JPS58118019A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS58118019A JPS58118019A JP21584381A JP21584381A JPS58118019A JP S58118019 A JPS58118019 A JP S58118019A JP 21584381 A JP21584381 A JP 21584381A JP 21584381 A JP21584381 A JP 21584381A JP S58118019 A JPS58118019 A JP S58118019A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- thin film
- layer
- distance
- recording
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/312—Details for reducing flux leakage between the electrical coil layers and the magnetic cores or poles or between the magnetic cores or poles
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(])発明の技術分野
本発明に電磁変換効率を向上はせた薄膜磁気ヘッドの構
造に関する。
造に関する。
(2)技術の背景
薄膜磁気ヘッドは小型でかつ、半導体の様にフォトリソ
グラフィー技術を用いて容易に大量化度できることから
現在注目′2!ねている、(3)従来技術及び問題点 以下、図を用いて従来の薄膜ヘッドの問題点を説明する
。第1図は従来の薄膜磁気ヘッドの斜視図、第2図は第
1図の線A−A’における断面図であり、(a)は上下
の磁性層間距離が一足の場合、(b)はギャップから離
れた部分の磁性層間距離を太きくシ次場合を示す。図中
、1は基板、2は下部磁性層、3は上部磁性層、4は記
録再生ギャップ、5はコイル、6は絶縁層、7は電極、
8汀ヨ一ク部である。
グラフィー技術を用いて容易に大量化度できることから
現在注目′2!ねている、(3)従来技術及び問題点 以下、図を用いて従来の薄膜ヘッドの問題点を説明する
。第1図は従来の薄膜磁気ヘッドの斜視図、第2図は第
1図の線A−A’における断面図であり、(a)は上下
の磁性層間距離が一足の場合、(b)はギャップから離
れた部分の磁性層間距離を太きくシ次場合を示す。図中
、1は基板、2は下部磁性層、3は上部磁性層、4は記
録再生ギャップ、5はコイル、6は絶縁層、7は電極、
8汀ヨ一ク部である。
かかる従来の薄膜磁気ヘッドではヨーク部8における下
部磁性層2、上部磁性層30間の距離に第2図(a)の
様に一定かあるいは、(b)の様に記録再生ギャップ4
から離れた部分で大とされている。
部磁性層2、上部磁性層30間の距離に第2図(a)の
様に一定かあるいは、(b)の様に記録再生ギャップ4
から離れた部分で大とされている。
この様に上下の磁性層2.3の間隔が狭いと磁束が漏れ
やすくなり電磁変換効率が低下してし1う。すなわち、
記録時にはコイル5を流れる電流により生じる磁束がヨ
ーク8の後部からギャップ4の方へ流れる際、従来のヘ
ッド構造では磁束が漏れ易く、再生時にも記録再生ギャ
ップ4側磁極先端から流入した磁束が従来のヘッド構造
で汀容JAKmhコイルらV友郭f4肖Xド斗2ψ1ム
ユー21、−1ノなってし丑うのである。
やすくなり電磁変換効率が低下してし1う。すなわち、
記録時にはコイル5を流れる電流により生じる磁束がヨ
ーク8の後部からギャップ4の方へ流れる際、従来のヘ
ッド構造では磁束が漏れ易く、再生時にも記録再生ギャ
ップ4側磁極先端から流入した磁束が従来のヘッド構造
で汀容JAKmhコイルらV友郭f4肖Xド斗2ψ1ム
ユー21、−1ノなってし丑うのである。
(4)発明の目的
本発明は上記の問題を解消し、薄膜磁気ヘッドの電磁変
換効率を向上することを目的とするものである。
換効率を向上することを目的とするものである。
(5)発明の構成
上記の目的は、磁性薄膜よりなる第1の磁極、非磁性膜
、絶縁層に挾まれた導体層、磁性薄膜よりなる第2の磁
極を基板上に順次積層1.で成る薄膜磁気ヘッドにおい
て、記録再生ギャップ近傍の該第1の磁極と該第2の磁
極間の距離を他の部分に対して大としたことを特徴とす
る薄膜磁気ヘッドを提供することにより達成きれる。
、絶縁層に挾まれた導体層、磁性薄膜よりなる第2の磁
極を基板上に順次積層1.で成る薄膜磁気ヘッドにおい
て、記録再生ギャップ近傍の該第1の磁極と該第2の磁
極間の距離を他の部分に対して大としたことを特徴とす
る薄膜磁気ヘッドを提供することにより達成きれる。
(6)発明の実施例
以下図を用いて本発明の詳細な説明する。
第3図は本発明にか力る薄膜磁気ヘッドの斜視図、第4
図は第3図の線B−B’における断面図、第5図は読み
出し時における磁束分布、第6図は書き込み時における
磁束分布、第7図U**込み時における磁場強度分布を
示す図である。尚、図中9の薄膜磁気ヘッドの特性を示
す。
図は第3図の線B−B’における断面図、第5図は読み
出し時における磁束分布、第6図は書き込み時における
磁束分布、第7図U**込み時における磁場強度分布を
示す図である。尚、図中9の薄膜磁気ヘッドの特性を示
す。
本発明にカーかる薄膜磁気ヘッドは第4図に示す様に記
録再成ギャップ4の近傍でヨーク部8の下部磁性層2と
上部磁性層3の間の距離が大となる様に上部磁性層3と
絶縁層6の間に付加絶縁層9を形成している。
録再成ギャップ4の近傍でヨーク部8の下部磁性層2と
上部磁性層3の間の距離が大となる様に上部磁性層3と
絶縁層6の間に付加絶縁層9を形成している。
この様な構造にすることにより磁束が漏れに〈〈なり、
記録時にコイル5で発生り、た磁束σ効率よく記録再生
ギャップ4側へ導力れ、再生時にも記録再生ギャップ4
側から流入する磁束は効率よくコイル5と鎖交する。
記録時にコイル5で発生り、た磁束σ効率よく記録再生
ギャップ4側へ導力れ、再生時にも記録再生ギャップ4
側から流入する磁束は効率よくコイル5と鎖交する。
例えはヨーク部8における磁極間距離を一定とした場合
とギャップ4の近傍で磁極間距離を犬と1また場合の磁
束分布は磁気モデルを用いた計算により、第5乃至第7
図の様な特性を示すことが確認きれた。
とギャップ4の近傍で磁極間距離を犬と1また場合の磁
束分布は磁気モデルを用いた計算により、第5乃至第7
図の様な特性を示すことが確認きれた。
第5図によれば、読み出し時の磁束がコイル5の周辺で
従来に比べ大となり、第6,7図によれば書き込み時の
磁束及び磁場の強度が増加1−てお3− リ、従来よりも効率良く電磁変換が行われていることが
わかる。
従来に比べ大となり、第6,7図によれば書き込み時の
磁束及び磁場の強度が増加1−てお3− リ、従来よりも効率良く電磁変換が行われていることが
わかる。
また−数直例をあげると、磁極厚さ3μm1ギ’ryプ
長0.8 p rnsヨーク長100μms透磁率50
0、Bs=1000ガウス、磁極間距離6μm一定の従
来の#膜磁気ヘッドでは再生効率55チ、ギャップ磁場
52000cであるのに対11、記録再生ギャップ4側
の磁極間距離を12μmと1〜、他の形状を同一と【、
7た本発明にかかる薄膜磁気ヘッドでは再生効率が61
チ、ギャップ磁場が68000eに向上することが確認
はれた。
長0.8 p rnsヨーク長100μms透磁率50
0、Bs=1000ガウス、磁極間距離6μm一定の従
来の#膜磁気ヘッドでは再生効率55チ、ギャップ磁場
52000cであるのに対11、記録再生ギャップ4側
の磁極間距離を12μmと1〜、他の形状を同一と【、
7た本発明にかかる薄膜磁気ヘッドでは再生効率が61
チ、ギャップ磁場が68000eに向上することが確認
はれた。
同不実施例における付加絶縁層9は、絶縁層6を成膜後
、同様にフォトリソグラフィー技術により容易に形成す
ることができる。またフォトレジスト自体を絶縁層9と
しても良く、この場合には崖光、現像後熱硬化させれば
良い。
、同様にフォトリソグラフィー技術により容易に形成す
ることができる。またフォトレジスト自体を絶縁層9と
しても良く、この場合には崖光、現像後熱硬化させれば
良い。
1に本発明にかかる薄膜磁気ヘッドの断面形状は第4図
に示すものに限らず、ギャップ4近傍の磁極間距離か他
の部分より大となっていれはよく、4− 第8図は本発明の他の実施例であり、ヨーク部8の断面
形状を示す。本実施例に第4図に示す付加絶縁層9を3
回に分けて形成シ、fr、もので、絶縁層6を形成後付
加絶縁層1(+、 11.12f徐々にパターンをかえ
つつ順次形成する。この様にすることで任意の断面形状
を形成することができる。
に示すものに限らず、ギャップ4近傍の磁極間距離か他
の部分より大となっていれはよく、4− 第8図は本発明の他の実施例であり、ヨーク部8の断面
形状を示す。本実施例に第4図に示す付加絶縁層9を3
回に分けて形成シ、fr、もので、絶縁層6を形成後付
加絶縁層1(+、 11.12f徐々にパターンをかえ
つつ順次形成する。この様にすることで任意の断面形状
を形成することができる。
第9図は本発明の他の実施例である。コイル層と絶縁層
を交互に形成してなる場合に、ギャップ4近傍の磁極間
距離の増大を各層にわりあてたものである。
を交互に形成してなる場合に、ギャップ4近傍の磁極間
距離の増大を各層にわりあてたものである。
(7)発明の詳細
な説明した様に本発明によれば薄膜磁気ヘッドの記録効
率、再生効率が向上し、より小電流でか向上する。
率、再生効率が向上し、より小電流でか向上する。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の薄膜磁気ヘッドの斜視図、第2図は第1
図の線A−A’における断面図であり、(a)ャップか
ら離れた部分の磁極間距離を大と1.た場合、第3図は
本発明にか力・る#膜磁気ヘッドの斜視図、第4図げ第
3図の線B−B’における断面図、第5図は読み出し時
における磁束分布、第6図に書き込み時における磁束分
布、第7図は書き込み時における磁場残置分布を示す図
であり、第5乃至7図の磁線は従来の薄膜磁気ヘッドの
特性、第8.9図は本発明の他の実施例の断面図である
。 I・・・基板、2・・・下部磁性層、3・・・上部磁性
層、4・・・記録再生ギャップ、5・・・コイル、6・
・・絶縁層、7・・・電極、8・・・ヨーク部、9.
Hl、 11.12・・・付加絶縁層。 特閏昭58−118019 (3) 7− (E 4寸 肺 十−一 口 ト \0 輪
図の線A−A’における断面図であり、(a)ャップか
ら離れた部分の磁極間距離を大と1.た場合、第3図は
本発明にか力・る#膜磁気ヘッドの斜視図、第4図げ第
3図の線B−B’における断面図、第5図は読み出し時
における磁束分布、第6図に書き込み時における磁束分
布、第7図は書き込み時における磁場残置分布を示す図
であり、第5乃至7図の磁線は従来の薄膜磁気ヘッドの
特性、第8.9図は本発明の他の実施例の断面図である
。 I・・・基板、2・・・下部磁性層、3・・・上部磁性
層、4・・・記録再生ギャップ、5・・・コイル、6・
・・絶縁層、7・・・電極、8・・・ヨーク部、9.
Hl、 11.12・・・付加絶縁層。 特閏昭58−118019 (3) 7− (E 4寸 肺 十−一 口 ト \0 輪
Claims (1)
- 磁性薄膜よりなる第1の磁極、非磁性膜、絶縁層に挾ま
れた導体層、磁性薄膜よりなる第2の磁極を基板上に順
次積層して成る薄膜磁気ヘッドにおいて、記録再生ギャ
ソゾ近傍の該第1の磁極と該第2の磁極間の距離を他の
部分に対(2て大としたことを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21584381A JPS58118019A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21584381A JPS58118019A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58118019A true JPS58118019A (ja) | 1983-07-13 |
Family
ID=16679183
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21584381A Pending JPS58118019A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58118019A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6342012A (ja) * | 1986-08-06 | 1988-02-23 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
-
1981
- 1981-12-29 JP JP21584381A patent/JPS58118019A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6342012A (ja) * | 1986-08-06 | 1988-02-23 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
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