JPS58103101A - チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法 - Google Patents
チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法Info
- Publication number
- JPS58103101A JPS58103101A JP56204399A JP20439981A JPS58103101A JP S58103101 A JPS58103101 A JP S58103101A JP 56204399 A JP56204399 A JP 56204399A JP 20439981 A JP20439981 A JP 20439981A JP S58103101 A JPS58103101 A JP S58103101A
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- Japan
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- barium titanate
- temperature
- semiconductor porcelain
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- producing barium
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はチタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法に関
するものである。
するものである。
チタン酸バリウムを主成分とし、これに！ｉ４４のイオ
ン半径に近いイオン半径を有する６価の元素、もしくは
Ｂａのイオン半径に近い３価の元素を添加し、Ｔｉの原
子価を制御することにより牛導体化されたチタン酸バリ
ウム系半導体磁器は、そのキュ、リ一点付近で抵抗値の
急激な増加を示す正の２ ページ 抵抗温度特性を有する半導体としてよく知られている。
ン半径に近いイオン半径を有する６価の元素、もしくは
Ｂａのイオン半径に近い３価の元素を添加し、Ｔｉの原
子価を制御することにより牛導体化されたチタン酸バリ
ウム系半導体磁器は、そのキュ、リ一点付近で抵抗値の
急激な増加を示す正の２ ページ 抵抗温度特性を有する半導体としてよく知られている。
チタン酸バリウム系半導体磁器は、この特性に着目して
広くスイッチング素子として用いられており、特に低抵
抗かつ高耐圧スイッチング素子では耐電圧特性、寿命特
性、スイッチング特性が優れていることが要求される。
広くスイッチング素子として用いられており、特に低抵
抗かつ高耐圧スイッチング素子では耐電圧特性、寿命特
性、スイッチング特性が優れていることが要求される。
しかしながら、上記添加物質のみでは正の抵抗温度係数
が小さく（１０（、算出法については後述）、抵抗変化
中も１ｏ！′〜１ｏ４と小さく、良好なスイッチング特
性、耐電圧特性が得らｎない。そこで、Ｍｎ、 ｓｉ
、ムｌの酸化物を添加して、とｎら特性の向上を計って
いる。
が小さく（１０（、算出法については後述）、抵抗変化
中も１ｏ！′〜１ｏ４と小さく、良好なスイッチング特
性、耐電圧特性が得らｎない。そこで、Ｍｎ、 ｓｉ
、ムｌの酸化物を添加して、とｎら特性の向上を計って
いる。
ところで、こうした半導体磁器でｔｉｔ−とｎらの添加
物は極めて微量であり、とｎを充分均一に分散させるこ
とは困難であり、このことが素子の寿命特性、耐電圧特
性、スイッチング特性を劣化させるとともに再現性を劣
化させるという問題があった。
物は極めて微量であり、とｎを充分均一に分散させるこ
とは困難であり、このことが素子の寿命特性、耐電圧特
性、スイッチング特性を劣化させるとともに再現性を劣
化させるという問題があった。
本発明はこの点に鑑みて、寿命特性、耐電圧特３ ペー
ジ 性、スイッチング特性及び再現性を改善するために、通
常の沈降法、熱分解法、鉱物精製法によって作らＣる酸
化アルミニウムのかわりに、無水塩化アルミニウムの高
温加水分解法によって得られた酸化アルミニウムを用い
ることにより酸化アルミニウム（以下ム１２０３とする
）の均一分散性を向上させることに特徴を有するもので
ある。
ジ 性、スイッチング特性及び再現性を改善するために、通
常の沈降法、熱分解法、鉱物精製法によって作らＣる酸
化アルミニウムのかわりに、無水塩化アルミニウムの高
温加水分解法によって得られた酸化アルミニウムを用い
ることにより酸化アルミニウム（以下ム１２０３とする
）の均一分散性を向上させることに特徴を有するもので
ある。
以下に本発明の詳細な説明する。
ＢａＯＯｓ、 ＰｂＯ，ＴｉＯ２，０ｔＬＯＯｓ、
Ｎｂ２Ｏ５を出発原料とし、仮焼成後に、 （Ｂａａ ９６５ Ｃａｎ、 ｏｏｓ Ｐｂｏ、 ａ５
） Ｔｉｔ ｏ＋ Ｏｓ、 ０２＋α００１１ｂｚＯｓ なる組成となるように配合し、こ扛を１１００〜１２０
Ｑ℃で仮焼し、次にこの仮焼物１モルに対し５ｂ２０３
を０．０００６モル１．Ｌｉ２ＣＯ３を０．００１モル
、ＭｎＯ２を０．０００４モル、ＳｉＯ２を０．０２２
モル、そして高温加水分解法により得られたム１２０３
もしくは湿式法により得ら扛たム１２０３を０．００１
６７モル添加し、メノウ玉石を用いたボールミルによ４
＜−シ゛ り湿式混合し、乾燥させた後、厚さ２・７ｇ１直径２０
１１１の円板状に１ｏｏＯＫＶ：鑓の圧力をかけて成形
１−１それを１３２０℃、１時間焼成してから、５０
””Ａ 間の冷却速度で室温まで冷却した。このように
して得らｒた素子の抵抗温度測定を測定したところ、図
に示す特性が得ら扛た。
Ｎｂ２Ｏ５を出発原料とし、仮焼成後に、 （Ｂａａ ９６５ Ｃａｎ、 ｏｏｓ Ｐｂｏ、 ａ５
） Ｔｉｔ ｏ＋ Ｏｓ、 ０２＋α００１１ｂｚＯｓ なる組成となるように配合し、こ扛を１１００〜１２０
Ｑ℃で仮焼し、次にこの仮焼物１モルに対し５ｂ２０３
を０．０００６モル１．Ｌｉ２ＣＯ３を０．００１モル
、ＭｎＯ２を０．０００４モル、ＳｉＯ２を０．０２２
モル、そして高温加水分解法により得られたム１２０３
もしくは湿式法により得ら扛たム１２０３を０．００１
６７モル添加し、メノウ玉石を用いたボールミルによ４
＜−シ゛ り湿式混合し、乾燥させた後、厚さ２・７ｇ１直径２０
１１１の円板状に１ｏｏＯＫＶ：鑓の圧力をかけて成形
１−１それを１３２０℃、１時間焼成してから、５０
””Ａ 間の冷却速度で室温まで冷却した。このように
して得らｒた素子の抵抗温度測定を測定したところ、図
に示す特性が得ら扛た。
図中ムは本発明による高温加水分解法により得らｆたム
１２０３を用いた素子の特性を示したものである。また
、Ｂは従来の沈降法により得らｔたム１２０５を用いた
素子の特性を示したものである。
１２０３を用いた素子の特性を示したものである。また
、Ｂは従来の沈降法により得らｔたム１２０５を用いた
素子の特性を示したものである。
また、下記の表に得られた素子の特性を示した。
６ ベーン
表中比抵抗は２６℃におけるものであるＯＲｗ ／ Ｒ
ｍは最大抵抗値と最小抵抗値との比率すなわち抵抗変化
中であり、抵抗温度係数は下記式により定義したもので
ある。
ｍは最大抵抗値と最小抵抗値との比率すなわち抵抗変化
中であり、抵抗温度係数は下記式により定義したもので
ある。
Ｔ２− Ｔ＋
ただし、Ｔ＋ ｓキュリ一温度
Ｔ２ ’＋キ゛ユリＴ温度より５０℃高い温度Ｒ１：温
度Ｔ１での抵抗値 Ｒ２＋温度Ｔ２での抵抗値 とする。
度Ｔ１での抵抗値 Ｒ２＋温度Ｔ２での抵抗値 とする。
そしてまた、寿命特性とは素子と２６０の固定抵抗とを
直列に接続した素子の両端に１７６ｖを６秒間印加し、
６５＄間ＯＶ印加といった電圧の間欠的印加を１０万回
繰り返し九時の初期抵抗に対する変化率である。
直列に接続した素子の両端に１７６ｖを６秒間印加し、
６５＄間ＯＶ印加といった電圧の間欠的印加を１０万回
繰り返し九時の初期抵抗に対する変化率である。
表及び図から明らかなように、本発明の高温加′抗温度
係数が犬きく、抵抗変化中も大きい。また、６ ／、
−・ スイッチング素子に要求される耐電圧、寿命特性も大巾
に改善さｎていることがわかる。
係数が犬きく、抵抗変化中も大きい。また、６ ／、
−・ スイッチング素子に要求される耐電圧、寿命特性も大巾
に改善さｎていることがわかる。
上述のように、本発明における高温加水分解法における
ム１２０３を用いた場合にはチタン酸バリウム系半導体
磁器の耐電圧特性、寿命特性、スイッチング特性を著し
く向上させる優れた効果を有する。
ム１２０３を用いた場合にはチタン酸バリウム系半導体
磁器の耐電圧特性、寿命特性、スイッチング特性を著し
く向上させる優れた効果を有する。
図は本発明方法及び従来方法によるチタン酸バリウム系
半導体磁器の抵抗温度特性を示すグラフである。
半導体磁器の抵抗温度特性を示すグラフである。
Claims (1)
- Ｎｂ２Ｏ５，ＴＩＬ２０５． Ｙ２Ｏ５，Ｌａ２０ｇ
、及びＳｍ２Ｏ３のうち少なくとも１種を含有するチタ
ン酸バリウム系半導体磁器組成物に添加するム１２０ｓ
成分の原料として高温加水分解法により得られる酸化ア
ルミニウムを用い、大気中または酸素雰囲気中で焼成す
ることを特徴きするチタン酸バリウム系半導体磁器の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56204399A JPS58103101A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56204399A JPS58103101A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58103101A true JPS58103101A (ja) | 1983-06-20 |
| JPH038081B2 JPH038081B2 (ja) | 1991-02-05 |
Family
ID=16489893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56204399A Granted JPS58103101A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58103101A (ja) |
-
1981
- 1981-12-16 JP JP56204399A patent/JPS58103101A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH038081B2 (ja) | 1991-02-05 |
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