JPS5917581A - 表示パネル - Google Patents
表示パネルInfo
- Publication number
- JPS5917581A JPS5917581A JP57127320A JP12732082A JPS5917581A JP S5917581 A JPS5917581 A JP S5917581A JP 57127320 A JP57127320 A JP 57127320A JP 12732082 A JP12732082 A JP 12732082A JP S5917581 A JPS5917581 A JP S5917581A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- scattering
- display panel
- grown
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、集積回路技術によってスイッチング用トラン
ジスターをマトリックス状に形成した半導体回路基板と
、例えば透明ガラス板の間に液晶を封入してなる画像表
示用ディスプレイの表示パネルに関する。
ジスターをマトリックス状に形成した半導体回路基板と
、例えば透明ガラス板の間に液晶を封入してなる画像表
示用ディスプレイの表示パネルに関する。
従来、例えば液晶によるテレビジョン画像用の表示パネ
ルに於ける半導体回路基板は、６図に示す如く、３１基
板１のトランジスター２等のアクティブ領域を除く表面
上に散乱反射面を形成する為、３〜１０μ程度の楕円あ
るいは長方形のパターンを不規則に配列したマスクでＬ
ＯＯＯ８酸化膜を成長させ、その後全面エツチングによ
り、８１基板１にバーズビーク形状で丸味を帯びた窪み
３のパターンをつける。次にフィールド酸化膜４でアク
ティブ領域を形成後、ゲート酸化膜５を成長、更にＰ
ｏ ｌ ｙ −Ｓ ｉ膜６を気相成長させフォトエツチ
ングで配線をする。次にソース、ドレイン等の拡散層７
を形成し、高濃度ＰＳＧ膜８を気相成長させ、コンタク
トエツチング後１０００〜１１００℃でリフローシ、窪
み３パターンの傾斜及びコンタクト段差形状を緩かにさ
せる。続いてＡｔあるいはＡｔ合金による第１配線９を
形成した後、層間絶縁膜１０として気相成長５１０２膜
を成長しスルーホールエツチングしてから、アクティブ
領域の光速へいを兼ねたＡｔあるいはＡｔ合金による第
２配線１１を形成する。最後に気相成長Ｓ１０．をパシ
ベーション膜１２としてｐａ−（ｌの穴明けを行ってい
る。こうした牛導体回路基板を持つ表示パネルは、ゲー
トラインとソースラインで選択されたトランジスターが
ＯＮし、第１配線９で画素コンデンサー１３部に電圧印
加され、該基板上に封入された液晶の分子配列が変化し
、色変化により表示を行う。例えば電圧印加時に液晶分
子が光入射方向に配列する様にしておけば、入射光は、
画素としてなる第２配線１１に到達し、白色散乱光が見
え、電圧０ＦＩＩＩ’時には、液晶での光吸収による発
光色となり、コントラストを生じ表示が出来る。反射板
としては、入射偏光軸がずれず、広い視野角で高い反射
率を有する事が必要とされ、反射板がフラットな場合鏡
面反射となり、正反射視野角のみの高反射となる為、前
述説明の如く、窪みパターンを８１基板にＬｏｃｏｓ法
で形成し、更にリフロー技術により１０〜２０°の緩か
なテーパーを持つ散乱反射面にしている。
ルに於ける半導体回路基板は、６図に示す如く、３１基
板１のトランジスター２等のアクティブ領域を除く表面
上に散乱反射面を形成する為、３〜１０μ程度の楕円あ
るいは長方形のパターンを不規則に配列したマスクでＬ
ＯＯＯ８酸化膜を成長させ、その後全面エツチングによ
り、８１基板１にバーズビーク形状で丸味を帯びた窪み
３のパターンをつける。次にフィールド酸化膜４でアク
ティブ領域を形成後、ゲート酸化膜５を成長、更にＰ
ｏ ｌ ｙ −Ｓ ｉ膜６を気相成長させフォトエツチ
ングで配線をする。次にソース、ドレイン等の拡散層７
を形成し、高濃度ＰＳＧ膜８を気相成長させ、コンタク
トエツチング後１０００〜１１００℃でリフローシ、窪
み３パターンの傾斜及びコンタクト段差形状を緩かにさ
せる。続いてＡｔあるいはＡｔ合金による第１配線９を
形成した後、層間絶縁膜１０として気相成長５１０２膜
を成長しスルーホールエツチングしてから、アクティブ
領域の光速へいを兼ねたＡｔあるいはＡｔ合金による第
２配線１１を形成する。最後に気相成長Ｓ１０．をパシ
ベーション膜１２としてｐａ−（ｌの穴明けを行ってい
る。こうした牛導体回路基板を持つ表示パネルは、ゲー
トラインとソースラインで選択されたトランジスターが
ＯＮし、第１配線９で画素コンデンサー１３部に電圧印
加され、該基板上に封入された液晶の分子配列が変化し
、色変化により表示を行う。例えば電圧印加時に液晶分
子が光入射方向に配列する様にしておけば、入射光は、
画素としてなる第２配線１１に到達し、白色散乱光が見
え、電圧０ＦＩＩＩ’時には、液晶での光吸収による発
光色となり、コントラストを生じ表示が出来る。反射板
としては、入射偏光軸がずれず、広い視野角で高い反射
率を有する事が必要とされ、反射板がフラットな場合鏡
面反射となり、正反射視野角のみの高反射となる為、前
述説明の如く、窪みパターンを８１基板にＬｏｃｏｓ法
で形成し、更にリフロー技術により１０〜２０°の緩か
なテーパーを持つ散乱反射面にしている。
しかしながら、従来に於ける散乱反射面の形成は、工数
が多い上、ＬＯＯＯ８後の結晶欠陥にょる基板へのリー
クが発生し易く、又工程初期に細かな窪みパターンが基
板の大部分につくられる為、後工程のフォトエツチング
時にバーズビーブの面からのハレーションが随所に起り
易く、デザインルール上大きな制限を受ける。ちなみに
散乱反射而の形成は、アクティブ領域以外の部分のみに
形成せざるを得なく、コントラスト、視野角等を含め表
示効果が満足しがたい。
が多い上、ＬＯＯＯ８後の結晶欠陥にょる基板へのリー
クが発生し易く、又工程初期に細かな窪みパターンが基
板の大部分につくられる為、後工程のフォトエツチング
時にバーズビーブの面からのハレーションが随所に起り
易く、デザインルール上大きな制限を受ける。ちなみに
散乱反射而の形成は、アクティブ領域以外の部分のみに
形成せざるを得なく、コントラスト、視野角等を含め表
示効果が満足しがたい。
しかるに本発明は、係る欠点を除失したものであり、ポ
リイミド系樹脂を用いて層間膜の間に散乱反射而を形成
した事を特徴とし、以下実施例に基づき詳細に説明する
。
リイミド系樹脂を用いて層間膜の間に散乱反射而を形成
した事を特徴とし、以下実施例に基づき詳細に説明する
。
実施例−１
１図に於いて、Ｐ（１００）５−１０Ωｃｍ Ｓ ｉ基
板１４にＬｏｃｏｓによりアクティブ領域を形成し、ゲ
ート酸化膜１５を形成した後Ｐｏ１ｙ−８１膜１６を気
相成長させ、ホトエツチング後Ｎ十拡散層１７を形成し
更に４ｍ０１％のＰＳＧ膜１８を約１ ｐ気相成長させ
、コンタクトボール形成後、１０８０℃でリフローした
後、ＡＡ第１配線層１９を形成しである。続いて５ｉＨ
４−０２系で低温気相成長させたＮＳ’Ｇ膜で層間絶縁
膜２０を形成しスルーホールエッチした後、耐熱ポリイ
ミド系樹脂２１を約０．８μスピンコ一トシ１２５℃テ
フレベイクし、ポジレジストマスクアクティブ領域に係
わらず基板全面に散乱反射面パターンをホトエツチング
し窪み２２をつける。この時、ポジレジストはアルカリ
性を呈し、現像と同時にポリイミド系樹脂のエツチング
が同時に出来る。レジスト剥離後、４００°ＣＨ２でキ
ュアーする事により、傾斜角２０°以下で約０．６μの
段差□を持つ窪み２２が得れる。その後、１を第２配線
２３を形成し、３７０℃の減圧気相成長によるＮＳＧで
パシベーション膜２４を０．４μ形成し、Ｐａｄの穴明
けをしである。
板１４にＬｏｃｏｓによりアクティブ領域を形成し、ゲ
ート酸化膜１５を形成した後Ｐｏ１ｙ−８１膜１６を気
相成長させ、ホトエツチング後Ｎ十拡散層１７を形成し
更に４ｍ０１％のＰＳＧ膜１８を約１ ｐ気相成長させ
、コンタクトボール形成後、１０８０℃でリフローした
後、ＡＡ第１配線層１９を形成しである。続いて５ｉＨ
４−０２系で低温気相成長させたＮＳ’Ｇ膜で層間絶縁
膜２０を形成しスルーホールエッチした後、耐熱ポリイ
ミド系樹脂２１を約０．８μスピンコ一トシ１２５℃テ
フレベイクし、ポジレジストマスクアクティブ領域に係
わらず基板全面に散乱反射面パターンをホトエツチング
し窪み２２をつける。この時、ポジレジストはアルカリ
性を呈し、現像と同時にポリイミド系樹脂のエツチング
が同時に出来る。レジスト剥離後、４００°ＣＨ２でキ
ュアーする事により、傾斜角２０°以下で約０．６μの
段差□を持つ窪み２２が得れる。その後、１を第２配線
２３を形成し、３７０℃の減圧気相成長によるＮＳＧで
パシベーション膜２４を０．４μ形成し、Ｐａｄの穴明
けをしである。
実施例−２
実施例−１と同様にＡｔ第１配線１９まで形成する。次
に耐熱ポリイミド系樹脂を約１．０μスピンコードし、
スルーホール形成後約３５０１′ＣＮ。
に耐熱ポリイミド系樹脂を約１．０μスピンコードし、
スルーホール形成後約３５０１′ＣＮ。
でキュアーし層間絶縁膜ｉｎを形成する。再度耐ｉポリ
イミド系樹脂を約０．８μスピンコートシ、散乱反射面
パターンをホトエツチングし窪み２２をつつけ、再キ瓢
アーを４００℃Ｎ２で行い、傾斜角２０°以下で、約０
．６μ段差を基板上全面に得る。続いてＡｔ第２配線２
３形成後、耐熱ポリイミド系樹脂を約０．６μスピンコ
ードし１２５℃でプレペイクした後、Ｐａｄのホトエツ
チングをし、最後に４００℃Ｎ２キュアーし、パシベー
ション膜２４とした。
イミド系樹脂を約０．８μスピンコートシ、散乱反射面
パターンをホトエツチングし窪み２２をつつけ、再キ瓢
アーを４００℃Ｎ２で行い、傾斜角２０°以下で、約０
．６μ段差を基板上全面に得る。続いてＡｔ第２配線２
３形成後、耐熱ポリイミド系樹脂を約０．６μスピンコ
ードし１２５℃でプレペイクした後、Ｐａｄのホトエツ
チングをし、最後に４００℃Ｎ２キュアーし、パシベー
ション膜２４とした。
実施例−３
２図に於イテ、Ｐ〈１ｏｏ〉８〜１２Ωｃｍ Ｓ ｉ基
板２７上に、ＬＯＯＯ８によりフィールド酸化膜２８を
持ったアクティブ領域を形成し、９００又のゲート酸化
膜２９を形成後Ｐ ｏ ｌ ｙ −Ｓ ｉ膜３０を気相
成長させホトエツチングし、Ｎ十拡散層３１領域の８１
面を露出させる。次に４．５ ｍ 。
板２７上に、ＬＯＯＯ８によりフィールド酸化膜２８を
持ったアクティブ領域を形成し、９００又のゲート酸化
膜２９を形成後Ｐ ｏ ｌ ｙ −Ｓ ｉ膜３０を気相
成長させホトエツチングし、Ｎ十拡散層３１領域の８１
面を露出させる。次に４．５ ｍ 。
１％（７）ＰＳＧ膜３２を気相成長させ１１００’Ｃ’
Ｎ、でリフロー及び拡散層３１を形成後、コンタクトホ
ールを明け、Ａｔ第１配置１ｉ１１３３を行う。次ニ１
ｌＦｆ 熱ホＩＪイミド樹脂を約２．０μスピンコード
し１５０１Ｃでプレベイクした後、ホトレジストで散乱
反射面パターンを形成し、これをマスクに、プラズマエ
ッチとアルカリウェットエッチを併用し、０．８μの段
差を持つ自み３４を形成し、レジスト剥離後４００°Ｃ
Ｎ２キュアーして、層間絶縁膜３５を形成し、続いてｋ
Ａ第２配線６６、パシベーション膜３７を形成しＰａｄ
の穴明けをした。
Ｎ、でリフロー及び拡散層３１を形成後、コンタクトホ
ールを明け、Ａｔ第１配置１ｉ１１３３を行う。次ニ１
ｌＦｆ 熱ホＩＪイミド樹脂を約２．０μスピンコード
し１５０１Ｃでプレベイクした後、ホトレジストで散乱
反射面パターンを形成し、これをマスクに、プラズマエ
ッチとアルカリウェットエッチを併用し、０．８μの段
差を持つ自み３４を形成し、レジスト剥離後４００°Ｃ
Ｎ２キュアーして、層間絶縁膜３５を形成し、続いてｋ
Ａ第２配線６６、パシベーション膜３７を形成しＰａｄ
の穴明けをした。
以上実施例で説明した半導体回路基板の散乱反射面に於
ける反射特性を測定したが、散乱反射面パターンが全面
にある事から、いずれも従来のものに比べ、反射強度も
２０〜３０％大きく、視野角の広いデーターが得られた
。又この基板を組み込んだ携帯用の液晶テレビ表示パネ
ルを製造したが、従来のものに比べ、コントラスト、視
野角の点で優れた鮮明な画像を得る事が出来た。又製造
工程の短縮も図られ、歩留りの点でも著しい向上がみら
れる様になった。又従来のＬＯＯＯ８による散乱反射面
の形成は、テーパー角が限定されてシマうのに比べ、反
射傾斜角をエツチング等の条件次第で変えられ、表示ア
ッセンブルへの応用が図れる。
ける反射特性を測定したが、散乱反射面パターンが全面
にある事から、いずれも従来のものに比べ、反射強度も
２０〜３０％大きく、視野角の広いデーターが得られた
。又この基板を組み込んだ携帯用の液晶テレビ表示パネ
ルを製造したが、従来のものに比べ、コントラスト、視
野角の点で優れた鮮明な画像を得る事が出来た。又製造
工程の短縮も図られ、歩留りの点でも著しい向上がみら
れる様になった。又従来のＬＯＯＯ８による散乱反射面
の形成は、テーパー角が限定されてシマうのに比べ、反
射傾斜角をエツチング等の条件次第で変えられ、表示ア
ッセンブルへの応用が図れる。
尚実施例では、散乱反射面の窪みパターンを、層間絶縁
膜の上側に形成したものを示したが、Ｐ−Ｏｌ ７−
Ｓ ｉ膜と反射板として用いる第２配線の間であれば特
に限定されず、又ＰＳＧ膜１膜間層間絶縁膜パシベーシ
ョン膜についても、耐熱ポリイミド系樹脂を用いるが、
気相成長膜を用いるかの組み合せは限定されない。
膜の上側に形成したものを示したが、Ｐ−Ｏｌ ７−
Ｓ ｉ膜と反射板として用いる第２配線の間であれば特
に限定されず、又ＰＳＧ膜１膜間層間絶縁膜パシベーシ
ョン膜についても、耐熱ポリイミド系樹脂を用いるが、
気相成長膜を用いるかの組み合せは限定されない。
第１図、第２図は、本発明による表示パネルの半導体回
路基板の概略断面。 第３図は、従来の半導体回路基板の概略断面図１．１４
．２７・・・・・・８１基板 ２・・・・・・トランジスター ３．２２．３４・・・・・・窪 み ４．２５．２８・旧・・フィールド酸化膜５．１５．２
５・・・・・・ゲート酸化膜６ 、１６ 、３０＝Ｐ
ｏ ｌ ｙ−８ｉ膜７．１７．３１・・・・・・拡散層 ８ｅ１８，３２・・・・・・ＰＳＧ膜 ９．１９，３３・・・・・・第１配線 １０．２０．３５・・・・・・層間絶縁膜１１．２３．
５６・・・・・・第２配線１２．２４．３７・・・・・
・パシベーション膜１３・・・・・・コンデンサー ２１・・・・・・耐熱性ポリイミド系樹脂以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第２図
路基板の概略断面。 第３図は、従来の半導体回路基板の概略断面図１．１４
．２７・・・・・・８１基板 ２・・・・・・トランジスター ３．２２．３４・・・・・・窪 み ４．２５．２８・旧・・フィールド酸化膜５．１５．２
５・・・・・・ゲート酸化膜６ 、１６ 、３０＝Ｐ
ｏ ｌ ｙ−８ｉ膜７．１７．３１・・・・・・拡散層 ８ｅ１８，３２・・・・・・ＰＳＧ膜 ９．１９，３３・・・・・・第１配線 １０．２０．３５・・・・・・層間絶縁膜１１．２３．
５６・・・・・・第２配線１２．２４．３７・・・・・
・パシベーション膜１３・・・・・・コンデンサー ２１・・・・・・耐熱性ポリイミド系樹脂以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第２図
Claims (1)
- 半導体回路を有する基板上に封入された液晶を駆動して
なる画像表示用ディスプレイに於いて、該半導体基板上
の層間膜の間に、ポリイミド系樹脂で散乱反射面を形成
した事を特徴とする表示パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57127320A JPS5917581A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57127320A JPS5917581A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 表示パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5917581A true JPS5917581A (ja) | 1984-01-28 |
Family
ID=14957010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57127320A Pending JPS5917581A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 表示パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5917581A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0627481A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-02-04 | Sharp Corp | 反射型アクティブマトリクス基板及びその製造方法並びに液晶表示装置 |
-
1982
- 1982-07-20 JP JP57127320A patent/JPS5917581A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0627481A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-02-04 | Sharp Corp | 反射型アクティブマトリクス基板及びその製造方法並びに液晶表示装置 |
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