CN101398579B - 制作微反射镜层及硅基液晶显示器的方法 - Google Patents

Abstract

一种制作微反射镜层的方法，包括：提供依次包含带有焊盘沟槽的金属层间介电层、缺陷微反射镜层和镜面保护层的半导体衬底，缺陷微反射镜层间有第一介质层进行隔离；在焊盘沟槽内填充满氧化层；去除镜面保护层及缺陷微反射镜层后，平坦化第一介质层和氧化层至露出绝缘层；在金属层间介电层及焊盘沟槽内的氧化层上形成金属层；在金属层上形成光刻胶层，定义微反射镜层图形；以光刻胶层为掩膜，蚀刻金属层至露出金属层间介电层，形成微反射镜层；去除光刻胶层，在微反射镜层间形成第二介质层。本发明还提供制作硅基液晶显示器的方法。本发明使最终形成的微反射镜层的大小一致，提高微反射镜层的质量。

Description

制作微反射镜层及硅基液晶显示器的方法

技术领域

本发明涉及半导体器件的制作方法，尤其涉及制作微反射镜层及硅基液晶显示器的方法。

背景技术

硅基液晶(LCOS)是一种新型的反射式液晶显示装置，与普通液晶不同的是，LCOS结合CMOS工艺在硅片上直接实现驱动电路，并采用CMOS技术将有源像素矩阵制作在硅衬底上，因而具有尺寸小和分辨率高的特性。

理想的LCOS应该平坦、光滑并有很高的反射率，这样才能够保证液晶层厚度的一致性，并不扭曲光线，这就需要其中的反射镜面必须相当的平整，才能够精确地控制反射光路，这对于投影电视等高端应用是一个十分关键的因素。

现有制作微反射镜层过程中，经常会由于蚀刻或曝光工艺的影响造成微反射镜层产生缺陷10(如图1中椭圆内所示)。微反射镜层产生缺陷会影响硅基液晶的质量，因此必须对微反射镜层进行重新制作。

现有对缺陷微反射镜层进行重新制作的工艺流程，如图2所示，在包含像素开关层等结构的半导体衬底100上形成有岛状的连接镜面垫层102a、焊盘连接层102b和光屏蔽层102c，所述连接镜面垫层102a、光屏蔽层102c及焊盘连接层102b之间的填充间隙103内的氧化硅材料使得连接镜面垫层102a、焊盘连接层102b和光屏蔽层102c间相互绝缘隔离，所述连接镜面垫层102a通过导电插塞与半导体衬底100的像素开关层连接。

在光屏蔽层102c、连接镜面垫层102a、焊盘连接层102b上以及间隙103内的氧化硅材料上形成有绝缘层106；所述绝缘层106内有贯穿绝缘层106且与连接镜面垫层102a连通的导电插塞107，以及贯穿绝缘层106且与焊盘连接层102b连通的焊盘沟槽108；在绝缘层106上形成有与导电插塞107电连接的缺陷微反射镜层110，所述缺陷微反射镜层110之间有第一介质层111隔离；在焊盘沟槽108以外区域有厚度为700埃～800埃的镜面保护层112，用以在后续工艺中保护缺陷微反射镜层110不被损坏。

在镜面保护层112及焊盘沟槽108内壁沉积厚度为1500埃～2500埃的氧化硅层114，用以保护焊盘金属在后续去除微反射镜过程中不被腐蚀；在焊盘沟槽108内填充第一光刻胶层116，用以定义焊盘图形。

如图3所示，以第一光刻胶层116为掩膜，蚀刻氧化硅层114和镜面保护层112至露出缺陷微反射镜层110；用干法蚀刻法剥除缺陷微反射镜层110；去除第一光刻胶层116，去除微反射镜层110之间的第一介质层111，且平坦化绝缘层106。

如图4所示，在绝缘层106及焊盘沟槽108内的氧化硅层114上沉积金属层118；然后，用旋涂法在金属层118上形成第二光刻胶层120，对第二光刻胶层120进行甩干及烘烤工艺；由于采用旋涂方式形成第二光刻胶层120，第二光刻胶层120的厚度由旋涂的速度控制，由于焊盘连接层102b处存在一定深度的焊盘沟槽108，使焊盘沟槽内108的第二光刻胶层120容易被甩出，进而导致金属层118上的第二光刻胶层120厚度不均。

如图5所示，接着对光刻胶层120进行曝光显影工艺，定义出微反射镜图形。

如图6所示，以光刻胶层120为掩膜，蚀刻金属层118至露出绝缘层106，形成完整的微反射镜层118a、118b，蚀刻过程中焊盘沟槽108内的金属层118被全部去除；然后，去除焊盘沟槽108底部的氧化硅层114露出焊盘连接层102b，作为后续与金属线连接的焊盘。

由于金属层118上的第二光刻胶层厚度不均，在曝光显影工艺中，定义出的微反射镜尺寸在光刻胶层不同厚度的区域内出现系统性的差异，使最终形成的微反射镜层118a和118b的尺寸不一致。

在如下中国专利申请200310122960还可以发现更多与上述技术方案相关的信息，由光屏蔽层、绝缘层与微反射镜层构成了金属-绝缘层-金属电容器。

现有技术在金属层上形成光刻胶层，采用旋涂方式，光刻胶的厚度由旋涂的速度控制，由于焊盘连接层处存在一定深度的焊盘沟槽，使焊盘沟槽内的光刻胶层容易被甩出，进而导致金属层上的光刻胶层厚度不均，在后续曝光显影工艺中，定义出的微反射镜尺寸在光刻胶层不同厚度的区域内出现系统性的差异，使最终形成的微反射镜层的尺寸产生差异，丧失重新制作微反射镜层的意义。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种制作微反射镜层及硅基液晶显示器的方法，防止重新制作的微反射镜层之间尺寸不一致。

为解决上述问题，本发明提供一种制作微反射镜层的方法，包括下列步骤：提供依次包含金属层间介电层、缺陷微反射镜层和镜面保护层的半导体衬底，所述金属层间介电层中有贯穿金属层间介电层且露出金属层间介电层下方焊盘连接层的焊盘沟槽，缺陷微反射镜层间有第一介质层进行隔离；在焊盘沟槽内填充满氧化层；去除镜面保护层及缺陷微反射镜层后，平坦化第一介质层和氧化层至露出绝缘层；在金属层间介电层及焊盘沟槽内的氧化层上形成金属层；在金属层上形成光刻胶层，定义微反射镜层图形；以光刻胶层为掩膜，蚀刻金属层至露出金属层间介电层，形成微反射镜层；去除光刻胶层，在微反射镜层间形成第二介质层。

可选的，所述氧化层的材料为正硅酸乙酯、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或多晶硅。在焊盘沟槽内填充满氧化层的步骤还包括：在镜面保护层上形成氧化层，且氧化层填充满焊盘沟槽。形成氧化层的方法为化学气相沉积法或旋涂法。

可选的，去除缺陷微反射镜层的方法为干法蚀刻法。

可选的，平坦化第一介质层及氧化层的方法为化学机械抛光法。

可选的，形成光刻胶层的方法为旋涂法。所述光刻胶层的厚度为1000埃～10000埃。

可选的，形成第二介质层的方法为高密度等离子体化学气相沉积法或旋涂法。

本发明提供一种制作硅基液晶显示器的方法，包括下列步骤：在带有像素开关电路层的半导体衬底上形成光屏蔽层、与光屏蔽层隔绝的连接镜面垫层及与光屏蔽层隔绝的焊盘连接层、覆盖光屏蔽层、连接镜面垫层及焊盘连接层的金属层间介电层、缺陷微反射镜层和镜面保护层，金属层间介电层中包含贯穿金属层间介电层且露出焊盘连接层的焊盘沟槽，贯穿金属层间介电层连通连接镜面垫层及缺陷微反射镜层的导电插塞，缺陷微反射镜层间有第一介质层进行隔离；在焊盘沟槽内填充满氧化层；去除镜面保护层及缺陷微反射镜层且平坦化第一介质层和氧化层至露出金属层间介电层；在金属层间介电层及焊盘沟槽内的氧化层上形成金属层；在金属层上形成光刻胶层，定义微反射镜层图形；以光刻胶层为掩膜，蚀刻金属层至露出金属层间介电层，形成通过导电插塞与连接镜面垫层连通的微反射镜层；去除光刻胶层，在微反射镜层间形成第二介质层；去除焊盘沟槽内的氧化层，露出焊盘连接层。

可选的，所述氧化层的材料为正硅酸乙酯、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或多晶硅。在焊盘沟槽内填充满氧化层的步骤还包括：在镜面保护层上形成氧化层，且氧化层填充满焊盘沟槽。形成氧化层的方法为化学气相沉积法或旋涂法。去除氧化层的方法为干法蚀刻法。

可选的，去除缺陷微反射镜层的方法为干法蚀刻法。

可选的，平坦化第一介质层及氧化层的方法为化学机械抛光法。

可选的，形成光刻胶层的方法为旋涂法。所述光刻胶层的厚度为1000埃～10000埃。

可选的，形成第二介质层的方法为高密度等离子体化学气相沉积法或旋涂法。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：在焊盘沟槽内填充满氧化层，在后续形成光刻胶层用以定义微反射镜层图形的过程中，焊盘沟槽处的光刻胶层与其它地方的光刻胶层高度一致，因此在甩干光刻胶层时，不会产生光刻胶层从焊盘沟槽内甩出的情况，曝光显影后定义出的微反射镜图形大小一致，使最终形成的微反射镜层之间的大小一致，提高微反射镜层的质量。

附图说明

图1是现有技术制作的微反射镜层产生缺陷的示意图；

图2至图6是现有制作微反射镜层的示意图；

图7是本发明制作微反射镜层的具体实施方式流程图；

图8至图12是本发明制作微反射镜层的实施例示意图；

图13是本发明制作硅基液晶显示器的具体实施方式流程图；

图14至图18是本发明制作硅基液晶显示器的实施例示意图。

具体实施方式

本发明在焊盘沟槽内填充满氧化层，使得在后续形成光刻胶层用以定义微反射镜层图形的过程中，焊盘沟槽处的光刻胶层与其它地方的光刻胶层高度一致，因此在甩干光刻胶层时，不会产生光刻胶层从焊盘沟槽内甩出的情况，曝光显影后定义出的微反射镜图形大小一致，使最终形成的微反射镜层的大小一致，提高微反射镜层的质量。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

图7是本发明制作微反射镜层的具体实施方式流程图。请参考图7，执行步骤S101，提供依次包含金属层间介电层、缺陷微反射镜层和镜面保护层的半导体衬底，所述金属层间介电层中有贯穿金属层间介电层且露出金属层间介电层下方焊盘连接层的焊盘沟槽，缺陷微反射镜层间有第一介质层进行隔离；执行步骤S102，在焊盘沟槽内填充满氧化层；执行步骤S103，去除镜面保护层及缺陷微反射镜层后，平坦化第一介质层和氧化层至露出绝缘层；执行步骤S104，在金属层间介电层及焊盘沟槽内的氧化层上形成金属层；执行步骤S105，在金属层上形成光刻胶层，定义微反射镜层图形；执行步骤S106，以光刻胶层为掩膜，蚀刻金属层至露出金属层间介电层，形成微反射镜层；执行步骤S107，去除光刻胶层，在微反射镜层间形成第二介质层。

图8至图12是本发明制作微反射镜层的实施例示意图。如图8所示，在包含像素开关层等结构的半导体衬底200上形成有岛状的连接镜面垫层202a、焊盘连接层202b和光屏蔽层202c，所述连接镜面垫层202a、光屏蔽层202c及焊盘连接层202b之间的填充间隙203内的氧化硅材料使得连接镜面垫层202a、焊盘连接层202b和光屏蔽层202c间相互绝缘隔离。所述连接镜面垫层202a通过导电插塞与半导体衬底200的像素开关层连接；所述光屏蔽层202c通过导电插塞与接地垫层连接，形成所述光屏蔽层202c的目的是防止漏光进入半导体衬底200中的电路器件，影响电路性能以及寿命，因此需要专门用一层金属来遮光；所述焊盘连接层202b作为后续与金属线连接的焊盘。在光屏蔽层202c、连接镜面垫层202a、焊盘连接层202b上以及间隙203内的氧化硅材料上形成有金属层间介电层206；所述金属层间介电层206内有贯穿金属层间介电层206且与连接镜面垫层202a连通的导电插塞207，以及贯穿金属层间介电层206且与焊盘连接层202b连通的焊盘沟槽208；在金属层间介电层206上形成有与导电插塞207电连接的缺陷微反射镜层210，所述缺陷微反射镜层210之间有第一介质层211隔离；在焊盘沟槽208以外区域有厚度为700埃～800埃的镜面保护层212，用以保护缺陷微反射镜层210，所述镜面保护层212的材料为正硅酸乙酯(TEOS)、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或多晶硅等；用化学气相沉积方法或旋涂法在镜面保护层212上沉积厚度为5000埃～20000埃的氧化层214，且氧化层214填充满焊盘沟槽208，所述氧化层214的材料为正硅酸乙酯、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或多晶硅等。

本实施例中，所述镜面保护层212的厚度具体例如700埃、720埃、740埃、760埃、780埃或800埃等。

本实施例中，沉积的氧化层214的厚度具体例如5000埃、6000埃、7000埃、8000埃、9000埃、10000埃、11000埃、12000埃、13000埃、14000埃、15000埃、16000埃、17000埃、18000埃、19000埃或20000埃等，优选10000埃。

如图9所示，然后，用化学机械抛光法抛光氧化层214至留下的氧化层214a的厚度为2000埃～8000埃，抛光氧化层214的作用为在后续去除缺陷微反射镜210上面的氧化层214的过程中，需要用光刻胶层保护焊盘连接层处的氧化层214，由于光刻胶层厚度有限，所以先用化学机械抛光法抛光氧化硅层214，使留下的氧化硅层214a的厚度与后续形成的光刻胶层厚度差不多。用旋涂法在焊盘沟槽208区域的氧化硅层214a上形成厚度为1000埃～10000埃的第一光刻胶层215，用于后续去除焊盘沟槽208以外区域的氧化硅层214及缺陷微反射镜层210时保护焊盘沟槽208区的氧化硅不受影响。

本实施例中，抛光后氧化层214a的厚度具体例如2000埃、2500埃、3000埃、3500埃、4000埃、4500埃、5000埃、5500埃、6000埃、6500埃、7000埃、7500埃或8000埃等，优选5000埃。

本实施例中，所述第一光刻胶层215的具体厚度例如1000埃、2000埃、3000埃、4000埃、5000埃、6000埃、7000埃、8000埃、9000埃或10000埃等。

如图10所示，以第一光刻胶层215为掩膜，用干法蚀刻法去除焊盘沟槽208以外区域的氧化硅层214；继续以第一光刻胶层215为掩膜，用干法蚀刻法剥除缺陷微反射镜层210，所用的气体为CL₂、BCl₃、CH₄、CHF₃和N₂；用灰化法去除第一光刻胶层215；用化学机械抛光法平坦化缺陷微反射镜层210之间的第一介质层211至露出绝缘层206和导电插塞207，且使焊盘沟槽208内的氧化硅层214与金属层间介电层206高度一致。

如图11所示，用金属溅镀方法、化学电镀法或两者组合的方法在金属层间介电层206、导电插塞207及焊盘沟槽208内的氧化层214上沉积厚度为1000埃～100000埃的金属层216，所述金属层216的材料是高反射率金属，例如含铝99.5％的铝铜合金、铝或银等；然后，用旋涂法在金属层216上形成厚度为1000埃～10000埃的第二光刻胶层218，对第二光刻胶层218进行甩干及烘烤工艺；接着对第二光刻胶层218进行曝光显影工艺，定义出微反射镜层图形。

本实施例中，所述金属层216的厚度具体例如1000埃、2000埃、3000埃、4000埃、5000埃、6000埃、7000埃、8000埃、9000埃、10000埃、20000埃、30000埃、40000埃、50000埃、60000埃、70000埃、80000埃、90000埃或100000埃等。

本实施例中，所述第二光刻胶层218的厚度具体例如1000埃、2000埃、3000埃、4000埃、5000埃、6000埃、7000埃、8000埃、9000埃或10000埃等。

本实施例中，由于焊盘沟槽208内填充满氧化硅层214，且平坦化后焊盘沟槽208内的氧化硅层214与金属层间介电层206高度一致，因此后续沉积的第二光刻胶层218不会产生焊盘沟槽208区域的第二光刻胶层218的高度比焊盘沟槽208以外区域的第二光刻胶层218低，因此不会产生第二光刻胶层218从焊盘沟槽208内甩出的情况，曝光显影后定义出的微反射镜层图形大小一致，使最终形成的微反射镜层之间的大小一致。

如图12所示，以第二光刻胶层218为掩膜，用干法蚀刻法蚀刻金属层216至露出金属层间介电层206，形成完整的微反射镜层216a，通过导电插塞207与连接镜面垫层202a电连接，蚀刻过程中焊盘沟槽208区域的金属层216被全部去除；用高密度等离子体化学气相沉积法或旋涂法在微反射镜层216a、金属层间介电层206及氧化硅层214上形成第二介质层220；对第二介质层220进行化学机械抛光至露出微反射镜层216a，形成微反射镜层216a间的隔离；然后，用干法蚀刻法去除焊盘沟槽208区域的第二介质层220及氧化硅层214露出焊盘连接层202b，作为后续与金属线连接的焊盘。

图13是本发明制作硅基液晶显示器的具体实施方式流程图。请参考图13，执行步骤S201，在带有像素开关电路层的半导体衬底上形成光屏蔽层、与光屏蔽层隔绝的连接镜面垫层及与光屏蔽层隔绝的焊盘连接层、覆盖光屏蔽层、连接镜面垫层及焊盘连接层的金属层间介电层、缺陷微反射镜层和镜面保护层，金属层间介电层中包含贯穿金属层间介电层且露出焊盘连接层的焊盘沟槽，贯穿金属层间介电层连通连接镜面垫层及缺陷微反射镜层的导电插塞，缺陷微反射镜层间有第一介质层进行隔离；执行步骤S202，在焊盘沟槽内填充满氧化层；执行步骤S203，去除镜面保护层及缺陷微反射镜层且平坦化第一介质层和氧化层至露出金属层间介电层；执行步骤S204，在金属层间介电层及焊盘沟槽内的氧化层上形成金属层；执行步骤S205，在金属层上形成光刻胶层，定义微反射镜层图形；执行步骤S206，以光刻胶层为掩膜，蚀刻金属层至露出金属层间介电层，形成通过导电插塞与连接镜面垫层连通的微反射镜层；执行步骤S207，去除光刻胶层，在微反射镜层间形成第二介质层；执行步骤S208，去除焊盘沟槽内的氧化层，露出焊盘连接层。

图14至图18是本发明制作硅基液晶显示器的示意图。如图14所示，首先在半导体衬底301上形成有内部驱动电路和像素开关电路层302，所述内部驱动电路为MOS晶体管304和电容器305相串联组成的动态随机存储器，像素开关电路层302包括层间绝缘层306和镶嵌在层间绝缘层306内的接地垫层308、信号垫层309和连接垫层310以及连接上、下导电层的通孔，所述接地垫层308接地信号，信号垫层309是为驱动电路的MOS晶体管304施加电压，信号垫层309通过通孔和下层驱动电路的MOS晶体管304的漏端电连接，则MOS晶体管304的源端和电容器305的一端通过连接垫层310和通孔相电连接(即为上电极)，第一电容器的另一端通过通孔和接地垫层308电连接(即为下电极)。

然后在层间绝缘层306上形成第一金属层，所述第一金属层为一层或者多层导电材料构成，比较优化的第一金属层依次采用金属钛、氮化钛、铝铜合金、金属钛和氮化钛组成的多层结构，比较优化的厚度范围为1000埃至6000埃。

在第一金属层上采用现有的光刻技术形成图案化第一光阻层(未图示)；以第一光阻层为掩膜，采用现有刻蚀技术在第一金属层中形成岛状的连接镜面垫层312a、光屏蔽层312c和焊盘连接层312b，形成所述光屏蔽层312a的目的是防止漏光进入硅基片中的电路器件，则影响电路性能以及寿命，因此需要专门用一层金属来遮光。所述连接镜面垫层312a和光屏蔽层312c之间的间隙使得连接镜面垫层312a和光屏蔽层312c相互绝缘隔离，光屏蔽层312c与焊盘连接层312b之间的间隙使得光屏蔽层312c与焊盘连接层312b之间相互隔离；在去除第一光阻层后，采用高密度等离子体化学气相沉积技术或旋涂法在隙内填充满绝缘物质313；所述连接镜面垫层312a通过连接垫层310和通孔与像素开关电路层302的MOS晶体管304的源端相电连接，所述光屏蔽层312c通过像素开关电路层302的通孔和接地垫层308相电连接，所述接地垫层308接地；所述焊盘连接层312b作为后续与金属线连接的焊盘。

在光屏蔽层312c、连接镜面垫层312a、焊盘连接层312b和填充在间隙内的绝缘物质313的表面上形成金属层间介电层314，所述金属层间介电层314可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅以及他们的组合，也可以是由比如氧化铪、氧化铝、氧化锆等高k介质组成的金属层间介电层314，形成金属层间介电层314的方法为本领域技术人员公知技术，具体例如化学气相沉积法。所述金属层间介电层314内形成有贯穿金属层间介电层314且与连接镜面垫层312a连通的导电插塞315，导电插塞315中填充的物质为钨等。形成导电插塞315的方法为公知技术，先用干法蚀刻法形成贯穿金属层间介电层314露出连接镜面垫层312a的通孔，然后在通过内填充满导电物质。

在金属层间介电层314及导电插塞315上形成第二金属层；在第二金属层上形成第二光刻胶层(未图示)，经过曝光显影工艺定义微反射镜图形；以第二光刻胶层为掩膜，蚀刻第二金属层，形成与导电插塞315连通的微反射镜层318；去除第二光刻胶层；在微反射镜层318间形成第一介质层316，用于器件间的隔离；在微反射镜层318和第一介质层316上形成厚度为700埃～800埃的镜面保护层320，所述镜面保护层320的材料为正硅酸乙酯(TEOS)、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或多晶硅等。用干法蚀刻法蚀刻金属层间介电层314，形成贯穿金属层间介电层314露出焊盘连接层312b的焊盘沟槽317；用化学气相沉积方法或旋涂法在镜面保护层320上沉积厚度为5000埃～20000埃的氧化层322，且氧化层322填充满焊盘沟槽317，所述氧化层322的材料为正硅酸乙酯(TEOS)、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或多晶硅等。

由于制造微反射镜层318过程中，因为制程的不稳定性，微反射镜层318的侧壁被腐蚀原因，造成微反射镜层318产生缺陷，必须重新制作。

本实施例中，所述镜面保护层320的厚度具体例如700埃、720埃、740埃、760埃、780埃或800埃等。

本实施例中，沉积的氧化层322的厚度具体例如5000埃、6000埃、7000埃、8000埃、9000埃、10000埃、11000埃、12000埃、13000埃、14000埃、15000埃、16000埃、17000埃、18000埃、19000埃或20000埃等，优选10000埃。

如图15所示，然后，用化学机械抛光法抛光氧化硅层322至焊盘沟槽317区域以外留下的氧化硅层322a的厚度为2000埃～8000埃，抛光氧化硅层322的作用为在后续去除缺陷微反射镜318上面的氧化层322的过程中，需要用光刻胶层保护焊盘连接层处的氧化层322，由于光刻胶层厚度有限，所以先用化学机械抛光法抛光氧化硅层322，使留下的氧化硅层322a的厚度与光刻胶层厚度差不大。用旋涂法在焊盘沟槽317区域的氧化硅层322上形成厚度为1000埃～10000埃的第三光刻胶层323，用于后续去除焊盘沟槽317以外区域的氧化硅层322及缺陷微反射镜层318时保护焊盘沟槽317区的氧化硅不受影响。

本实施例中，抛光后氧化层322a的厚度具体例如2000埃、2500埃、3000埃、3500埃、4000埃、4500埃、5000埃、5500埃、6000埃、6500埃、7000埃、7500埃或8000埃等，优选5000埃。

本实施例中，所述第三光刻胶层323的具体厚度例如1000埃、2000埃、3000埃、4000埃、5000埃、6000埃、7000埃、8000埃、9000埃或10000埃等。

如图16所示，以第三光刻胶层323为掩膜，用干法蚀刻法去除焊盘沟槽317以外区域的氧化硅层322；继续以第三光刻胶层323为掩膜，用干法蚀刻法剥除缺陷微反射镜层318，所用的气体为CL₂、BCl₃、CH₄、CHF₃和N₂；用灰化法去除第三光刻胶层323；用化学机械抛光法平坦化缺陷微反射镜层318之间的第一介质层316至露出金属层间介电层314和导电插塞315，且使焊盘沟槽317内的氧化硅层322与绝缘层314高度一致。

如图17所示，用金属溅镀方法、化学电镀法或两者组合的方法在金属层间介电层314、导电插塞315及焊盘沟槽317内的氧化层322a上沉积厚度为1000埃～100000埃的第三金属层324，所述第三金属层324的材料是高反射率金属，例如含铝99.5％的铝铜合金、铝或银等；然后，用旋涂法在第三金属层324上形成厚度为1000埃～10000埃的第四光刻胶层326，对第四光刻胶层326进行甩干及烘烤工艺；接着对第四光刻胶层326进行曝光显影工艺，定义出微反射镜图形。

本实施例中，所述第三金属层324的厚度具体例如1000埃、2000埃、3000埃、4000埃、5000埃、6000埃、7000埃、8000埃、9000埃、10000埃、20000埃、30000埃、40000埃、50000埃、60000埃、70000埃、80000埃、90000埃或100000埃等。

本实施例中，所述第四光刻胶层326的厚度具体例如1000埃、2000埃、3000埃、4000埃、5000埃、6000埃、7000埃、8000埃、9000埃或10000埃等。

本实施例中，由于焊盘沟槽317内填充满氧化硅层322，且平坦化后焊盘沟槽317内的氧化硅层322与金属层间介电层314高度一致，因此后续沉积的第四光刻胶层326不会产生焊盘沟槽317区域的第四光刻胶层326的高度比焊盘沟槽317以外区域的第四光刻胶层326低，因此不会产生第四光刻胶层326从焊盘沟槽317内甩出的情况，曝光显影后定义出的微反射镜图形大小一致，使最终形成的微反射镜层的大小一致。

如图18所示，以第四光刻胶层326为掩膜，用干法蚀刻法蚀刻第三金属层324至露出金属层间介电层314，形成完整的微反射镜层324a，通过导电插塞315与连接镜面垫层312a电连接，蚀刻过程中焊盘沟槽317区域的第三金属层324被全部去除；用高密度等离子体化学气相沉积法在微反射镜层324a、金属层间介电层314及氧化硅层322上形成第二介质层328；对第二介质层328进行化学机械抛光至露出微反射镜层324a，形成微反射镜层324a间的隔离；然后，用干法蚀刻方法去除焊盘沟槽317区域的第二介质层328及氧化硅层322露出焊盘连接层312b，作为后续与金属线连接的焊盘。

本发明虽然以较佳实施例公开如上，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能的变动和修改，因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。

Claims (17)

1.一种制作微反射镜层的方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供依次包含金属层间介电层、缺陷微反射镜层和镜面保护层的半导体衬底，所述金属层间介电层中有贯穿金属层间介电层且露出金属层间介电层下方焊盘连接层的焊盘沟槽，缺陷微反射镜层间有第一介质层进行隔离；

在镜面保护层上形成氧化层且在焊盘沟槽内填充满氧化层；

在焊盘沟槽区域的氧化层上形成第一光刻胶层；

以第一光刻胶为掩膜，去除焊盘沟槽以外区域的氧化层；

去除镜面保护层及缺陷微反射镜层后，用灰化法去除第一光刻胶层，平坦化第一介质层和氧化层至露出金属层间介电层；

使焊盘沟槽内的氧化层与金属介电层高度一致；

在金属层间介电层及焊盘沟槽内的氧化层上形成金属层；

在金属层上形成第二光刻胶层，定义微反射镜层图形；

以第二光刻胶层为掩膜，蚀刻金属层至露出金属层间介电层，形成微反射镜层；

去除第二光刻胶层，在微反射镜层间形成第二介质层。

2.根据权利要求1所述制作微反射镜层的方法，其特征在于，所述氧化层的材料为氧化硅或氮氧化硅。

3.根据权利要求1所述制作微反射镜层的方法，其特征在于，形成氧化层的方法为化学气相沉积法或旋涂法。

4.根据权利要求1所述制作微反射镜层的方法，其特征在于，去除缺陷微反射镜层的方法为干法蚀刻法。

5.根据权利要求1所述制作微反射镜层的方法，其特征在于，平坦化第一介质层及氧化层的方法为化学机械抛光法。

6.根据权利要求1所述制作微反射镜层的方法，其特征在于，形成第一和第二光刻胶层的方法为旋涂法。

7.根据权利要求6所述制作微反射镜层的方法，其特征在于，所述第一和第二光刻胶层的厚度为1000埃～10000埃。

8.根据权利要求1所述制作微反射镜层的方法，其特征在于，形成第二介质层的方法为高密度等离子体化学气相沉积法或旋涂法。

9.一种制作硅基液晶显示器的方法，其特征在于，包括下列步骤：

在带有像素开关电路层的半导体衬底上形成光屏蔽层、与光屏蔽层隔绝的连接镜面垫层及与光屏蔽层隔绝的焊盘连接层、覆盖光屏蔽层、连接镜面垫层及焊盘连接层的金属层间介电层、缺陷微反射镜层和镜面保护层，金属层间介电层中包含贯穿金属层间介电层且露出焊盘连接层的焊盘沟槽，贯穿金属层间介电层连通连接镜面垫层及缺陷微反射镜层的导电插塞，缺陷微反射镜层间有第一介质层进行隔离；

在镜面保护层上形成氧化层且在焊盘沟槽内填充满氧化层；

在焊盘沟槽区域的氧化层上形成第一光刻胶层；

以第一光刻胶为掩膜，去除焊盘沟槽以外区域的氧化层；

去除镜面保护层及缺陷微反射镜层，用灰化法去除第一光刻胶层，平坦化第一介质层和氧化层至露出金属层间介电层；

使焊盘沟槽内的氧化层与金属介电层高度一致；

在金属层间介电层及焊盘沟槽内的氧化层上形成金属层；

在金属层上形成光刻胶层，定义微反射镜层图形；

以光刻胶层为掩膜，蚀刻金属层至露出金属层间介电层，形成通过导电插塞与连接镜面垫层连通的微反射镜层；

去除光刻胶层，在微反射镜层间形成第二介质层；

去除焊盘沟槽内的氧化层，露出焊盘连接层。

10.根据权利要求9所述制作硅基液晶显示器的方法，其特征在于，所述氧化层的材料为氧化硅或氮氧化硅。

11.根据权利要求9所述制作硅基液晶显示器的方法，其特征在于，所述形成氧化层的方法为化学气相沉积法或旋涂法。

12.根据权利要求11所述制作硅基液晶显示器的方法，其特征在于，去除氧化层的方法为干法蚀刻法。

13.根据权利要求9所述制作硅基液晶显示器的方法，其特征在于，去除缺陷微反射镜层的方法为干法蚀刻法。

14.根据权利要求9所述制作硅基液晶显示器的方法，其特征在于，平坦化第一介质层的方法为化学机械抛光法。

15.根据权利要求9所述制作硅基液晶显示器的方法，其特征在于，形成第一和第二光刻胶层的方法为旋涂法。

16.根据权利要求15所述制作硅基液晶显示器的方法，其特征在于，所述第一和第二光刻胶层的厚度为1000埃～10000埃。

17.根据权利要求9所述制作硅基液晶显示器的方法，其特征在于，形成第二介质层的方法为高密度等离子体化学气相沉积法或旋涂法。

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