JPS629025B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は多層セラミツク回路基板の製造方法に
係り、特にCu、Ｗ、Mo等、高温で酸化され易い
金属を導体材料とした多層セラミツク回路基板の
製造方法に関する。 従来、多層セラミツク回路基板の製造方法は、
Au、Pt等、酸化雰囲気中で安定な金属材料を導
体とし、導体材料と絶縁材料とを一体焼成する方
法ならびにＷ、Mo、Cu等の金属を使用して非酸
化雰囲気で焼成する方法の２通りに大別される。 前者は大気中で焼成が可能であるが、導体の材
料コストが高いことならびに、電気抵抗が高いな
どの欠点がある。 一方後者は非酸化雰囲気中で焼成を行うため、
未焼成の導体ないし絶縁材料に含まれる有機質粘
結剤が、焼成の際に十分飛散されずに炭素が残
り、多層セラミツク回路基板の黒化あるいは焼結
不十分で機械的強度が低い等の欠点があつた。 本発明は上述の点に鑑みなされたものでCu、
Ｗ、Mo等の材料コストが低くかつ電気抵抗の低
い金属を導体材料とし、絶縁材料と一体焼成し
た、残留炭素が少なく、かつ機械的強度も十分に
高い、多層セラミツク回路基板の製造方法を提供
することにある。 本発明はセラミツク粉末あるいは金属粉末を結
合する有機質結合剤に関するものであり、有機質
結合剤に非酸化雰囲気で熱分解し、モノマーとな
つて飛散する高分子を使用して、炭素残査のない
多層セラミツク回路基板を作製するようにしたも
のである。 通常、高分子を酸化雰囲気で焼成すると、
CO₂、H₂O等の低分子となり飛散する。しかし、
非酸化雰囲気では、高温でも炭素がガラス粉末等
に吸着し、飛散しにくく、多層セラミツク回路基
板が黒化する。非酸化雰囲気で高分子が分解飛散
する反応には、主鎖の切断と側鎖の反応に大別さ
れるが、本発明のポリメチルメタアクリレート、
ポリテトラフルオロエチレン、ポリα―メチルス
チレン等は解重合により、ポリマの連鎖末端ない
しは弱い結合部で主鎖が切断すると、次々に逆成
長反応がおこり、モノマーが主生成物となつて飛
散する。 以下本発明を実施例で説明する。 表に示す割合でセラミツク粉末、粘結剤ならび
に溶剤を配合し、ボールミルで十分にミリングを
行い、ガラス―セラミツクスリツプを作成する。 このスリツプをドクタープレート法によりポリ
エステルフイルム上に成形し、ガラス―セラミツ
クグリーンシートを作成する。 次にボール充填法により、このグリーンシート
にCu導体ボールを充填し、導体回路を厚膜スク
リーン印刷する。 所定の回路が形成されたグリーンシートを金型
を用いて積層し、未焼成多層セラミツク回路基板
を作成する。この未焼成多層セラミツク回路基板
を150℃で３時間、大気中で予備焼成した後、図
に示す焼成プロフイールで焼成を行い多層セラミ
ツク回路基板を作成する。

【表】

【表】 本発明によれば、Cu、Ｗ、Moなど比較的低価
格で電気抵抗の低い金属を導体材料として使用で
きるので、高速な多層セラミツク回路基板を得る
ことができる。 また、本発明によれば、炭素等の有機成分が完
全に飛散し、十分に焼成させるため、緻密で機械
的強度が高く、かつ耐絶縁性の優れた多層セラミ
ツク回路基板を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

図は本実施例に示した、Cu導体とガラス―セ
ラミツク絶縁体からなる多層セラミツク回路基板
の焼成プロフイールを示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 金属を導体材料とし、非酸化雰囲気中絶縁材
   料と一体焼成する多層セラミツク回路基板の製造
   方法において、導体材料ないしは絶縁材料の有機
   質粘結剤に、熱分解により解重合し、飛散し易い
   バインダーを使用した多層セラミツク回路基板の
   製造方法。 ２ 上記バインダーがポリメチルメタアクリレー
   ト、ポリ―α―メチルスチレン、又はポリテトラ
   フルオロエチレンであることを特徴とする特許請
   求の範囲第１項記載の多層セラミツク回路基板の
   製造方法。 ３ 上記金属がCu、Ｗ又はMoである第１項記載
   の方法。