JPS58108604A - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
- Publication number
- JPS58108604A JPS58108604A JP56206573A JP20657381A JPS58108604A JP S58108604 A JPS58108604 A JP S58108604A JP 56206573 A JP56206573 A JP 56206573A JP 20657381 A JP20657381 A JP 20657381A JP S58108604 A JPS58108604 A JP S58108604A
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- JP
- Japan
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- dielectric constant
- high dielectric
- porcelain composition
- composition
- capacitor
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はチタン酸バリウム（Ｂａ Ｔｉ ０３ ）を主
体とし、チタン酸カルシウム（Ｃａ Ｔｉ ＯＨ）、酸
化タンクＩＶ （Ｔａ２０５ ） 、酸化ガドリニウム
（Ｇａ、０３）等を添加して得られる高誘電率磁器組成
物に関するものである。
体とし、チタン酸カルシウム（Ｃａ Ｔｉ ＯＨ）、酸
化タンクＩＶ （Ｔａ２０５ ） 、酸化ガドリニウム
（Ｇａ、０３）等を添加して得られる高誘電率磁器組成
物に関するものである。
従来よｔ）、チタン酸バリウムを主体とする高誘電体？
＠ｉ：慴組成物は数多く提案され、特に円板型磁器コン
デンサに使用されている。
＠ｉ：慴組成物は数多く提案され、特に円板型磁器コン
デンサに使用されている。
チタン酸バリウムは強誘電性を有する材料であり、その
キューリ一点は１２０℃イ」近にある。この１２０°輸
境にして低温側では正方晶、高温側では立方晶になる。
キューリ一点は１２０℃イ」近にある。この１２０°輸
境にして低温側では正方晶、高温側では立方晶になる。
そして、正方品の領域では常誘電性を示すことはよく知
られている。かかるチタン酸バリウム単独での磁器の誘
電率は常温付近の温度特性に於いて極めて温度による変
化が大きく誘電損失も大きいため、単独でコンデンサと
して使用されることはほとんどなく、従来から種々の添
加物を加えてキューリ一点を常温付近に移動させ、また
温口ξ斐化を少なくする工夫がなされている。
られている。かかるチタン酸バリウム単独での磁器の誘
電率は常温付近の温度特性に於いて極めて温度による変
化が大きく誘電損失も大きいため、単独でコンデンサと
して使用されることはほとんどなく、従来から種々の添
加物を加えてキューリ一点を常温付近に移動させ、また
温口ξ斐化を少なくする工夫がなされている。
この代表的なものとして、ＣａＴｉＯ３，ＢａＺｒ０１
，５ｒＴｉＯ１゜ＢａＳｎＯ３，ＣａＳｎ０ｇ＠；が知
られている。これらを適量添加し、さらに微艮成分によ
り補正することにより、ＥＩＡ規、洛に基づ（Ｘ７Ｒ，
Ｙ５Ｔ、Ｙ５Ｖ、Ｚ４Ｖ −、−ｐ ）特性材料として
供給されている。これらの材料については従来一般に系
子厚みかｔ１５〜１．０１１１１１と厚い円板の磁器コ
ンデンサとして利用されているのが実状である。
，５ｒＴｉＯ１゜ＢａＳｎＯ３，ＣａＳｎ０ｇ＠；が知
られている。これらを適量添加し、さらに微艮成分によ
り補正することにより、ＥＩＡ規、洛に基づ（Ｘ７Ｒ，
Ｙ５Ｔ、Ｙ５Ｖ、Ｚ４Ｖ −、−ｐ ）特性材料として
供給されている。これらの材料については従来一般に系
子厚みかｔ１５〜１．０１１１１１と厚い円板の磁器コ
ンデンサとして利用されているのが実状である。
近年、各種エレクトロニクス関係部品の小型化が進歩し
ており、積層セラミックコンデンサについてはその最た
るものである。積層セラミックコンデンサは磁）温調電
体を２５〜２００μｍ程度に薄暎化し、クシ型電作を使
んだ多１ｉ：Ｊ ｌ精造をなすものであり、市゛オ・ζ
ｉ而面及びＴｆｆ極間：重置の化率を極めて小さくする
ことが可能なため、ｆ；！＃−債当りの岑毒が砂掛Ｆコ
ンデンサに比して１００倍以−トも大きくすることがで
き、同−静電１＃皇を１／１０以下と小さい体積でイ）
ケ保できるため、非常に小型化が容易である。
ており、積層セラミックコンデンサについてはその最た
るものである。積層セラミックコンデンサは磁）温調電
体を２５〜２００μｍ程度に薄暎化し、クシ型電作を使
んだ多１ｉ：Ｊ ｌ精造をなすものであり、市゛オ・ζ
ｉ而面及びＴｆｆ極間：重置の化率を極めて小さくする
ことが可能なため、ｆ；！＃−債当りの岑毒が砂掛Ｆコ
ンデンサに比して１００倍以−トも大きくすることがで
き、同−静電１＃皇を１／１０以下と小さい体積でイ）
ケ保できるため、非常に小型化が容易である。
しかしながら、このよりな１１αＲｅｄ屯体薄ＩＩＩを
使用した場合、従来の円板型の磁器組成がすぐに適用で
きないのが実状である。すなわち、単位長さ当りの衛；
圧が従来の１０倍以−ヒ負荷される事になるため、磁１
）Ｈ誘電率および６重、損失の電圧依存性の小さい材料
が要求されるに至った。
使用した場合、従来の円板型の磁器組成がすぐに適用で
きないのが実状である。すなわち、単位長さ当りの衛；
圧が従来の１０倍以−ヒ負荷される事になるため、磁１
）Ｈ誘電率および６重、損失の電圧依存性の小さい材料
が要求されるに至った。
！、た、峡近プリント基板への直ト１け方式により、プ
リント基板のたわみにより破壊しないような強１ｙ老持
った材料が要求されている。さらに周波数がＩＧ度のよ
い高周波帯へ移行してきているため、尚周波特性のよい
ものが必要となってきている。
リント基板のたわみにより破壊しないような強１ｙ老持
った材料が要求されている。さらに周波数がＩＧ度のよ
い高周波帯へ移行してきているため、尚周波特性のよい
ものが必要となってきている。
特にＪＩＳ観、格で■特性あるいはＥＩＡ ’１１１．
格でＹ５Ｔ特件のものが’ＩＩ（ｊ子チューナ関床に多
数必要とされており、誘市゛率が３０００Ｊ２）、 ）
、 、 ｊａｎｉ！’が２０以下で１〜１００Ｒ［（
ｚの周波数帯で等価値動抵抗の低いものが要求されてい
る。
格でＹ５Ｔ特件のものが’ＩＩ（ｊ子チューナ関床に多
数必要とされており、誘市゛率が３０００Ｊ２）、 ）
、 、 ｊａｎｉ！’が２０以下で１〜１００Ｒ［（
ｚの周波数帯で等価値動抵抗の低いものが要求されてい
る。
本発明１１Ｆ記に鑑みて、’；ｈ：圧依存性が小さく。
曲げ強度の大きいしかも、高周波特性の良好汗高誘電率
ｒｉ４ｉ器組酸物の提供を目的とするものである。
ｒｉ４ｉ器組酸物の提供を目的とするものである。
本発明は、この目的を達成するため種々実験を更ねた結
果、 ＢａＴｉ０．１００重元部に対して、ＣａＴｉ０
゜る１、で至ったものである。さらに好適な実Ｍｔｊ
Ｆａｔ、：様としては、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ 、Ｃ
ｏの１とり化物のうち少なくとも−ｒ＝ａ を主＋ｉｌ
Ｚ分に対してα０１〜α５ｗｔ％含有してなる高誘電率
＋Ｉｔ’ｘ器組成物全組成物る。
果、 ＢａＴｉ０．１００重元部に対して、ＣａＴｉ０
゜る１、で至ったものである。さらに好適な実Ｍｔｊ
Ｆａｔ、：様としては、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ 、Ｃ
ｏの１とり化物のうち少なくとも−ｒ＝ａ を主＋ｉｌ
Ｚ分に対してα０１〜α５ｗｔ％含有してなる高誘電率
＋Ｉｔ’ｘ器組成物全組成物る。
以下、実鳩例に基づき本発明を税１明する。
実施例
ＢａＴｉＯ３（純度９８％）１００重量部ニア１して、
各種箔、１） カ１１物を加えてボールミル の混合物に５％ＰＶＡ水溶面を少量添加してらいかい碑
で？＃，＆し，３０メツシユのふるいケ通Ｊさせ造：￥
！する。このＭ１１粒粉を１３藺の内枠の金型で圧力１
ｔｏｎ，’瀝をかけ直径１３關厚さα５朋の形状の成型
体を作製する。これらの成型体を１２５０〜１４（１０
’Ｃで１〜２時曲・１１γ．成する。この後円板の焼結
体の両円面に銀′ＩＤ′極を設ける。
各種箔、１） カ１１物を加えてボールミル の混合物に５％ＰＶＡ水溶面を少量添加してらいかい碑
で？＃，＆し，３０メツシユのふるいケ通Ｊさせ造：￥
！する。このＭ１１粒粉を１３藺の内枠の金型で圧力１
ｔｏｎ，’瀝をかけ直径１３關厚さα５朋の形状の成型
体を作製する。これらの成型体を１２５０〜１４（１０
’Ｃで１〜２時曲・１１γ．成する。この後円板の焼結
体の両円面に銀′ＩＤ′極を設ける。
下記の第１表及び第２表は各押部加物組成に苅して得ら
れた焼結体の特性を示す．表中ε２５は２５℃でＩ Ｋ
Ｈｚ％ＡＣ１ｖにて測定した静電容量より求めた誘電率
， ｔａｎδはこのときの調成損失を示す。また、Ｊ
ＲはＤＣ５０Ｖで測定した絶縁抵抗率， ＢＤＶは昇圧
破１與電圧、ＡＣ−Ｖは実効値のＡＣ電圧下でＩＫｉＩ
ｚにて測定したｊａｎＪＩ７）値を示す。さらに、ＴＣ
は２０℃を基準とした静電容量の一３０℃及び８５℃（
（おける変化率を示す。
れた焼結体の特性を示す．表中ε２５は２５℃でＩ Ｋ
Ｈｚ％ＡＣ１ｖにて測定した静電容量より求めた誘電率
， ｔａｎδはこのときの調成損失を示す。また、Ｊ
ＲはＤＣ５０Ｖで測定した絶縁抵抗率， ＢＤＶは昇圧
破１與電圧、ＡＣ−Ｖは実効値のＡＣ電圧下でＩＫｉＩ
ｚにて測定したｊａｎＪＩ７）値を示す。さらに、ＴＣ
は２０℃を基準とした静電容量の一３０℃及び８５℃（
（おける変化率を示す。
この第１表及び第２表からも明らかなように、本発明の
みｉ酸物は誘°市率が大きく、ＡＣ軍圧による谷ｍ ｊ
ｒ化が小さく、また曲げ強Ｊ￥が強いことが認められる
。従来ＢａＺｒＯａやＢａＳｎＯ，あるいはＳ ｒＴ
ｉＯ，４ｒ−７を１１≧加した小Ｉｔ ＩｔψではＡＣ
Ｃ電圧外性５０Ｖ／止・下のｔａｎ？１１ｉｉ１．＋Ｃ
して約３〜７％程度と１所＜、曲げｌｉｉｎ Ｉ！ｆ
も６００〜７００に＆Ａｓ［と低かったことからすると
極めて良好な特性結果と考えられる。
みｉ酸物は誘°市率が大きく、ＡＣ軍圧による谷ｍ ｊ
ｒ化が小さく、また曲げ強Ｊ￥が強いことが認められる
。従来ＢａＺｒＯａやＢａＳｎＯ，あるいはＳ ｒＴ
ｉＯ，４ｒ−７を１１≧加した小Ｉｔ ＩｔψではＡＣ
Ｃ電圧外性５０Ｖ／止・下のｔａｎ？１１ｉｉ１．＋Ｃ
して約３〜７％程度と１所＜、曲げｌｉｉｎ Ｉ！ｆ
も６００〜７００に＆Ａｓ［と低かったことからすると
極めて良好な特性結果と考えられる。
１・１１表の試料Ａ １５の組成物を使用し、第１Ｎの
ような積層セラミックコンデンサを試作し、特性を稠べ
た結果を下記の第３表に示す、第３表はＢａ”ｒｉ０３
１００重量部に対してＢａＺｒＯｓ！ｒ ３重量部Ｍｇ
ＴｉＯ３を０４重量部、ＭｎＯ□をα２重量部添加して
なる従来の代表的な組成物を用いて試作したコンデンサ
の特性を合せて示している。
ような積層セラミックコンデンサを試作し、特性を稠べ
た結果を下記の第３表に示す、第３表はＢａ”ｒｉ０３
１００重量部に対してＢａＺｒＯｓ！ｒ ３重量部Ｍｇ
ＴｉＯ３を０４重量部、ＭｎＯ□をα２重量部添加して
なる従来の代表的な組成物を用いて試作したコンデンサ
の特性を合せて示している。
この場合の素体形状はａ０７ＸＬ５６ＸＱ５６龍である
。
。
尚第１図に於いて、（１）は試料、＆１５の組成物から
なる磁器誘′醒体、（２）はパラジウム電極、（３）は
端子電極（Ａｇ ”ｒＦ本・く）である。′８１：た、
第３表でＣおよびｔａｎδ はＩＫＨｚ％ＡＣＩＶでし
１１１定した１１１１である。ＩＲｅはＤＣ５０Ｖにて
１１ｉ１１定したｉＦｆ’ｓ縁抵抗値、Ｔ３ＤＶぬ昇圧
破壊ＩＦ圧餉である。また、抗折力は２．５８８のスフ
（ンで素体を支持し、素体中央部’１（１５闘刃ｒｌＪ
のナイフで押えたときの集子破壊直前の圧力である。
なる磁器誘′醒体、（２）はパラジウム電極、（３）は
端子電極（Ａｇ ”ｒＦ本・く）である。′８１：た、
第３表でＣおよびｔａｎδ はＩＫＨｚ％ＡＣＩＶでし
１１１定した１１１１である。ＩＲｅはＤＣ５０Ｖにて
１１ｉ１１定したｉＦｆ’ｓ縁抵抗値、Ｔ３ＤＶぬ昇圧
破壊ＩＦ圧餉である。また、抗折力は２．５８８のスフ
（ンで素体を支持し、素体中央部’１（１５闘刃ｒｌＪ
のナイフで押えたときの集子破壊直前の圧力である。
（以下余白）
ＲＩ
第２図はこの場合（、ｃ於ける等個直列抵抗の周波数特
性を示す、従来組成によるコンデンサの特性Ａに比して
、本発明の試料Ａ１５で試作したコンデンサの特性Ｂは
極めて高周波領域の特性が良いことが明らかである。ま
た、第３図は同じく本発明で試作したコンデンサの静電
容量の温度変化率を示す。
性を示す、従来組成によるコンデンサの特性Ａに比して
、本発明の試料Ａ１５で試作したコンデンサの特性Ｂは
極めて高周波領域の特性が良いことが明らかである。ま
た、第３図は同じく本発明で試作したコンデンサの静電
容量の温度変化率を示す。
以り、述べたように本発明の組成は積）轡セラミックコ
ンデンサのような薄嘆状の誘電体として良好な特徴を有
する。即ち、誘“電率３０００以上の高誘電率を有し、
電圧依存性が小さく高周波に於いて等個直列抵抗が小さ
いといった点でｔ峡近の市場ニーズに合致する組成であ
り、特に′重子チューナ等の領域に於いてゼ〆めて利用
価値の高いものである。
ンデンサのような薄嘆状の誘電体として良好な特徴を有
する。即ち、誘“電率３０００以上の高誘電率を有し、
電圧依存性が小さく高周波に於いて等個直列抵抗が小さ
いといった点でｔ峡近の市場ニーズに合致する組成であ
り、特に′重子チューナ等の領域に於いてゼ〆めて利用
価値の高いものである。
九 図面のｆ７ｉ’４牟な説、明
第１図は本発明の組１＋％物を用いて試作した積層セラ
ミックコンデンサを示す一部断面正面図、第２図は同セ
ラミックコンデンサに於ける等個直列抵抗の周波数’！
ｈ性を示す図、第３図は同じく静電容量の温度変化を示
す図である。
ミックコンデンサを示す一部断面正面図、第２図は同セ
ラミックコンデンサに於ける等個直列抵抗の周波数’！
ｈ性を示す図、第３図は同じく静電容量の温度変化を示
す図である。
（１）・・・（１贅に片誘電体、（２）・・・パラジウ
ム型棒、（３）・・・端子′ＩＪ！枚 代理人 森 本 義 弘 （川 第１図 第２図 ＠衰教、（ＭＨス２ 手続補正書（眩） 昭和５７年１２月２〕日 特許庁長官殿 ２、発明の名称 高誘電率磁器組成物 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （５８２）松下電器産業株式会社４、代 理 人 住 所 〒５５０大阪市西区立売堀１丁目６番１７弓
アマノビルミ話大阪０６ （５３２） ４０２５番（代
）氏名 （６８０８）弁理士森 本 義 弘５
の日付（発送日）昭和 年 月 日 ６ 補正により増加する発明の数 ７補正の対象 ＩＪ 明細書の発明の詳細な説明の欄 （１）明＃ｌ書第４頁第１打目 ［’ ２．（ｌ息子で」とあるのを、ｒ ２．ａｌ１６
以−計で」と訂正する。
ム型棒、（３）・・・端子′ＩＪ！枚 代理人 森 本 義 弘 （川 第１図 第２図 ＠衰教、（ＭＨス２ 手続補正書（眩） 昭和５７年１２月２〕日 特許庁長官殿 ２、発明の名称 高誘電率磁器組成物 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （５８２）松下電器産業株式会社４、代 理 人 住 所 〒５５０大阪市西区立売堀１丁目６番１７弓
アマノビルミ話大阪０６ （５３２） ４０２５番（代
）氏名 （６８０８）弁理士森 本 義 弘５
の日付（発送日）昭和 年 月 日 ６ 補正により増加する発明の数 ７補正の対象 ＩＪ 明細書の発明の詳細な説明の欄 （１）明＃ｌ書第４頁第１打目 ［’ ２．（ｌ息子で」とあるのを、ｒ ２．ａｌ１６
以−計で」と訂正する。
（２）第５貴第１０行目
「絶縁抵抗率」とあるのを、「絶縁抵抗の体積固有抵抗
」と訂正する。
」と訂正する。
（３）第５Ｉ第１１ｈ目
ｒ ＡＣ電圧Ｆ」とあるのを、ｒ ＡＣ５０Ｖ市圧−ト
」とｄ１正する。
」とｄ１正する。
（４）第６頁第１表を別紙１−第１表」のとお９訂正す
る。
る。
（５）第７員第２表を別紙「゛第２表」のとおり訂正す
る。
る。
（６）第８６第２行目
「と考えられる。」とある次に、「ここで、Ｂａ′ｒｉ
Ｏ，１０（１重量部に対してＣａＴｉ０．１〜５ ’Ｆ
ｈ ｆｉ１１部、Ｔａ２０５１〜４童量部、Ｇｄ２０３
１〜４ ’Ｍ重量部よびＭｎ。
Ｏ，１０（１重量部に対してＣａＴｉ０．１〜５ ’Ｆ
ｈ ｆｉ１１部、Ｔａ２０５１〜４童量部、Ｇｄ２０３
１〜４ ’Ｍ重量部よびＭｎ。
（−ｒ ＋ Ｆｅ ＋ Ｎｉ、Ｃｏの微量添加物を０．
１）１〜０．５ｗｔ％と限定したのは、上記結果からも
明らかなように（２） ＣａＴ ＋ （’）５が１１目禾ＩＩ’Ｎでは静軍谷量
の温度特性が劣化し、５重加部を越えると飴嶌牛が低１
−する。Ｔａ２０５が１車量部未満になると焼結が進１
１セラミックになら丁、４重篤部を越えると訪直半が低
１・する。Ｇｄ２Ｏ３が１ル邦部未満になると曲げ強度
が低−トし、４亜ｈ１部を越えると静゛醒谷量の温度特
性、曲げ強度が低重する。寸だ微量添加物が主成分に対
して０．５ｗｔ％を越えると＃電率および静電１谷量の
湿１隻特性が劣化するからである。」を加える。
１）１〜０．５ｗｔ％と限定したのは、上記結果からも
明らかなように（２） ＣａＴ ＋ （’）５が１１目禾ＩＩ’Ｎでは静軍谷量
の温度特性が劣化し、５重加部を越えると飴嶌牛が低１
−する。Ｔａ２０５が１車量部未満になると焼結が進１
１セラミックになら丁、４重篤部を越えると訪直半が低
１・する。Ｇｄ２Ｏ３が１ル邦部未満になると曲げ強度
が低−トし、４亜ｈ１部を越えると静゛醒谷量の温度特
性、曲げ強度が低重する。寸だ微量添加物が主成分に対
して０．５ｗｔ％を越えると＃電率および静電１谷量の
湿１隻特性が劣化するからである。」を加える。
（７）第８１第１３？丁目
「第３表でＣ」とめるのを、「第３表静″市谷量Ｃ」と
訂正する。
訂正する。
（３）
Claims (1)
- Ｌ ＢａＴｉＯ３１００重量部に対して、ＣａＴｉＯ
３１〜５２、 Ｍｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの酸化
物のうち少なくとも
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56206573A JPS58108604A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 高誘電率磁器組成物 |
| DE8383900063T DE3270911D1 (en) | 1981-12-21 | 1982-12-20 | High dielectric constant porcelain composition |
| EP83900063A EP0104257B1 (en) | 1981-12-21 | 1982-12-20 | High dielectric constant porcelain composition |
| US06/746,011 US4616289A (en) | 1981-12-21 | 1982-12-20 | Ceramic high dielectric composition |
| PCT/JP1982/000472 WO1983002270A1 (en) | 1981-12-21 | 1982-12-20 | High dielectric constant porcelain composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56206573A JPS58108604A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58108604A true JPS58108604A (ja) | 1983-06-28 |
| JPS6134207B2 JPS6134207B2 (ja) | 1986-08-06 |
Family
ID=16525636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56206573A Granted JPS58108604A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58108604A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4779513A (en) * | 1984-06-11 | 1988-10-25 | Nippon Joucomatic Co., Ltd. | Pneumatic cylinder with rod braking and decelerating mechanism |
| JPH04105833U (ja) * | 1991-02-21 | 1992-09-11 | タナシン電機株式会社 | フライホイール |
| CN111848154A (zh) * | 2019-04-26 | 2020-10-30 | 中寰卫星导航通信有限公司 | 一种陶瓷电容器介质及其制备方法 |
-
1981
- 1981-12-21 JP JP56206573A patent/JPS58108604A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4779513A (en) * | 1984-06-11 | 1988-10-25 | Nippon Joucomatic Co., Ltd. | Pneumatic cylinder with rod braking and decelerating mechanism |
| JPH04105833U (ja) * | 1991-02-21 | 1992-09-11 | タナシン電機株式会社 | フライホイール |
| JP2557558Y2 (ja) * | 1991-02-21 | 1997-12-10 | タナシン電機株式会社 | フライホイール |
| CN111848154A (zh) * | 2019-04-26 | 2020-10-30 | 中寰卫星导航通信有限公司 | 一种陶瓷电容器介质及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6134207B2 (ja) | 1986-08-06 |
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