JPS58116575A - 半導体基板上への散乱性反射面の製造方法 - Google Patents
半導体基板上への散乱性反射面の製造方法Info
- Publication number
- JPS58116575A JPS58116575A JP56212975A JP21297581A JPS58116575A JP S58116575 A JPS58116575 A JP S58116575A JP 56212975 A JP56212975 A JP 56212975A JP 21297581 A JP21297581 A JP 21297581A JP S58116575 A JPS58116575 A JP S58116575A
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- Japan
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- scattering
- etching
- film
- semiconductor substrate
- interlayer film
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明に、半導体集積回路によって、ＢＬ基板上へスイ
ッチング用トランジスタを、マトリックス上に形成し、
このｓｔ基板と透明ガラスとの間に、液晶を封入したテ
レビ画倖表示ＩＣ内の散乱性反射板の製造方法に関する
ものである。
ッチング用トランジスタを、マトリックス上に形成し、
このｓｔ基板と透明ガラスとの間に、液晶を封入したテ
レビ画倖表示ＩＣ内の散乱性反射板の製造方法に関する
ものである。
１図に従来の半導体基板上への拡散反射面耐酸方法の一
例を示しｒ１図中１に不純物トープの８１基板であわ、
２５のＴｎ部を除（Ｓ１表面上に散乱反射面を形成する
為、６〜１０μの楕円形のパターンを不規則に配列し斤
マヌクで、 ＬＯ（！Ｏ８酸化膜ｆ、パターン通り形成
する。このＬＯＣ０８酸イヒＩｌｌ全面エンチンクする
ことに工ね、８１基板に、凹みのパターンかで会、凹与
のエツジに。
例を示しｒ１図中１に不純物トープの８１基板であわ、
２５のＴｎ部を除（Ｓ１表面上に散乱反射面を形成する
為、６〜１０μの楕円形のパターンを不規則に配列し斤
マヌクで、 ＬＯ（！Ｏ８酸化膜ｆ、パターン通り形成
する。このＬＯＣ０８酸イヒＩｌｌ全面エンチンクする
ことに工ね、８１基板に、凹みのパターンかで会、凹与
のエツジに。
バーズビーク形状で丸みをおびる０次にフィールド酸化
膜５でアクティブ領塘を形成する８次にゲート酸ｆヒ膜
４ケデボ後、ボ１１シリマンＦＷｉ５？形成する。続い
て、凹パターンの傾斜形状をざらにゆるやかにする為、
高濃［ＰＥＩＧｊ１１ｉｆｆ＄ｌ、１０００１１００℃
でリフロー１−乙、コンタクトエツチング１１．ＡＯ配
＃ＭＢ管行い１層間膜９ｔデボ後、スルーホールエッチ
１０をし、第２〜ムＬ膜１１ｆ形成後、パンシベーショ
ン膜１２でカバーシプロセスを終了−ｔる、ゲートライ
ンと、ソースラインで選択されたＴｒがＯＮ ｌ、、
Ａ Ｌ（１）で画素コンデンサー２４部に電圧印加ｐｈ
、ｐ工ＯＪ：に形成メれ７？液晶分子虻列が変什し１色
変化によね表示を行う、？１１えげ音圧印加時に液晶分
子が青入射方向に配列する工うにしておけば、入射光に
１画素の１１のムＬ反射物に到達し、白色散乱が見え、
電Ｆ）”０ＦＦｌｌｉｋに１、＃晶での光吸収による発
色光による発光色と′ｆｆｈ、コントラストが生じ表示
ができる０反射叛としては、入射偏光軸がずれず、広い
視野角で。
膜５でアクティブ領塘を形成する８次にゲート酸ｆヒ膜
４ケデボ後、ボ１１シリマンＦＷｉ５？形成する。続い
て、凹パターンの傾斜形状をざらにゆるやかにする為、
高濃［ＰＥＩＧｊ１１ｉｆｆ＄ｌ、１０００１１００℃
でリフロー１−乙、コンタクトエツチング１１．ＡＯ配
＃ＭＢ管行い１層間膜９ｔデボ後、スルーホールエッチ
１０をし、第２〜ムＬ膜１１ｆ形成後、パンシベーショ
ン膜１２でカバーシプロセスを終了−ｔる、ゲートライ
ンと、ソースラインで選択されたＴｒがＯＮ ｌ、、
Ａ Ｌ（１）で画素コンデンサー２４部に電圧印加ｐｈ
、ｐ工ＯＪ：に形成メれ７？液晶分子虻列が変什し１色
変化によね表示を行う、？１１えげ音圧印加時に液晶分
子が青入射方向に配列する工うにしておけば、入射光に
１画素の１１のムＬ反射物に到達し、白色散乱が見え、
電Ｆ）”０ＦＦｌｌｉｋに１、＃晶での光吸収による発
色光による発光色と′ｆｆｈ、コントラストが生じ表示
ができる０反射叛としては、入射偏光軸がずれず、広い
視野角で。
高い反射率を有することが必曹とされる１反射根が、フ
ラツ７トか場合、鏡面反射となり、正反射視野角のみの
高反射となる為前述説明の如く、凹パターンマヌクをＬ
ＯＯＯ８ｙＦ！ｉ、 リフロー技術に工ね、１０〜
２０°のゆるやかな、テーパー會もつ散乱面ｆ形ｂｖ（
、ている。
ラツ７トか場合、鏡面反射となり、正反射視野角のみの
高反射となる為前述説明の如く、凹パターンマヌクをＬ
ＯＯＯ８ｙＦ！ｉ、 リフロー技術に工ね、１０〜
２０°のゆるやかな、テーパー會もつ散乱面ｆ形ｂｖ（
、ている。
しかし、従来方法の散乱面形成、０．非常に工程が多い
上、ＬＯＯＯ８時の結晶欠陥による基板への１１−り、
ＮＩｈ濃度リフローによる第１ＡＬの腐食による信頼性
の低下、ざらに、基蓼全面に、細か斤凹パターンがある
為、後工程でのホトエッチ誌に、バーズビーク面からの
ハレーションが、あらゆる箇所で起り、デサインルール
上、大きな制約をうけるという問題が生じてい声。
上、ＬＯＯＯ８時の結晶欠陥による基板への１１−り、
ＮＩｈ濃度リフローによる第１ＡＬの腐食による信頼性
の低下、ざらに、基蓼全面に、細か斤凹パターンがある
為、後工程でのホトエッチ誌に、バーズビーク面からの
ハレーションが、あらゆる箇所で起り、デサインルール
上、大きな制約をうけるという問題が生じてい声。
本発明に、従来のこのような欠点ｆ、−掃し声散乱反射
面製造方法を提出するものである。
面製造方法を提出するものである。
堤下に本発明を実施−１に工す説明する。
実施＄１１゜
第２図の如く、アクティブｍ城を、ＬＯＣＯ日１５に工
す形成する１次にゲート酸什膜１４．ボＩＩ シＩＩコ
ン膜１５を形成し、４モルのＦ Ｂ ０ｙ１６ｆデポコ
ンタクトホール形成後、第１＊Ｌ配糾層１７を形成する
。続いてノンドープ層間膜１８を１．５μ０ＶＤｆ：で
形成し、散乱反射ｉ１ｉ［ｉ足底パターンで、ホトエツ
チングし、α５μの凹みをつくる。エツチングｎ−ＨＦ
ＨｍＯ混沿を用い斤、レジストハクリ後、スルーホ
ール２ｏをめけｐｕｒｅＡＬＭｊＩ２１？影成し、パン
シヘーション膜２２ｆα２μデボｉ、ＰＡＤの穴あけ？
行い終了した。
す形成する１次にゲート酸什膜１４．ボＩＩ シＩＩコ
ン膜１５を形成し、４モルのＦ Ｂ ０ｙ１６ｆデポコ
ンタクトホール形成後、第１＊Ｌ配糾層１７を形成する
。続いてノンドープ層間膜１８を１．５μ０ＶＤｆ：で
形成し、散乱反射ｉ１ｉ［ｉ足底パターンで、ホトエツ
チングし、α５μの凹みをつくる。エツチングｎ−ＨＦ
ＨｍＯ混沿を用い斤、レジストハクリ後、スルーホ
ール２ｏをめけｐｕｒｅＡＬＭｊＩ２１？影成し、パン
シヘーション膜２２ｆα２μデボｉ、ＰＡＤの穴あけ？
行い終了した。
実施ｆｌ＋ ２゜
層間膜１８ｆ１．２μデボ後、ＣＦａ＋Ｏ嘗プラズマを
ｈ ２００ ｗ Ｘ １分照射後、Ｈ１’ｌ−１２０
レジ、ストを塗布し、散乱パターンでホトエツチシ２゜
ＨＦＪエツチング漬で、α５μの凹みを形成後。
ｈ ２００ ｗ Ｘ １分照射後、Ｈ１’ｌ−１２０
レジ、ストを塗布し、散乱パターンでホトエツチシ２゜
ＨＦＪエツチング漬で、α５μの凹みを形成後。
スルーホールし、ムＬ−８１（１％）膜ｆ１μテボし、
後工程に、実施ｆ１１１と同様に行った。
後工程に、実施ｆ１１１と同様に行った。
実施−１五
層間膜に、プラズマ窒化１ＩＹｒ１μデボし、ＣＦａ＋
０虐プラズマで２００ｗｘ５０秒表面エソ千ンクＶｔ、
散乱パターンを熱りン酸液で１４μエツチング後、スル
ーホールｆｈ ＯＦａ 十〇ｍ プラズマ〒エツチン
グし、第２層メタ九會、銀で１５μスパッタ形成し、パ
ッシベーション膜ヲ、プラズマ窒イ「膜でα２μ形成し
た。
０虐プラズマで２００ｗｘ５０秒表面エソ千ンクＶｔ、
散乱パターンを熱りン酸液で１４μエツチング後、スル
ーホールｆｈ ＯＦａ 十〇ｍ プラズマ〒エツチン
グし、第２層メタ九會、銀で１５μスパッタ形成し、パ
ッシベーション膜ヲ、プラズマ窒イ「膜でα２μ形成し
た。
以上寮＃１ｌｉｉｆＩｌで説明した方法で製造した。散
乱反射書の反射特性を第５．４Ｍに示し大、５図中の２
５が反射昏でｊｂｈ、反射面が下である。２４に。
乱反射書の反射特性を第５．４Ｍに示し大、５図中の２
５が反射昏でｊｂｈ、反射面が下である。２４に。
白色入射光糎の・・ロゲンランプで入射角０ｆｔえるこ
とかで会１本データーｆｄａｍ２０°のものである。２
５け１反射光強度測定甲、ホトトランジスタで、受光角
αとの反射光強度との射応をとったものが第４図である
。第４−中２６に、散乱パターンのない鏡面状態のデー
ターであわ、α＝２０°の鋳面反射光しか得られない、
２７４ｄ、標撫白色板であわ、散乱反射が得られるが反
射ｆｆ強度が小びい、２８は、従来のＬＯＣＯ８，ｌ１
７゜一方式であり、視野角も広く強に４１ｈる。２９に
。
とかで会１本データーｆｄａｍ２０°のものである。２
５け１反射光強度測定甲、ホトトランジスタで、受光角
αとの反射光強度との射応をとったものが第４図である
。第４−中２６に、散乱パターンのない鏡面状態のデー
ターであわ、α＝２０°の鋳面反射光しか得られない、
２７４ｄ、標撫白色板であわ、散乱反射が得られるが反
射ｆｆ強度が小びい、２８は、従来のＬＯＣＯ８，ｌ１
７゜一方式であり、視野角も広く強に４１ｈる。２９に
。
本発明実施−１１のデーターであり、６０が実施例５．
５１が実施ｉｌｌ ２のデーター管示している。
５１が実施ｉｌｌ ２のデーター管示している。
いずれ本、従来方式以上の反側伽度、視野角が得られる
上、工程も減わ、信頼性１歩貿りの点からも優れに散乱
反射面の製造方Ｗといλる。又。
上、工程も減わ、信頼性１歩貿りの点からも優れに散乱
反射面の製造方Ｗといλる。又。
従来の方式でに、アクティブ餠１ハスレツショールト、
ジャンクションリーク、耐圧等が不安定になる局、散乱
パターンケ形成で勇ないという制約があつｋが１本発明
に１層間層中に、散乱パターンを形成する為、アクティ
ブ領域も散乱パターンをつ（ることか可能であり、工す
効果的な反射％注が得られる１層間１１＃を、プラズマ
で軽（表面エツチングすることに１ ｈ Ｌ／ ジスト
ノ密ｔｉＦｅｌＪζ低下し、エツチングに工わ１０〜２
０°程度のテーパーが任童に−べることｆ’ｅ’求する
反射面傾斜角ｔＳぺるこということ本１本発明の大会な
メ１ドツトの一つでもある。
ジャンクションリーク、耐圧等が不安定になる局、散乱
パターンケ形成で勇ないという制約があつｋが１本発明
に１層間層中に、散乱パターンを形成する為、アクティ
ブ領域も散乱パターンをつ（ることか可能であり、工す
効果的な反射％注が得られる１層間１１＃を、プラズマ
で軽（表面エツチングすることに１ ｈ Ｌ／ ジスト
ノ密ｔｉＦｅｌＪζ低下し、エツチングに工わ１０〜２
０°程度のテーパーが任童に−べることｆ’ｅ’求する
反射面傾斜角ｔＳぺるこということ本１本発明の大会な
メ１ドツトの一つでもある。
第１図に従来方式の散乱性反射面′５ｒ具備したＩＣ断
面図、糖２図に１本発明方式のＩＣ断面図。 ＠５図に、散乱反射特性の計価甲光学系略図、第４８１
！け、散乱反射特性を示［１女。 １・・・８１基金 ２・・・散乱ヰ反射面 ５ ・ ＥＩ ＯＣＯ８ ４・・・ゲート膜 ５・・・ボリシＩＩコン膜 ６・・・拡散層 ７・・・オーフィールド膜 ８・・・オームＬ配線膜 ９・・・−間膜 １１・・・オンＡＬ配線膜 １２・・・パッシベーション膜 １５・・ＬＯＣＯ８ １４・・・ケート酸ｆト膜 １５・・・ボ１１シリコン膜 １６・・・オーフィールド論 １７・・・オームＬ配線膜 １８・・・層間膜 １９・・・散乱性反射面 ２０・・・２ルーホール ２１・・・オフＡＬ膜 ２２・・・パッシベーション膜 ２５・・・散乱性反射面 ２４・・・入射光源 ２５・・・受光ホトトランジヌタ ２６・・・ｆｊｋ面反射面工０ ２７・・・＃準白色板 ２８・・・従来方式の散乱性反射面Ｘａ２９・・・本発
明１１練１の散乱性反射面ｌ０５０・・・本発明実権−
１５の散乱反射特性Ｃ５１・・・本発明１１練例２の散
乱性反射画工Ｏシ上 出願人 株穴会社 −訪精工舎
面図、糖２図に１本発明方式のＩＣ断面図。 ＠５図に、散乱反射特性の計価甲光学系略図、第４８１
！け、散乱反射特性を示［１女。 １・・・８１基金 ２・・・散乱ヰ反射面 ５ ・ ＥＩ ＯＣＯ８ ４・・・ゲート膜 ５・・・ボリシＩＩコン膜 ６・・・拡散層 ７・・・オーフィールド膜 ８・・・オームＬ配線膜 ９・・・−間膜 １１・・・オンＡＬ配線膜 １２・・・パッシベーション膜 １５・・ＬＯＣＯ８ １４・・・ケート酸ｆト膜 １５・・・ボ１１シリコン膜 １６・・・オーフィールド論 １７・・・オームＬ配線膜 １８・・・層間膜 １９・・・散乱性反射面 ２０・・・２ルーホール ２１・・・オフＡＬ膜 ２２・・・パッシベーション膜 ２５・・・散乱性反射面 ２４・・・入射光源 ２５・・・受光ホトトランジヌタ ２６・・・ｆｊｋ面反射面工０ ２７・・・＃準白色板 ２８・・・従来方式の散乱性反射面Ｘａ２９・・・本発
明１１練１の散乱性反射面ｌ０５０・・・本発明実権−
１５の散乱反射特性Ｃ５１・・・本発明１１練例２の散
乱性反射画工Ｏシ上 出願人 株穴会社 −訪精工舎
Claims (1)
- （１）半導体基板上に、鎖１屡ＡＬ系配線を形成する手
段と、該ムＬ系配線上に層間膜を形成する手段と、前記
層間膜を散乱反射面彫成用のマスクでホトエッチする手
段と１層間膜を穴あけし、＊２層メタル配線する手段よ
りなることｔ％徴とした半導体基金上への散乱性反射物
の製造方法、（２）層間′膜上を１層間膜エッチ用プラ
ズマで。 表面エッチンク後、散乱反射面形成用マスクで。 ホトエッチすることｆ特徴とした第１項記載の半導体基
板上への散乱性反射板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56212975A JPS58116575A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 半導体基板上への散乱性反射面の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56212975A JPS58116575A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 半導体基板上への散乱性反射面の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58116575A true JPS58116575A (ja) | 1983-07-11 |
Family
ID=16631391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56212975A Pending JPS58116575A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 半導体基板上への散乱性反射面の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58116575A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0627481A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-02-04 | Sharp Corp | 反射型アクティブマトリクス基板及びその製造方法並びに液晶表示装置 |
-
1981
- 1981-12-29 JP JP56212975A patent/JPS58116575A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0627481A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-02-04 | Sharp Corp | 反射型アクティブマトリクス基板及びその製造方法並びに液晶表示装置 |
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