JP3160951B2 - 厚膜導体ペースト組成物および多層配線基板の製造方法 - Google Patents
厚膜導体ペースト組成物および多層配線基板の製造方法Info
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- JP3160951B2 JP3160951B2 JP21202891A JP21202891A JP3160951B2 JP 3160951 B2 JP3160951 B2 JP 3160951B2 JP 21202891 A JP21202891 A JP 21202891A JP 21202891 A JP21202891 A JP 21202891A JP 3160951 B2 JP3160951 B2 JP 3160951B2
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- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
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- Paints Or Removers (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はエレクトロニクス産業で
用いられる厚膜導体ペースト組成物および多層配線基板
の製造方法に関するものである。
用いられる厚膜導体ペースト組成物および多層配線基板
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】セラミック多層基板の製造方法として、
グリーンシート多層法と厚膜印刷多層法が知られ、広範
に利用されている。グリーンシート多層法は高積層、微
細な配線パターンが可能である反面、製造歩留りの悪さ
や配線パターン変更への対応力の弱さといった難点があ
るのに対し、厚膜印刷多層法は工程が簡便で対応力もよ
く、製造歩留りもよい反面、配線パターンによる基板表
面の段差のため、高積層が不可能で微細な配線パターン
に対応できない。これら二者の製造法の長所を取り入れ
た方法として配線パターンを絶縁層中に埋設した構造を
もつ転写シートを転写，積層する方法が提案される。一
方、導体材料としては低導体抵抗，耐マイグレーション
性等の点で銅配線が有利であり、脱バインダが困難とさ
れていた焼成プロセスは酸化銅を出発材料とすることで
解決される。酸化銅を主成分とする導体ペースト組成物
については特開昭６２−２４０５号公報に示されてい
る。
グリーンシート多層法と厚膜印刷多層法が知られ、広範
に利用されている。グリーンシート多層法は高積層、微
細な配線パターンが可能である反面、製造歩留りの悪さ
や配線パターン変更への対応力の弱さといった難点があ
るのに対し、厚膜印刷多層法は工程が簡便で対応力もよ
く、製造歩留りもよい反面、配線パターンによる基板表
面の段差のため、高積層が不可能で微細な配線パターン
に対応できない。これら二者の製造法の長所を取り入れ
た方法として配線パターンを絶縁層中に埋設した構造を
もつ転写シートを転写，積層する方法が提案される。一
方、導体材料としては低導体抵抗，耐マイグレーション
性等の点で銅配線が有利であり、脱バインダが困難とさ
れていた焼成プロセスは酸化銅を出発材料とすることで
解決される。酸化銅を主成分とする導体ペースト組成物
については特開昭６２−２４０５号公報に示されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述の酸
化銅導体ペースト組成物より得られる銅導体は焼成によ
る収縮が大きいために配線部における導体と絶縁体との
間に空間が生じ、またバイア孔部においても導体と絶縁
体との間に空間が生じ、絶縁層の機械的強度の劣化や熱
衝撃試験等の信頼性の劣化の原因となる。
化銅導体ペースト組成物より得られる銅導体は焼成によ
る収縮が大きいために配線部における導体と絶縁体との
間に空間が生じ、またバイア孔部においても導体と絶縁
体との間に空間が生じ、絶縁層の機械的強度の劣化や熱
衝撃試験等の信頼性の劣化の原因となる。
【０００４】本発明はこのような課題を解決するもの
で、導体と絶縁体との間に空間が生じないようにするこ
とを目的とする。
で、導体と絶縁体との間に空間が生じないようにするこ
とを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明は酸化銅粉末５０．０〜９９．５重量％に、
ＣｒＳｉ 2 ，ＴｉＳｉ 2 ，ＺｒＳｉ 2 ，ＴａＳｉ 2 より選ば
れた少なくとも１種以上を０．５〜５０．０重量％含有
した無機成分と、少なくとも有機バインダと溶剤よりな
る有機ビヒクルを備えた厚膜導体ペースト組成物を使用
し、ベースフィルム上に前記導体ペースト組成物で所望
の配線パターンを形成した後、ガラスセラミックもしく
は結晶化ガラスを主成分とする絶縁体ペーストで所望の
領域に絶縁層を形成し転写シートを作製する工程と、前
記転写シートの所望の位置に穿孔を施しセラミック基板
上に熱圧着によりベースフィルム上の導体と絶縁体を転
写した後、前記孔内部に前記導体ペースト組成物を充填
し同手順で導体と絶縁体を順次積層する工程と、空気中
での熱処理により有機バインダの除去を行う工程と、水
素中での熱処理により導体の還元を行う工程と、窒素中
での熱処理により絶縁体と導体の焼結を行う工程とから
多層配線基板を得るものである。
め、本発明は酸化銅粉末５０．０〜９９．５重量％に、
ＣｒＳｉ 2 ，ＴｉＳｉ 2 ，ＺｒＳｉ 2 ，ＴａＳｉ 2 より選ば
れた少なくとも１種以上を０．５〜５０．０重量％含有
した無機成分と、少なくとも有機バインダと溶剤よりな
る有機ビヒクルを備えた厚膜導体ペースト組成物を使用
し、ベースフィルム上に前記導体ペースト組成物で所望
の配線パターンを形成した後、ガラスセラミックもしく
は結晶化ガラスを主成分とする絶縁体ペーストで所望の
領域に絶縁層を形成し転写シートを作製する工程と、前
記転写シートの所望の位置に穿孔を施しセラミック基板
上に熱圧着によりベースフィルム上の導体と絶縁体を転
写した後、前記孔内部に前記導体ペースト組成物を充填
し同手順で導体と絶縁体を順次積層する工程と、空気中
での熱処理により有機バインダの除去を行う工程と、水
素中での熱処理により導体の還元を行う工程と、窒素中
での熱処理により絶縁体と導体の焼結を行う工程とから
多層配線基板を得るものである。
【０００６】
【作用】本発明は、ＣｒＳｉ 2 ，ＴｉＳｉ 2 ，ＺｒＳ
ｉ 2 ，ＴａＳｉ 2 により銅の焼結が抑えられ、収縮がコン
トロールされ導体と絶縁体との間で空間が発生しない多
層配線基板が得られる。
ｉ 2 ，ＴａＳｉ 2 により銅の焼結が抑えられ、収縮がコン
トロールされ導体と絶縁体との間で空間が発生しない多
層配線基板が得られる。
【０００７】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。なお、図１（ａ），（ｂ），（ｃ）
は本発明の一実施例における脱バインダ工程，還元工
程，焼結・焼成工程の温度プロファイルそれぞれを示す
図である。
しながら説明する。なお、図１（ａ），（ｂ），（ｃ）
は本発明の一実施例における脱バインダ工程，還元工
程，焼結・焼成工程の温度プロファイルそれぞれを示す
図である。
【０００８】（実施例１）厚膜導体ペーストの原料とし
て、平均粒径が約３ミクロンの酸化銅粉末（京都エレッ
クス社製ＣＢ２５０）を８１．５重量部、Ｐｄ粉末（昭
栄化学社製）を４．３重量部、バインダとしてのブチラ
ール系樹脂（積水化学工業社製ＢＬＳ）を４．５重量
部、溶剤としてのブチルカルビトールを７．５重量部、
可塑剤としてのベンジルブチルフタレートを２．２重量
部、それぞれ用意し、これらを充分に３本ロールにて充
分に混合・混練して厚膜導体ペーストを作製した。
て、平均粒径が約３ミクロンの酸化銅粉末（京都エレッ
クス社製ＣＢ２５０）を８１．５重量部、Ｐｄ粉末（昭
栄化学社製）を４．３重量部、バインダとしてのブチラ
ール系樹脂（積水化学工業社製ＢＬＳ）を４．５重量
部、溶剤としてのブチルカルビトールを７．５重量部、
可塑剤としてのベンジルブチルフタレートを２．２重量
部、それぞれ用意し、これらを充分に３本ロールにて充
分に混合・混練して厚膜導体ペーストを作製した。
【０００９】絶縁体ペーストの原料として、アルミナ＋
ホウケイ酸ガラス粉末を７０重量部、バインダとしての
ブチラール系樹脂＋ベンジルブチルフタレートを１５重
量部、溶剤としてのブチルカルビトールを１５重量部を
用意し、これらを充分に３本ロールにて充分に混合・混
練して絶縁体ペーストを作製した。
ホウケイ酸ガラス粉末を７０重量部、バインダとしての
ブチラール系樹脂＋ベンジルブチルフタレートを１５重
量部、溶剤としてのブチルカルビトールを１５重量部を
用意し、これらを充分に３本ロールにて充分に混合・混
練して絶縁体ペーストを作製した。
【００１０】表面に離型処理を施したベースフィルム
（ＰＥＴ）上に作製した厚膜導体ペーストでスクリーン
印刷により配線パターンを形成し、さらに絶縁体ペース
トで配線パターン全体を覆うように絶縁層を形成し、転
写シートを作製した。同様の順序で各層の配線パターン
を形成した転写シートを作製し、各転写シートの所定箇
所にスルーホールを炭酸ガスレーザによって穿孔した。
なおスルーホールはパンチングによって穿孔してもよ
い。次に９６％アルミナ基板上に転写シートを６０℃，
８０％の条件で熱転写し、作製した厚膜導体ペーストを
スルーホールに充填した後にベースフィルムをはがし、
同様の順序で転写シートを積層して積層体を得た。
（ＰＥＴ）上に作製した厚膜導体ペーストでスクリーン
印刷により配線パターンを形成し、さらに絶縁体ペース
トで配線パターン全体を覆うように絶縁層を形成し、転
写シートを作製した。同様の順序で各層の配線パターン
を形成した転写シートを作製し、各転写シートの所定箇
所にスルーホールを炭酸ガスレーザによって穿孔した。
なおスルーホールはパンチングによって穿孔してもよ
い。次に９６％アルミナ基板上に転写シートを６０℃，
８０％の条件で熱転写し、作製した厚膜導体ペーストを
スルーホールに充填した後にベースフィルムをはがし、
同様の順序で転写シートを積層して積層体を得た。
【００１１】次に得られた積層体を加熱炉内の空気雰囲
気中で、脱バインダ処理した。この際の加熱条件はピー
ク温度４５０℃，ピーク時間１２０分の図１（ａ）に示
した温度プロファイルとした。
気中で、脱バインダ処理した。この際の加熱条件はピー
ク温度４５０℃，ピーク時間１２０分の図１（ａ）に示
した温度プロファイルとした。
【００１２】しかる後、積層体中の導体である酸化銅の
還元処理を、加熱炉内の水素ガス雰囲気中で行った。加
熱条件はピーク温度３５０℃，ピーク温度時間１８０分
の図１（ｂ）に示した温度プロファイルとした。
還元処理を、加熱炉内の水素ガス雰囲気中で行った。加
熱条件はピーク温度３５０℃，ピーク温度時間１８０分
の図１（ｂ）に示した温度プロファイルとした。
【００１３】最後に積層体を加熱炉内の窒素ガス雰囲気
中で焼結・焼成した。加熱条件はピーク温度９００℃，
ピーク温度時間１０分の図１（ｃ）に示した温度プロフ
ァイルとした。こうして得られた多層配線基板は、充分
な絶縁特性を持ち、２．５ｍΩ／□という低導体抵抗を
得た。
中で焼結・焼成した。加熱条件はピーク温度９００℃，
ピーク温度時間１０分の図１（ｃ）に示した温度プロフ
ァイルとした。こうして得られた多層配線基板は、充分
な絶縁特性を持ち、２．５ｍΩ／□という低導体抵抗を
得た。
【００１４】（実施例２）厚膜導体ペーストの原料とし
て、平均粒径が約３ミクロンの酸化銅粉末（京都エレッ
クス社製ＣＢ２５０）を４３重量部、Ｐｔ粉末（昭栄化
学社製）を４３重量部、バインダとしてのブチラール系
樹脂（積水化学工業社製ＢＬＳ）を４．５重量部、溶剤
としてのブチルカルビトールを７．５重量部、可塑剤と
してのベンジルブチルフタレートを２重量部、それぞれ
用意し、これらを充分に３本ロールにて充分に混合・混
練して厚膜導体ペーストを作製した。
て、平均粒径が約３ミクロンの酸化銅粉末（京都エレッ
クス社製ＣＢ２５０）を４３重量部、Ｐｔ粉末（昭栄化
学社製）を４３重量部、バインダとしてのブチラール系
樹脂（積水化学工業社製ＢＬＳ）を４．５重量部、溶剤
としてのブチルカルビトールを７．５重量部、可塑剤と
してのベンジルブチルフタレートを２重量部、それぞれ
用意し、これらを充分に３本ロールにて充分に混合・混
練して厚膜導体ペーストを作製した。
【００１５】絶縁体ペーストの原料として、アルミナ＋
ホウケイ酸ガラス粉末を７０重量部、バインダとしての
ブチラール系樹脂＋ベンジルブチルフタレートを１５重
量部、溶剤としてのブチルカルビトールを１５重量部を
用意し、これらを充分に３本ロールにて充分に混合・混
練して絶縁体ペーストを作製した。
ホウケイ酸ガラス粉末を７０重量部、バインダとしての
ブチラール系樹脂＋ベンジルブチルフタレートを１５重
量部、溶剤としてのブチルカルビトールを１５重量部を
用意し、これらを充分に３本ロールにて充分に混合・混
練して絶縁体ペーストを作製した。
【００１６】表面に離型処理を施したベースフィルム
（ＰＥＴ）上に作製した厚膜導体ペーストでスクリーン
印刷により配線パターンを形成し、さらに絶縁体ペース
トで配線パターン全体を覆うように絶縁層を形成し、転
写シートを作製した。同様の順序で各層の配線パターン
を形成した転写シートを作製し、各転写シートの所定箇
所にスルーホールを炭酸ガスレーザによって穿孔した。
なおスルーホールはパンチングによって穿孔してもよ
い。次に９６％アルミナ基板上に転写シートを６０℃，
８０％の条件で熱転写し、作製した厚膜導体ペーストを
スルーホールに充填した後にベースフィルムをはがし、
同様の順序で転写シートを積層して積層体を得た。
（ＰＥＴ）上に作製した厚膜導体ペーストでスクリーン
印刷により配線パターンを形成し、さらに絶縁体ペース
トで配線パターン全体を覆うように絶縁層を形成し、転
写シートを作製した。同様の順序で各層の配線パターン
を形成した転写シートを作製し、各転写シートの所定箇
所にスルーホールを炭酸ガスレーザによって穿孔した。
なおスルーホールはパンチングによって穿孔してもよ
い。次に９６％アルミナ基板上に転写シートを６０℃，
８０％の条件で熱転写し、作製した厚膜導体ペーストを
スルーホールに充填した後にベースフィルムをはがし、
同様の順序で転写シートを積層して積層体を得た。
【００１７】次に得られた積層体を加熱炉内の空気雰囲
気中で、脱バインダ処理した。この際の加熱条件はピー
ク温度４５０℃，ピーク時間１２０分の図１（ａ）に示
した温度プロファイルとした。
気中で、脱バインダ処理した。この際の加熱条件はピー
ク温度４５０℃，ピーク時間１２０分の図１（ａ）に示
した温度プロファイルとした。
【００１８】しかる後、積層体中の導体である酸化銅の
還元処理を、加熱炉内の水素ガス雰囲気中で行った。加
熱条件はピーク温度３５０℃，ピーク温度時間１８０分
の図１（ｂ）に示した温度プロファイルとした。
還元処理を、加熱炉内の水素ガス雰囲気中で行った。加
熱条件はピーク温度３５０℃，ピーク温度時間１８０分
の図１（ｂ）に示した温度プロファイルとした。
【００１９】最後に積層体を加熱炉内の窒素ガス雰囲気
中で焼結・焼成した。加熱条件はピーク温度９００℃，
ピーク温度時間１０分の図１（ｃ）に示した温度プロフ
ァイルとした。こうして得られた多層配線基板は、充分
な絶縁特性を持ち、５ｍΩ／□という低導体抵抗を得
た。
中で焼結・焼成した。加熱条件はピーク温度９００℃，
ピーク温度時間１０分の図１（ｃ）に示した温度プロフ
ァイルとした。こうして得られた多層配線基板は、充分
な絶縁特性を持ち、５ｍΩ／□という低導体抵抗を得
た。
【００２０】（実施例３）厚膜導体ペーストの原料とし
て、平均粒径が約３ミクロンの酸化銅粉末（京都エレッ
クス社製ＣＢ２５０）を４３重量部、ＴｉＳｉ2粉末
（日本新金属社製）を４３重量部、バインダとしてのブ
チラール系樹脂（積水化学工業社製ＢＬＳ）を４．５重
量部、溶剤としてのブチルカルビトールを７．５重量
部、可塑剤としてのベンジルブチルフタレートを２重量
部、それぞれ用意し、これらを充分に３本ロールにて充
分に混合・混練して厚膜導体ペーストを作製した。
て、平均粒径が約３ミクロンの酸化銅粉末（京都エレッ
クス社製ＣＢ２５０）を４３重量部、ＴｉＳｉ2粉末
（日本新金属社製）を４３重量部、バインダとしてのブ
チラール系樹脂（積水化学工業社製ＢＬＳ）を４．５重
量部、溶剤としてのブチルカルビトールを７．５重量
部、可塑剤としてのベンジルブチルフタレートを２重量
部、それぞれ用意し、これらを充分に３本ロールにて充
分に混合・混練して厚膜導体ペーストを作製した。
【００２１】絶縁体ペーストの原料として、アルミナ＋
ホウケイ酸ガラス粉末を７０重量部、バインダとしての
ブチラール系樹脂＋ベンジルブチルフタレートを１５重
量部、溶剤としてのブチルカルビトールを１５重量部を
用意し、これらを充分に３本ロールにて充分に混合・混
練して絶縁体ペーストを作製した。
ホウケイ酸ガラス粉末を７０重量部、バインダとしての
ブチラール系樹脂＋ベンジルブチルフタレートを１５重
量部、溶剤としてのブチルカルビトールを１５重量部を
用意し、これらを充分に３本ロールにて充分に混合・混
練して絶縁体ペーストを作製した。
【００２２】表面に離型処理を施したベースフィルム
（ＰＥＴ）上に作製した厚膜導体ペーストでスクリーン
印刷により配線パターンを形成し、さらに絶縁体ペース
トで配線パターン全体を覆うように絶縁層を形成し、転
写シートを作製した。同様の順序で各層の配線パターン
を形成した転写シートを作製し、各転写シートの所定箇
所にスルーホールを炭酸ガスレーザによって穿孔した。
なおスルーホールはパンチングによって穿孔してもよ
い。次に９６％アルミナ基板上に転写シートを６０℃，
８０％の条件で熱転写し、作製した厚膜導体ペーストを
スルーホールに充填した後にベースフィルムをはがし、
同様の順序で転写シートを積層して積層体を得た。
（ＰＥＴ）上に作製した厚膜導体ペーストでスクリーン
印刷により配線パターンを形成し、さらに絶縁体ペース
トで配線パターン全体を覆うように絶縁層を形成し、転
写シートを作製した。同様の順序で各層の配線パターン
を形成した転写シートを作製し、各転写シートの所定箇
所にスルーホールを炭酸ガスレーザによって穿孔した。
なおスルーホールはパンチングによって穿孔してもよ
い。次に９６％アルミナ基板上に転写シートを６０℃，
８０％の条件で熱転写し、作製した厚膜導体ペーストを
スルーホールに充填した後にベースフィルムをはがし、
同様の順序で転写シートを積層して積層体を得た。
【００２３】次に得られた積層体を加熱炉内の空気雰囲
気中で、脱バインダ処理した。この際の加熱条件はピー
ク温度４５０℃，ピーク時間１２０分の図１（ａ）に示
した温度プロファイルとした。
気中で、脱バインダ処理した。この際の加熱条件はピー
ク温度４５０℃，ピーク時間１２０分の図１（ａ）に示
した温度プロファイルとした。
【００２４】しかる後、積層体中の導体である酸化銅の
還元処理を、加熱炉内の水素ガス雰囲気中で行った。加
熱条件はピーク温度３５０℃，ピーク温度時間１８０分
の図１（ｂ）に示した温度プロファイルとした。
還元処理を、加熱炉内の水素ガス雰囲気中で行った。加
熱条件はピーク温度３５０℃，ピーク温度時間１８０分
の図１（ｂ）に示した温度プロファイルとした。
【００２５】最後に積層体を加熱炉内の窒素ガス雰囲気
中で焼結・焼成した。加熱条件はピーク温度９００℃，
ピーク温度時間１０分の図１（ｃ）に示した温度プロフ
ァイルとした。こうして得られた多層配線基板は、充分
な絶縁特性を持ち、１０ｍΩ／□という導体抵抗を得
た。
中で焼結・焼成した。加熱条件はピーク温度９００℃，
ピーク温度時間１０分の図１（ｃ）に示した温度プロフ
ァイルとした。こうして得られた多層配線基板は、充分
な絶縁特性を持ち、１０ｍΩ／□という導体抵抗を得
た。
【００２６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ＣｒＳｉ
2 ，ＴｉＳｉ 2 ，ＺｒＳｉ 2 ，ＴａＳｉ 2 により銅の焼結が
抑えられ、収縮がコントロールされ導体と絶縁体との間
で空間が発生しない信頼性の高い多層配線基板が得られ
る。さらに銅が導体材料の主成分であるので耐マイグレ
ーション性に優れ、導電性を有するＣｒＳｉ 2 ，ＴｉＳ
ｉ 2 ，ＺｒＳｉ 2 ，ＴａＳｉ 2 を添加するので導体抵抗が
高くない多層配線基板が得られる。
2 ，ＴｉＳｉ 2 ，ＺｒＳｉ 2 ，ＴａＳｉ 2 により銅の焼結が
抑えられ、収縮がコントロールされ導体と絶縁体との間
で空間が発生しない信頼性の高い多層配線基板が得られ
る。さらに銅が導体材料の主成分であるので耐マイグレ
ーション性に優れ、導電性を有するＣｒＳｉ 2 ，ＴｉＳ
ｉ 2 ，ＺｒＳｉ 2 ，ＴａＳｉ 2 を添加するので導体抵抗が
高くない多層配線基板が得られる。
【図１】（ａ）は本発明の一実施例による多層配線基板
の製造方法における脱バインダ工程の温度プロファイル
を示す関係図 （ｂ）は同じく還元工程の温度プロファイルを示す関係
図 （ｃ）は同じく焼結・焼成工程の温度プロファイルを示
す関係図
の製造方法における脱バインダ工程の温度プロファイル
を示す関係図 （ｂ）は同じく還元工程の温度プロファイルを示す関係
図 （ｃ）は同じく焼結・焼成工程の温度プロファイルを示
す関係図
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｓ (72)発明者 石川 真理子 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 白石 誠吾 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−289691（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C09D 5/24 H01B 1/16 H01B 1/22 H05K 1/09 H05K 3/46 ＣＡ（ＳＴＮ) ＣＡＯＬＤ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (2)
- 【請求項１】 酸化銅粉末５０．０〜９９．５重量％
に、ＣｒＳｉ2，ＴｉＳｉ2，ＺｒＳｉ2，ＴａＳｉ2より
選ばれた少なくとも１種以上を０．５〜５０．０重量％
含有した無機成分と、少なくとも有機バインダと溶剤よ
りなる有機ビヒクルを備えたことを特徴とする厚膜導体
ペースト組成物。 - 【請求項２】 ガラスセラミックもしくは結晶化ガラス
粉末を絶縁体の主成分とする多層配線基板の製造方法で
あって、導体ペースト組成物が酸化銅粉末５０．０〜９
９．５重量％に、ＣｒＳｉ2，ＴｉＳｉ2，ＺｒＳｉ2，
ＴａＳｉ2より選ばれた少なくとも１種以上を０．５〜
５０重量％含有した無機成分と、少なくとも有機バイン
ダと溶剤よりなる有機ビヒクルとからなり、ベースフィ
ルム上に前記導体ペースト組成物で所望の配線パターン
を形成した後、前記絶縁体を主成分とする絶縁体ペース
トで所望の領域に絶縁層を形成し転写シートを作製する
工程と、前記転写シートの所望の位置に穿孔を施しセラ
ミック基板上に熱圧着によりベースフィルム上の導体と
絶縁体を転写した後、前記孔内部に前記導体ペースト組
成物を充填し同手順で導体と絶縁体を順次積層する工程
と、空気中での熱処理により有機バインダの除去を行う
工程と、水素中での熱処理により導体の還元を行う工程
と、窒素中での熱処理により絶縁体と導体の焼結を行う
工程とからなることを特徴とする多層配線基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21202891A JP3160951B2 (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 厚膜導体ペースト組成物および多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21202891A JP3160951B2 (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 厚膜導体ペースト組成物および多層配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0625562A JPH0625562A (ja) | 1994-02-01 |
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