JPS58107656A - 金の層を有する電子部品 - Google Patents
金の層を有する電子部品Info
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- JPS58107656A JPS58107656A JP20758081A JP20758081A JPS58107656A JP S58107656 A JPS58107656 A JP S58107656A JP 20758081 A JP20758081 A JP 20758081A JP 20758081 A JP20758081 A JP 20758081A JP S58107656 A JPS58107656 A JP S58107656A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
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- H01L21/4867—Applying pastes or inks, e.g. screen printing
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は銀を含む金属部上に金の層を有する電子部品の
改良４Ｃ９ｌするものである。
改良４Ｃ９ｌするものである。
金はその優れた物理的性質により各撫の電子部品に広く
利用されている。例え、は半導体収納用セラミックパッ
ケージに於いては、半導体チップを取着するダイアタッ
チ部、半導体チップの電極と外１ｍ ＩＪ−ドとを接続
するためのワイヤを取着するワイヤボンディング部ある
いは外部リード等がある。これらはセラミックにメタラ
イズを施こすことにより形成された金属部上に、あるい
は該メタライズ金属上にロウ材を介し取着された外部リ
ードの表面にメッキ、蒸着、スパッタリング等により金
の脂が形成されている。この金の層を形成する理由とし
ては（１）高導電性、（ｉｉ）耐酸化性が良いこと、伽
）耐変色性（退隠色性）か高いこと、蚊）半導体チップ
のシリコン（８１）と容易に合金化しムＵ−８１共晶合
金を作ってｗＬ（！ｉＩな接合強度を発揮すること等の
金の特性が評価されているからであるが、下地の金属部
に銀が含まれている場合、該銀が金の層内を拡散して外
表面に析出し、これが大気中に含まれる硫化物と反応し
て灰黒色の硫化銀を形成してしまい、その結果、金の層
の表面か、灰黒色に変色するという欠点を有していた。
利用されている。例え、は半導体収納用セラミックパッ
ケージに於いては、半導体チップを取着するダイアタッ
チ部、半導体チップの電極と外１ｍ ＩＪ−ドとを接続
するためのワイヤを取着するワイヤボンディング部ある
いは外部リード等がある。これらはセラミックにメタラ
イズを施こすことにより形成された金属部上に、あるい
は該メタライズ金属上にロウ材を介し取着された外部リ
ードの表面にメッキ、蒸着、スパッタリング等により金
の脂が形成されている。この金の層を形成する理由とし
ては（１）高導電性、（ｉｉ）耐酸化性が良いこと、伽
）耐変色性（退隠色性）か高いこと、蚊）半導体チップ
のシリコン（８１）と容易に合金化しムＵ−８１共晶合
金を作ってｗＬ（！ｉＩな接合強度を発揮すること等の
金の特性が評価されているからであるが、下地の金属部
に銀が含まれている場合、該銀が金の層内を拡散して外
表面に析出し、これが大気中に含まれる硫化物と反応し
て灰黒色の硫化銀を形成してしまい、その結果、金の層
の表面か、灰黒色に変色するという欠点を有していた。
本発明者等は上記欠点に鑑み稙々実験した結果、銀が銅
と容易に固溶体を形成することを利用し、金の導電層の
下地として銅を主成分とする層を形成し、該銅に拡散す
る銀を反応させて固溶体を形成させること番こより、鈑
か金の論中に拡散することを防止し、その結果、金の層
表向における変色か有効に防止されることを知見した。
と容易に固溶体を形成することを利用し、金の導電層の
下地として銅を主成分とする層を形成し、該銅に拡散す
る銀を反応させて固溶体を形成させること番こより、鈑
か金の論中に拡散することを防止し、その結果、金の層
表向における変色か有効に防止されることを知見した。
本発明は上記知見に基づき金の層に変色か生じず、金の
層の輝かしい美感が損われない電子部品を提供すること
をその目的とするものである。
層の輝かしい美感が損われない電子部品を提供すること
をその目的とするものである。
本発明は銀を含む金属部上に金の層を有する電子部品に
おいて、該金属部上に金の下地層として銅を主成分とす
る金属層を形成したことを特徴とするものである。
おいて、該金属部上に金の下地層として銅を主成分とす
る金属層を形成したことを特徴とするものである。
本発明は鍜を含む金属部上に金の層を有する電子部品で
あればいずれにも適用でき、例えばセラミック基板上に
銀を含むメタライズ層が形成され、その上に金の層が形
成されるような電子部品、あるいは金属板表面に銀メッ
キ層が施され、その上に金の層か形成されるような電子
部品にも適用できる。具体的にはハイブリッドＩＣ用配
線基板、ＩＵパッケージ基板、ＬＥｌ）用基板、コンデ
ンサ、抵抗、マイクロスイッチ、コネクタープラグ等種
々のものか挙けられる。
あればいずれにも適用でき、例えばセラミック基板上に
銀を含むメタライズ層が形成され、その上に金の層が形
成されるような電子部品、あるいは金属板表面に銀メッ
キ層が施され、その上に金の層か形成されるような電子
部品にも適用できる。具体的にはハイブリッドＩＣ用配
線基板、ＩＵパッケージ基板、ＬＥｌ）用基板、コンデ
ンサ、抵抗、マイクロスイッチ、コネクタープラグ等種
々のものか挙けられる。
飯を含む金員部としては、鈑層、銀−パラジウム等の合
金論かあり、従来拘知の薄膜手法、ｌ＃膜手法、メッキ
法を適宜選択して形成されている。
金論かあり、従来拘知の薄膜手法、ｌ＃膜手法、メッキ
法を適宜選択して形成されている。
本発明においては、前記銀を含む金属部上に銅を主成分
とする下地層を形成することが重要である。
とする下地層を形成することが重要である。
銅を主成分とする下地層の形成方法としては。
銅の電解もしくは無電解メッキ法、銅、銅−スズ合金、
銅−亜鉛等の銅合金の厚膜手法或いは薄膜手法が用いら
れるが、銀の金層への拡散防止の充分な効果を期待する
には銅合金よりも銅単独の下地層の方が好ましい。
銅−亜鉛等の銅合金の厚膜手法或いは薄膜手法が用いら
れるが、銀の金層への拡散防止の充分な効果を期待する
には銅合金よりも銅単独の下地層の方が好ましい。
本発明の電子部品は前記下地層の上に金の層か形成され
ることにより完成する。この形成方法は従来品と同様に
例えば金メッキであればよい。
ることにより完成する。この形成方法は従来品と同様に
例えば金メッキであればよい。
次に本発明を実施例に基づき詳細に説明する。
（実施例）
未すアルミナ粉末に適当な溶媒を添加してセラミックグ
リーン（生）シートを形成し、これを約１５００°Ｃの
温度にて焼成してセラミック基板を得、該セラミック基
板上向にスクリーン印刷法により銀−パラジウム合金（
Ａｇ ： ９０ ｖｔ％、ｐｄ：ｌＱ ｖｔ％）を印刷
塗布し、酸化雰囲気巾約８５０６０の温度にて焼付け、
銀を含む金員部を形成した。
リーン（生）シートを形成し、これを約１５００°Ｃの
温度にて焼成してセラミック基板を得、該セラミック基
板上向にスクリーン印刷法により銀−パラジウム合金（
Ａｇ ： ９０ ｖｔ％、ｐｄ：ｌＱ ｖｔ％）を印刷
塗布し、酸化雰囲気巾約８５０６０の温度にて焼付け、
銀を含む金員部を形成した。
次に前記焼付金ｌｉ＆部上に銅の無電解メッキを施こし
、約１．θμの厚みの銅の金属層を形成し、史に鎖鋸の
金属層上に金の無電解メッキを施こし、約１５μの厚み
の金の層を形成して試料ムを得た。
、約１．θμの厚みの銅の金属層を形成し、史に鎖鋸の
金属層上に金の無電解メッキを施こし、約１５μの厚み
の金の層を形成して試料ムを得た。
この試料ムを３６０個製作し、これらを濃度が３ ＰＰ
Ｍの硫化水素ガス中に投入し、投入後６時間、２８時間
及び１８７時間を夫々経過した試料についてその金の層
表面を観察し、変色の発生度数及びその発生率を測定し
た。その結果を表−１に示す。
Ｍの硫化水素ガス中に投入し、投入後６時間、２８時間
及び１８７時間を夫々経過した試料についてその金の層
表面を観察し、変色の発生度数及びその発生率を測定し
た。その結果を表−１に示す。
尚、試料Ｂは本発明の作用効果を比較するための試料で
あり、上述の製法において銅の金属層を形成していない
ものである。
あり、上述の製法において銅の金属層を形成していない
ものである。
表−１
上記測定結果からも判るように、本発明の電子部品によ
れば、その変色率か１８７時間経過後でも８，６％と極
めて低く、従来品に比して変色発生率が大幅に低下して
いる。
れば、その変色率か１８７時間経過後でも８，６％と極
めて低く、従来品に比して変色発生率が大幅に低下して
いる。
尚、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本
発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能
である。
発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能
である。
特許出願人 京都セラミック株式会社
代表者 稲 盛 和 夫
Claims (1)
- 銀を含む金属部上に金の層を有する電子部品において、
該金属部上に金の下地層として銅を主成分とする金属層
を形成したことを特徴とする金の層を有する電子部品
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20758081A JPS58107656A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 金の層を有する電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20758081A JPS58107656A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 金の層を有する電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58107656A true JPS58107656A (ja) | 1983-06-27 |
| JPS6251497B2 JPS6251497B2 (ja) | 1987-10-30 |
Family
ID=16542104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20758081A Granted JPS58107656A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 金の層を有する電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58107656A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60136241U (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-10 | 豊田合成株式会社 | ステアリングホイ−ル |
| DE19717611B4 (de) * | 1996-04-26 | 2005-07-21 | Denso Corp., Kariya | Struktur zum Anbringen von elektronischen Komponenten |
| JP2010086974A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-04-15 | Nippon Mektron Ltd | キャパシタおよびその製造方法 |
-
1981
- 1981-12-21 JP JP20758081A patent/JPS58107656A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60136241U (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-10 | 豊田合成株式会社 | ステアリングホイ−ル |
| DE19717611B4 (de) * | 1996-04-26 | 2005-07-21 | Denso Corp., Kariya | Struktur zum Anbringen von elektronischen Komponenten |
| JP2010086974A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-04-15 | Nippon Mektron Ltd | キャパシタおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6251497B2 (ja) | 1987-10-30 |
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