CN101311802A

CN101311802A - 硅基液晶显示器、硅基液晶显示器反射镜面及制作方法

Info

Publication number: CN101311802A
Application number: CNA2007100410985A
Authority: CN
Inventors: 向阳辉; 刘艳
Original assignee: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Current assignee: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority date: 2007-05-23
Filing date: 2007-05-23
Publication date: 2008-11-26
Anticipated expiration: 2027-05-23
Also published as: CN101311802B

Abstract

一种硅基液晶显示器反射镜面的制作方法，包括下列步骤：首先提供带有金属层的硅基底，所述金属层中包含贯穿金属层的沟槽；在金属层上形成绝缘介质层且绝缘介质层填充满沟槽；蚀刻绝缘介质层至露出金属层，形成反射镜面阵列；在金属层上形成金属氧化层；对包含金属层和金属氧化层的硅基底进行热处理。本发明还提供一种硅基液晶显示器反射镜面、硅基液晶显示器及制作方法。在金属层上形成金属氧化层用以保护金属层，使金属层在热处理过程中由于金属氧化层的压制，使金属层中的原子迁移减慢，使反射镜面不会产生凸起，进而提高反射镜面的质量和可靠性，提高反射镜面的反射效果。

Description

硅基液晶显示器、硅基液晶显示器反射镜面及制作方法

技术领域

本发明涉及硅基液晶(LCOS，Liquid Crystal On Silicon)显示器的制作方法，特别涉及在制作硅基液晶显示器的反射镜面过程中，改善硅基液晶显示器的反射镜面缺陷。

背景技术

硅基液晶(LCOS)是一种新型的反射式液晶显示装置，与普通液晶不同的是，LCOS结合CMOS工艺在硅片上直接实现驱动电路，并采用CMOS技术将有源像素矩阵制作在硅衬底上，因而具有尺寸小和分辨率高的特性。

理想的LCOS应该平坦、光滑并有很高的反射率，这样才能够保证很好的液晶排列和液晶层厚度的一致性，并不扭曲光线，这就需要其中的反射镜面必须相当的平整，才能够精确地控制反射光路，这对于投影电视等高端应用是一个十分关键的因素。

现有硅基液晶显示器反射镜面的制作方法，如图1所示，在包含驱动电路等结构的硅基底101上用溅射方法形成金属层102，其中金属层的材料为铝铜合金(铜含量为0.5％)；在金属层102上涂覆抗反射层103，抗反射层103在曝光时保护金属层102免受光的影响；在抗反射层103表面形成光阻层104，对光阻层104进行曝光及显影处理，形成开口图形107。

如图2所示，以光阻层104为掩膜，蚀刻抗反射层103和金属层102，形成沟槽105。

如图3所示，先对光阻层104和抗反射层103进行灰化处理；再用碱性溶液(NEKC)进一步去除灰化后残留的抗反射层103和光阻层104；用高密度等离子体化学气相沉积法在金属层102上形成绝缘介质层106，用于器件间的隔离，并且将绝缘介质层106填满沟槽105。

如图4所示，对绝缘介质层106进行干法蚀刻至露出金属层102，形成反射镜面108阵列；最后进行热处理工艺，热处理作用是修复在前道蚀刻等工艺对金属层102造成的损伤。

在如下申请号为200310122960的中国专利申请中，还可以发现更多与上述技术方案相关的信息，在制作硅基液晶显示器反射镜面过程中，在形成反射镜面阵列后直接对反射镜面进行热处理工艺。

图5和图6是现有技术制作的硅基液晶显示器反射镜面产生凸起的示意图。如图5所示，在热处理工艺中，金属层中的铝受热会使结构发生变化，进而原子迁移加快，造成反射镜面产生凸起100。如图6所示，用电子扫描显微镜(SEM，Scan Electron Microscope)观察反射镜面，能看到白色的小亮点，就是所述的凸起110，这些凸起的大小为0.5μm～1.5μm。

现有制作硅基液晶显示器的反射镜面，在热处理过程中，金属层中的铝受热原子发生迁移，造成反射镜面产生凸起，进而降低反射镜面的质量和可靠性，影响反射镜面的反射效果。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种硅基液晶显示器反射镜面的制作方法，防止反射镜面产生凸起。

为解决上述问题，本发明提供一种硅基液晶显示器反射镜面的制作方法，包括下列步骤：首先提供带有金属层的硅基底，所述金属层中包含贯穿金属层的沟槽；在金属层上形成绝缘介质层且绝缘介质层填充满沟槽；蚀刻绝缘介质层至露出金属层，形成反射镜面阵列；在金属层上形成金属氧化层；对包含金属层和金属氧化层的硅基底进行热处理。

实施例中，形成金属氧化层的方法为等离子体氧气处理金属层表面。等离子体氧气处理金属层表面的温度为240℃～280℃，压力为1.3Torr～1.7Torr。氧气流量为2200sccm～2800sccm。所述金属层为铝铜合金，其中铝含量为99.5％，铜含量为0.5％。所述金属氧化层为氧化铝层。所述氧化铝层的厚度为30埃～70埃。所述热处理的温度为400℃～420℃，时间为25分钟～35分钟。

本发明提供一种硅基液晶显示器反射镜面，包括，带有金属层的硅基底，所述金属层中包含贯穿金属层的沟槽，沟槽内填充满绝缘介质层；金属氧化层，位于金属层上。

实施例中，所述金属氧化层为氧化铝层。所述氧化铝层的厚度为30埃～70埃。

本发明提供一种硅基液晶显示器的制作方法，包括下列步骤：首先提供包含晶体管和电容器的硅基底，在硅基底上依次形成有像素开关电路层、导电层、绝缘层及金属层，所述金属层中包含贯穿金属层的沟槽；在金属层上形成绝缘介质层且绝缘介质层填充满沟槽；蚀刻绝缘介质层至露出金属层，形成反射镜面阵列；在金属层上形成金属氧化层；对包含金属层和金属氧化层的硅基底进行热处理。

本发明提供一种硅基液晶显示器，包括，包含晶体管和电容器的硅基底；位于硅基底上的像素开关电路层；位于像素开关电路层上的导电层；位于导电层上的绝缘层及位于绝缘层上的金属层，所述金属层中包含贯穿金属层的沟槽，沟槽内填充满绝缘介质层；金属氧化层，位于金属层上。

与现有技术相比，上述方案具有以下优点：在热处理工艺前，在金属层上形成金属氧化层用以保护金属层，使金属层在热处理过程中由于金属氧化层的压制，使金属层中的原子迁移减慢，使反射镜面不会产生凸起，进而提高反射镜面的质量和可靠性，提高反射镜面的反射效果。

附图说明

图1至图4是现有制作硅基液晶显示器反射镜面的示意图；

图5和图6为现有技术制作的硅基液晶显示器反射镜面产生凸起的示意图；

图7为本发明制作硅基液晶显示器反射镜面的实施例流程图；

图8是本发明制作硅基液晶显示器的实施例流程图；

图9至图13为本发明制作硅基液晶显示器反射镜面的实施例示意图；

图14至图21是本发明制作硅基液晶显示器的实施例示意图；

图22是本发明制作的硅基液晶显示器反射镜面的示意图。

具体实施方式

本发明在热处理工艺前，在金属层上形成金属氧化层用以保护金属层，使金属层在热处理过程中由于金属氧化层的压制，使金属层中的原子迁移减慢，使反射镜面不会产生凸起，进而提高反射镜面的质量和可靠性，提高反射镜面的反射效果。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

本发明提供一种硅基液晶显示器反射镜面，包括：带有金属层的硅基底，所述金属层中包含贯穿金属层的沟槽，沟槽内填充满绝缘介质层；金属氧化层，位于金属层上。

本发明提供一种硅基液晶显示器，包括：包含晶体管和电容器的硅基底；位于硅基底上的像素开关电路层；位于像素开关电路层上的导电层；位于导电层上的绝缘层及位于绝缘层上的金属层，所述金属层中包含贯穿金属层的沟槽，沟槽内填充满绝缘介质层；金属氧化层，位于金属层上。

图7为本发明制作硅基液晶显示器反射镜面的实施例流程图。如图7所示，执行步骤S201，首先提供带有金属层的硅基底，所述金属层中包含贯穿金属层的沟槽；执行步骤S202，在金属层上形成绝缘介质层且绝缘介质层填充满沟槽；执行步骤S203，蚀刻绝缘介质层至露出金属层，形成反射镜面阵列；执行步骤S204，在金属层上形成金属氧化层；执行步骤S205，对包含金属层和金属氧化层的硅基底进行热处理。

图8是本发明制作硅基液晶显示器的实施例流程图。执行步骤S301，首先提供包含晶体管和电容器的硅基底，在硅基底上依次形成有像素开关电路层、导电层、绝缘层及金属层，所述金属层中包含贯穿金属层的沟槽；执行步骤S302，在金属层上形成绝缘介质层且绝缘介质层填充满沟槽；执行步骤S303，蚀刻绝缘介质层至露出金属层，形成反射镜面阵列；执行步骤S304，在金属层上形成金属氧化层；执行步骤S305，对包含金属层和金属氧化层的硅基底进行热处理。

图9至图13为本发明制作硅基液晶显示器反射镜面的实施例示意图。如图9所示，在包含驱动电路等结构的硅基底201上用溅射方法形成厚度为2900埃至3100埃，反射率在90％以上的金属层202，其中金属层202的材料为铜铝合金(铜含量为0.5％)；在金属层202上用旋涂法形成厚度为800埃至1000埃的抗反射层203，抗反射层203在曝光时保护金属层202免受光的影响；在抗反射层203表面形成光阻层204，对光阻层204进行曝光及显影处理，形成开口图形205，在用以定义后续沟槽。

本实施例中，溅射法形成金属层202所需的溅射温度为25℃至270℃，具体温度例如25℃、30℃、40℃、50℃、60℃、70℃、80℃、90℃、100℃、110℃、120℃、130℃、140℃、150℃、160℃、170℃、180℃、190℃、200℃、210℃、220℃、230℃、240℃、250℃、260℃、或270℃等，本实施例优选270℃。

本实施例中，金属层202的具体厚度例如2900埃、2920埃、2950埃、2980埃、3000埃、3020埃、3050埃、3080埃或3100埃等，其中优选为3000埃。金属层202的反射率最佳可达92％。

本实施例中，抗反射层203的具体厚度例如800埃、850埃、900埃、950埃或1000埃等。

如图10所示，以光阻层204为掩膜，蚀刻抗反射层203和金属层202，直至将金属层202穿透露出硅基底201，形成沟槽207。

所述蚀刻抗反射层203和金属层202的方法为干法蚀刻法。

如图11所示，用等离子体氧气在温度为240℃至280℃时对光阻层204和抗反射层203进行灰化处理；接着，再用碱性溶液清洗灰化后残留的光阻层204和抗反射层203；然后，用高密度等离子体化学气相沉积法在沟槽207内及金属层202上形成绝缘介质层208，用以器件间的隔离，所述绝缘介质层208的材料优选氧化硅。

本实施例中，用等离子体氧气对光阻层204和抗反射层203进行灰化的具体温度例如240℃、250℃、260℃、270℃或280℃等。但是用等离子体氧气不能完全清除光阻层204和抗反射层203，因此需要用碱性溶液去除残留的光阻层204和抗反射层203，实施例中用的碱性溶液为PH值等于10至11的NEKC。

如图12所示，对绝缘介质层208进行蚀刻，直至露出金属层202，形成反射镜面210阵列。

本实施例中，蚀刻绝缘介质层208的方法为干法蚀刻法。

如图13所示，用等离子体氧气处理金属层202表面，形成金属氧化层206，金属氧化层206的作为在后续热处理过程中保护金属层202；然后，对带有各膜层的硅基底201进行热处理，热处理作用是修复在前道蚀刻等工艺对金属层202造成的损伤。

本实施例中，所述等离子体氧气处理金属层202表面，使金属层202中的铝与等离子态的氧反应形成氧化铝；等离子体氧气处理金属层202表面的温度为240℃～280℃，具体温度例如240℃、250℃、260℃、270℃或280℃等，本实施例优选270℃；等离子体氧气处理金属层202表面的压力为1.3Torr～1.7Torr(1Torr＝133.32Pa)，具体例如1.3Torr、1.4Torr、1.5Torr、1.6Torr或1.7Torr等，本实施例优选1.5Torr；等离子体氧气处理金属层202表面所需氧气的流量为2200sccm～2800sccm，具体流量例如2200sccm、2300sccm、2400sccm、2500sccm、2600sccm、2700sccm或2800sccm等，本实施例优选2500sccm。

本实施例中，所述金属氧化层206的材料为氧化铝，氧化铝层的厚度为30埃至70埃，具体例如30埃、40埃、50埃、60埃或70埃等，本实施例优选50埃。

本实施例中，热处理的温度为400℃～420℃，具体例如400℃、410℃或420℃等，本实施例优选410℃；热处理所需时间为25分钟～35分钟，具体时间例如25分钟、26分钟、27分钟、28分钟、29分钟、30分钟、31分钟、32分钟、33分钟、34分钟或35分钟等。

本实施例中，在金属层202形成一层金属氧化层206，使金属层202在热处理过程中由于金属氧化层206的压制，使金属层202中的原子迁移减慢，使后续形成的反射镜面不会产生凸起，进而提高反射镜面的质量和可靠性，提高反射镜面的反射效果。

继续参考图9至图13，硅基液晶显示器反射镜面，包括：包含驱动电路等结构的硅基底201；金属层202，位于硅基底201上；沟槽207，贯穿金属层202露出硅基底201，且沟槽207内填充满绝缘介质层208；金属氧化层206，位于金属层202上。

图14至图21是本发明制作硅基液晶显示器的实施例示意图。如图14所示，首先在硅基底301上形成像素开关电路层302，所述内部驱动电路为MOS晶体管304和电容器305相串联组成的动态随机存储器，形成像素开关电路层302，像素开关电路层302包括层间绝缘层306和镶嵌在层间绝缘层306内的接地垫层308、信号垫层309和连接垫层310以及连接上、下导电层的通孔，所述接地垫层308接地信号，信号垫层309是为驱动电路的MOS晶体管304施加电压，信号垫层309通过通孔和下层驱动电路的MOS晶体管304的漏端电连接，则MOS晶体管304的源端和电容器305的一端通过连接垫层310和通孔相电连接(即为上电极)，第一电容器的另一端通过通孔和接地垫层308电连接(即为下电极)。

然后在层间绝缘层306上形成导电层312，所述导电层312为一层或者多层导电材料构成，比较优化的导电层312依次采用金属钛、氮化钛、铝铜合金、金属钛和氮化钛组成的多层结构，比较优化的厚度范围为1000埃至6000埃。

如图15所示，在导电层312上采用现有的光刻技术形成图案化第一光阻层(图未示)；以第一光阻层为掩膜，采用现有蚀刻技术在导电层312中形成岛状的连接镜面垫层313和光屏蔽层312a，形成所述光屏蔽层312a的目的是防止漏光进入硅基片中的电路器件，则影响电路性能以及寿命，因此需要专门用一层金属来遮光。所述连接镜面垫层313和光屏蔽层312a之间的间隙313a使得连接镜面垫层313和光屏蔽层312a相互绝缘隔离，所述连接镜面垫层313通过连接垫层310和通孔与像素开关电路层的MOS晶体管304的源端相电连接。

参照图16，去除第一光阻层；在光屏蔽层312a、连接镜面垫层313上以及间隙313a内采用高密度等离子体化学气相沉积技术形成介电层314，由于要填充满间隙313a，在所述介电层314表面对着间隙313a处产生凹槽，所述形成的介电层314的厚度范围为200nm至1000nm，介电层314的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅以及他们的组合，也可以是由比如氧化铪、氧化铝、氧化锆等高k介质组成的介电层314。

参照图17，用化学机械抛光法研磨介电层314直至将介电层314表面的凹槽去除，使介电层314平坦化，进而使后续沉积的膜层表面平整。

参照图18，采用现有光刻技术在介电层314上形成图案化第二光阻层(未图示)；然后以第二光阻层为掩膜，蚀刻介电层314至露出连接镜面垫层313，形成开口320，所述开口320暴露出部分连接镜面垫层313；用化学气相沉积法在介电层314上形成金属钨层319，且将金属钨层319填充满开口320，形成钨插塞与连接镜面垫层313连通。

如图19所示，用化学机械抛光法研磨金属钨层319至露出介电层314；用溅射方法在介电层314上形成厚度为2900埃至3100埃，反射率在90％以上的金属层322，其中金属层322的材料为铜铝合金(铜含量为0.5％)；在金属层322上用旋涂法形成厚度为800埃至1000埃的抗反射层324，抗反射层324在曝光时保护金属层322免受光的影响；在抗反射层324表面形成光阻层325，对光阻层325进行曝光及显影处理，形成开口图形326，在用以定义后续沟槽。

本实施例中，溅射法形成金属层322所需的溅射温度为25℃至270℃，具体温度例如25℃、30℃、40℃、50℃、60℃、70℃、80℃、90℃、100℃、110℃、120℃、130℃、140℃、150℃、160℃、170℃、180℃、190℃、200℃、210℃、220℃、230℃、240℃、250℃、260℃、或270℃等，本实施例优选270℃。

本实施例中，金属层322的具体厚度例如2900埃、2920埃、2950埃、2980埃、3000埃、3020埃、3050埃、3080埃或3100埃等，其中优选为3000埃。金属层322的反射率最佳可达92％。

本实施例中，抗反射层324的具体厚度例如800埃、850埃、900埃、950埃或1000埃等。

如图20所示，以光阻层325为掩膜，用干法蚀刻法蚀刻抗反射层324和金属层322直至露出介电层314，形成沟槽；用等离子体氧气在温度为240℃至280℃时对光阻层325和抗反射层324进行灰化处理；然后，再用碱性溶液清洗灰化后残留的光阻层325和抗反射层324；用高密度等离子体化学气相沉积法在金属层322上形成绝缘介质层330，且绝缘介质层330填充满沟槽，所述绝缘介质层330的材料优选氧化硅；然后，对绝缘介质层330及金属氧化层328进行干法蚀刻，直至露出金属层322，形成反射镜面332阵列。

本实施例中，用等离子体氧气对光阻层325和抗反射层324进行灰化的具体温度例如240℃、250℃、260℃、270℃或280℃等。但是用等离子体氧气不能完全清除光阻层325和抗反射层324，因此需要用碱性溶液去除残留的光阻层325和抗反射层324，实施例中用的碱性溶液为PH值等于10至11的NEKC。

如图21所示，用等离子体氧气处理金属层322表面，形成金属氧化层328，金属氧化层328的作为在后续热处理过程中保护金属层322；然后，对带有各膜层的硅基底301进行热处理，热处理作用是修复在前道蚀刻等工艺对金属层322造成的损伤。

本实施例中，所述等离子体氧气处理金属层322表面，使金属层322中的铝与等离子态的氧反应形成氧化铝层；氧气氛下灰化金属层322的温度为240℃～280℃，具体温度例如240℃、250℃、260℃、270℃或280℃等，本实施例优选270℃；灰化金属层322的压力为1.3Torr～1.7Torr(1Torr＝133.32Pa)，具体例如1.3Torr、1.4Torr、1.5Torr、1.6Torr或1.7Torr等，本实施例优选1.5Torr；氧气的流量为2200sccm～2800sccm，具体流量例如2200sccm、2300sccm、2400sccm、2500sccm、2600sccm、2700sccm或2800sccm等，本实施例优选2500sccm。

所述金属氧化层328的厚度为30埃至70埃，具体例如30埃、40埃、50埃、60埃或70埃等，本实施例优选50埃。

本实施例中，热处理的温度为400℃～420℃，具体例如400℃、410℃或420℃等，优选410℃；热处理所需时间为25分钟～35分钟，具体例如25分钟、26分钟、27分钟、28分钟、29分钟、30分钟、31分钟、32分钟、33分钟、34分钟或35分钟等。

本实施例中，在金属层322形成一层金属氧化层328，使金属层322在热处理过程中由于金属氧化层328的压制，使金属层322中的原子迁移减慢，使后续形成的反射镜面不会产生凸起，进而提高反射镜面的质量和可靠性，提高反射镜面的反射效果。

继续参考图14至图21，硅基液晶显示器，包括：包含内部驱动电路的硅基底201，所述内部驱动电路为内部驱动电路为MOS晶体管304和电容器305相串联组成的动态随机存储器；像素开关电路层302，位于硅基底301上，像素开关电路层302包括层间绝缘层306和镶嵌在层间绝缘层306内的接地垫层308、信号垫层309和连接垫层310以及连接上、下导电层的通孔，所述接地垫层308接地信号，信号垫层309是为驱动电路的MOS晶体管304施加电压，信号垫层309通过通孔和下层驱动电路的MOS晶体管304的漏端电连接，则MOS晶体管304的源端和电容器305的一端通过连接垫层310和通孔相电连接(即为上电极)，电容器305的另一端通过通孔和接地垫层308电连接(即为下电极)；光屏蔽层312a和连接镜面垫层313，形成于层间绝缘层306上，且光屏蔽层312a和连接镜面垫层313之间有间隙313a，所述连接镜面垫层313通过连接垫层310和通孔与像素开关电路层的MOS晶体管304的源端相电连接；介电层314，位于光屏蔽层312a和连接镜面垫层313上，且填充满间隙313a，用于光屏蔽层312a和连接镜面垫层313相互绝缘隔离；钨插塞，位于介电层314中，与连接镜面垫层313连通；金属层322，位于介电层314上且通过钨插塞与连接镜面垫层313连通；沟槽，贯穿金属层322露出介电层314，且沟槽内填充满绝缘介质层330；金属氧化层328，位于金属层322上。

本实施例中，金属层322的材料为铜铝合金(铜含量为0.5％)，厚度为2900埃至3100埃，反射率在90％以上。

所述金属氧化层328的材料为氧化铝，氧化铝层的厚度为30埃至70埃，具体例如30埃、40埃、50埃、60埃或70埃等，本实施例优选50埃。

图22是本发明制作的硅基液晶显示器反射镜面的示意图。如图22所示，本发明在制作的硅基液晶显示器的反射镜面过程中，在热处理工艺前，用等离子体氧气处理金属层，形成金属氧化层用以保护金属层，使金属层在热处理过程中由于金属氧化层的压制，使金属层中的原子迁移减慢，使反射镜面不会产生凸起。用电子扫描显微镜(SEM)观察本发明制作的硅基液晶显示器反射镜面，可以看到反射镜面上没有白色小亮点出现，也就是说反射镜面没有任何凸起出现，从而提高了反射镜面的质量和可靠性，提高反射镜面的反射效果。

本发明虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能的变动和修改，因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。

Claims

1.一种硅基液晶显示器反射镜面的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：

首先提供带有金属层的硅基底，所述金属层中包含贯穿金属层的沟槽；

在金属层上形成绝缘介质层且绝缘介质层填充满沟槽；

蚀刻绝缘介质层至露出金属层，形成反射镜面阵列；

在金属层上形成金属氧化层；

对包含金属层和金属氧化层的硅基底进行热处理。

2.根据权利要求1所述硅基液晶显示器反射镜面的制作方法，其特征在于：形成金属氧化层的方法为等离子体氧气处理金属层表面。

3.根据权利要求2所述硅基液晶显示器反射镜面的制作方法，其特征在于：等离子体氧气处理金属层表面的温度为240℃～280℃，压力为1.3Torr～1.7Torr。

4.根据权利要求3所述硅基液晶显示器反射镜面的制作方法，其特征在于：氧气流量为2200sccm～2800sccm。

5.根据权利要求3所述硅基液晶显示器反射镜面的制作方法，其特征在于：所述金属层为铝铜合金，其中铝含量为99.5％，铜含量为0.5％。

6.根据权利要求1所述硅基液晶显示器反射镜面的制作方法，其特征在于：所述金属氧化层为氧化铝层。

7.根据权利要求6所述硅基液晶显示器反射镜面的制作方法，其特征在于：所述氧化铝层的厚度为30埃～70埃。

8.根据权利要求1所述硅基液晶显示器反射镜面的制作方法，其特征在于：所述热处理的温度为400℃～420℃，时间为25分钟～35分钟。

9.一种硅基液晶显示器反射镜面，包括，带有金属层的硅基底，所述金属层中包含贯穿金属层的沟槽，沟槽内填充满绝缘介质层，其特征在于，还包括：

金属氧化层，位于金属层上。

10.根据权利要求9所述硅基液晶显示器反射镜面，其特征在于：所述金属氧化层为氧化铝层。

11.根据权利要求10所述硅基液晶显示器反射镜面，其特征在于：所述氧化铝层的厚度为30埃～70埃。

12.一种硅基液晶显示器的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：

首先提供包含晶体管和电容器的硅基底，在硅基底上依次形成有像素开关电路层、导电层、绝缘层及金属层，所述金属层中包含贯穿金属层的沟槽；

在金属层上形成绝缘介质层且绝缘介质层填充满沟槽；

蚀刻绝缘介质层至露出金属层，形成反射镜面阵列；

在金属层上形成金属氧化层；

对包含金属层和金属氧化层的硅基底进行热处理。

13.根据权利要求12所述硅基液晶显示器的制作方法，其特征在于：形成金属氧化层的方法为等离子体氧气处理金属层表面。

14.根据权利要求13所述硅基液晶显示器的制作方法，其特征在于：等离子体氧气处理金属层表面的温度为240℃～280℃，压力为1.3Torr～1.7Torr。

15.根据权利要求14所述硅基液晶显示器的制作方法，其特征在于：氧气流量为2200sccm～2800sccm。

16.根据权利要求14所述硅基液晶显示器的制作方法，其特征在于：所述金属层为铝铜合金，其中铝含量为99.5％，铜含量为0.5％。

17.根据权利要求12所述硅基液晶显示器的制作方法，其特征在于：所述金属氧化层为氧化铝层。

18.根据权利要求17所述硅基液晶显示器的制作方法，其特征在于：所述氧化铝层的厚度为30埃～70埃。

19.根据权利要求12所述硅基液晶显示器的制作方法，其特征在于：所述热处理的温度为400℃～420℃，时间为25分钟～35分钟。

20.一种硅基液晶显示器，包括，包含晶体管和电容器的硅基底，位于硅基底上的像素开关电路层，位于像素开关电路层上的导电层，位于导电层上的绝缘层及位于绝缘层上的金属层，所述金属层中包含贯穿金属层的沟槽，沟槽内填充满绝缘介质层，其特征在于，还包括：

金属氧化层，位于金属层上。

21.根据权利要求20所述硅基液晶显示器，其特征在于：所述金属氧化层为氧化铝层。

22.根据权利要求21所述硅基液晶显示器，其特征在于：所述氧化铝层的厚度为30埃～70埃。