JPS61254U - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS61254U JPS61254U JP1985064508U JP6450885U JPS61254U JP S61254 U JPS61254 U JP S61254U JP 1985064508 U JP1985064508 U JP 1985064508U JP 6450885 U JP6450885 U JP 6450885U JP S61254 U JPS61254 U JP S61254U
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- JP
- Japan
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- pair
- line pair
- signal
- signal line
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図はダイナミック型半導体記憶装置の慨略構成図、
警２図は本考案の壺施例を示す断面図である。 図中、３，３′は外部入力配線層、４は半導体基板、６
，７は対基板静電シールド層、ＳＡはセンスアンプ、Ｂ
Ｌ， ＢＬはビット線である。
警２図は本考案の壺施例を示す断面図である。 図中、３，３′は外部入力配線層、４は半導体基板、６
，７は対基板静電シールド層、ＳＡはセンスアンプ、Ｂ
Ｌ， ＢＬはビット線である。
Claims (2)
- （１）一対の入力端間の電位差を増幅する増幅器と、該
一対の入力端それぞれに接続された信号線対と、外部入
力信号が与えられる信号配線とが半導体基板上の異なる
位置に配設されてなる半導体装置において、前記信号線
対は前記半導体基板と容量結合しており、且つ前記信号
配線はその下部に形成された対基板静電シールド層によ
って前記半導体基板に対しシールドが施されていること
を特徴とする半導体装置。 - （２）前記増幅器がセンスアンプであり、前記信号線対
がそれぞれ記憶素子群が接続されたビット線対であり、
該ビット線対は前記センスアンプの両側に延びて配設さ
れていることを特徴とする実用新案登録請求の範囲第１
項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985064508U JPS61254U (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985064508U JPS61254U (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61254U true JPS61254U (ja) | 1986-01-06 |
| JPH034046Y2 JPH034046Y2 (ja) | 1991-02-01 |
Family
ID=30595656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985064508U Granted JPS61254U (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61254U (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH022173A (ja) * | 1988-06-14 | 1990-01-08 | Fujitsu Ltd | アナログスイッチ |
| JPH0321075A (ja) * | 1989-06-17 | 1991-01-29 | Ricoh Co Ltd | 高耐圧半導体集積回路装置 |
-
1985
- 1985-04-30 JP JP1985064508U patent/JPS61254U/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH022173A (ja) * | 1988-06-14 | 1990-01-08 | Fujitsu Ltd | アナログスイッチ |
| JPH0321075A (ja) * | 1989-06-17 | 1991-01-29 | Ricoh Co Ltd | 高耐圧半導体集積回路装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH034046Y2 (ja) | 1991-02-01 |
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