JPS58100740A - プラズマ分布モニタ - Google Patents

プラズマ分布モニタ

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JPS58100740A
JPS58100740A JP56198401A JP19840181A JPS58100740A JP S58100740 A JPS58100740 A JP S58100740A JP 56198401 A JP56198401 A JP 56198401A JP 19840181 A JP19840181 A JP 19840181A JP S58100740 A JPS58100740 A JP S58100740A
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plasma
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vacuum container
light
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長田 久二郎
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豊 平塚
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    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/0006Investigating plasma, e.g. measuring the degree of ionisation or the electron temperature
    • H05H1/0012Investigating plasma, e.g. measuring the degree of ionisation or the electron temperature using electromagnetic or particle radiation, e.g. interferometry
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
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    • G01N21/6402Atomic fluorescence; Laser induced fluorescence

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、プラズマ利用装置内の原子、イオン等の化学
種の三次元的濃度分布を測定するためのプラズマ分布モ
ニタに関するものである。
従来のプラズマ分布モニタは、プラズマ自身の発光を利
用するものが多かった。
また、従来のプラズマ発光の分布を三方面から捉える方
式のものは、プラズマの三次元的分布の均一性の評価は
できるが、分布の山が1〜241程度の単純な場合しか
正しく求めるということができない欠点を有していた。
本発明の目的は、前記従来技術の欠点をなくし、プラズ
マ利用装置内のプラズマの三次元分布を、その分布形態
が複雑なものでも正確に測定できるプラズマ分布モニタ
を提供するにある。
本発明の特徴は、プラズマ利用装置の真空容器における
外側の定位置に、真空容器の軸方向と、真空容器の中心
と前記定位置を結ぶ直線と直交する方向とに移動自在に
レーザ光スキャン装置を設置し、真空容器の外側の位置
でかつ真空容器内を通過するレーザ光ビームと略直角力
位置に、真空容器の軸方向と、真空容器内を通過するレ
ーザ光ビームに沿う方向とに移動自在に光導入装置を設
け、該光導入装置を光検出装置に接続したところにあり
、この構成によシ前記目的を確実に達成することができ
たものである。
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第1図は本発明の一実施例を示し、第2図はそのフロー
チャートを示す。
その第1図に示される実施例のものは、プラズマ利用装
置1、レーザ光発生装置である波長可変レーザ11、レ
ーザ光スキャン装置13、光導入装置21、光トラップ
29、トリガ用検出器30、光検出装置31、マイクロ
コンピュータ35および表示装置36とを備えて構成さ
れている。
前記プラズマ利用装置lは、真空容器2、グツズ臂発生
用の電極6と電源7、真空ポンプ8、ガス噴射用のガス
容器9と調整弁10とを有している。
前記真空容器2には、レーザ光スキャン用の窓3、ケイ
光導入用の窓4、レーザ光通過用の窓5がそれぞれ形成
され、レーザ光スキャン用の窓3とレーザ光通過用の窓
5は真空容器2の直径方向の両端部に当たる位置に形成
され、ケイ光導入用の窓4は前記レーザ光スキャン用の
窓3とレーザ光通過用の窓5を結ぶ直線と略直角な位置
、すカわち真空容器2の内部を通過するレーザ光ビーム
間と略直角た位置に形成されている。
前記波長可変レーザ11は、真空容器2内で発生するグ
ッズマ中の特定化学種の励起波長に発振波長を合わせて
レーザ光37を発射しうるように構成されている。この
波長可変レーザ11から発射されたレーザ光37は、レ
ーザ光スプリッタ12によシレーザ光スキャン装置13
の光ファイバ加と、トリガ用検出器30とに分光される
ようになっている。
前記レーザ光スキャン装置13は、レーザ光スキャン用
の窓3に対応する位置に設置されている。
また、レーザ光スキャン装置13は固定台14、移動台
15、第1.第2のモータ16 、17、スクリューロ
ッド18、光フアイバ取付台19、光ファイバ加とを有
している。前記移動台15は、固定台14上に載置され
、第1のモータ16によシ真空容器2の軸方向に移動操
作されるよう罠なっている。前記スクリューシャフト1
8は、移動台15上に設置されかつ第2のモータ17に
連結されている。前記光フアイバ取付台19は、前記ス
クリューシャフト18に装着されている。前記光ファイ
バ加は、光フアイバ取付台19上に設置され、一端部は
レーザ光スプリッタ12によ多分光されたレーザ光31
の光路上に配置され、他端部は真空容器2に形成された
レーザ光スキャン用の窓3に臨んでいる。そして、光フ
ァイバ加の他端部は第1のモータ16と移動台15の作
動によシ真空容器2の軸方向に移動操作され、また第2
のモータ17とスクリューシャフト18と元ファイバ取
付台19の作動によシ真空容器2の中心部と定位置であ
る前記窓3の中心部とを結ぶ直線と直交する方向に移動
操作され、前記二方向の移動操作によりレーザ光37を
、前記窓3を通じてモニタ対象内にくまなくスキャンし
うるように構成されている。また、前記第1.第2のモ
ータ16 、17は前記マイクロコンピュータ35に接
続されている。
前記光導入装置21は、真空容器2に形成されたケイ光
導入用の窓4に対応する位置に設置されて。
いる。この光導入装置21は、固定台22、移動台n1
第11第2のモータ24 、25、スクリューシャフト
26、光ファイバnとを備えている。前記移動台nは、
固定台n上に載置されかつ第1のモータスによシ真空容
器2の軸方向に移動操作されるようになっている。前記
スクリューシャフト26は、移動台お上に取シ付けられ
、第2のモータスに連結されている。前記光フアイバ取
付台27は、前記スクリューシャフト26に装着されて
いる。前記光ファイバ四は、光フアイバ取付台n上に設
置されておシ、光フアイバ部の一端部は前記ケイ光導入
用の窓4に臨み、他端部は光検出装置310分光器32
に接続されている。また、光フアイバ部の一端部は第1
のモータ賞と移動金回の作動によシ真空容器2の軸方向
に移動操作され、第2のモータ怒とスクリューシャフト
26と光フアイバ取付台nの作動によシ真空容器2内を
通過するレーザ光ビーム間に沿う方向に移動操作され、
真空容器2の軸方向に移動操作後、レーザ光ビー4父の
方向に間欠的に移動させることによって、レーザ光ビー
ム間をその長さ方向に区画し、区画間ごとにケイ光39
を導入しうるように構成されている。また、前記第1 
、第2のモータu、25%マイクロコンピュータ35に
接続されている。
前記光トラツプ器は、真空容器2に形成されたレーザ光
通過用の窓5に対峙させて設置され、真空容器2内を通
過したレーザ光をトラップするようになっている。
前記トリガ用検出器蜀は、レーザ光スプリッタ12で分
光されたレーザ光37の光路上に配置され、かつ光検出
装置31の増幅器具に接続されておシ、前記レーザ光ス
プリッタ12を通じてレーザ光37の発射を検出し、そ
の信号を光検出装置31の増幅器34に挿入するように
々っている。
前記光検出装置31は、分光器32、これに連結された
光検出器33、これに接続された増幅器具とを備えてい
る。前記分光器32は、光導入装置21の光ファイバ銘
によシ導かれたケイ光39を分光する。
前記光検出器33は、分光器32で分光された特定波長
のケイ光のみを検出し、ケイ光の発光量に比例する大き
さの電気信号に変換するとともに、その信号を増幅器U
に送る。前記増幅器34は、前述のトリガ用検出器(資
)からの信号によシ作動し、前記光検出器おから送られ
てくるケイ光検出の電気信号を増幅“し、これをマイク
ロコンピュータ35に送るよう罠なっている。
前記マイクロコンピュータ話は、前記波長可変レーザ1
1と、前記レーザ光スキャン装置13の第1゜第2の第
1.第2のモータ16 、17と、前記光導入装置21
の第1.第2のモータス、25と、表示装置36とに制
御信号を送シ、また前記レーザ光スキャン装置13の第
1.第2のモータ16 、17と、前記光導入装置21
の第1.第2のモータu、25とにおける回転方向と回
転数とによシ、真空容器2内へのレーザ光37のスキャ
ン位置と、ケイ光39の測定位置とを演算して表示装置
36に送シ、さらに光検出装置31の増幅器具から送ら
れて〈右ケイ光検出の電気信号に基づき、プラズマ中の
特定化学種の濃度を算出し、これも表示装置36に送る
ようになっている。
前記表示装置36は、前記マイクロコンピュータ35か
ら送シ込まれるレーザ光37のスキャン位置、ケイ光3
9の測定位置およびプラズマ分布を表示す    する
前記実施例のプラズマ分布モニタは、次のように制御さ
れ、作用する。
すなわち、波長可変レーザ11を、真空容器2内の特定
化学種励起波長に発振波長を合わせてレーザ光を発振し
うるように調整する。
ついで、予めマイクロコンピュータ35に与えられたプ
ログラムに沿い、最初にレーザ光スキャン装置13の第
1のモータ16と光導入装置21の第1のモータスとが
制御され、レーザ光スキャン装置13の移動台nと光導
入装置21の移動台23とが真空容器2の軸方向(2方
向)に移動操作され、レーザ光スキャン装置13の光フ
ァイバ加と光導入装置21の光フアイバ路とが真空容器
2の軸方向の同一位置にセットされ、さらにレーザ光ス
キャン装色調の第2のモータ17が制御され、レーザ光
スキャン装置13の移動台15が真空容器2の中心と定
位置とを結ぶ直線と直交する方向(y方向)に移動操作
され、移動台15を介して光ファイバ加が任意のレーザ
光スキャン位置にセットされ、また光導入装置21の第
2のモータ怒が制御され、光導入装置21の移動台nが
レーザ光ビーム間の方向(X方向)の、測定始端方向に
向かって移動操作され、この移動台体を介して光フアイ
バ路が測定開始位置にセットされ、これらの位置情報は
マイクロコンピュータ謁を通じて表示装置36に送られ
る。
次に、マイクロコンピュータ化からの発射開始信号によ
シ波長可変レーザ11が制御され、該波長可変レーザ1
1からレーザ光37が短時間発射される。
このレーザ光37は、レーザ光スプリッタ12によシレ
ーザ光スキャン装置13の方向とトリガ用検出器凹の方
向とに分光され、レーザ光スキャン装置13の方向に分
光されたレーザ光37はレーザ光スキャン装置13の光
ファイバ加に入射し、該光ファイバ加からレーザ光スキ
ャン用の窓3を通じて真空容器2内にスキャンされ、ま
たトリガ用検出器父の方向に分光されたレーザ光37は
トリガ用検出器(9)K入射し、該トリガ用検出器(資
)から光検出装置31の増幅器具に信号が送られ、増幅
器具が作動する。
前記レーザ光スキャン装置13の光ファイバ加から窓3
を通じて真空容器2内にレーザ光37′がスキャンされ
ると、そのレーザ光ビーム北向にあるプ2ズマ中の特定
化学種が励起され、これによシティ光39が発生される
。このケイ光39は、レーザ光照射路に沿って一直線状
に発生するが、光導入装置21の光フアイバ路から見て
受光角内にあるケイ光39のみが光フアイバ路で受光さ
れる。
前記光導入装置21の光ファイバ四に導かれたケイ光3
9は、光検出装置31の分光器32に導入され、該分光
器32で分光され、特定波長のケイ光のみが光検出器3
3によシ、該ケイ光の発光量に比例する大きさの電気信
号に変換され、その信号はトリガ用検出器(資)からの
信号で作動中の増幅器34に送られ、該増幅器具で増幅
され、!イクロコンピュータ35に送られる。
前記マイクロコンピュータ35では、前述の光検出装置
31によシティ光39中の特定波長のみのケイ光が発光
器に比例した大きさの電気信号に変換されかつ増幅され
て送られてくる電気信号に基づき、プラズマ中の特定化
学種の濃度を算出し、濃度表示信号として表示装置圀に
与える。
前記表示装置36では、前述のレーザ光スキャン位置お
よび測定位置と、プラズマ中の特定化学種の濃度とを表
示する。
測定開始位置での測定後、光導入装置21の第2のモー
タ怒が制御され、レーザ光ビーム38に沿って移動台n
を介して光フアイバ列がその受光角に対応して一定ピッ
チ移動操作され、この位置で前述の順序動作が繰シ返し
行われ、レーザ光39の発光量が検出され、表示される
前述のごとく、光導入装置21の移動金回を介して光フ
ァイバ四をレーザ光ビーム羽に沿って一定ピッチずつ次
々に移動させ、測定することKよシ、レーザ光ビーム謁
を区画し、区画間のケイ光39の発光量の変化を検出で
き、その検出結果からブラズi中の特定化学種の分布を
正確に測定することができる。
そして、レーザ光スキャン装置13の第1.第2のモー
タ16 、17を制御し、モニタ対象に対するレーザ光
37のスキャン位置を変え、これに合わせて光導入装置
21の第1のモータUを制御し、レーザ2o光スキヤン
装置13の光ファイバ20に対する光導入装置21の光
ファイバ詔の、真空容器2の軸方向の位置合わせを行っ
た後、光導入装置21の第2のモータ35を制御し、前
述のごとく光導入装置21の移動金回を介して光ファイ
バ四を一定ピッチずつ移動させて測定することにより、
プラズマ中の特定化学種の三次元分布を求めることがで
きる。
なお、本発明ではレーザ光スキャン装置13、光導入装
置21、光検出装置31とも、その具体的構造は図示実
施例に限らず、所期の機能を発揮できる構造であればよ
い。
本発明は、以上説明した構成9作用のもので、本発明に
よれば真空容器の軸方向と、真空容器の中心と定位置と
を結ぶ直線と直交する方向との二方向に移動自在のレー
ザ光スキャン装置と、真空容器の軸方向と、真空容器内
を通過するレーザ光ビームに沿う方向との二方向に移動
自在の光導入装置と、これに接続された光検出装置との
協働によシ、プラズマ利用装置内のプラズマの三次元分
布を、その分布状態が複雑なものであっても、正確に測
定できる効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す系統図、第2図はフロ
ーチャートである。 1・・・プラズマ利用装置、2・・・真空容器、11・
・・波長可変レーザ、13・・・レーザ光スキャン装置
、21・・・光導入装置、31・・・光検出装置、あ・
・・マイクロコンピュータ、あ・・・表示装置、37・
・・レーザ光、あ・・・レーザ光ビーム、39・・・ケ
イ光。 代理人 弁理士 秋 本 正 実 第1図 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. プラズマ利用装置の真空容器における外側の定位置に、
    真空容器の軸方向と、真空容器の中心と前記定位置を結
    ぶ直線と直交する方向とに移動自在にレーザ光スキャン
    装置を設置し、真空容器の外側の位置でかつ真空容器内
    を通過するレーザ光ビームと略直角な位置に、真空容器
    の軸方向と、真空容器内を通過するレーザ光ビームに沿
    う方向とに移動自在に光導入装置を設け、該光導入装置
    を光検出装置に接続したことを特徴とするプラズマ分布
    モニタ。
JP56198401A 1981-12-11 1981-12-11 プラズマ分布モニタ Granted JPS58100740A (ja)

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EP82111261A EP0081785A3 (en) 1981-12-11 1982-12-06 Plasma monitor

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