JPS58105595A - 多層セラミツク回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は多層セフイック回路基板の製造方法に係シ、特
にＣｕ、Ｗ、Ｍｏ等、高温で酸化され易い金属を導体材
料とした多層セ９電ツク回路基板の製造方法に関する。

従来、多層セラミック回路基板の製造方法社、Ａｕ、Ｐ
ｔ等、酸化雰囲気中で安定な金属材料を導体とし、導体
材料と絶縁材料とを一体焼成する方法ならびＫ　Ｗ　＠
　Ｍｏ　＊　Ｃｕ　勢の金属を使用して非酸化雰囲気で
焼成する方法の２通シに大別される。

前者は大気中で焼成が可能であるが、導体の材料コスト
が高いことならびに、電気抵抗が為いなどの欠点がある
。

一方後者は非酸化雰囲気中で焼成を行うため、未焼成の
導体ないしは絶縁材料に含まれる有機質粘結剤が、焼成
の際に十分飛散されずに縦木が炊シ、多層セツミック回
路基板の黒化あるいは焼結不十分で機械的強度が低い勢
の欠点があった。

本発明は上述の点に鑑みなされたものでＣｕ、Ｗ。

Ｍｏｅの材料コストが低くかつ電気抵抗の低い金属を導
体材料とし、絶縁材料と一体焼成した、残留訳素が少な
く、かつ機械的強度も十分に高い、多層セラミック回路
基板の製造方法を提供するζとにある。

本発明はセラミック粉末おるいは金ハ粉末を結合する有
機！＆ｌＩ結合剤に−するものであり、有機質結合剤に
非酸化雰囲気で熱分解し、モノマーとなってｆｉｋ散す
る高分子を使用して、炭素残置のない多層セラミック回
路基板を作製するようにしたものである。

通常、高分子を除化雰囲気で焼成すると、Ｃ（ｈ。

Ｈ，Ｏ等の低分子となり池数する０しかし、非酸化′＃
囲気では、高温でも炭素がガラス粉末等に吸着し、飛散
しにくく、多層セラミツクロ路基板が黒゛化”する。非
酸化雰囲気で高分子が分解飛散する反応には、主鎖の切
断と側鎖の反応に大別されるが、本発明のポリメチルメ
タアク″リレート、ポリテトラフルオロエチレン、ポリ
α−メチルスチレン等は解重合によシ、ポリマの連鎖末
端ないしは弱い結合部で主鎖が切断すると、次々に逆成
長反応がおこシ、七ツマ−が主生成物となって飛散する
。

以下本発明を実施例で説明する。

表に示す割合でセ２建ツク粉末、粘結剤ならびに溶剤を
配合し、ボール建ルで十分にＺリングを行い、ガラス−
上ラッククスリ、プを作成する。

このスリップをドクターブレード法によシポリエステル
フィルム上に成形シ、ガラス−セラ＜７クグリーンシー
トを作成する。

次にボール充填法によシ、このグリーンシートにＣｕ導
体ボールを充填し、導体回路をルＩ紛スクリーン印刷す
る。

所定の回路が形成されたグリーンシートを金型を用いて
積層し、未焼成多層セラミツク回路基板を作成する。こ
の未焼成多層セラミック回路麦板を１５０℃で３時間、
大気中で予備焼成した後、図に示す焼成プロフィールで
焼成を行い多層セラミ、り回路基板を作成する。

本発明によれば、Ｃｕ　Ｔ　Ｗ＋　Ｍ　ｏなど比較的低
価格で％気抵抗の低い金属を櫛体材料として使用できる
ので、−）な灸Ｊ曽セラミック牌】路基板をイ娶ること
ができ、５゜ また、本発明によれは、炭素等の有機成分φ監完全に飛
散し、十分に焼成させるため、緻密で機械的強度が高く
、かつｌＩ４絶縁性の優れた多層セラ建ツク回路基板を
得ることができる０

【図面の簡単な説明】

図は本実抛例に示した、Ｃｕ導体とガラス−セラミック
ＩＩ７！！、一体からなる多層セラ建ツク回路基板の焼
成プロフィールを示す。 代理人　弁理士　　松　岡　　宏四ｄ （ 時閉（ｈ）

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）金属を導体材料とし、非酸化雰囲気中絶縁材料と
   一体焼成する多層七月ツク回路基板の製造方法において
   、導体材料ないしは絶縁材料の有機質粘結剤に、熱分解
   により解重合し、飛散し易いバインダーを使用し九多層
   セラミック回路基板の製造方法。
2. （２）上記バインダーがポリメチルメタアクリレート、
   ポリ−α−メチルスチレン、又拡ポリテトラフルオロエ
   チレンであることを特徴とする特許請求の範１］絶１項
   記載の多層セラ電ツク回路基板の製造方法。
3. （３）上記金属がＣｕ、Ｗ又ＢＭｏである嬉１項記載の
   方法。