JPS58118734U - 半導体素子パツシベ−シヨン - Google Patents

半導体素子パツシベ−シヨン

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JPS58118734U
JPS58118734U JP1982015281U JP1528182U JPS58118734U JP S58118734 U JPS58118734 U JP S58118734U JP 1982015281 U JP1982015281 U JP 1982015281U JP 1528182 U JP1528182 U JP 1528182U JP S58118734 U JPS58118734 U JP S58118734U
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JP
Japan
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semiconductor device
device packaging
psg
layer
micrometers
Prior art date
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Pending
Application number
JP1982015281U
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English (en)
Inventor
市川　範男
実 高橋
御法川　斉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は３層構造バッジ膜５ｉ０２（０，５μｍ）＋Ｐ
ＳＧ（０−４７ｚｍ）＋　３１０２（０−１μｍ）の説
明図、第２図は２層構造バッジ膜５ｉ０２（０−９μｍ
）＋　ＰＳＧ（０，４ｐ。 ｍ）の説明図、第３図はテーパホトエッチによる２層構
造パッジ膜の説明図、第４図はＳＰＧ層０．１μｍ２層
構造パッジ膜の説明図である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 自動車用圧力センサ等、使用環境が厳しい半導体素子で
    、ＳｉＯ□とＰＳＧより成る２層パッシベーション膜構
    造において、上層のＰＳＧ層の厚さを０゜０５〜２．０
    μｍとしたことを特徴とする半導体素子ノぐツシベーシ
    ョン。
JP1982015281U 1982-02-08 1982-02-08 半導体素子パツシベ−シヨン Pending JPS58118734U (ja)

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JPS58118734U true JPS58118734U (ja) 1983-08-13

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