JPH04320022A - レジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布装置Info
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- JPH04320022A JPH04320022A JP8643091A JP8643091A JPH04320022A JP H04320022 A JPH04320022 A JP H04320022A JP 8643091 A JP8643091 A JP 8643091A JP 8643091 A JP8643091 A JP 8643091A JP H04320022 A JPH04320022 A JP H04320022A
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- Japan
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- resist
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- semiconductor substrate
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- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 8
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 abstract description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
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Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造等に用
いられるスピンコーティング方式のレジスト塗布装置に
関する。
いられるスピンコーティング方式のレジスト塗布装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造において，シリコンウ
エハ等の半導体基板の両面にレジストが塗布される。半
導体集積回路が形成される表面に塗布されたレジスト膜
は，リソグラフ工程において所定の形状にパターニング
され，半導体基板や配線層あるいは絶縁層のエッチング
におけるマスクとして使用される。他面に塗布されたレ
ジスト膜は，上記各エッチング工程における基板表面の
保護を目的とするものであり，特別のパターニングは行
われず，また，その膜厚や分布等に対してあまり厳密さ
が要求されない。
エハ等の半導体基板の両面にレジストが塗布される。半
導体集積回路が形成される表面に塗布されたレジスト膜
は，リソグラフ工程において所定の形状にパターニング
され，半導体基板や配線層あるいは絶縁層のエッチング
におけるマスクとして使用される。他面に塗布されたレ
ジスト膜は，上記各エッチング工程における基板表面の
保護を目的とするものであり，特別のパターニングは行
われず，また，その膜厚や分布等に対してあまり厳密さ
が要求されない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来，半導体基板に対
する上記のようなレジスト塗布は，一方の面にレジスト
溶液をスピンコーティングし，これをプリベークしたの
ち，他方の面に同様にして塗布およびベーキングを行っ
ていた。しかしながら， 半導体装置の製造におけるス
ループットの向上やコストの低減等を達成するために，
レジスト塗布工程の効率化が要請されている。
する上記のようなレジスト塗布は，一方の面にレジスト
溶液をスピンコーティングし，これをプリベークしたの
ち，他方の面に同様にして塗布およびベーキングを行っ
ていた。しかしながら， 半導体装置の製造におけるス
ループットの向上やコストの低減等を達成するために，
レジスト塗布工程の効率化が要請されている。
【０００４】本発明は，上記のような要請に鑑み，レジ
スト塗布回数の削減を可能とする方法を提供することを
目的とする。
スト塗布回数の削減を可能とする方法を提供することを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的は，平行な二平
坦面と該両平坦面に交差する側面とを有する被処理基板
を該平坦面が水平を保つようにして該側面方向から把持
するとともに該平坦面の中心を通る鉛直線を軸として回
転する基板支持機構と，該平坦面に対してレジスト溶液
を噴射するために各々の該平坦面に対向して配置された
二つのノズルとを具備したことを特徴とする本発明に係
るレジスト塗布装置，または，前記基板支持機構として
，一端が前記回転軸に固定され且つ該回転軸から放射状
に延在する棒状の複数の固定部材と，各々の該棒状部材
の他端に該他端の回転円弧の接線に平行な結合軸を中心
に回動可能に取り付けられ且つ該他端から鉛直方向に延
在する部分を有し且つ該延在部分において前記被処理基
板に接触可能にされた可動部材と，該可動部材の該延在
部分を該被処理基板に押圧する手段とから構成したこと
を特徴とする本発明に係るレジスト塗布装置， あるい
は，前記可動部材内部には前記被処理基板に接触する前
記延在部分に開放端を有する吸気孔が設けられているこ
とを特徴とする本発明に係るレジスト塗布装置のいずれ
かによって達成される。
坦面と該両平坦面に交差する側面とを有する被処理基板
を該平坦面が水平を保つようにして該側面方向から把持
するとともに該平坦面の中心を通る鉛直線を軸として回
転する基板支持機構と，該平坦面に対してレジスト溶液
を噴射するために各々の該平坦面に対向して配置された
二つのノズルとを具備したことを特徴とする本発明に係
るレジスト塗布装置，または，前記基板支持機構として
，一端が前記回転軸に固定され且つ該回転軸から放射状
に延在する棒状の複数の固定部材と，各々の該棒状部材
の他端に該他端の回転円弧の接線に平行な結合軸を中心
に回動可能に取り付けられ且つ該他端から鉛直方向に延
在する部分を有し且つ該延在部分において前記被処理基
板に接触可能にされた可動部材と，該可動部材の該延在
部分を該被処理基板に押圧する手段とから構成したこと
を特徴とする本発明に係るレジスト塗布装置， あるい
は，前記可動部材内部には前記被処理基板に接触する前
記延在部分に開放端を有する吸気孔が設けられているこ
とを特徴とする本発明に係るレジスト塗布装置のいずれ
かによって達成される。
【０００６】
【作用】図１は本発明の原理説明図であって， 半導体
基板１の周辺には， 半導体基板１をその側面側から把
持する基板支持機構２が設けられている。把持を容易に
するために， 半導体基板１に接触する基板支持機構２
の先端には， 凹部２１が設けられている。各々の基板
支持機構２は， ばね等の手段によって， 半導体基板
１に対して矢印Ａによって示される押圧力が加えられて
いる。また， 基板支持機構２は，半導体基板１の中心
を通る鉛直線を軸に回転させられる。
基板１の周辺には， 半導体基板１をその側面側から把
持する基板支持機構２が設けられている。把持を容易に
するために， 半導体基板１に接触する基板支持機構２
の先端には， 凹部２１が設けられている。各々の基板
支持機構２は， ばね等の手段によって， 半導体基板
１に対して矢印Ａによって示される押圧力が加えられて
いる。また， 基板支持機構２は，半導体基板１の中心
を通る鉛直線を軸に回転させられる。
【０００７】半導体基板１の上下両面に対向して， レ
ジスト溶液を噴射するためのノズル３Ａおよび３Ｂが配
置されている。必要に応じて， ノズル３Ａおよび３Ｂ
を鉛直方向に移動させるための手段が設けられる。
ジスト溶液を噴射するためのノズル３Ａおよび３Ｂが配
置されている。必要に応じて， ノズル３Ａおよび３Ｂ
を鉛直方向に移動させるための手段が設けられる。
【０００８】基板支持機構２により半導体基板１を所定
の低速度で回転させ， この間に， ノズル３Ａおよび
３Ｂからレジスト溶液を半導体基板１に噴射する。次い
で， 半導体基板１を所定の高速度で回転させ， 半導
体基板１表面全体にレジスト溶液を拡げる。そののち，
基板支持機構２による半導体基板１の回転を停止し，
半導体基板１を所定温度でプリベークする。
の低速度で回転させ， この間に， ノズル３Ａおよび
３Ｂからレジスト溶液を半導体基板１に噴射する。次い
で， 半導体基板１を所定の高速度で回転させ， 半導
体基板１表面全体にレジスト溶液を拡げる。そののち，
基板支持機構２による半導体基板１の回転を停止し，
半導体基板１を所定温度でプリベークする。
【０００９】上記により， 半導体基板１の上下両面に
対して同時にレジストを塗布でき， かつ， プリベー
ク工程も一回のみで済むため， 工程が効率される。
対して同時にレジストを塗布でき， かつ， プリベー
ク工程も一回のみで済むため， 工程が効率される。
【００１０】
【実施例】図２は本発明の一実施例説明図であって，
基板支持機構２は， 鉛直方向に延在する回転軸５から
水平に延在する複数（３〜４つ）の棒状の固定部材２２
と， 図示しない結合手段によって固定部材２２の先端
に取り付けられた可動部材２３とから成る。可動部材２
３の先端には， 半導体基板（図示省略）が嵌合する前
述のような凹部２１が設けられている。
基板支持機構２は， 鉛直方向に延在する回転軸５から
水平に延在する複数（３〜４つ）の棒状の固定部材２２
と， 図示しない結合手段によって固定部材２２の先端
に取り付けられた可動部材２３とから成る。可動部材２
３の先端には， 半導体基板（図示省略）が嵌合する前
述のような凹部２１が設けられている。
【００１１】図３は本発明の他の実施例説明図であって
， 図２に示した固定部材２２と可動部材２３との一部
を拡大して示している。ただし， 図２とは視点が上下
反対となっている。可動部材２３は， 蝶番２５のよう
な結合手段によって可動部材２３に取り付けられている
。蝶番２５は， その回転軸が固定部材２２の先端の回
転円弧の接線方向に沿うように配置されており， これ
により可動部材２３は， 図示のように回動可能となっ
ている。したがって， 半導体基板の着脱が容易に行え
る。また， 可動部材２３は， ばね等の手段（図示省
略）によって， 固定部材２２に接近するように押圧力
が加えられている。したがって， 複数の可動部材２３
の前記凹部２１に半導体基板１（図示省略）が嵌合され
た場合， 半導体基板１は可動部材２３によって安定に
把持される。
， 図２に示した固定部材２２と可動部材２３との一部
を拡大して示している。ただし， 図２とは視点が上下
反対となっている。可動部材２３は， 蝶番２５のよう
な結合手段によって可動部材２３に取り付けられている
。蝶番２５は， その回転軸が固定部材２２の先端の回
転円弧の接線方向に沿うように配置されており， これ
により可動部材２３は， 図示のように回動可能となっ
ている。したがって， 半導体基板の着脱が容易に行え
る。また， 可動部材２３は， ばね等の手段（図示省
略）によって， 固定部材２２に接近するように押圧力
が加えられている。したがって， 複数の可動部材２３
の前記凹部２１に半導体基板１（図示省略）が嵌合され
た場合， 半導体基板１は可動部材２３によって安定に
把持される。
【００１２】上記のような基板支持機構２により半導体
基板を把持し， 基板支持機構２を回転軸５（図２参照
）により回転させた場合， この回転速度によって，
半導体基板に対する押圧力を制御できる。すなわち，回
転軸５の回転により可動部材２３に加わる遠心力が前記
ばね等の押圧力より大きくなると， 可動部材２３が回
動し， 半導体基板との間に隙間ができる。その結果，
可動部材２３と半導体基板との間に滑りが生じる。こ
れを利用して， 基板支持機構２による半導体基板の把
持位置を変化させることができる。
基板を把持し， 基板支持機構２を回転軸５（図２参照
）により回転させた場合， この回転速度によって，
半導体基板に対する押圧力を制御できる。すなわち，回
転軸５の回転により可動部材２３に加わる遠心力が前記
ばね等の押圧力より大きくなると， 可動部材２３が回
動し， 半導体基板との間に隙間ができる。その結果，
可動部材２３と半導体基板との間に滑りが生じる。こ
れを利用して， 基板支持機構２による半導体基板の把
持位置を変化させることができる。
【００１３】図４は本発明の更に他の実施例説明図であ
って， 例えば図３に示してような基板支持機構２にお
ける可動部材２３には， その先端に設けられた凹部２
１に開放端を有する吸気孔２７が設けられている。吸気
孔２７は， 可動部材２３に設けられた接続管２９に達
し， ここから吸引ポンプ（図示省略）等によって減圧
にされる。これにより， 凹部２１に嵌合した半導体基
板表面を拡がったレジスト溶液の余剰分が， 吸気孔２
７を通じて除去されるため， 半導体基板表面における
レジスト膜の均一性が向上される。なお， 接続管２９
と前記吸引ポンプとの接続は， 例えば中空の回転軸５
を用い， 回転軸５の先端に設けられた接続管５１と接
続管２９との間を， 図示しない管で接続する。回転軸
５と吸引ポンプとの接続は， 周知の回転シールを利用
して行えばよい。
って， 例えば図３に示してような基板支持機構２にお
ける可動部材２３には， その先端に設けられた凹部２
１に開放端を有する吸気孔２７が設けられている。吸気
孔２７は， 可動部材２３に設けられた接続管２９に達
し， ここから吸引ポンプ（図示省略）等によって減圧
にされる。これにより， 凹部２１に嵌合した半導体基
板表面を拡がったレジスト溶液の余剰分が， 吸気孔２
７を通じて除去されるため， 半導体基板表面における
レジスト膜の均一性が向上される。なお， 接続管２９
と前記吸引ポンプとの接続は， 例えば中空の回転軸５
を用い， 回転軸５の先端に設けられた接続管５１と接
続管２９との間を， 図示しない管で接続する。回転軸
５と吸引ポンプとの接続は， 周知の回転シールを利用
して行えばよい。
【００１４】図５は， 上記のようにして両面にレジス
ト膜が形成された半導体基板のプリベーク方法の説明図
である。前記実施例における可動部材２３のような支持
機構または単に傾斜面を有する図示のような移動機構６
によって， 半導体基板１をその側面方向から支持する
とともに， プリベーク炉７内において矢印Ｂ方向に移
動し，この間に， 上下両面側からヒータ８Ａおよび８
Ｂにより加熱する。なお， 移動機構６として， ベル
トコンベアを用いてもよい。
ト膜が形成された半導体基板のプリベーク方法の説明図
である。前記実施例における可動部材２３のような支持
機構または単に傾斜面を有する図示のような移動機構６
によって， 半導体基板１をその側面方向から支持する
とともに， プリベーク炉７内において矢印Ｂ方向に移
動し，この間に， 上下両面側からヒータ８Ａおよび８
Ｂにより加熱する。なお， 移動機構６として， ベル
トコンベアを用いてもよい。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば， 半導体基板等の被処
理基板の上下両面に同時にかつ均一にレジストを塗布で
き， 半導体装置の製造におけるスループット向上およ
びコスト低減を可能とする効果がある。
理基板の上下両面に同時にかつ均一にレジストを塗布で
き， 半導体装置の製造におけるスループット向上およ
びコスト低減を可能とする効果がある。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の一実施例説明図
【図３】 本発明の他の実施例説明図
【図４】 本
発明の更に他の実施例説明図
発明の更に他の実施例説明図
【図５】 両面塗布され
た半導体基板のプリベーク方法説明図
た半導体基板のプリベーク方法説明図
１ 半導体基板
２１ 凹部２ 基板支持機構
２２ 固定部材３Ａ
， ３Ｂ ノズル
２３ 可動部材５ 回転軸
２５
蝶番６ 移動機構
２７ 吸気孔７ プリベーク炉
２９， ５１
接続管８Ａ， ８Ｂ ヒータ
２１ 凹部２ 基板支持機構
２２ 固定部材３Ａ
， ３Ｂ ノズル
２３ 可動部材５ 回転軸
２５
蝶番６ 移動機構
２７ 吸気孔７ プリベーク炉
２９， ５１
接続管８Ａ， ８Ｂ ヒータ
Claims (3)
- 【請求項１】 平行な二平坦面と該両平坦面に交差す
る側面とを有する被処理基板を該平坦面が水平を保つよ
うにして該側面方向から把持するとともに該平坦面の中
心を通る鉛直線を軸として回転する基板支持機構と，該
平坦面に対してレジスト溶液を噴射するために各々の該
平坦面に対向して配置された二つのノズルとを具備した
ことを特徴とするレジスト塗布装置。 - 【請求項２】 前記基板支持機構は，一端が前記回転
軸に固定され且つ該回転軸から放射状に延在する棒状の
複数の固定部材と，各々の該棒状部材の他端に該他端の
回転円弧の接線に平行な結合軸を中心に回動可能に取り
付けられ且つ該他端から鉛直方向に延在する部分を有し
且つ該延在部分において前記被処理基板に接触可能にさ
れた可動部材と，該可動部材の該延在部分を該被処理基
板に押圧する手段とから成ることを特徴とする請求項１
記載のレジスト塗布装置。 - 【請求項３】 前記可動部材内部には前記被処理基板
に接触する前記延在部分に開放端を有する吸気孔が設け
られていることを特徴とする請求項２記載のレジスト塗
布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8643091A JPH04320022A (ja) | 1991-04-18 | 1991-04-18 | レジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8643091A JPH04320022A (ja) | 1991-04-18 | 1991-04-18 | レジスト塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04320022A true JPH04320022A (ja) | 1992-11-10 |
Family
ID=13886692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8643091A Withdrawn JPH04320022A (ja) | 1991-04-18 | 1991-04-18 | レジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04320022A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6863735B1 (en) * | 1998-07-27 | 2005-03-08 | Super Silicon Crystal Research Institute Corp. | Epitaxial growth furnace |
| JP2014130208A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Hoya Corp | 眼鏡レンズ基材用保持装置および塗布液塗布装置 |
-
1991
- 1991-04-18 JP JP8643091A patent/JPH04320022A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6863735B1 (en) * | 1998-07-27 | 2005-03-08 | Super Silicon Crystal Research Institute Corp. | Epitaxial growth furnace |
| JP2014130208A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Hoya Corp | 眼鏡レンズ基材用保持装置および塗布液塗布装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980711 |