JPS5917582A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5917582A JPS5917582A JP57127323A JP12732382A JPS5917582A JP S5917582 A JPS5917582 A JP S5917582A JP 57127323 A JP57127323 A JP 57127323A JP 12732382 A JP12732382 A JP 12732382A JP S5917582 A JPS5917582 A JP S5917582A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- semiconductor device
- scattering
- forming
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体集積回路によって、８１基板上へのス
イッチング用トランジスタを、マトリックス状に形成し
、この８１基板と、透明ガラスとの間に液晶を封入した
画像表示工ａ内の散乱反射面の製造方法に関するもので
ある。
イッチング用トランジスタを、マトリックス状に形成し
、この８１基板と、透明ガラスとの間に液晶を封入した
画像表示工ａ内の散乱反射面の製造方法に関するもので
ある。
１図に従来の半導体基板上への散乱反射面形成方法の一
例を示した。図中１は、不純物ドープの８１基板であり
、１３部のトラレジ３夕を除く、８１表面上に散乱反射
面を形成する為３〜１０μの楕円形のパターンを不規則
に配列したマスクでＩ、０００Ｂ酸化膜を、パターン通
り形成する。このＬＯＯＯ８酸化膜を全面エツチングす
ることにより、８１基板に凹のパターン２ができエッシ
ハバーズピーク形状により丸みをおびる。次にフィール
ド酸化膜３でアクティブ領域を形成する。続いてゲート
酸化膜４．ポリシリコン膜層５を形成後、ソース、ドレ
イン拡散６を行う。次に高濃度ＰＳＧＩＪ７をデボし、
コンタクトエッチ後、１０００℃〜１１００℃で熱処理
し、散乱傾斜角をさらにゆりやかにする。続いてＡＬ配
線８を行い、層間絶縁膜９をデポ後、スルーホールエッ
チ１０をし、第２層ＡＬ膜１１を形成後、パッシベーシ
ョン膜１２でカバー１プロセスを終了する。ゲートライ
ンとソースラインにより時分割的に選択されたトランジ
スタがＯＮしていき、ドレイン側の画素コンデンサ１４
部に電圧がチャージされることにより該ＩＣ上に形成さ
れている液晶分子配列が変化し、色変化により表示を行
う。例えば電圧印加時に液晶分子が光入射方向Ｇこ配列
しておけば入射光は画素１１のＡ１１反射板に到達し、
白色散乱光が見え電圧０’ＦＴ時には、液晶の光吸収に
よる発光色となり、コントラストが生じ表示する。
例を示した。図中１は、不純物ドープの８１基板であり
、１３部のトラレジ３夕を除く、８１表面上に散乱反射
面を形成する為３〜１０μの楕円形のパターンを不規則
に配列したマスクでＩ、０００Ｂ酸化膜を、パターン通
り形成する。このＬＯＯＯ８酸化膜を全面エツチングす
ることにより、８１基板に凹のパターン２ができエッシ
ハバーズピーク形状により丸みをおびる。次にフィール
ド酸化膜３でアクティブ領域を形成する。続いてゲート
酸化膜４．ポリシリコン膜層５を形成後、ソース、ドレ
イン拡散６を行う。次に高濃度ＰＳＧＩＪ７をデボし、
コンタクトエッチ後、１０００℃〜１１００℃で熱処理
し、散乱傾斜角をさらにゆりやかにする。続いてＡＬ配
線８を行い、層間絶縁膜９をデポ後、スルーホールエッ
チ１０をし、第２層ＡＬ膜１１を形成後、パッシベーシ
ョン膜１２でカバー１プロセスを終了する。ゲートライ
ンとソースラインにより時分割的に選択されたトランジ
スタがＯＮしていき、ドレイン側の画素コンデンサ１４
部に電圧がチャージされることにより該ＩＣ上に形成さ
れている液晶分子配列が変化し、色変化により表示を行
う。例えば電圧印加時に液晶分子が光入射方向Ｇこ配列
しておけば入射光は画素１１のＡ１１反射板に到達し、
白色散乱光が見え電圧０’ＦＴ時には、液晶の光吸収に
よる発光色となり、コントラストが生じ表示する。
反射板としては、入射偏光軸がずれず、広い視野角で高
い反射率を有することが必要とされる。
い反射率を有することが必要とされる。
前述の従来方法の散乱面形成では、非常に工程が多い上
、ＬＯＯＯ８形成時の結晶欠陥による基板へのリークが
生じ、歩留りが低下する上、工程の初期に、散乱パター
ンがある為、後工程でのホトエッチ時にハレーシ目ンが
発生し、デザインルール上、大きな制約になっていた。
、ＬＯＯＯ８形成時の結晶欠陥による基板へのリークが
生じ、歩留りが低下する上、工程の初期に、散乱パター
ンがある為、後工程でのホトエッチ時にハレーシ目ンが
発生し、デザインルール上、大きな制約になっていた。
又アクティブ領域には、散乱面を形成することが出来な
い為、散乱反射強度が十分でないという欠点があった。
い為、散乱反射強度が十分でないという欠点があった。
本発明は、従来方法のこのような欠点を一掃した散乱反
射面製造方法を提出するものである。
射面製造方法を提出するものである。
以下に実施例（第２図）をもって本発明を説明する。
実施例１
第１図で説明したソース、ドレイン散乱後９００℃×１
０分ｅＬ ｒ ｙ Ｏｚ中で酸化１５し、続いてＳ ｉ
、Ｎ４ 膜１６を５５０１デポする。次に、ＣＶＤ５ｉ
Ｏ，膜を１μデボし、散乱パターンマスクにより、ホト
エツチング加工し、散乱パターン１７を形成する。続い
て高濃度ＰｓＧ膜１８を１μデボし、コンタクトエッチ
後、１０５０℃で熱処理し、コンタクト部の５ｉｓＮ、
膜 を熱リン酸液で除去６ ｒ ｙ Ｏを酸をＨＩＩ′
液で除失後配線用ＡＬを形成する。以後工程は従来と同
様である。
０分ｅＬ ｒ ｙ Ｏｚ中で酸化１５し、続いてＳ ｉ
、Ｎ４ 膜１６を５５０１デポする。次に、ＣＶＤ５ｉ
Ｏ，膜を１μデボし、散乱パターンマスクにより、ホト
エツチング加工し、散乱パターン１７を形成する。続い
て高濃度ＰｓＧ膜１８を１μデボし、コンタクトエッチ
後、１０５０℃で熱処理し、コンタクト部の５ｉｓＮ、
膜 を熱リン酸液で除去６ ｒ ｙ Ｏを酸をＨＩＩ′
液で除失後配線用ＡＬを形成する。以後工程は従来と同
様である。
ここで散乱パターンの傾斜角αは３０°、リフロー後の
傾斜角は１５°であった。
傾斜角は１５°であった。
実施例２
第２図の散乱パターンのホトエッチで、レジスト塗布前
に、ａｙ、＋○、（４％）プラズマを、０４Ｔｏｒｒ、
２００Ｗで、３０秒照射後、同様の加工を行った。散乱
パターンのα＝１５° ９β＝１０°であった。
に、ａｙ、＋○、（４％）プラズマを、０４Ｔｏｒｒ、
２００Ｗで、３０秒照射後、同様の加工を行った。散乱
パターンのα＝１５° ９β＝１０°であった。
実施例３
実施例１で散乱パターンを形成後、ポリイミドフィルム
を２μ塗布し、コンタクトをエッチ後、４００℃で２Ｈ
キユアーし、以後同様の工程を行った。散乱パターンの
α＝３０’、β＝１６°であった。
を２μ塗布し、コンタクトをエッチ後、４００℃で２Ｈ
キユアーし、以後同様の工程を行った。散乱パターンの
α＝３０’、β＝１６°であった。
実施例４
実施例２で散乱パターン形成後、ポリイミドフィルム３
μを塗布し、コンタクトエッチ後４５０’に Ｘ ２
Ｈキュアーし、後は同様の工程でプロセスを行った。α
＝１５° 、β＝１１°であった。
μを塗布し、コンタクトエッチ後４５０’に Ｘ ２
Ｈキュアーし、後は同様の工程でプロセスを行った。α
＝１５° 、β＝１１°であった。
以上実施例で説明したパネルエ０の散乱反射特性を第３
．４図に示す。図中１９は、表示パネルであり、ハロゲ
ンランプ光源より入射した平行光線２０は、表面パネル
面で正反射する光２１と、散乱反射する光２１が、受光
器により、測定される。第４図の２３は、従来の方式に
よる反射特性であり、２４は、実施例１と３．２５は実
施例２と４の反射特性である。図からも明らかな如く、
本発明によって得られた表示パネルは、正反射。
．４図に示す。図中１９は、表示パネルであり、ハロゲ
ンランプ光源より入射した平行光線２０は、表面パネル
面で正反射する光２１と、散乱反射する光２１が、受光
器により、測定される。第４図の２３は、従来の方式に
よる反射特性であり、２４は、実施例１と３．２５は実
施例２と４の反射特性である。図からも明らかな如く、
本発明によって得られた表示パネルは、正反射。
散乱反射光共に大きく、実装後のコントラストも従来品
より良い結果が得られた。又本方式は、ポリシリコン上
にＳｉ、Ｎ４膜、Ｓｉｎ、散、ＰＳＧ膜の３層構造にな
りでいるので、ゲートラインと、ソースラインとのショ
ートが全くなく、歩留りの向上もあわせて可能とした。
より良い結果が得られた。又本方式は、ポリシリコン上
にＳｉ、Ｎ４膜、Ｓｉｎ、散、ＰＳＧ膜の３層構造にな
りでいるので、ゲートラインと、ソースラインとのショ
ートが全くなく、歩留りの向上もあわせて可能とした。
このように本発明は、工程合理化１歩留り向上２反射特
性の大巾な向上を可能とした、散乱反射面の製造方法で
ある
性の大巾な向上を可能とした、散乱反射面の製造方法で
ある
第１図は、従来の液晶表示用半導体素子の断面図、
第２図は、本発明にもとづく、液晶表示用半導体素子の
断面図。 第３図は、反射強度測定方法。 第４図は、測定結果。 番号の説明 １・・・・・・基 板 ２・・・・・・散乱凹パターン ３・・・・・・フィールド酸化膜 ４・・・・・・ストッパー拡散層 ５・・・・・・ポリシリコン ロ・・・・・・ソース、ドレイン拡散層７・・・・・・
ＰＳＧ膜 ８・・・・・・第１ＡＬ膜 ９・・・・・・層間絶縁膜 １０・・・・・・スルーホール １１・・・・・・第２ＡＬ膜 １２・・・・・・パッシベーション膜 １３・・・・・・トランジスタ部 １４・・・・・・画素部 １５・・・・・・ｄｒｙＳｌｏ。 １６・・・・・・Ｓ ｉ、Ｎ、膜 １７・・・・・・散乱パターン膜 １８・・・・・・ｐｓＧ膜（ポリイミドフィルム１９・
・・・・・表示用ＩＣ ２０・・・・・・入射平行光 ２１・・・・・・正反射反射光 ２２・・・・・・散乱反射光 ２６・・・・・・従来工０の反射光 ２４・・・・・・実施例１．３の反射光２５・・・・・
・実施例２．４の反射光以上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 バ 第１図 ９ ４７７− 第３０ ・隻し＾及 − 第４−図
断面図。 第３図は、反射強度測定方法。 第４図は、測定結果。 番号の説明 １・・・・・・基 板 ２・・・・・・散乱凹パターン ３・・・・・・フィールド酸化膜 ４・・・・・・ストッパー拡散層 ５・・・・・・ポリシリコン ロ・・・・・・ソース、ドレイン拡散層７・・・・・・
ＰＳＧ膜 ８・・・・・・第１ＡＬ膜 ９・・・・・・層間絶縁膜 １０・・・・・・スルーホール １１・・・・・・第２ＡＬ膜 １２・・・・・・パッシベーション膜 １３・・・・・・トランジスタ部 １４・・・・・・画素部 １５・・・・・・ｄｒｙＳｌｏ。 １６・・・・・・Ｓ ｉ、Ｎ、膜 １７・・・・・・散乱パターン膜 １８・・・・・・ｐｓＧ膜（ポリイミドフィルム１９・
・・・・・表示用ＩＣ ２０・・・・・・入射平行光 ２１・・・・・・正反射反射光 ２２・・・・・・散乱反射光 ２６・・・・・・従来工０の反射光 ２４・・・・・・実施例１．３の反射光２５・・・・・
・実施例２．４の反射光以上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 バ 第１図 ９ ４７７− 第３０ ・隻し＾及 − 第４−図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 半導体回路を有する液晶表示装置において、
Ｓｉ、Ｎ、 膜を形成する工程と、該膜上にＳｉｎ。 膜を形成する工程と、該Ｓ１０．膜をホトエッチ加工す
ることにより、散乱性パターンを形成することを特徴と
した半導体装置の製造方法。 （２） ｓｉＯ！膜のホトエッチ工程に於て、レジス
ト塗布前にＯＦ４系プラズマを照射することを特徴とし
た第一項記載の半導体装置の製造方法。 （８）ＳｉＯ，膜のホトエッチ後、ＰＳＧ膜を形成し、
１０００〜１１００℃の温度で熱処理することを特徴と
した、第一、二項記載の半導体装置。 （４） Ｓ１０．膜のホトエッチ後、ポリイミド系樹脂
を形成して、散乱性反射面を得ることを特徴とした第一
、二項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57127323A JPS5917582A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57127323A JPS5917582A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5917582A true JPS5917582A (ja) | 1984-01-28 |
Family
ID=14957083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57127323A Pending JPS5917582A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5917582A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0627481A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-02-04 | Sharp Corp | 反射型アクティブマトリクス基板及びその製造方法並びに液晶表示装置 |
-
1982
- 1982-07-20 JP JP57127323A patent/JPS5917582A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0627481A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-02-04 | Sharp Corp | 反射型アクティブマトリクス基板及びその製造方法並びに液晶表示装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3394926B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JP2697507B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH06204347A (ja) | コンタクトホールを形成する方法 | |
| JPH10142530A (ja) | 光変調デバイス、その製造方法および表示装置 | |
| JPS5917582A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2003222905A (ja) | 液晶表示装置の製造方法とその修復方法 | |
| US6815239B1 (en) | Photolithographic methods for making liquid-crystal-on-silicon displays with alignment posts and optical interference layers | |
| KR100268010B1 (ko) | 반사형액정표시소자의반사판및그제조방법 | |
| JPS6148771B2 (ja) | ||
| JPS60140720A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS5917581A (ja) | 表示パネル | |
| JPH08254714A (ja) | 反射型液晶表示装置の製造方法 | |
| JPS5940684A (ja) | 表示パネル | |
| JPH1010706A (ja) | 電子線描画用ステンシルマスク | |
| JPS58116575A (ja) | 半導体基板上への散乱性反射面の製造方法 | |
| JP3610060B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| KR0147488B1 (ko) | 접촉창 형성방법 | |
| JPS59100488A (ja) | 表示パネル | |
| KR100265822B1 (ko) | 포토레지스트 패턴 형성방법 | |
| JPH05304090A (ja) | レジストによるパターニング方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JPS58192379A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JPS58158682A (ja) | 散乱性反射面の製造方法 | |
| JP2739787B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2002196363A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JP3641629B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 |