、鉛浴と共に溶解さ
れた錫浴を含む水性酸性電着浴において実施され、酸は
、硫酸、フルオロほう酸、および溶解化されたあるいは
溶解されるナフタリンモノカルボキシアルデヒドから成
る群から選ばれた。
れた錫浴を含む水性酸性電着浴において実施され、酸は
、硫酸、フルオロほう酸、および溶解化されたあるいは
溶解されるナフタリンモノカルボキシアルデヒドから成
る群から選ばれた。
次のような一般式の化合物も鍍金浴へ加えられるならば
、 この時Ｒ１は、カルボキシ、カルボキシアミド、アルカ
リカルボキシル置換体、アンモニウムカルボキシル置換
体、アミンカルボキシル置換体、あるいはアルキルカル
ボキシル置換体であり、またＲ２，Ｒ３およびＲ４は、
水素、メチル基あるいは低級アルキルであるならば、こ
れらの化合物は、ナフタリンモノカルボキシアルデヒド
によって主に、溶解されたナフタリンモノカルボキシア
ルデヒドだけによって得られるものより光沢のある電着
を得るように相乗的に作用する。
、 この時Ｒ１は、カルボキシ、カルボキシアミド、アルカ
リカルボキシル置換体、アンモニウムカルボキシル置換
体、アミンカルボキシル置換体、あるいはアルキルカル
ボキシル置換体であり、またＲ２，Ｒ３およびＲ４は、
水素、メチル基あるいは低級アルキルであるならば、こ
れらの化合物は、ナフタリンモノカルボキシアルデヒド
によって主に、溶解されたナフタリンモノカルボキシア
ルデヒドだけによって得られるものより光沢のある電着
を得るように相乗的に作用する。
また本発明は、およそ１％ないし９９％のナフタリンモ
ノカルボキシアルデヒド、およそ０％ないし９９％の乳
化剤、およそ０％ないし９９％の次のような一般式の化
合物を含む前記の水性酸性電気鍍金浴のための光沢剤で
もある。
ノカルボキシアルデヒド、およそ０％ないし９９％の乳
化剤、およそ０％ないし９９％の次のような一般式の化
合物を含む前記の水性酸性電気鍍金浴のための光沢剤で
もある。
この時Ｒ１，Ｒ２ ，Ｒ３およびＲ４は、上に定義され
たものであり、残りのパーセンテージは適当な溶媒であ
る。
たものであり、残りのパーセンテージは適当な溶媒であ
る。
本発明の水性酸性電気鍍金浴は、適当な処理のため一般
に錫イオン、硫酸塩あるいはフルオロほう酸塩イオンお
よび溶解されたナフタリンモノカルボキシアルデヒドを
含んでいる。
に錫イオン、硫酸塩あるいはフルオロほう酸塩イオンお
よび溶解されたナフタリンモノカルボキシアルデヒドを
含んでいる。
硫酸塩イオンは、通常硫酸第一錫および鉛塩として導入
され、合金が必要ならば鉛フルオロほう酸塩として導入
される。
され、合金が必要ならば鉛フルオロほう酸塩として導入
される。
ナフタリンモノカルボキシアルデヒドは、市場において
容易に入手可能であり、かつ他のアルデヒド類およびケ
トン類と比較した光沢剤としてのこれらのモノカルボキ
シアルデヒドの特異性は、これらのモノカルボキシアル
デヒドの化学構造の詳細な研究によって適当に説明でき
る。
容易に入手可能であり、かつ他のアルデヒド類およびケ
トン類と比較した光沢剤としてのこれらのモノカルボキ
シアルデヒドの特異性は、これらのモノカルボキシアル
デヒドの化学構造の詳細な研究によって適当に説明でき
る。
ナフタリンに対する３つの共鳴結合構造は、対称構造■
と２つの非対称等価構造■およびＩＩとが可能である。
と２つの非対称等価構造■およびＩＩとが可能である。
非対称構造の定式化において２つの環のうち１つは、０
ベンゾキノンの二重結合に相当する二重結合の配置のた
めキノン式化合物（ｑ）として示される。
ベンゾキノンの二重結合に相当する二重結合の配置のた
めキノン式化合物（ｑ）として示される。
ナフタリンの種々の化学反応は、ナフタリン核の結合構
造が、ベンゼン核程動き易くなく、かつ置換が生じる少
なくとも一部の分子に相対的な結合の固定があることを
示している。
造が、ベンゼン核程動き易くなく、かつ置換が生じる少
なくとも一部の分子に相対的な結合の固定があることを
示している。
一般にこのことは、増加した１，２二重結合特性と言わ
れている。
れている。
一置換体のナフタリン独特の化学的特性に関するこれ以
上詳細な説明は、フイーゼル著「高等有機化学」 （Ａ
ｄｖａｎｃｅｄ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ
）等８８０頁に示されている。
上詳細な説明は、フイーゼル著「高等有機化学」 （Ａ
ｄｖａｎｃｅｄ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ
）等８８０頁に示されている。
上記の記載から結論づけることができるように、一置換
体の二核芳香族アルデヒドは、明らかに異った化学的特
性、すなわちベンゼン、異種環式芳香族単一項化合物、
およびもちろんこれらの環および直鎖脂肪族化合物から
派生したアルデヒドおよびケトンと比較して、電子供与
能力および反応性のような明らかに異った化学的特性を
示す。
体の二核芳香族アルデヒドは、明らかに異った化学的特
性、すなわちベンゼン、異種環式芳香族単一項化合物、
およびもちろんこれらの環および直鎖脂肪族化合物から
派生したアルデヒドおよびケトンと比較して、電子供与
能力および反応性のような明らかに異った化学的特性を
示す。
ナフタリンモノカルボキシアルデヒドは、ほぼ０．０５
ｇ／ｌないし０．５ｇ／ｌの濃度、なるべく０．２ｇ／
ｌの濃度で使用される。
ｇ／ｌないし０．５ｇ／ｌの濃度、なるべく０．２ｇ／
ｌの濃度で使用される。
ナフタリンモノカルボキシアルデヒドの溶解度が低いた
めに、鍍金浴においてナフタリンモノカルボキシアルデ
ヒドを溶解するためカツプラあるいは乳化剤を使わねば
ならない。
めに、鍍金浴においてナフタリンモノカルボキシアルデ
ヒドを溶解するためカツプラあるいは乳化剤を使わねば
ならない。
適当なカツプラハ、シエチレンクリコールモノメチルエ
ーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、エ
チレングリコール七ノメチルエーテル、およびジエチレ
ングリコール七ノエチルエーテルである。
ーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、エ
チレングリコール七ノメチルエーテル、およびジエチレ
ングリコール七ノエチルエーテルである。
最適に作用するとわかった乳化剤は、アルキル第３異種
環式アミンおよびアルキルイミダゾリニウム塩のような
陽性化合物、アルキルイミダゾリン力ルボキシル置換体
のような両性化合物、および脂肪族アルコール酸化エチ
レン凝縮物、ソルビタンアルキルエステル酸化エチレン
凝縮物およびアルキルフェノール酸化エチレン凝縮物の
ような非イオン性化合物である。
環式アミンおよびアルキルイミダゾリニウム塩のような
陽性化合物、アルキルイミダゾリン力ルボキシル置換体
のような両性化合物、および脂肪族アルコール酸化エチ
レン凝縮物、ソルビタンアルキルエステル酸化エチレン
凝縮物およびアルキルフェノール酸化エチレン凝縮物の
ような非イオン性化合物である。
一般に非イオン性化合物は、脂肪族１モルあたり１０モ
ルないし２０モルの酸化エチレンによって凝縮される。
ルないし２０モルの酸化エチレンによって凝縮される。
表Ｉにこれらの乳化剤の商品名および製造会社が示され
ている。
ている。
本発明は、これらの乳化剤だけを使うことに限定されず
、これらは単なる好ましい形式のリストにすぎないこと
を指摘しておく。
、これらは単なる好ましい形式のリストにすぎないこと
を指摘しておく。
カツプラの濃度は、鍍金浴の容積において３％ないし２
０％であることができ、５％が最適である。
０％であることができ、５％が最適である。
乳化剤の濃度は、個々の乳化能力に依存するが、鍍金浴
１ｌあたりほぼ１ｇから１０ｇまでの濃度で一般に十分
である。
１ｌあたりほぼ１ｇから１０ｇまでの濃度で一般に十分
である。
本発明の追加の部分は、ナフタリンモノカルボキシアル
デヒドと次の一般式を持つ化合物との組合された光沢出
し効果である。
デヒドと次の一般式を持つ化合物との組合された光沢出
し効果である。
この時Ｒ１は、カルボキシ、カルボキシアミド、アルカ
リカルボキシル置換体、アンモニウムカルボキシル置換
体、アミンカルボキシル置換体、あるいはアルキルカル
ボキシル置換体であり、またＲ２，Ｒ３，Ｒ４は、水素
、メチル基あるいは低級アルキルである。
リカルボキシル置換体、アンモニウムカルボキシル置換
体、アミンカルボキシル置換体、あるいはアルキルカル
ボキシル置換体であり、またＲ２，Ｒ３，Ｒ４は、水素
、メチル基あるいは低級アルキルである。
ナフタリンモノカルボキシアルデヒドだけによって得ら
れるたい積物よりも一層光沢のあるたい積を得るために
、上記のようなオレフイン化合物を、ナフタリンモノカ
ルボキシル置換体を使用した鍍金浴に加えることができ
る。
れるたい積物よりも一層光沢のあるたい積を得るために
、上記のようなオレフイン化合物を、ナフタリンモノカ
ルボキシル置換体を使用した鍍金浴に加えることができ
る。
オレフィン化合物は、これだけを使用したならば光沢出
し能力を持っておらず、かつ上記の組合せにおいて使わ
れた時にのみ光沢剤として作用する。
し能力を持っておらず、かつ上記の組合せにおいて使わ
れた時にのみ光沢剤として作用する。
好ましいオレフイン化合物の例を表Ｈに示す。
表ＩＩ
アクリル酸
アクリルアミド
メタクリルアミド
メタクリル酸
クロトン酸
アクリル酸エチル
オレフイン化合物の必要な濃度は、ほぼ０．１ｇ／ｌな
いし５ｇ／ｌであり、なるべく０．５ｇ／ｌある。
いし５ｇ／ｌであり、なるべく０．５ｇ／ｌある。
この相乗的な組合せにおけるナフタリンモノカルボキシ
アルデヒドの必要な量は、ナフタリンモノカルボキシア
ルデヒドだけを使う時と同じである。
アルデヒドの必要な量は、ナフタリンモノカルボキシア
ルデヒドだけを使う時と同じである。
他の公知の添加剤を、他の芳香族および脂肪族のアルデ
ヒドおよびケトンのような本発明の添加剤と組合せて使
うことができるが、一般にこのことは不要であるとわか
った。
ヒドおよびケトンのような本発明の添加剤と組合せて使
うことができるが、一般にこのことは不要であるとわか
った。
本発明によれば、キレート化合物を作る物質が陽極上に
おける金属スラツジの形成を防ぐことはもちろん、ピロ
カテキンおよびクレゾールスルフオン酸のような酸化防
止剤を使うこともできる。
おける金属スラツジの形成を防ぐことはもちろん、ピロ
カテキンおよびクレゾールスルフオン酸のような酸化防
止剤を使うこともできる。
一般に本発明による光沢剤は、水溶液あるいはメチルア
ルコール溶液として加えられるが、電着中に有害な結果
を生じない限り、他の適当な溶媒を使うことができる。
ルコール溶液として加えられるが、電着中に有害な結果
を生じない限り、他の適当な溶媒を使うことができる。
鍍金浴が、完全にかきまぜられるならば、場合によって
は添加剤を凝縮された形で加えることができる。
は添加剤を凝縮された形で加えることができる。
本発明による光沢剤は、多くの水性酸性錫鍍金浴の定式
化において有効なので、次の例に示された基本的ないか
なる浴を使用することも望ましい。
化において有効なので、次の例に示された基本的ないか
なる浴を使用することも望ましい。
次の例が単なる例示であり、かつ本発明の用途をこれら
の浴の定式化だけに限定するものでないことは明らかで
ある。
の浴の定式化だけに限定するものでないことは明らかで
ある。
例■
浴の組成 濃度（ｇ／ｌ）
硫酸第一錫 ３０
硫 酸 ２００
１ナフタリンカルボキシ ０．２アルデヒド
ジエチレングリコール ４０モノメチルエ
ーテル 例ＩＩ 浴の組成 濃度（ｇ／ｌ） 硫酸第一錫 ４５ 硫 酸 １５０ ２ナフタリンカルボキシ ０．２ アルデヒド トリトンＮ−１０１ ８ 例ＩＩＩ 浴の組成 濃度（ｇ／ｌ） 硫酸第一錫 ２０ 硫 酸 ２００ １ナフタリンカルボキシ ０．１ アルデヒド ミラノールＨＭ ４例ＩＶ 浴の組成 濃度（ｇ／ｌ） 硫酸第一錫 ３０ 硫 酸 ２００ ２ナフタリンカルボキシ ０．２ アルデヒド メタクリル酸 ０．５ トリトンＮ−１０１ ８ 例■ 浴の組成 濃度（ｇ／ｌ） 硫酸第一錫 ３０ 硫 酸 ２００ １ナフタリンカルボキシ ０．２ アルデヒド アクリル酸 ０．４ トリトンＮ−１０１ １０ 例ＶＩ 浴の組成 濃度（ｇ／ｌ） フルオロほう酸鉛 ４．５ほ う
酸 １０フルオロほう酸錫
１４フルオロほう酸
９０２ナフタリンカルボキシ ０．２アルデ
ヒド メタクリル酸 ０．５ テルギトールＴＭＮ １０ 鋼製陰極板と錫陽極を使って通常の２６７ｍｌのハルセ
ル試験法において全ての試験が行われた。
ーテル 例ＩＩ 浴の組成 濃度（ｇ／ｌ） 硫酸第一錫 ４５ 硫 酸 １５０ ２ナフタリンカルボキシ ０．２ アルデヒド トリトンＮ−１０１ ８ 例ＩＩＩ 浴の組成 濃度（ｇ／ｌ） 硫酸第一錫 ２０ 硫 酸 ２００ １ナフタリンカルボキシ ０．１ アルデヒド ミラノールＨＭ ４例ＩＶ 浴の組成 濃度（ｇ／ｌ） 硫酸第一錫 ３０ 硫 酸 ２００ ２ナフタリンカルボキシ ０．２ アルデヒド メタクリル酸 ０．５ トリトンＮ−１０１ ８ 例■ 浴の組成 濃度（ｇ／ｌ） 硫酸第一錫 ３０ 硫 酸 ２００ １ナフタリンカルボキシ ０．２ アルデヒド アクリル酸 ０．４ トリトンＮ−１０１ １０ 例ＶＩ 浴の組成 濃度（ｇ／ｌ） フルオロほう酸鉛 ４．５ほ う
酸 １０フルオロほう酸錫
１４フルオロほう酸
９０２ナフタリンカルボキシ ０．２アルデ
ヒド メタクリル酸 ０．５ テルギトールＴＭＮ １０ 鋼製陰極板と錫陽極を使って通常の２６７ｍｌのハルセ
ル試験法において全ての試験が行われた。
７０°Ｆないし８５°Ｆの範囲において５分間電解液を
機械的にかくはんしながら２人の電流を使用した。
機械的にかくはんしながら２人の電流を使用した。
表ＩＩＩは、運用された形式の組合せ、使われた種々の
基本浴、および得られた結果を示している。
基本浴、および得られた結果を示している。
本発明を、同じものを作りかつ使用するいかなる当業者
にも可能にするように、十分に、明らかに、簡潔にかつ
正確に示し、かつ本発明を実施しようとする最高の方法
を示したので、本発明であると見なした要旨が、適当に
指摘されかつ特許請求の範囲において明確に請求され、
かつ上記のような本発明の実施例の部分に対する同等物
あるいは変形あるいは代用物を、特許請求の範囲に述べ
たような本発明の範囲からはずれることなく作ることが
できることがわかる、ということを述べておく。
にも可能にするように、十分に、明らかに、簡潔にかつ
正確に示し、かつ本発明を実施しようとする最高の方法
を示したので、本発明であると見なした要旨が、適当に
指摘されかつ特許請求の範囲において明確に請求され、
かつ上記のような本発明の実施例の部分に対する同等物
あるいは変形あるいは代用物を、特許請求の範囲に述べ
たような本発明の範囲からはずれることなく作ることが
できることがわかる、ということを述べておく。
本発明は特許請求の範囲に記載した特徴を有するもので
あるが、その実施態様を例示すると次の通りである。
あるが、その実施態様を例示すると次の通りである。
１）ナフタリンモノカルボキシアルデヒドを溶解化する
ために乳化剤が使われる特許請求の範囲第１項記載の浴
。
ために乳化剤が使われる特許請求の範囲第１項記載の浴
。
２）酸が硫酸である、１）記載の浴。
３）酸がフルオロほう酸である、１）記載の浴。
４）乳化剤が、陽性表面活性剤、非イオン性表面活性剤
およびこれらの混合物から成る群から選ばれる、１）記
載の浴。
およびこれらの混合物から成る群から選ばれる、１）記
載の浴。
５）乳化剤が、１モルのアルキルフェノールあたりほぼ
１０モルないし２０モルの酸化エチレンによって凝縮さ
れたアルキルフェノールである、１）記載の浴。
１０モルないし２０モルの酸化エチレンによって凝縮さ
れたアルキルフェノールである、１）記載の浴。
６）ナフタリンモノカルボキシアルデヒドが、２ナフタ
リンモノカルボキシアルデヒドである、１）記載の浴。
リンモノカルボキシアルデヒドである、１）記載の浴。
７）ナフタリンモノカルボキシアルデヒドが、■ナフタ
リンモノカルボキシアルデヒドである、１）記載の浴。
リンモノカルボキシアルデヒドである、１）記載の浴。
８）Ｒ１がカルボキシであり、かつＲ２，Ｒ３およびＲ
４が水素である。
４が水素である。
特許請求の範囲第２項記載の浴。
９）Ｒ１がカルボキシであり、Ｒ２がメチル基であり、
かつＲ４が、水素である、特許請求の第２項記載の浴。
かつＲ４が、水素である、特許請求の第２項記載の浴。
１０）乳化剤が、１モルのアルキルフェノールあたりほ
ぼ１０モルないし２０モルの酸化エチレンによって凝縮
されたアルキルフェノールである、８）記載の浴。
ぼ１０モルないし２０モルの酸化エチレンによって凝縮
されたアルキルフェノールである、８）記載の浴。
１１） 乳化剤が、１モルのアルキルフェノールあたり
１０モルないし２０モルの酸化エチレンによって凝縮さ
れたアルキルフェノールである、９）記載の浴。
１０モルないし２０モルの酸化エチレンによって凝縮さ
れたアルキルフェノールである、９）記載の浴。
１２）溶解された鉛塩もあり、かつ酸がフルオロほう酸
である、１）記載の浴。
である、１）記載の浴。
１３）溶解された鉛塩もあり、かつ酸がフルオロほう酸
である、特許請求の範囲第２項記載の浴。
である、特許請求の範囲第２項記載の浴。
１４）ナフタリンモノカルボキシアルデヒドと乳化剤と
から成る、水性酸性鍍金浴用光沢剤。
から成る、水性酸性鍍金浴用光沢剤。
１５）適当な溶媒もある、１４）記載の光沢剤。
１６）次のような一般式の化合物もあり、この時Ｒ１が
、カルボキシ、カルボキシアミド、アルカリカルボキシ
ル置換体、アンモニウムカルボキシル置換体、アミンカ
ルボキシル置換体あるいはアルキルカルボキシル置換体
であり、かつＲ２，Ｒ３およびＲ４が、水素、メチル基
あるいは低級アルキルである、１５）記載の光沢剤。
、カルボキシ、カルボキシアミド、アルカリカルボキシ
ル置換体、アンモニウムカルボキシル置換体、アミンカ
ルボキシル置換体あるいはアルキルカルボキシル置換体
であり、かつＲ２，Ｒ３およびＲ４が、水素、メチル基
あるいは低級アルキルである、１５）記載の光沢剤。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 浴が、錫イオンと、硫酸およびフルオロほう酸から
成る群のうち少なくとも１つの酸と、光沢剤として０．
０５ｇ／ｌないし０．５ｇ／ｌの濃度で溶解又は乳化し
ているナフタリンモノカルボキシアルデヒドと、このナ
フタリンモノカルボキシアルデヒドを溶解又は乳化させ
るためのカツプラ又は乳化剤とを含むことを特徴とする
、水性酸性錫鍍金浴。 ２ 浴が、錫イオンと、硫酸およびフルオロほう酸から
成る群のうち少なくとも１つの酸と、光沢剤として０．
０５ｇ／ｌないし０．５ｇ／ｌの濃度で溶解又は乳化し
ているナフタリンモノカルボキシアルデヒドと、このナ
フタリンモノカルボキシアルデヒドとは別の光沢剤とし
て０．１ｇ／ｌないし５ｇ／ｌの濃度で溶解又は乳化し
下記の一般式を持つ置換オレフインと、光沢剤としての
ナフタリンモノカルボキシアルデヒドおよび置換オレフ
インを溶解又は乳化させるためのカツプラ又は乳化剤と
を含み、 置換オレフインの一般式： この時Ｒ１が、カルボキシ、カルボキシアミド、アルカ
リカルボキシル置換体、アンモニウムカルボキシル置換
体、アミンカルボキシル置換体あるいはアルキルカルボ
キシル置換体であり、またＲ２，Ｒ３および也が、水素
、メチル基あるいは低級アルキルであることを特徴とす
る、水性酸性錫鍍金浴。
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