JPS58158682A - 散乱性反射面の製造方法 - Google Patents
散乱性反射面の製造方法Info
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- JPS58158682A JPS58158682A JP57041171A JP4117182A JPS58158682A JP S58158682 A JPS58158682 A JP S58158682A JP 57041171 A JP57041171 A JP 57041171A JP 4117182 A JP4117182 A JP 4117182A JP S58158682 A JPS58158682 A JP S58158682A
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- JP
- Japan
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- film
- reflective surface
- scattering reflective
- pattern
- forming
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- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体集積回路製造技術によって、半導体基板
上へスイッチング用トランジスタをマトリクス状に形成
し、この該半導体基板と透明ガラスとの間に、液晶を封
入したテレビ画像表示体の散乱性反射面の製造方法に関
するものである。
上へスイッチング用トランジスタをマトリクス状に形成
し、この該半導体基板と透明ガラスとの間に、液晶を封
入したテレビ画像表示体の散乱性反射面の製造方法に関
するものである。
第１図に従来の半導体基板上への散乱性反射面の形成方
法の一例を示した。図中１は不純物ド一一】− プのｓｚ’基板であり、１３の１１部を除く表面上に散
乱性反射面を形成する為、３〜１０μｍの楕円形のパタ
ーンを不規則に配列したマスクでＬＯＧ ＣＩ ８酸化
膜をパターン通りに形成する。このＬｏｃｏｓ酸化膜を
全面エツチングすることによりｓ７基板に凹みのパター
ンが出来、凹みのエツジはバーズビーク形状で丸みを帯
びる。次に第１フイールド酸化膜３でアクティブ領域を
形成する。
法の一例を示した。図中１は不純物ド一一】− プのｓｚ’基板であり、１３の１１部を除く表面上に散
乱性反射面を形成する為、３〜１０μｍの楕円形のパタ
ーンを不規則に配列したマスクでＬＯＧ ＣＩ ８酸化
膜をパターン通りに形成する。このＬｏｃｏｓ酸化膜を
全面エツチングすることによりｓ７基板に凹みのパター
ンが出来、凹みのエツジはバーズビーク形状で丸みを帯
びる。次に第１フイールド酸化膜３でアクティブ領域を
形成する。
次にゲート酸化膜２を形成後、多結晶シリコン膜層４を
形成する。続いて凹みパターンの傾斜形状をさらにゆる
やかにする為、高ｊ震度１’ｓＧ膜をデボし］、 ＯＯ
０〜１１００度でリフローする。コンタクトエッチ後、
第１鳩ＡＬ系金属膜配線８を形成し、層間膜９をデポ後
、スルーホールエツチングを行ない１０を形成し、第２
ＪｍＡＬ金属膜１１を形成後、パッシベーション膜１２
でカバーしプロセスを完了する。
形成する。続いて凹みパターンの傾斜形状をさらにゆる
やかにする為、高ｊ震度１’ｓＧ膜をデボし］、 ＯＯ
０〜１１００度でリフローする。コンタクトエッチ後、
第１鳩ＡＬ系金属膜配線８を形成し、層間膜９をデポ後
、スルーホールエツチングを行ない１０を形成し、第２
ＪｍＡＬ金属膜１１を形成後、パッシベーション膜１２
でカバーしプロセスを完了する。
ゲートラインとソースラインで選択されたＴｒカＯＮ
Ｌ 、画素コンデンサ一部１４に電圧印加され、該半導
体基板上に形成された、液晶分子配列２− が変化し、色変化により表示を行なう。
Ｌ 、画素コンデンサ一部１４に電圧印加され、該半導
体基板上に形成された、液晶分子配列２− が変化し、色変化により表示を行なう。
例えば電圧印加時に液晶分子が光入射方向に配列するよ
うにしておけば、入射光は１１に到達し白色散乱光が見
え、電圧０−ＦＦ時には液晶での光吸収による発光色と
なりコントラストが生じ表示ができる。反射板としては
入射偏光軸がずれず広い視野角で高い反射率を有するこ
とが必要とされる。反射板がフラットでスムーズな場合
、鏡面反射となり、正反射視野角のみの高反射となるた
めに前述説明の如くの凹みパターンマスクをＬＯＧＯ８
形成りフロー技術によう、１０〜２０度のゆるやかな傾
斜を有す散乱性反射面を形成している。
うにしておけば、入射光は１１に到達し白色散乱光が見
え、電圧０−ＦＦ時には液晶での光吸収による発光色と
なりコントラストが生じ表示ができる。反射板としては
入射偏光軸がずれず広い視野角で高い反射率を有するこ
とが必要とされる。反射板がフラットでスムーズな場合
、鏡面反射となり、正反射視野角のみの高反射となるた
めに前述説明の如くの凹みパターンマスクをＬＯＧＯ８
形成りフロー技術によう、１０〜２０度のゆるやかな傾
斜を有す散乱性反射面を形成している。
しかし、従来方法の散乱性反射面の形成は、パターン的
に粗く十分な散乱反射光は得られずコントラストの大き
な鮮明な画像表示素子が得られなかった。また、干渉色
も発生し、白色散乱性反射板とはならなかった。
に粗く十分な散乱反射光は得られずコントラストの大き
な鮮明な画像表示素子が得られなかった。また、干渉色
も発生し、白色散乱性反射板とはならなかった。
本発明はこのような欠点を除去したもので、画像表示体
のコントラストの高い白色散乱性反射面の製造方法を提
出するものである。
のコントラストの高い白色散乱性反射面の製造方法を提
出するものである。
３−
以下に本発明を実施例によシ説明する。
実施例１
第２図のように、アクティブ領域を、ＬＯＣＯ８２０に
より形成する。次にゲート膜（シリコン酸化物膜）２１
．多結晶シリコン膜２２を形成し、ｌ（）モルのＰ８Ｇ
膜２３を１μｍテポし、散乱性反射面形成用のマスクＡ
を用いてフォトエツチングを行ない、１０５０度でリフ
ローする。次にコンタクトホール２９をフォトエツチン
グで開ケ第１層ＡＬ系金属膜配線２４を形成する。次に
ノンドープ層間膜２５を１．２μｍＣＶＤ法で形成し、
散乱性反射面形成用マスクＢを用いてフォトエツチング
する。エツチング液は、傾斜角が３０〜２５度となるＨ
Ｆ系テーパーエツチング液で０゜５μｍエツチングした
。この上にノンドープＣＶＤ膜を０．３μｍ形成し、ス
ルーホール２８をフォトエツチングして開け、第２層Ａ
Ｌ金属膜２６を形成し、パッシベーションｉ２７’ｅ帆
２μｍデｙＮ後、ＰＡＤのフォトエツチングを行ない形
成して終了した。
より形成する。次にゲート膜（シリコン酸化物膜）２１
．多結晶シリコン膜２２を形成し、ｌ（）モルのＰ８Ｇ
膜２３を１μｍテポし、散乱性反射面形成用のマスクＡ
を用いてフォトエツチングを行ない、１０５０度でリフ
ローする。次にコンタクトホール２９をフォトエツチン
グで開ケ第１層ＡＬ系金属膜配線２４を形成する。次に
ノンドープ層間膜２５を１．２μｍＣＶＤ法で形成し、
散乱性反射面形成用マスクＢを用いてフォトエツチング
する。エツチング液は、傾斜角が３０〜２５度となるＨ
Ｆ系テーパーエツチング液で０゜５μｍエツチングした
。この上にノンドープＣＶＤ膜を０．３μｍ形成し、ス
ルーホール２８をフォトエツチングして開け、第２層Ａ
Ｌ金属膜２６を形成し、パッシベーションｉ２７’ｅ帆
２μｍデｙＮ後、ＰＡＤのフォトエツチングを行ない形
成して終了した。
散乱性反射面形成用マスクＡおよびＢは、Ａが−４−゛
縦方向パターン、す、が横方向パターンで形成されてお
ＪＡとＢが重なると格子状になるパターンを使用した。
ＪＡとＢが重なると格子状になるパターンを使用した。
第２図すに斜め上からの断面図を示した。
実施例２
第３図のように、アクティブ領域をＬ ＯＧ ＯＳ３０
により形成する。次にゲート膜（シリコン酸化物質）３
１．多結晶シリコン膜３２を形成し、４モルのＰＳＧｇ
３３′Ｊｋ形成し、コンタクトホール３９をフォトエツ
チングにて開け、その上に第１７ｉｉｉＡＬ系金属膜配
線３４を形成する。次にノンドープ層間膜３５を１．２
μｍＣＶＤ法で形成し、散乱性反射面形成用マスクＣを
用いてフォトエツチングする。エツチング液は傾斜角が
３０〜２０度となるＨＦ系テーパーエツチング液で０．
７μｍエツチングした。この上に再度ノンドープＣＶＤ
膜を０．３μｍ形成し３５を完成させ、スルーホール３
８をフォトエツチングして開け、第２層ＡＬ金属欣３６
を０．３μｍ形成し、散乱性反射面形成用マスクＤを用
いてフォトエツチングしてパター５− ンを形成し再度ａＬ金属膜ヲ０．７μｍ形成し、パッシ
ベーション膜３７を０．２μｍｆポ後Ｐ Ａ Ｄのフォ
トエツチングを行ない終了した。
により形成する。次にゲート膜（シリコン酸化物質）３
１．多結晶シリコン膜３２を形成し、４モルのＰＳＧｇ
３３′Ｊｋ形成し、コンタクトホール３９をフォトエツ
チングにて開け、その上に第１７ｉｉｉＡＬ系金属膜配
線３４を形成する。次にノンドープ層間膜３５を１．２
μｍＣＶＤ法で形成し、散乱性反射面形成用マスクＣを
用いてフォトエツチングする。エツチング液は傾斜角が
３０〜２０度となるＨＦ系テーパーエツチング液で０．
７μｍエツチングした。この上に再度ノンドープＣＶＤ
膜を０．３μｍ形成し３５を完成させ、スルーホール３
８をフォトエツチングして開け、第２層ＡＬ金属欣３６
を０．３μｍ形成し、散乱性反射面形成用マスクＤを用
いてフォトエツチングしてパター５− ンを形成し再度ａＬ金属膜ヲ０．７μｍ形成し、パッシ
ベーション膜３７を０．２μｍｆポ後Ｐ Ａ Ｄのフォ
トエツチングを行ない終了した。
散乱性反射面形成用マスクはＣとＤが重なると格子状に
なるものを準備した。
なるものを準備した。
以上、実施例１および２について製造方法について述べ
た。本発明による実施例により、従来法に比べ散乱反射
特性は反射強度が強くなり、格子状のパターンを形成し
ているので視野角も広くなシ、画像表示体全体がむらな
く反射するようＫなった。これは、従来法がアクティブ
領域のそれも画素コンデンサ一部に限シ散乱性反射面の
形成を行なっていたのに比べ、本発明は層間膜およびメ
タル膜中に散乱性反射面パターンを形成するため面積的
に犬きくなシ、特に実施例２においては画像表示体に全
面にわたり散乱性反射面パターンを形成できるのでよシ
効果的な反射特性が得られる。
た。本発明による実施例により、従来法に比べ散乱反射
特性は反射強度が強くなり、格子状のパターンを形成し
ているので視野角も広くなシ、画像表示体全体がむらな
く反射するようＫなった。これは、従来法がアクティブ
領域のそれも画素コンデンサ一部に限シ散乱性反射面の
形成を行なっていたのに比べ、本発明は層間膜およびメ
タル膜中に散乱性反射面パターンを形成するため面積的
に犬きくなシ、特に実施例２においては画像表示体に全
面にわたり散乱性反射面パターンを形成できるのでよシ
効果的な反射特性が得られる。
さらに２種類以上の膜に散乱性反射面パターンを形成す
ることが可能でありこれも非常に効果的であり、複雑な
パターン形成そして画像表示体全面６− にわたるような大きいパターンも形成できることも忘れ
てはならない利点である。本発明は以上のような特徴、
利点を持つものであシ２種類もしくは２種類以上の膜に
散乱性反射面を形成することを特徴とし、その個々の製
造方法およびパターン形状に左右されるものでないまっ
たく新しい物である。
ることが可能でありこれも非常に効果的であり、複雑な
パターン形成そして画像表示体全面６− にわたるような大きいパターンも形成できることも忘れ
てはならない利点である。本発明は以上のような特徴、
利点を持つものであシ２種類もしくは２種類以上の膜に
散乱性反射面を形成することを特徴とし、その個々の製
造方法およびパターン形状に左右されるものでないまっ
たく新しい物である。
第１図は従来法の散乱性反射面を具備したＩＣ断面図。
図。第２図すは斜め上からの図。
第３図は本発明方法による実施例２のｌＣ断面図。
１・・ｓｚ基板 ２・・ゲート酸化物膜 ３・・第１フ
イールド酸化物膜 ４−・多結晶シリコン膜 ５・・ゲ
ート電極（多結晶シリコン膜）６・・拡散層 ７・・第
２フイールド酸化物膜８・・第１鳩ＡＬ系金属膜配線膜
９・・働層聞膜７− １０１１・スルーホール １１・ｅ第２層ＡＬ金属膜
１２・・パッシベーションＭ １３・・スイッチング
用トランジスタ部 １４・・画素コンデンサ一部 ２Ｑ
−＊ Ｌ’ＯＣＯＢ ２１ ” ’ゲート膜２２＋
１−多結晶シリコン膜 ２３・・Ｐ １３ Ｇ膜（第２
フイールド酸化物膜） ２４・・第１鳩ＡＬ系金属膜配
線膜 ２５・・層間膜 ２６・・第２ｍＡＬ金Ｍｉ
２７・・パッシベーション膜恕１スルーホール ２９・
・コンタクトホール３０・ ・ＬＯＣＯ８３１・ ・ゲ
ート膜 ３２・・多結晶シリコン膜 ３３・＠第２フィ
ールド膜（ＰＳＧ膜） ３４・・第１鳩ＡＬ系金属膜配
線膜 ３５・・層間膜 ３６・・第２ Ｊｅ Ａ Ｌ金
属膜３７・・パッシベーション膜 ３８・・スルーホー
ル ３９・・コンタクトホール 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士最 上 務 ８− 第３図
イールド酸化物膜 ４−・多結晶シリコン膜 ５・・ゲ
ート電極（多結晶シリコン膜）６・・拡散層 ７・・第
２フイールド酸化物膜８・・第１鳩ＡＬ系金属膜配線膜
９・・働層聞膜７− １０１１・スルーホール １１・ｅ第２層ＡＬ金属膜
１２・・パッシベーションＭ １３・・スイッチング
用トランジスタ部 １４・・画素コンデンサ一部 ２Ｑ
−＊ Ｌ’ＯＣＯＢ ２１ ” ’ゲート膜２２＋
１−多結晶シリコン膜 ２３・・Ｐ １３ Ｇ膜（第２
フイールド酸化物膜） ２４・・第１鳩ＡＬ系金属膜配
線膜 ２５・・層間膜 ２６・・第２ｍＡＬ金Ｍｉ
２７・・パッシベーション膜恕１スルーホール ２９・
・コンタクトホール３０・ ・ＬＯＣＯ８３１・ ・ゲ
ート膜 ３２・・多結晶シリコン膜 ３３・＠第２フィ
ールド膜（ＰＳＧ膜） ３４・・第１鳩ＡＬ系金属膜配
線膜 ３５・・層間膜 ３６・・第２ Ｊｅ Ａ Ｌ金
属膜３７・・パッシベーション膜 ３８・・スルーホー
ル ３９・・コンタクトホール 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士最 上 務 ８− 第３図
Claims (1)
- 半導体基板上に形成される第２フイールド膜、第１層メ
タル配線膜、層間膜および第２層メタル配１ＩＩＪ膜に
おいて、少なくとも２種類の膜もしくは２種類以上の膜
を散乱性反射面形成用のマスクでフォトエツチングする
ととを特徴とする半導体基板上への散乱性反射面の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57041171A JPS58158682A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | 散乱性反射面の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57041171A JPS58158682A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | 散乱性反射面の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58158682A true JPS58158682A (ja) | 1983-09-20 |
Family
ID=12600974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57041171A Pending JPS58158682A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | 散乱性反射面の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58158682A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0627481A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-02-04 | Sharp Corp | 反射型アクティブマトリクス基板及びその製造方法並びに液晶表示装置 |
-
1982
- 1982-03-16 JP JP57041171A patent/JPS58158682A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0627481A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-02-04 | Sharp Corp | 反射型アクティブマトリクス基板及びその製造方法並びに液晶表示装置 |
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