JPS58111320A - スピンナ - Google Patents
スピンナInfo
- Publication number
- JPS58111320A JPS58111320A JP20941981A JP20941981A JPS58111320A JP S58111320 A JPS58111320 A JP S58111320A JP 20941981 A JP20941981 A JP 20941981A JP 20941981 A JP20941981 A JP 20941981A JP S58111320 A JPS58111320 A JP S58111320A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- spinner
- mask substrate
- substrate
- guide pins
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はホトリソグラフィ工程において使用するホトマ
スタの製造用として有効なスピンナに関するものである
。
スタの製造用として有効なスピンナに関するものである
。
半導体装置のｌ１ｌＩＩＩｔ工程の一つであるホトリソ
グラフィ工程では、半導体つ謔−ハに形成する素子パタ
ーンと同一パターンのホトマスタが使用される。このホ
トマスタはレチクルを基準としてホトリソグラフィ法に
よりＩＩＩＪＩｍされており、ホトマスタのマスク基板
上にホトレジストを塗布し、その後このホトレジストを
露光、＊象処理して所要のパターンを得るようにしてい
る。ところで、前述したマスク基板にホトレジスジを撒
布する場合、従来では第ｉｌｌに示すスピンナを使用し
ている。
グラフィ工程では、半導体つ謔−ハに形成する素子パタ
ーンと同一パターンのホトマスタが使用される。このホ
トマスタはレチクルを基準としてホトリソグラフィ法に
よりＩＩＩＪＩｍされており、ホトマスタのマスク基板
上にホトレジストを塗布し、その後このホトレジストを
露光、＊象処理して所要のパターンを得るようにしてい
る。ところで、前述したマスク基板にホトレジスジを撒
布する場合、従来では第ｉｌｌに示すスピンナを使用し
ている。
このスピンナｌはモー＃２により水平方向に軸転される
駆動軸３の上端部にアーム４を四方に突設し、更にこれ
らアーム４の先端を上方に突設して支持部５として構成
したものである。また、各支持部５の上端面には真空吸
引口６を形成し、これら真ｉｎｔ引口６をアーム４や駆
動軸３内に延設した連路７を通して図外の真空源に連逓
接続している。
駆動軸３の上端部にアーム４を四方に突設し、更にこれ
らアーム４の先端を上方に突設して支持部５として構成
したものである。また、各支持部５の上端面には真空吸
引口６を形成し、これら真ｉｎｔ引口６をアーム４や駆
動軸３内に延設した連路７を通して図外の真空源に連逓
接続している。
このようなスピンナ１によれば、マスク基板Ｍはその四
隅部を前記支持部５上に載せ、冬真空吸引口６により真
空吸着された状態で支持される。
隅部を前記支持部５上に載せ、冬真空吸引口６により真
空吸着された状態で支持される。
そして、モータ２により水平方向に高速刷板され、上圃
に滴下されたホトレジストを遠心力によって拡げてホト
レジスジ膜を形成するのである。また。
に滴下されたホトレジストを遠心力によって拡げてホト
レジスジ膜を形成するのである。また。
！スフ基板Ｍは四隅部において支持部５に支持されてい
るため、中央のパターン形成部位がスピンナ１と接触す
ることはなく、パターン形成部の傷や汚れの発生な防止
することができる。
るため、中央のパターン形成部位がスピンナ１と接触す
ることはなく、パターン形成部の傷や汚れの発生な防止
することができる。
しかしながら、このスピンナにあっては支持部５に飛散
付着したホトレジストが真空吸引口６内に侵入し、乾燥
固化したときに真空吸引口６を小径化あるいは塞ぐこと
があり、マスク基板の吸着力を低下させて支持不良を生
じさせる。また、前述したように！スフ基板間はその四
隅部においてのみ支持せざるを得ないためにその吸着面
積には限界があり、前述した吸着力の低下とともにマス
ク全体の吸着支持力を低下してスピンナの処履回転数を
増大させる障害となっている。更に、各支持部５やアー
ム４等に真空吸引口６や通路７を形成しているために支
持部やアームの体積や重量が必然的に大きくなりスピン
ナの慣性が大となって停止精度が低くなるという間■も
ある。
付着したホトレジストが真空吸引口６内に侵入し、乾燥
固化したときに真空吸引口６を小径化あるいは塞ぐこと
があり、マスク基板の吸着力を低下させて支持不良を生
じさせる。また、前述したように！スフ基板間はその四
隅部においてのみ支持せざるを得ないためにその吸着面
積には限界があり、前述した吸着力の低下とともにマス
ク全体の吸着支持力を低下してスピンナの処履回転数を
増大させる障害となっている。更に、各支持部５やアー
ム４等に真空吸引口６や通路７を形成しているために支
持部やアームの体積や重量が必然的に大きくなりスピン
ナの慣性が大となって停止精度が低くなるという間■も
ある。
したがって本発明の目的は、スピンナの支持部にガイド
ビンを立設し、このガイドビンによりマスク基板の周辺
を点接触状態に挾持すると共に、ガイドビンの頂部をマ
スク基板の上面よりも低い位置に保持するよう構成する
ことにより、マスク基板の支持力を高いものとして処１
１回転数の増大を可能とし、かつ一方ではホシレジスＦ
によるマスク基板やスピンナの汚染を防止することがで
ききるスピンナを提供することにある。
ビンを立設し、このガイドビンによりマスク基板の周辺
を点接触状態に挾持すると共に、ガイドビンの頂部をマ
スク基板の上面よりも低い位置に保持するよう構成する
ことにより、マスク基板の支持力を高いものとして処１
１回転数の増大を可能とし、かつ一方ではホシレジスＦ
によるマスク基板やスピンナの汚染を防止することがで
ききるスピンナを提供することにある。
以下、本発明を図示の実施例により説明する。
第２図および第３図は本発明の一実施例を示し、スピン
ナ１０はホトレジスジ塗布用のハウジング１１内に設置
し、モータ１２の回転出力軸ｔＺａに連結して水平方向
に高速回転されるように構成している。このスピンナ１
０は前記回転出力軸１２１に連結した駆動軸１３を有し
、この駆動軸１３の上端には水平四方向に四本のアーム
１４を一体に！ＩＩ！設している。これら各アーム１４
の先端は夫々上方に向けて曲設し、更にこの上端には夫
々支持台１５ａ〜１５ｄを形成している。これらの各支
持台１５ａ〜１５ｄは！スフ基板間の四隅部を載置状態
に支持するものであるが、支持したときにはその内辺が
！スフ基板間の中央部のパターン形成部ＭＰ内に侵入し
ないように形成している。
ナ１０はホトレジスジ塗布用のハウジング１１内に設置
し、モータ１２の回転出力軸ｔＺａに連結して水平方向
に高速回転されるように構成している。このスピンナ１
０は前記回転出力軸１２１に連結した駆動軸１３を有し
、この駆動軸１３の上端には水平四方向に四本のアーム
１４を一体に！ＩＩ！設している。これら各アーム１４
の先端は夫々上方に向けて曲設し、更にこの上端には夫
々支持台１５ａ〜１５ｄを形成している。これらの各支
持台１５ａ〜１５ｄは！スフ基板間の四隅部を載置状態
に支持するものであるが、支持したときにはその内辺が
！スフ基板間の中央部のパターン形成部ＭＰ内に侵入し
ないように形成している。
また、前記支持台１５１〜１５ｄの中、支持台１５ｂ
、 １５ｄには１本の、支持台１５ ａ、１５Ｃには２
本のガイドビン１６ａ〜１６ｆを夫々立設している。こ
れら各ガイドビンは第４図に拡大して示すように、マス
ク基板Ｍの四隅部の周辺に当接でき、かつこれらの全て
のガイドビン１６Ｊｌ〜１６ｆが協働してマスク基板Ｍ
を水平方向に拘束するように挾持している。この場合、
ガイドビン１６ａ〜１６ｆは断輿形状を円形とし、マス
ク基板Ｍとは点（ＩＩ）ＩＩ触状態で当接するようにし
ている。また、前記各ガイドビン１６ａ〜１６ｆはマス
ク基板の厚さよりも短く形成し、ガイドビンの先端がマ
スク基板の上面よりも上方に突出しないように構成して
いる。図中、１７はホトレジスト滴下用のノズルである
。
、 １５ｄには１本の、支持台１５ ａ、１５Ｃには２
本のガイドビン１６ａ〜１６ｆを夫々立設している。こ
れら各ガイドビンは第４図に拡大して示すように、マス
ク基板Ｍの四隅部の周辺に当接でき、かつこれらの全て
のガイドビン１６Ｊｌ〜１６ｆが協働してマスク基板Ｍ
を水平方向に拘束するように挾持している。この場合、
ガイドビン１６ａ〜１６ｆは断輿形状を円形とし、マス
ク基板Ｍとは点（ＩＩ）ＩＩ触状態で当接するようにし
ている。また、前記各ガイドビン１６ａ〜１６ｆはマス
ク基板の厚さよりも短く形成し、ガイドビンの先端がマ
スク基板の上面よりも上方に突出しないように構成して
いる。図中、１７はホトレジスト滴下用のノズルである
。
以上の構成のスピンナによれば、スピンナの上方からマ
スク基板を下降して支持台１５１〜１５ｄ上にマスク基
板の四隅部を載置し、各ガイドビン１６星〜１６ｆによ
りマスク基板を水平方向に挾持することにより、マスク
基板はスピンナに水平方向に一体支持される。したがっ
て、モータ１２の駆動によりスピンナが回転されてもマ
スク基板はガイドビン１６’ａ〜１６ｆによって遠心方
向への移動が防止され、かつこれはスピンナのＵ板速度
が増大した場合でも同様である。一方、マスク基板Ｍの
上面中央にはノズル１７からホトレジスＦが滴下され、
遠心力によってマスク周辺へ拡散されてホトレジスト膜
が形成されることになる。
スク基板を下降して支持台１５１〜１５ｄ上にマスク基
板の四隅部を載置し、各ガイドビン１６星〜１６ｆによ
りマスク基板を水平方向に挾持することにより、マスク
基板はスピンナに水平方向に一体支持される。したがっ
て、モータ１２の駆動によりスピンナが回転されてもマ
スク基板はガイドビン１６’ａ〜１６ｆによって遠心方
向への移動が防止され、かつこれはスピンナのＵ板速度
が増大した場合でも同様である。一方、マスク基板Ｍの
上面中央にはノズル１７からホトレジスＦが滴下され、
遠心力によってマスク周辺へ拡散されてホトレジスト膜
が形成されることになる。
このとき、余剰のホトレジストはマスク基板周辺から外
方へ飛散されるが、ガイドビン１６ａ〜１６ｆの上端は
マスク基板の上面よりも低い位置にあるため、飛散され
るホトレジストがガイドビンに衝突してガイドビンない
しマスク基板に付着することは防止される。また、マス
ク基板上のホトレジストの一部はマスク肩面に流れ落ち
るが、この場合にもマスク基板とガイドビンとは点（Ｉ
Ｉ）接触状態であることから両者間にホトレジストが停
留してガイドビンやマスク基板を汚すことはない。
方へ飛散されるが、ガイドビン１６ａ〜１６ｆの上端は
マスク基板の上面よりも低い位置にあるため、飛散され
るホトレジストがガイドビンに衝突してガイドビンない
しマスク基板に付着することは防止される。また、マス
ク基板上のホトレジストの一部はマスク肩面に流れ落ち
るが、この場合にもマスク基板とガイドビンとは点（Ｉ
Ｉ）接触状態であることから両者間にホトレジストが停
留してガイドビンやマスク基板を汚すことはない。
更に、スピンナは真空吸引口や通路を形成していないの
で支持台やアームを小抛かつ軽量に形成でき、（９）転
駆動のエネルギの省略化や停止精度の向上を図るととも
に真空源やその配管等を不要にして装置全体構造の簡易
化や低価格化を達成することができる。
で支持台やアームを小抛かつ軽量に形成でき、（９）転
駆動のエネルギの省略化や停止精度の向上を図るととも
に真空源やその配管等を不要にして装置全体構造の簡易
化や低価格化を達成することができる。
ここで、ガイドビンの形状や本数、更に立設位置等はマ
スク基板の寸法等に応じて適宜変更できることは言うま
でもない。
スク基板の寸法等に応じて適宜変更できることは言うま
でもない。
以上のように本発明のスピンナによればスピンナの支持
部にガイドビンを立設し、このガイドビンによりマスク
基板の周辺を点接触状態に挾持すると共に、ガイドビン
の頂部をマスク基板の上面よりも低い位置となるように
しているので、マスク基板の支持面積に関係なく高い支
持力を有してスピンナの高速回転を可能にする一方、ホ
トレジストの飛散に伴なうガイドビンやマスク基板の汚
染を防止することができ、更にスピンナ装置全体の構造
の簡易化、低価格化を達成することができるという効果
を春する。
部にガイドビンを立設し、このガイドビンによりマスク
基板の周辺を点接触状態に挾持すると共に、ガイドビン
の頂部をマスク基板の上面よりも低い位置となるように
しているので、マスク基板の支持面積に関係なく高い支
持力を有してスピンナの高速回転を可能にする一方、ホ
トレジストの飛散に伴なうガイドビンやマスク基板の汚
染を防止することができ、更にスピンナ装置全体の構造
の簡易化、低価格化を達成することができるという効果
を春する。
第１図は従来のスピンナの破断正面図、第２図は本発明
装置の正面図、第３図は平Ｅｖｉ１図、第４図は要部の
拡大斜視図である。 １０・・・スピンナ、１２−・・モータ、１５ａ−１５
ｄ・・・支持部、１６，１〜１６ｆ・・・ガイドビン、
Ｍ・・・マスク基板。 ′ −ジ 第 ４ 図 第 ２ 図 第 β 図
装置の正面図、第３図は平Ｅｖｉ１図、第４図は要部の
拡大斜視図である。 １０・・・スピンナ、１２−・・モータ、１５ａ−１５
ｄ・・・支持部、１６，１〜１６ｆ・・・ガイドビン、
Ｍ・・・マスク基板。 ′ −ジ 第 ４ 図 第 ２ 図 第 β 図
Claims (1)
- １、表面にホトレジスト等な遠心塗布するマスク基板を
支持しかつこのマスク基板を一体的にＩｆ＠させるスピ
ンナであって、前記スピンナは前記マスク基板の隅部を
支承する支持部にガイドビンを立設し、このガイドビン
によりマスタ基板の肩辺を点接触状態に挾持すると共に
、ガイドビンの頂部をマスク基板の上−よりも低い位置
となるように構成したことを特徴とするスピンナ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20941981A JPS58111320A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | スピンナ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20941981A JPS58111320A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | スピンナ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58111320A true JPS58111320A (ja) | 1983-07-02 |
Family
ID=16572559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20941981A Pending JPS58111320A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | スピンナ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58111320A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61144637U (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-06 | ||
| US5234499A (en) * | 1990-06-26 | 1993-08-10 | Dainippon Screen Mgf. Co., Ltd. | Spin coating apparatus |
| US5308645A (en) * | 1992-08-07 | 1994-05-03 | Delco Electronics Corporation | Method and apparatus for through hole substrate printing |
| JPH07273171A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Tokyo Koku Keiki Kk | 円盤状物体の取り扱い装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS508733A (ja) * | 1973-05-29 | 1975-01-29 | ||
| JPS5043564U (ja) * | 1973-08-16 | 1975-05-01 |
-
1981
- 1981-12-25 JP JP20941981A patent/JPS58111320A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS508733A (ja) * | 1973-05-29 | 1975-01-29 | ||
| JPS5043564U (ja) * | 1973-08-16 | 1975-05-01 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61144637U (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-06 | ||
| JPH0128676Y2 (ja) * | 1985-02-28 | 1989-08-31 | ||
| US5234499A (en) * | 1990-06-26 | 1993-08-10 | Dainippon Screen Mgf. Co., Ltd. | Spin coating apparatus |
| US5308645A (en) * | 1992-08-07 | 1994-05-03 | Delco Electronics Corporation | Method and apparatus for through hole substrate printing |
| JPH07273171A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Tokyo Koku Keiki Kk | 円盤状物体の取り扱い装置 |
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