JPH1192943A - Ｃｖｄ法による薄膜形成方法 - Google Patents
Ｃｖｄ法による薄膜形成方法Info
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- JPH1192943A JPH1192943A JP25698697A JP25698697A JPH1192943A JP H1192943 A JPH1192943 A JP H1192943A JP 25698697 A JP25698697 A JP 25698697A JP 25698697 A JP25698697 A JP 25698697A JP H1192943 A JPH1192943 A JP H1192943A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 所望の機能を有し、かつ基板との密着性が良
好な薄膜をプラズマＣＶＤ法により形成することができ
る薄膜形成方法を得る。 【解決手段】 原料ガスをガス導入管１２から真空チャ
ンバー８内に導入しプラズマ中で分解することにより基
板９上に第１の薄膜層を形成する工程と、原料ガスをプ
ラズマ中で分解するとともに、イオンガン１０からのイ
オンを基板９に照射して、第１の薄膜層の上に第２の薄
膜層を形成する工程とを備えることを特徴としている。
好な薄膜をプラズマＣＶＤ法により形成することができ
る薄膜形成方法を得る。 【解決手段】 原料ガスをガス導入管１２から真空チャ
ンバー８内に導入しプラズマ中で分解することにより基
板９上に第１の薄膜層を形成する工程と、原料ガスをプ
ラズマ中で分解するとともに、イオンガン１０からのイ
オンを基板９に照射して、第１の薄膜層の上に第２の薄
膜層を形成する工程とを備えることを特徴としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマを利用し
たＣＶＤ法により基板上に薄膜を形成する方法に関する
ものである。
たＣＶＤ法により基板上に薄膜を形成する方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】プラズマ中で原料ガスを分解することに
より薄膜を形成するプラズマＣＶＤ法は、比較的低温で
薄膜を形成する方法として広く用いられており、原料ガ
スを適宜調整することにより、種々の組成の薄膜を形成
することができる。このようなＣＶＤ法により、高い硬
度を有するダイヤモンド状炭素薄膜や、低い摩擦係数を
有する窒化炭素（ＣＮ）薄膜及びケイ化炭素（ＣＳｉ）
薄膜などの種々の薄膜を形成することができる。
より薄膜を形成するプラズマＣＶＤ法は、比較的低温で
薄膜を形成する方法として広く用いられており、原料ガ
スを適宜調整することにより、種々の組成の薄膜を形成
することができる。このようなＣＶＤ法により、高い硬
度を有するダイヤモンド状炭素薄膜や、低い摩擦係数を
有する窒化炭素（ＣＮ）薄膜及びケイ化炭素（ＣＳｉ）
薄膜などの種々の薄膜を形成することができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例え
ば、シリコン基板の上に、ダイヤモンド状炭素薄膜を形
成する場合、シリコン基板に対し密着性良くダイヤモン
ド状炭素薄膜を形成することができるが、窒化炭素薄膜
やケイ化炭素薄膜は、シリコン基板に対する密着性が悪
く、従来の薄膜形成方法では、密着性良く形成すること
ができないという問題があった。
ば、シリコン基板の上に、ダイヤモンド状炭素薄膜を形
成する場合、シリコン基板に対し密着性良くダイヤモン
ド状炭素薄膜を形成することができるが、窒化炭素薄膜
やケイ化炭素薄膜は、シリコン基板に対する密着性が悪
く、従来の薄膜形成方法では、密着性良く形成すること
ができないという問題があった。
【０００４】本発明の目的は、このような窒化炭素薄膜
やケイ化炭素薄膜のような高機能薄膜の機能を有し、か
つ基板との密着性が良好な薄膜をプラズマＣＶＤ法によ
り形成する方法を提供することにある。
やケイ化炭素薄膜のような高機能薄膜の機能を有し、か
つ基板との密着性が良好な薄膜をプラズマＣＶＤ法によ
り形成する方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の局面に従
う薄膜形成方法は、プラズマを利用したＣＶＤ法により
基板上に薄膜を形成する方法であり、原料ガスをプラズ
マ中で分解することにより基板上に第１の薄膜層を形成
する工程と、原料ガスをプラズマ中で分解するととも
に、イオンまたはラジカルを基板に照射して、第１の薄
膜層上に第２の薄膜層を形成する工程とを備えている。
う薄膜形成方法は、プラズマを利用したＣＶＤ法により
基板上に薄膜を形成する方法であり、原料ガスをプラズ
マ中で分解することにより基板上に第１の薄膜層を形成
する工程と、原料ガスをプラズマ中で分解するととも
に、イオンまたはラジカルを基板に照射して、第１の薄
膜層上に第２の薄膜層を形成する工程とを備えている。
【０００６】本発明の第１の局面において、第２の薄膜
層を形成する際に、照射するイオンまたはラジカルは、
一般に、原料ガスの主成分元素と異なる元素のイオンま
たはラジカルである。例えば、第１の薄膜層として炭素
系薄膜を形成し、第２の薄膜層として窒化炭素薄膜やケ
イ化炭素薄膜を形成する場合には、一般にＣＨ4 などの
炭素を主成分とする原料ガスを用い、基板に照射するイ
オンまたはラジカルとして、窒素もしくはシリコンのイ
オンまたはラジカルを照射する。しかしながら、第２の
薄膜層を形成する際に照射するイオンまたはラジカル
は、原料ガスの主成分元素と同じ元素のイオンまたはラ
ジカルであってもよい。
層を形成する際に、照射するイオンまたはラジカルは、
一般に、原料ガスの主成分元素と異なる元素のイオンま
たはラジカルである。例えば、第１の薄膜層として炭素
系薄膜を形成し、第２の薄膜層として窒化炭素薄膜やケ
イ化炭素薄膜を形成する場合には、一般にＣＨ4 などの
炭素を主成分とする原料ガスを用い、基板に照射するイ
オンまたはラジカルとして、窒素もしくはシリコンのイ
オンまたはラジカルを照射する。しかしながら、第２の
薄膜層を形成する際に照射するイオンまたはラジカル
は、原料ガスの主成分元素と同じ元素のイオンまたはラ
ジカルであってもよい。
【０００７】本発明の第１の局面において、原料ガスと
しては、炭素を主成分とする原料ガスのほかに、例え
ば、シリコン（ケイ素）、チタン、ジルコニウム、ホウ
素、ハフニウム、及びアルミニウムなどを主成分として
含有するガスが挙げられる。また、第２の薄膜層を形成
する際に照射するイオンまたはラジカルとしては、上述
の窒素及びシリコンのイオンまたはラジカルのほかに、
炭素、酸素、及び水素などのイオンまたはラジカルを挙
げることができる。
しては、炭素を主成分とする原料ガスのほかに、例え
ば、シリコン（ケイ素）、チタン、ジルコニウム、ホウ
素、ハフニウム、及びアルミニウムなどを主成分として
含有するガスが挙げられる。また、第２の薄膜層を形成
する際に照射するイオンまたはラジカルとしては、上述
の窒素及びシリコンのイオンまたはラジカルのほかに、
炭素、酸素、及び水素などのイオンまたはラジカルを挙
げることができる。
【０００８】本発明の第１の局面に従えば、第１の薄膜
層として、基板に対する密着性の良好な薄膜を形成し、
第２の薄膜層として、例えば、窒化炭素薄膜やケイ化炭
素薄膜などのような基板に対する密着性は良好ではない
が、所望の機能性を有する薄膜を形成することができ
る。従って、このような機能性を有する第２の薄膜層を
第１の薄膜層を介して基板上に設けることができるの
で、基板との密着性が良好な機能性薄膜を形成すること
ができる。
層として、基板に対する密着性の良好な薄膜を形成し、
第２の薄膜層として、例えば、窒化炭素薄膜やケイ化炭
素薄膜などのような基板に対する密着性は良好ではない
が、所望の機能性を有する薄膜を形成することができ
る。従って、このような機能性を有する第２の薄膜層を
第１の薄膜層を介して基板上に設けることができるの
で、基板との密着性が良好な機能性薄膜を形成すること
ができる。
【０００９】また、本発明の第１の局面に従う薄膜形成
方法においては、第２の薄膜層を形成する際のイオンま
たはラジカルの照射エネルギー及び照射量を成膜時間と
ともに変化させてもよい。このようにイオンまたはラジ
カルの照射エネルギー及び照射量を変化させることによ
り、イオンまたはラジカルの照射により第２の薄膜層内
に導入される成分の膜厚方向の分布を変化させることが
できる。
方法においては、第２の薄膜層を形成する際のイオンま
たはラジカルの照射エネルギー及び照射量を成膜時間と
ともに変化させてもよい。このようにイオンまたはラジ
カルの照射エネルギー及び照射量を変化させることによ
り、イオンまたはラジカルの照射により第２の薄膜層内
に導入される成分の膜厚方向の分布を変化させることが
できる。
【００１０】イオンまたはラジカルの照射エネルギーを
成膜時間とともに減少させ、イオンまたはラジカルの照
射量を成膜時間とともに増加させることにより、イオン
またはラジカルの照射によって導入される成分の濃度
が、第２の薄膜層の表面に近づくに連れて高くなるよう
な濃度勾配を第２の薄膜層に付与することができる。
成膜時間とともに減少させ、イオンまたはラジカルの照
射量を成膜時間とともに増加させることにより、イオン
またはラジカルの照射によって導入される成分の濃度
が、第２の薄膜層の表面に近づくに連れて高くなるよう
な濃度勾配を第２の薄膜層に付与することができる。
【００１１】上記のような濃度勾配を第２の薄膜層に付
与することにより、第２の薄膜層の表面において付与さ
れる機能をより高めることができる。例えば、窒化炭素
薄膜及びケイ化炭素薄膜の場合、第２の薄膜層表面での
摩擦係数を表面に近づくに連れて低くすることができ
る。このような濃度勾配を設けることにより、さらに密
着性が良好で、かつ十分に機能が付与された薄膜を得る
ことができる。
与することにより、第２の薄膜層の表面において付与さ
れる機能をより高めることができる。例えば、窒化炭素
薄膜及びケイ化炭素薄膜の場合、第２の薄膜層表面での
摩擦係数を表面に近づくに連れて低くすることができ
る。このような濃度勾配を設けることにより、さらに密
着性が良好で、かつ十分に機能が付与された薄膜を得る
ことができる。
【００１２】本発明の第２の局面に従う薄膜形成方法
は、プラズマを利用したＣＶＤ法により基板上に薄膜を
形成する方法であり、原料ガスをプラズマ中で分解する
ことにより基板上に第１の薄膜層を形成する工程と、基
板に高周波電力を印加して基板にバイアス電圧（自己バ
イアス電圧）を発生させながら、原料ガスをプラズマ中
で分解するとともに、イオンまたはラジカルを基板に照
射して、第１の薄膜層の上に第２の薄膜層を形成する工
程とを備えている。
は、プラズマを利用したＣＶＤ法により基板上に薄膜を
形成する方法であり、原料ガスをプラズマ中で分解する
ことにより基板上に第１の薄膜層を形成する工程と、基
板に高周波電力を印加して基板にバイアス電圧（自己バ
イアス電圧）を発生させながら、原料ガスをプラズマ中
で分解するとともに、イオンまたはラジカルを基板に照
射して、第１の薄膜層の上に第２の薄膜層を形成する工
程とを備えている。
【００１３】本発明の第２の局面において、第２の薄膜
層を形成する際に、照射するイオンまたはラジカルは、
一般に、原料ガスの主成分元素と異なる元素のイオンま
たはラジカルである。例えば、第１の薄膜層として炭素
系薄膜を形成し、第２の薄膜層として窒化炭素薄膜やケ
イ化炭素薄膜を形成する場合には、一般にＣＨ4 などの
炭素を主成分とする原料ガスを用い、基板に照射するイ
オンまたはラジカルとして、窒素もしくはシリコンのイ
オンまたはラジカルを照射する。しかしながら、第２の
薄膜層を形成する際に照射するイオンまたはラジカル
は、原料ガスの主成分元素と同じ元素のイオンまたはラ
ジカルであってもよい。
層を形成する際に、照射するイオンまたはラジカルは、
一般に、原料ガスの主成分元素と異なる元素のイオンま
たはラジカルである。例えば、第１の薄膜層として炭素
系薄膜を形成し、第２の薄膜層として窒化炭素薄膜やケ
イ化炭素薄膜を形成する場合には、一般にＣＨ4 などの
炭素を主成分とする原料ガスを用い、基板に照射するイ
オンまたはラジカルとして、窒素もしくはシリコンのイ
オンまたはラジカルを照射する。しかしながら、第２の
薄膜層を形成する際に照射するイオンまたはラジカル
は、原料ガスの主成分元素と同じ元素のイオンまたはラ
ジカルであってもよい。
【００１４】本発明の第２の局面において、原料ガスと
しては、炭素を主成分とする原料ガスのほかに、例え
ば、シリコン（ケイ素）、チタン、ジルコニウム、ホウ
素、ハフニウム、及びアルミニウムなどを主成分として
含有するガスが挙げられる。また、第２の薄膜層を形成
する際に照射するイオンまたはラジカルとしては、上述
の窒素及びシリコンのイオンまたはラジカルのほかに、
炭素、酸素、及び水素などのイオンまたはラジカルを挙
げることができる。
しては、炭素を主成分とする原料ガスのほかに、例え
ば、シリコン（ケイ素）、チタン、ジルコニウム、ホウ
素、ハフニウム、及びアルミニウムなどを主成分として
含有するガスが挙げられる。また、第２の薄膜層を形成
する際に照射するイオンまたはラジカルとしては、上述
の窒素及びシリコンのイオンまたはラジカルのほかに、
炭素、酸素、及び水素などのイオンまたはラジカルを挙
げることができる。
【００１５】本発明の第２の局面に従えば、第１の薄膜
層として、基板に対する密着性の良好な薄膜を形成し、
第２の薄膜層として、例えば、窒化炭素薄膜やケイ化炭
素薄膜などのような基板に対する密着性は良好ではない
が、所望の機能性を有する薄膜を形成することができ
る。従って、このような機能性を有する第２の薄膜層を
第１の薄膜層を介して基板上に設けることができるの
で、基板との密着性が良好な機能性薄膜を形成すること
ができる。
層として、基板に対する密着性の良好な薄膜を形成し、
第２の薄膜層として、例えば、窒化炭素薄膜やケイ化炭
素薄膜などのような基板に対する密着性は良好ではない
が、所望の機能性を有する薄膜を形成することができ
る。従って、このような機能性を有する第２の薄膜層を
第１の薄膜層を介して基板上に設けることができるの
で、基板との密着性が良好な機能性薄膜を形成すること
ができる。
【００１６】また、本発明の第２の局面に従う薄膜形成
方法においては、第２の薄膜層を形成する際のイオンま
たはラジカルの照射エネルギー及び照射量並びに基板に
発生するバイアス電圧を成膜時間とともに変化させても
よい。このようにイオンまたはラジカルの照射エネルギ
ー等を変化させることにより、イオンまたはラジカルの
照射により第２の薄膜層内に導入される成分の膜厚方向
の分布を変化させることができる。
方法においては、第２の薄膜層を形成する際のイオンま
たはラジカルの照射エネルギー及び照射量並びに基板に
発生するバイアス電圧を成膜時間とともに変化させても
よい。このようにイオンまたはラジカルの照射エネルギ
ー等を変化させることにより、イオンまたはラジカルの
照射により第２の薄膜層内に導入される成分の膜厚方向
の分布を変化させることができる。
【００１７】イオンまたはラジカルの照射エネルギー及
び基板に発生するバイアス電圧を成膜時間とともに減少
させ、イオンまたはラジカルの照射量を成膜時間ととも
に増加させることにより、イオンまたはラジカルの照射
によって導入される成分の濃度が、第２の薄膜層の表面
に近づくに連れて高くなるような濃度勾配を第２の薄膜
層に付与することができる。
び基板に発生するバイアス電圧を成膜時間とともに減少
させ、イオンまたはラジカルの照射量を成膜時間ととも
に増加させることにより、イオンまたはラジカルの照射
によって導入される成分の濃度が、第２の薄膜層の表面
に近づくに連れて高くなるような濃度勾配を第２の薄膜
層に付与することができる。
【００１８】上記のような濃度勾配を第２の薄膜層に付
与することにより、第２の薄膜層の表面において付与さ
れる機能をより高めることができる。例えば、窒化炭素
薄膜及びケイ化炭素薄膜の場合、第２の薄膜層表面での
摩擦係数を表面に近づくに連れて低くすることができ
る。このような濃度勾配を設けることにより、さらに密
着性が良好で、かつ十分に機能が付与された薄膜を得る
ことができる。
与することにより、第２の薄膜層の表面において付与さ
れる機能をより高めることができる。例えば、窒化炭素
薄膜及びケイ化炭素薄膜の場合、第２の薄膜層表面での
摩擦係数を表面に近づくに連れて低くすることができ
る。このような濃度勾配を設けることにより、さらに密
着性が良好で、かつ十分に機能が付与された薄膜を得る
ことができる。
【００１９】第２の局面においては、上述のように、基
板に高周波電力を印加することにより、基板に負のバイ
アス電圧が発生する。このような負のバイアス電圧が発
生すると、一般に正のイオンが基板に引きつけられ、優
先的に薄膜内に導入される。従って、第２の局面におい
て、第２の薄膜層形成の際に正のイオンを基板に照射す
ると、該イオンの薄膜内への取り込みが優先される。
板に高周波電力を印加することにより、基板に負のバイ
アス電圧が発生する。このような負のバイアス電圧が発
生すると、一般に正のイオンが基板に引きつけられ、優
先的に薄膜内に導入される。従って、第２の局面におい
て、第２の薄膜層形成の際に正のイオンを基板に照射す
ると、該イオンの薄膜内への取り込みが優先される。
【００２０】また、第２の局面においては、第１の薄膜
層を形成させる際にも、基板に高周波電力を印加して基
板にバイアス電圧を発生させ、この状態で第１の薄膜層
を形成してもよい。
層を形成させる際にも、基板に高周波電力を印加して基
板にバイアス電圧を発生させ、この状態で第１の薄膜層
を形成してもよい。
【００２１】本発明の第３の局面に従う薄膜形成方法
は、プラズマを利用したＣＶＤ法により基板上に薄膜を
形成する方法であり、原料ガスをプラズマ中で分解する
ことにより基板上に第１の薄膜層を形成する工程と、該
原料ガスと、該原料ガスの主成分元素と異なる元素を含
む第２の原料ガスとをプラズマ中で分解することによ
り、第１の薄膜層の上に第２の薄膜層を形成する工程と
を備えている。
は、プラズマを利用したＣＶＤ法により基板上に薄膜を
形成する方法であり、原料ガスをプラズマ中で分解する
ことにより基板上に第１の薄膜層を形成する工程と、該
原料ガスと、該原料ガスの主成分元素と異なる元素を含
む第２の原料ガスとをプラズマ中で分解することによ
り、第１の薄膜層の上に第２の薄膜層を形成する工程と
を備えている。
【００２２】第３の局面においては、原料ガスと、第２
の原料ガスとをプラズマ中で分解することにより、第１
の薄膜層の薄膜成分と異なる元素を含有した第２の薄膜
層を形成することができる。従って、例えば、第１の薄
膜層として炭素系薄膜を形成し、第２の薄膜層として窒
化炭素薄膜やケイ化炭素薄膜などのように炭素と異なる
元素を含有した薄膜を形成することができる。この場
合、第２の原料ガスとして、窒素もしくはシリコンを含
む原料ガスを用いる。
の原料ガスとをプラズマ中で分解することにより、第１
の薄膜層の薄膜成分と異なる元素を含有した第２の薄膜
層を形成することができる。従って、例えば、第１の薄
膜層として炭素系薄膜を形成し、第２の薄膜層として窒
化炭素薄膜やケイ化炭素薄膜などのように炭素と異なる
元素を含有した薄膜を形成することができる。この場
合、第２の原料ガスとして、窒素もしくはシリコンを含
む原料ガスを用いる。
【００２３】第３の局面においては、第２の原料ガスの
量を成膜時間とともに変化させてもよい。このように第
２の原料ガスの量を成膜時間とともに変化させることに
より、膜厚方向に第２の原料ガス中の元素の濃度分布を
変化させることができる。例えば、第２の原料ガスを成
膜時間とともに増加させることにより、第２の薄膜層の
表面に近づくに連れて第２の原料ガス中の元素の濃度が
高くなる濃度勾配を第２の薄膜層に付与することができ
る。
量を成膜時間とともに変化させてもよい。このように第
２の原料ガスの量を成膜時間とともに変化させることに
より、膜厚方向に第２の原料ガス中の元素の濃度分布を
変化させることができる。例えば、第２の原料ガスを成
膜時間とともに増加させることにより、第２の薄膜層の
表面に近づくに連れて第２の原料ガス中の元素の濃度が
高くなる濃度勾配を第２の薄膜層に付与することができ
る。
【００２４】本発明の薄膜は、上記本発明の第１の局
面、第２の局面、及び第３の局面に従う薄膜形成方法に
より製造することができる薄膜である。すなわち、本発
明の薄膜は、硬質炭素薄膜からなる第１の薄膜層と、第
１の薄膜層の薄膜成分に窒素またはシリコンを含有させ
た、第１の薄膜層の上に形成される第２の薄膜層とを備
えることを特徴とする薄膜である。
面、第２の局面、及び第３の局面に従う薄膜形成方法に
より製造することができる薄膜である。すなわち、本発
明の薄膜は、硬質炭素薄膜からなる第１の薄膜層と、第
１の薄膜層の薄膜成分に窒素またはシリコンを含有させ
た、第１の薄膜層の上に形成される第２の薄膜層とを備
えることを特徴とする薄膜である。
【００２５】上記本発明の第１の局面、第２の局面、及
び第３の局面において、第１の薄膜層として、硬質炭素
薄膜を形成し、第２の薄膜層として、窒素またはシリコ
ンを含有させた炭素系薄膜を形成することにより、本発
明の薄膜を形成することができる。
び第３の局面において、第１の薄膜層として、硬質炭素
薄膜を形成し、第２の薄膜層として、窒素またはシリコ
ンを含有させた炭素系薄膜を形成することにより、本発
明の薄膜を形成することができる。
【００２６】本発明の薄膜を形成する際には、原料ガス
として、メタンガスなどのような炭素を含む原料ガスを
用いる。また、第１の局面及び第２の局面においては、
基板に照射するイオンまたはラジカルとして、窒素もし
くはシリコンのイオンまたはラジカルを照射する。ま
た、第３の局面においては、窒素もしくはシリコンを含
む第２の原料ガスを用いる。
として、メタンガスなどのような炭素を含む原料ガスを
用いる。また、第１の局面及び第２の局面においては、
基板に照射するイオンまたはラジカルとして、窒素もし
くはシリコンのイオンまたはラジカルを照射する。ま
た、第３の局面においては、窒素もしくはシリコンを含
む第２の原料ガスを用いる。
【００２７】本発明において、第１の薄膜層となる硬質
炭素薄膜は、結晶性のダイヤモンド薄膜であってもよい
し、非晶質のダイヤモンド状炭素薄膜であってもよい。
また、結晶構造を部分的に含むダイヤモンド状炭素薄膜
であってもよい。
炭素薄膜は、結晶性のダイヤモンド薄膜であってもよい
し、非晶質のダイヤモンド状炭素薄膜であってもよい。
また、結晶構造を部分的に含むダイヤモンド状炭素薄膜
であってもよい。
【００２８】本発明の薄膜において、第１の薄膜層及び
第２の薄膜層の膜厚は特に限定されるものではないが、
例えば、第１の薄膜層の膜厚としては、２０Å〜３００
０Åの膜厚、第２の薄膜層としては、３０Å〜４μｍ
（４００００Å）の膜厚を一般的な膜厚として挙げるこ
とができる。
第２の薄膜層の膜厚は特に限定されるものではないが、
例えば、第１の薄膜層の膜厚としては、２０Å〜３００
０Åの膜厚、第２の薄膜層としては、３０Å〜４μｍ
（４００００Å）の膜厚を一般的な膜厚として挙げるこ
とができる。
【００２９】また、第２の薄膜層における窒素またはシ
リコンの含有量は、５〜４０原子％程度が好ましい。ま
た、第２の薄膜層における窒素またはシリコンの濃度
は、膜厚方向に変化していてもよい。また、好ましい実
施形態においては、第２の薄膜層の表面に向かって膜厚
方向に窒素またはシリコンの濃度が高くなるような濃度
勾配を有している。
リコンの含有量は、５〜４０原子％程度が好ましい。ま
た、第２の薄膜層における窒素またはシリコンの濃度
は、膜厚方向に変化していてもよい。また、好ましい実
施形態においては、第２の薄膜層の表面に向かって膜厚
方向に窒素またはシリコンの濃度が高くなるような濃度
勾配を有している。
【００３０】また、本発明の第１の局面〜第３の局面に
従う形成方法により形成される薄膜、及び本発明に従う
薄膜においては、基板と第１の薄膜層の間に中間層を有
していてもよい。このような中間層としては、例えば、
Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｇｅ等の単体及び
これらの酸化物、窒化物、炭化物等が挙げられる。この
ような中間層は、一般的な薄膜形成方法により形成する
ことができ、例えば、マグネトロンＲＦスパッタリング
法により形成することができる。このようなスパッタリ
ング法では、上記単体をターゲットとして用い、例えば
アルゴンプラズマ中のイオンでスパッタリングし、膜形
成を行うことができる。このようなスパッタリングと同
時にチャンバー内に酸素または窒素ガスを導入すること
により、それらの単体の酸化物及び窒化物を中間層とし
て形成することができる。また、炭化物は、スパッタリ
ングと同時にチャンバー内に炭素を含むガス、例えばＣ
Ｈ 4 を導入することにより形成することができる。
従う形成方法により形成される薄膜、及び本発明に従う
薄膜においては、基板と第１の薄膜層の間に中間層を有
していてもよい。このような中間層としては、例えば、
Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｇｅ等の単体及び
これらの酸化物、窒化物、炭化物等が挙げられる。この
ような中間層は、一般的な薄膜形成方法により形成する
ことができ、例えば、マグネトロンＲＦスパッタリング
法により形成することができる。このようなスパッタリ
ング法では、上記単体をターゲットとして用い、例えば
アルゴンプラズマ中のイオンでスパッタリングし、膜形
成を行うことができる。このようなスパッタリングと同
時にチャンバー内に酸素または窒素ガスを導入すること
により、それらの単体の酸化物及び窒化物を中間層とし
て形成することができる。また、炭化物は、スパッタリ
ングと同時にチャンバー内に炭素を含むガス、例えばＣ
Ｈ 4 を導入することにより形成することができる。
【００３１】上記中間層の膜厚としては、例えば２０Å
〜３０００Å程度の膜厚を挙げることができる。
〜３０００Å程度の膜厚を挙げることができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】第１の局面に従うＥＣＲプラズマＣＶＤ装置 図１は、本発明の第１の局面に従うＥＣＲプラズマＣＶ
Ｄ装置を示す概略断面図である。図１を参照して、真空
チャンバー８には、プラズマ発生室４が設けられてい
る。プラズマ発生室４には、導波管２の一端が取り付け
られており、導波管２の他端には、マイクロ波供給手段
１が設けられている。マイクロ波供給手段１で発生した
マイクロ波は、導波管２及びマイクロ波導入窓３を通っ
て、プラズマ発生室４に導かれる。プラズマ発生室４に
は、プラズマ発生室４内にアルゴン（Ａｒ）ガスなどの
放電ガスを導入させるためのガス導入管５が設けられて
いる。また、真空チャンバー８には、メタン（ＣＨ4 ）
などの原料ガスを導入させるためのガス導入管１２が設
けられている。マイクロ波による高周波磁界と、プラズ
マ磁界発生装置６からの磁界を作用させることにより、
プラズマ発生室４内に高密度のＥＣＲプラズマが形成さ
れる。真空チャンバー８内には、基板ホルダー７が設け
られており、基板ホルダー７の上に基板９が載せられて
いる。基板９に向かってイオンビームを照射できる位置
に、イオンガン１０が設けられている。このイオンガン
１０には、イオンの原料ガスを導入するためのガス導入
管１１が設けられている。
Ｄ装置を示す概略断面図である。図１を参照して、真空
チャンバー８には、プラズマ発生室４が設けられてい
る。プラズマ発生室４には、導波管２の一端が取り付け
られており、導波管２の他端には、マイクロ波供給手段
１が設けられている。マイクロ波供給手段１で発生した
マイクロ波は、導波管２及びマイクロ波導入窓３を通っ
て、プラズマ発生室４に導かれる。プラズマ発生室４に
は、プラズマ発生室４内にアルゴン（Ａｒ）ガスなどの
放電ガスを導入させるためのガス導入管５が設けられて
いる。また、真空チャンバー８には、メタン（ＣＨ4 ）
などの原料ガスを導入させるためのガス導入管１２が設
けられている。マイクロ波による高周波磁界と、プラズ
マ磁界発生装置６からの磁界を作用させることにより、
プラズマ発生室４内に高密度のＥＣＲプラズマが形成さ
れる。真空チャンバー８内には、基板ホルダー７が設け
られており、基板ホルダー７の上に基板９が載せられて
いる。基板９に向かってイオンビームを照射できる位置
に、イオンガン１０が設けられている。このイオンガン
１０には、イオンの原料ガスを導入するためのガス導入
管１１が設けられている。
【００３３】実施例１ 図１に示す装置を用い、本発明の第１の局面に従い、第
１の薄膜層としてダイヤモンド状炭素薄膜を形成し、そ
の上に第２の薄膜層として窒化炭素薄膜を形成する実施
例について説明する。
１の薄膜層としてダイヤモンド状炭素薄膜を形成し、そ
の上に第２の薄膜層として窒化炭素薄膜を形成する実施
例について説明する。
【００３４】まず、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によりダイ
ヤモンド状炭素薄膜を形成する。真空チャンバー８内
を、１０-5〜１０-7Ｔｏｒｒに排気し、次に、プラズマ
発生室４内にＡｒガスを２．５×１０-4Ｔｏｒｒとなる
ように供給して、プラズマ発生室４内にＡｒプラズマを
発生させる。真空チャンバー８には、原料ガスとしての
ＣＨ4 ガスを３．０×１０-4Ｔｏｒｒとなるように供給
し、これをＡｒプラズマによって分解し、基板９上にダ
イヤモンド状炭素薄膜を形成した。基板９としては、Ｓ
ｉ製の基板を用いた。成膜速度は８００Å／分であり、
膜厚は１２００Åであった。
ヤモンド状炭素薄膜を形成する。真空チャンバー８内
を、１０-5〜１０-7Ｔｏｒｒに排気し、次に、プラズマ
発生室４内にＡｒガスを２．５×１０-4Ｔｏｒｒとなる
ように供給して、プラズマ発生室４内にＡｒプラズマを
発生させる。真空チャンバー８には、原料ガスとしての
ＣＨ4 ガスを３．０×１０-4Ｔｏｒｒとなるように供給
し、これをＡｒプラズマによって分解し、基板９上にダ
イヤモンド状炭素薄膜を形成した。基板９としては、Ｓ
ｉ製の基板を用いた。成膜速度は８００Å／分であり、
膜厚は１２００Åであった。
【００３５】次に、イオンガン１０に、ガス導入管１１
から窒素ガスを２×１０-4Ｔｏｒｒとなるように導入
し、上記ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によるダイヤモンド状
炭素薄膜の形成と同時に、基板９上に窒素イオンを照射
する。なお、この窒素イオン照射の際のイオンエネルギ
ーと、イオン電流密度を、図２に示すように、成膜時間
とともに変化させた。すなわち、イオンエネルギーは、
第２の薄膜層の成膜時間の経過とともに２ｋｅＶから０
ｋｅＶに低下するように変化させ、イオン電流密度は、
第２の薄膜層の成膜時間の経過とともに、０から０．５
ｍＡ／ｃｍ2 に増加するように変化させた。このように
して第２の薄膜層の形成を０．５分間行い、第２の薄膜
層を４００Åの膜厚に形成し、第１の薄膜層との合計で
１６００Åの薄膜を形成した。
から窒素ガスを２×１０-4Ｔｏｒｒとなるように導入
し、上記ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によるダイヤモンド状
炭素薄膜の形成と同時に、基板９上に窒素イオンを照射
する。なお、この窒素イオン照射の際のイオンエネルギ
ーと、イオン電流密度を、図２に示すように、成膜時間
とともに変化させた。すなわち、イオンエネルギーは、
第２の薄膜層の成膜時間の経過とともに２ｋｅＶから０
ｋｅＶに低下するように変化させ、イオン電流密度は、
第２の薄膜層の成膜時間の経過とともに、０から０．５
ｍＡ／ｃｍ2 に増加するように変化させた。このように
して第２の薄膜層の形成を０．５分間行い、第２の薄膜
層を４００Åの膜厚に形成し、第１の薄膜層との合計で
１６００Åの薄膜を形成した。
【００３６】図３は、以上のようにして得られた薄膜を
示す断面図である。図３に示すように、基板９の上に、
ダイヤモンド状炭素薄膜からなる第１の薄膜層２１が形
成されており、第１の薄膜層２１の上に、窒化炭素（Ｃ
Ｎ）薄膜からなる第２の薄膜層２２が形成されている。
示す断面図である。図３に示すように、基板９の上に、
ダイヤモンド状炭素薄膜からなる第１の薄膜層２１が形
成されており、第１の薄膜層２１の上に、窒化炭素（Ｃ
Ｎ）薄膜からなる第２の薄膜層２２が形成されている。
【００３７】図４は、第２の薄膜層２２を、２次イオン
質量分析（ＳＩＭＳ）により評価した結果を示す図であ
る。図４に示すように、第２の薄膜層において、内部か
ら表面に向かって窒素の含有量が徐々に増加しており、
窒素の濃度勾配を有していることがわかる。
質量分析（ＳＩＭＳ）により評価した結果を示す図であ
る。図４に示すように、第２の薄膜層において、内部か
ら表面に向かって窒素の含有量が徐々に増加しており、
窒素の濃度勾配を有していることがわかる。
【００３８】次に、得られたサンプルについて、密着性
を評価するため、ビッカース圧子による押し込み試験
（荷重：２ｋｇ）を行った。試験個数を５０個とし、基
板から薄膜が剥離した剥離個数を数えて評価した。比較
例１−１として、ガス導入管１２からＣＨ4 ガスと同時
にＮ2 ガスを４×１０-4Ｔｏｒｒ導入し、ＥＣＲプラズ
マＣＶＤ法のみで、膜厚１６００Åの窒化炭素薄膜を基
板上に形成し、これについてもビッカース圧子押し込み
試験を行い、その密着性を評価した。
を評価するため、ビッカース圧子による押し込み試験
（荷重：２ｋｇ）を行った。試験個数を５０個とし、基
板から薄膜が剥離した剥離個数を数えて評価した。比較
例１−１として、ガス導入管１２からＣＨ4 ガスと同時
にＮ2 ガスを４×１０-4Ｔｏｒｒ導入し、ＥＣＲプラズ
マＣＶＤ法のみで、膜厚１６００Åの窒化炭素薄膜を基
板上に形成し、これについてもビッカース圧子押し込み
試験を行い、その密着性を評価した。
【００３９】この結果、実施例１では、剥離個数が０個
であったのに対し、比較例１−１においては剥離個数が
４０個であった。従って、本発明に従い、第１の薄膜層
であるダイヤモンド状炭素薄膜の上に、第２の薄膜層で
ある窒化炭素薄膜を形成することにより、基板に対する
密着性が良好になることがわかる。
であったのに対し、比較例１−１においては剥離個数が
４０個であった。従って、本発明に従い、第１の薄膜層
であるダイヤモンド状炭素薄膜の上に、第２の薄膜層で
ある窒化炭素薄膜を形成することにより、基板に対する
密着性が良好になることがわかる。
【００４０】次に、実施例１の薄膜について硬度の測定
を行った。また上記比較例１−１の薄膜についても硬度
の測定を行うとともに、比較例１−２として、上記第１
の薄膜層の形成方法のみで、すなわちダイヤモンド状炭
素薄膜のみの薄膜を膜厚１６００Åとなるように形成
し、これについても同様に硬度を測定した。
を行った。また上記比較例１−１の薄膜についても硬度
の測定を行うとともに、比較例１−２として、上記第１
の薄膜層の形成方法のみで、すなわちダイヤモンド状炭
素薄膜のみの薄膜を膜厚１６００Åとなるように形成
し、これについても同様に硬度を測定した。
【００４１】この結果、比較例１−１の薄膜、すなわち
非晶質の窒化炭素薄膜の硬度は２５００Ｈｖ程度であっ
たのに対し、実施例１の薄膜の硬度は、３４００Ｈｖで
あった。また、比較例１−２の硬度も同様に３５００Ｈ
ｖであった。これらの結果から、本発明に従い、第１の
薄膜層としてダイヤモンド状炭素薄膜を形成し、この上
に第２の薄膜層として窒化炭素薄膜を形成することによ
り、全体としてはダイヤモンド状炭素薄膜とほぼ同等の
硬度を有する薄膜を形成できることがわかる。
非晶質の窒化炭素薄膜の硬度は２５００Ｈｖ程度であっ
たのに対し、実施例１の薄膜の硬度は、３４００Ｈｖで
あった。また、比較例１−２の硬度も同様に３５００Ｈ
ｖであった。これらの結果から、本発明に従い、第１の
薄膜層としてダイヤモンド状炭素薄膜を形成し、この上
に第２の薄膜層として窒化炭素薄膜を形成することによ
り、全体としてはダイヤモンド状炭素薄膜とほぼ同等の
硬度を有する薄膜を形成できることがわかる。
【００４２】次に、実施例１及び比較例１−２の薄膜に
ついて、摩擦係数を測定した。表面がダイヤモンド状炭
素薄膜である比較例１−２の薄膜の摩擦係数は、０．１
８であったのに対し、実施例１の摩擦係数は０．１３で
あり、かなり低くなることがわかった。
ついて、摩擦係数を測定した。表面がダイヤモンド状炭
素薄膜である比較例１−２の薄膜の摩擦係数は、０．１
８であったのに対し、実施例１の摩擦係数は０．１３で
あり、かなり低くなることがわかった。
【００４３】第２の局面に従うＥＣＲプラズマＣＶＤ装
置 図５は、本発明の第２の局面に従うＥＣＲプラズマＣＶ
Ｄ装置を示す概略断面図である。本装置においては、基
板ホルダー７に高周波電力を印加するための高周波電源
１３が接続されている。高周波電源１３を基板ホルダー
７に接続する以外は、図１に示す装置と同様であるの
で、その説明を照射する。
置 図５は、本発明の第２の局面に従うＥＣＲプラズマＣＶ
Ｄ装置を示す概略断面図である。本装置においては、基
板ホルダー７に高周波電力を印加するための高周波電源
１３が接続されている。高周波電源１３を基板ホルダー
７に接続する以外は、図１に示す装置と同様であるの
で、その説明を照射する。
【００４４】実施例２ 図５に示すＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を用いて、第１の
薄膜層としてダイヤモンド状炭素薄膜を形成し、その上
に第２の薄膜層として窒化炭素薄膜を形成する実施例に
ついて説明する。
薄膜層としてダイヤモンド状炭素薄膜を形成し、その上
に第２の薄膜層として窒化炭素薄膜を形成する実施例に
ついて説明する。
【００４５】まず、真空チャンバー８内を１０-5〜１０
-7Ｔｏｒｒに排気する。次に、プラズマ発生室４内にＡ
ｒガスを２．５×１０-4Ｔｏｒｒとなるように供給し、
プラズマ発生室４内にＡｒプラズマを発生させる。真空
チャンバー８内には、原料ガスとしてのＣＨ4 ガスを
３．０×１０-4Ｔｏｒｒとなるように供給し、これをＡ
ｒプラズマで分解することにより、基板９の上に、ダイ
ヤモンド状炭素薄膜を形成した。第１の薄膜層を形成す
る１．５分間の間は、基板バイアス電圧が−５０Ｖとな
るように、高周波電源１３から、１３．５６ＭＨｚの高
周波電力を印加した。成膜速度は８００Å／分であり、
第１の薄膜層の膜厚は１２００Åであった。
-7Ｔｏｒｒに排気する。次に、プラズマ発生室４内にＡ
ｒガスを２．５×１０-4Ｔｏｒｒとなるように供給し、
プラズマ発生室４内にＡｒプラズマを発生させる。真空
チャンバー８内には、原料ガスとしてのＣＨ4 ガスを
３．０×１０-4Ｔｏｒｒとなるように供給し、これをＡ
ｒプラズマで分解することにより、基板９の上に、ダイ
ヤモンド状炭素薄膜を形成した。第１の薄膜層を形成す
る１．５分間の間は、基板バイアス電圧が−５０Ｖとな
るように、高周波電源１３から、１３．５６ＭＨｚの高
周波電力を印加した。成膜速度は８００Å／分であり、
第１の薄膜層の膜厚は１２００Åであった。
【００４６】次に、イオンガン１０に、ガス導入管１１
から、窒素ガスを２．５×１０-4Ｔｏｒｒとなるように
導入し、上記ダイヤモンド状炭素薄膜の形成と同時に、
基板９上に窒素イオンを照射する。第２の薄膜層の形成
を０．５分間行い、膜厚４００Åの第２の薄膜層として
の窒化炭素薄膜を形成し、第１の薄膜層と合わせて合計
１６００Åの薄膜を形成した。なお、図６に示すよう
に、第２の薄膜層の形成の間、イオンエネルギーを１ｋ
ｅＶから０ｋｅＶに低下させ、イオン電流密度を０から
０．５ｍＡ／ｃｍ2 まで増加させた。また、これととも
に、図７に示すように、基板に発生する基板バイアス電
圧を、−１ｋＶから０ｋＶに低下させた。これによっ
て、実施例１と同様に表面に向かって窒素濃度が高くな
る濃度勾配を有する第２の薄膜層を形成した。
から、窒素ガスを２．５×１０-4Ｔｏｒｒとなるように
導入し、上記ダイヤモンド状炭素薄膜の形成と同時に、
基板９上に窒素イオンを照射する。第２の薄膜層の形成
を０．５分間行い、膜厚４００Åの第２の薄膜層として
の窒化炭素薄膜を形成し、第１の薄膜層と合わせて合計
１６００Åの薄膜を形成した。なお、図６に示すよう
に、第２の薄膜層の形成の間、イオンエネルギーを１ｋ
ｅＶから０ｋｅＶに低下させ、イオン電流密度を０から
０．５ｍＡ／ｃｍ2 まで増加させた。また、これととも
に、図７に示すように、基板に発生する基板バイアス電
圧を、−１ｋＶから０ｋＶに低下させた。これによっ
て、実施例１と同様に表面に向かって窒素濃度が高くな
る濃度勾配を有する第２の薄膜層を形成した。
【００４７】次に、得られたサンプルについて、密着性
を評価するため、ビッカース圧子による押し込み試験
（荷重：２ｋｇ）を行った。試験個数を５０個とし、基
板から薄膜が剥離した剥離個数を数えて評価した。比較
例２−１として、ガス導入管１２からＣＨ4 ガスと同時
にＮ2 ガスを４×１０-4Ｔｏｒｒ導入し、ＥＣＲプラズ
マＣＶＤ法のみで、膜厚１６００Åの窒化炭素薄膜を基
板上に形成し、これについてもビッカース圧子押し込み
試験を行い、その密着性を評価した。
を評価するため、ビッカース圧子による押し込み試験
（荷重：２ｋｇ）を行った。試験個数を５０個とし、基
板から薄膜が剥離した剥離個数を数えて評価した。比較
例２−１として、ガス導入管１２からＣＨ4 ガスと同時
にＮ2 ガスを４×１０-4Ｔｏｒｒ導入し、ＥＣＲプラズ
マＣＶＤ法のみで、膜厚１６００Åの窒化炭素薄膜を基
板上に形成し、これについてもビッカース圧子押し込み
試験を行い、その密着性を評価した。
【００４８】この結果、実施例２では、剥離個数が０個
であったのに対し、比較例２−１においては剥離個数が
４０個であった。従って、本発明に従い、第１の薄膜層
であるダイヤモンド状炭素薄膜の上に、第２の薄膜層で
ある窒化炭素薄膜を形成することにより、基板に対する
密着性が良好になることがわかる。
であったのに対し、比較例２−１においては剥離個数が
４０個であった。従って、本発明に従い、第１の薄膜層
であるダイヤモンド状炭素薄膜の上に、第２の薄膜層で
ある窒化炭素薄膜を形成することにより、基板に対する
密着性が良好になることがわかる。
【００４９】次に、実施例２の薄膜について硬度の測定
を行った。また上記比較例２−１の薄膜についても硬度
の測定を行うとともに、比較例２−２として、上記第１
の薄膜層の形成方法のみで、すなわちダイヤモンド状炭
素薄膜のみの薄膜を膜厚１６００Åとなるように形成
し、これについても同様に硬度を測定した。
を行った。また上記比較例２−１の薄膜についても硬度
の測定を行うとともに、比較例２−２として、上記第１
の薄膜層の形成方法のみで、すなわちダイヤモンド状炭
素薄膜のみの薄膜を膜厚１６００Åとなるように形成
し、これについても同様に硬度を測定した。
【００５０】この結果、比較例２−１の薄膜、すなわち
非晶質の窒化炭素薄膜の硬度は２５００Ｈｖ程度であっ
たのに対し、実施例２の薄膜の硬度は、３４００Ｈｖで
あった。また、比較例２−２の硬度は、３５００Ｈｖで
あった。これらの結果から、本発明に従い、第１の薄膜
層としてダイヤモンド状炭素薄膜を形成し、この上に第
２の薄膜層として窒化炭素薄膜を形成することにより、
ほぼ同等の硬度を有する薄膜を形成できることがわか
る。
非晶質の窒化炭素薄膜の硬度は２５００Ｈｖ程度であっ
たのに対し、実施例２の薄膜の硬度は、３４００Ｈｖで
あった。また、比較例２−２の硬度は、３５００Ｈｖで
あった。これらの結果から、本発明に従い、第１の薄膜
層としてダイヤモンド状炭素薄膜を形成し、この上に第
２の薄膜層として窒化炭素薄膜を形成することにより、
ほぼ同等の硬度を有する薄膜を形成できることがわか
る。
【００５１】次に、実施例２及び比較例２−２の薄膜に
ついて、摩擦係数を測定した。表面がダイヤモンド状炭
素薄膜である比較例２−２の薄膜の摩擦係数は、０．１
８であったのに対し、実施例２の摩擦係数は０．１３で
あり、かなり低くなることがわかった。
ついて、摩擦係数を測定した。表面がダイヤモンド状炭
素薄膜である比較例２−２の薄膜の摩擦係数は、０．１
８であったのに対し、実施例２の摩擦係数は０．１３で
あり、かなり低くなることがわかった。
【００５２】実施例３ 図５に示すＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を用い、本発明の
第３の局面に従い、第１の薄膜層としてダイヤモンド状
炭素薄膜を形成し、その上に第２の薄膜層として窒化炭
素薄膜を形成する実施例について説明する。なお、本実
施例では、図５の装置におけるイオンガン１０を使用し
ない。
第３の局面に従い、第１の薄膜層としてダイヤモンド状
炭素薄膜を形成し、その上に第２の薄膜層として窒化炭
素薄膜を形成する実施例について説明する。なお、本実
施例では、図５の装置におけるイオンガン１０を使用し
ない。
【００５３】まず、真空チャンバー８内を１０-5〜１０
-7Ｔｏｒｒに排気する。次に、プラズマ発生室４内にＡ
ｒガスを２．５×１０-4Ｔｏｒｒとなるように供給し、
プラズマ発生室４内にＡｒのプラズマを発生させる。真
空チャンバー８内には、原料ガスとしてのＣＨ4 ガスを
３．０×１０-4Ｔｏｒｒとなるように供給し、これをＡ
ｒプラズマにより分解することにより、基板９の上にダ
イヤモンド状炭素薄膜を形成する。第１の薄膜層を形成
する１．５分間の間、基板バイアス電圧が−５０Ｖとな
るように、高周波電源１３から高周波電力を基板ホルダ
ー７に印加した。以上のようして、第１の薄膜層を成膜
速度８００Å／分で形成し、膜厚１２００Åの第１の薄
膜層を形成した。
-7Ｔｏｒｒに排気する。次に、プラズマ発生室４内にＡ
ｒガスを２．５×１０-4Ｔｏｒｒとなるように供給し、
プラズマ発生室４内にＡｒのプラズマを発生させる。真
空チャンバー８内には、原料ガスとしてのＣＨ4 ガスを
３．０×１０-4Ｔｏｒｒとなるように供給し、これをＡ
ｒプラズマにより分解することにより、基板９の上にダ
イヤモンド状炭素薄膜を形成する。第１の薄膜層を形成
する１．５分間の間、基板バイアス電圧が−５０Ｖとな
るように、高周波電源１３から高周波電力を基板ホルダ
ー７に印加した。以上のようして、第１の薄膜層を成膜
速度８００Å／分で形成し、膜厚１２００Åの第１の薄
膜層を形成した。
【００５４】次に、ガス導入管１２から、原料ガスであ
るＣＨ4 ガスと共に、第２の原料ガスとしてのＮ2 ガス
を導入し、ＣＨ4 ガスとＮ2 ガスの混合ガスを用いて、
ＥＣＲプラズマＣＶＤ法により、上記第１の薄膜層の上
に、第２の薄膜層として窒化炭素薄膜を形成した。第２
の薄膜層を０．５分間形成することにより、４００Åの
窒化炭素薄膜を形成し、第１の薄膜層と合計して１６０
０Åの薄膜とした。なお、第２の薄膜層形成の間、図８
に示すように、第２の原料ガスとしての窒素ガスの量
を、０から４×１０-4Ｔｏｒｒとなるように徐々に増加
させた。
るＣＨ4 ガスと共に、第２の原料ガスとしてのＮ2 ガス
を導入し、ＣＨ4 ガスとＮ2 ガスの混合ガスを用いて、
ＥＣＲプラズマＣＶＤ法により、上記第１の薄膜層の上
に、第２の薄膜層として窒化炭素薄膜を形成した。第２
の薄膜層を０．５分間形成することにより、４００Åの
窒化炭素薄膜を形成し、第１の薄膜層と合計して１６０
０Åの薄膜とした。なお、第２の薄膜層形成の間、図８
に示すように、第２の原料ガスとしての窒素ガスの量
を、０から４×１０-4Ｔｏｒｒとなるように徐々に増加
させた。
【００５５】以上の結果、実施例１及び実施例２と同様
に、表面に向かって窒素濃度が高くなる濃度勾配を有す
る第２の薄膜層を形成した。次に、得られたサンプルに
ついて、密着性を評価するため、ビッカース圧子による
押し込み試験（荷重：２ｋｇ）を行った。試験個数を５
０個とし、基板から薄膜が剥離した剥離個数を数えて評
価した。比較例３−１として、ガス導入管１２からＣＨ
4 ガスと同時にＮ2 ガスを４×１０-4Ｔｏｒｒ導入し、
ＥＣＲプラズマＣＶＤ法のみで、膜厚１６００Åの窒化
炭素薄膜を基板上に形成し、これについてもビッカース
圧子押し込み試験を行い、その密着性を評価した。
に、表面に向かって窒素濃度が高くなる濃度勾配を有す
る第２の薄膜層を形成した。次に、得られたサンプルに
ついて、密着性を評価するため、ビッカース圧子による
押し込み試験（荷重：２ｋｇ）を行った。試験個数を５
０個とし、基板から薄膜が剥離した剥離個数を数えて評
価した。比較例３−１として、ガス導入管１２からＣＨ
4 ガスと同時にＮ2 ガスを４×１０-4Ｔｏｒｒ導入し、
ＥＣＲプラズマＣＶＤ法のみで、膜厚１６００Åの窒化
炭素薄膜を基板上に形成し、これについてもビッカース
圧子押し込み試験を行い、その密着性を評価した。
【００５６】この結果、実施例３では、剥離個数が０個
であったのに対し、比較例３−１においては剥離個数が
４０個であった。従って、本発明に従い、第１の薄膜層
であるダイヤモンド状炭素薄膜の上に、第２の薄膜層で
ある窒化炭素薄膜を形成することにより、基板に対する
密着性が良好になることがわかる。
であったのに対し、比較例３−１においては剥離個数が
４０個であった。従って、本発明に従い、第１の薄膜層
であるダイヤモンド状炭素薄膜の上に、第２の薄膜層で
ある窒化炭素薄膜を形成することにより、基板に対する
密着性が良好になることがわかる。
【００５７】次に、実施例３の薄膜について硬度の測定
を行った。また上記比較例３−１の薄膜についても硬度
の測定を行うとともに、比較例３−２として、上記第１
の薄膜層の形成方法のみで、すなわちダイヤモンド状炭
素薄膜のみの薄膜を膜厚１６００Åとなるように形成
し、これについても同様に硬度を測定した。
を行った。また上記比較例３−１の薄膜についても硬度
の測定を行うとともに、比較例３−２として、上記第１
の薄膜層の形成方法のみで、すなわちダイヤモンド状炭
素薄膜のみの薄膜を膜厚１６００Åとなるように形成
し、これについても同様に硬度を測定した。
【００５８】この結果、比較例３−１の薄膜、すなわち
非晶質の窒化炭素薄膜の硬度は２０００Ｈｖ程度であっ
たのに対し、実施例３の薄膜の硬度は、３２００Ｈｖで
あった。また、比較例３−２の硬度は、３５００Ｈｖで
あった。これらの結果から、本発明に従い、第１の薄膜
層としてダイヤモンド状炭素薄膜を形成し、この上に第
２の薄膜層として窒化炭素薄膜を形成することにより、
全体としてはダイヤモンド状炭素薄膜に近い硬度を有す
る薄膜を形成できることがわかる。
非晶質の窒化炭素薄膜の硬度は２０００Ｈｖ程度であっ
たのに対し、実施例３の薄膜の硬度は、３２００Ｈｖで
あった。また、比較例３−２の硬度は、３５００Ｈｖで
あった。これらの結果から、本発明に従い、第１の薄膜
層としてダイヤモンド状炭素薄膜を形成し、この上に第
２の薄膜層として窒化炭素薄膜を形成することにより、
全体としてはダイヤモンド状炭素薄膜に近い硬度を有す
る薄膜を形成できることがわかる。
【００５９】次に、実施例３及び比較例３−２の薄膜に
ついて、摩擦係数を測定した。表面がダイヤモンド状炭
素薄膜である比較例３−２の薄膜の摩擦係数は、０．１
８であったのに対し、実施例３の摩擦係数は０．１４で
あり、かなり低くなることがわかった。
ついて、摩擦係数を測定した。表面がダイヤモンド状炭
素薄膜である比較例３−２の薄膜の摩擦係数は、０．１
８であったのに対し、実施例３の摩擦係数は０．１４で
あり、かなり低くなることがわかった。
【００６０】実施例４ 図１に示す装置を用いて、本発明の第１の局面に従い、
第１の薄膜層としてダイヤモンド状薄膜を形成し、その
上に第２の薄膜層としてケイ化炭素薄膜を形成する実施
例について説明する。
第１の薄膜層としてダイヤモンド状薄膜を形成し、その
上に第２の薄膜層としてケイ化炭素薄膜を形成する実施
例について説明する。
【００６１】まず、実施例１と同様にして、第１の薄膜
層として、膜厚１２００Åのダイヤモンド状炭素薄膜を
形成した。次に、シランガスをガス導入管１１から２×
１０-4Ｔｏｒｒとなるように導入し、第２の薄膜層とし
て、ケイ化炭素薄膜を形成した。なお、図９に示すよう
に、イオンエネルギーを成膜時間とともに減少させ、電
流密度を成膜時間とともに増加させた。第２の薄膜層を
０．５分間形成することにより、４００Åのケイ化炭素
薄膜を形成し、第１の薄膜層と合計して１６００Åとし
た。
層として、膜厚１２００Åのダイヤモンド状炭素薄膜を
形成した。次に、シランガスをガス導入管１１から２×
１０-4Ｔｏｒｒとなるように導入し、第２の薄膜層とし
て、ケイ化炭素薄膜を形成した。なお、図９に示すよう
に、イオンエネルギーを成膜時間とともに減少させ、電
流密度を成膜時間とともに増加させた。第２の薄膜層を
０．５分間形成することにより、４００Åのケイ化炭素
薄膜を形成し、第１の薄膜層と合計して１６００Åとし
た。
【００６２】得られた薄膜における第２の薄膜層を、上
記実施例１と同様にして、ＳＩＭＳで分析したところ、
図１０に示すように、薄膜内部から表面に向かうに連れ
てＳｉの濃度が高くなる濃度勾配を有していることが確
認された。
記実施例１と同様にして、ＳＩＭＳで分析したところ、
図１０に示すように、薄膜内部から表面に向かうに連れ
てＳｉの濃度が高くなる濃度勾配を有していることが確
認された。
【００６３】次に、得られたサンプルについて、密着性
を評価するため、ビッカース圧子による押し込み試験
（荷重：２ｋｇ）を行った。試験個数を５０個とし、基
板から薄膜が剥離した剥離個数を数えて評価した。比較
例４−１として、ガス導入管からＣＨ4 ガスと同時にシ
ランガスを１．０×１０-4Ｔｏｒｒ導入し、ＥＣＲプラ
ズマＣＶＤ法のみで、膜厚１６００Åのケイ化炭素薄膜
を基板上に形成し、これについてもビッカース圧子押し
込み試験を行い、その密着性を評価した。
を評価するため、ビッカース圧子による押し込み試験
（荷重：２ｋｇ）を行った。試験個数を５０個とし、基
板から薄膜が剥離した剥離個数を数えて評価した。比較
例４−１として、ガス導入管からＣＨ4 ガスと同時にシ
ランガスを１．０×１０-4Ｔｏｒｒ導入し、ＥＣＲプラ
ズマＣＶＤ法のみで、膜厚１６００Åのケイ化炭素薄膜
を基板上に形成し、これについてもビッカース圧子押し
込み試験を行い、その密着性を評価した。
【００６４】この結果、実施例４では、剥離個数が０個
であったのに対し、比較例４−１においては剥離個数が
４０個であった。従って、本発明に従い、第１の薄膜層
であるダイヤモンド状炭素薄膜の上に、第２の薄膜層で
あるケイ化炭素薄膜を形成することにより、基板に対す
る密着性が良好になることがわかる。
であったのに対し、比較例４−１においては剥離個数が
４０個であった。従って、本発明に従い、第１の薄膜層
であるダイヤモンド状炭素薄膜の上に、第２の薄膜層で
あるケイ化炭素薄膜を形成することにより、基板に対す
る密着性が良好になることがわかる。
【００６５】次に、実施例４の薄膜について硬度の測定
を行った。また上記比較例４−１の薄膜についても硬度
の測定を行うとともに、比較例４−２として、上記第１
の薄膜層の形成方法のみで、すなわちダイヤモンド状炭
素薄膜のみの薄膜を膜厚１６００Åとなるように形成
し、これについても同様に硬度を測定した。
を行った。また上記比較例４−１の薄膜についても硬度
の測定を行うとともに、比較例４−２として、上記第１
の薄膜層の形成方法のみで、すなわちダイヤモンド状炭
素薄膜のみの薄膜を膜厚１６００Åとなるように形成
し、これについても同様に硬度を測定した。
【００６６】この結果、比較例４−１の薄膜、すなわち
非晶質のケイ化炭素薄膜の硬度は２４００Ｈｖ程度であ
ったのに対し、実施例４の薄膜の硬度は、３４００Ｈｖ
であった。また、比較例４−２の硬度は、３５００Ｈｖ
であった。これらの結果から、本発明に従い、第１の薄
膜層としてダイヤモンド状炭素薄膜を形成し、この上に
第２の薄膜層としてケイ化炭素薄膜を形成することによ
り、ほぼ同等の硬度を有する薄膜を形成できることがわ
かる。
非晶質のケイ化炭素薄膜の硬度は２４００Ｈｖ程度であ
ったのに対し、実施例４の薄膜の硬度は、３４００Ｈｖ
であった。また、比較例４−２の硬度は、３５００Ｈｖ
であった。これらの結果から、本発明に従い、第１の薄
膜層としてダイヤモンド状炭素薄膜を形成し、この上に
第２の薄膜層としてケイ化炭素薄膜を形成することによ
り、ほぼ同等の硬度を有する薄膜を形成できることがわ
かる。
【００６７】次に、実施例４及び比較例４−２の薄膜に
ついて、摩擦係数を測定した。表面がダイヤモンド状炭
素薄膜である比較例４−２の薄膜の摩擦係数は、０．１
８であったのに対し、実施例４の摩擦係数は０．１０で
あり、かなり低くなることがわかった。
ついて、摩擦係数を測定した。表面がダイヤモンド状炭
素薄膜である比較例４−２の薄膜の摩擦係数は、０．１
８であったのに対し、実施例４の摩擦係数は０．１０で
あり、かなり低くなることがわかった。
【００６８】以上のように、第１の薄膜層としてダイヤ
モンド状炭素被膜を形成し、この上に第２の薄膜層とし
て窒化炭素薄膜またはケイ化炭素薄膜を形成することに
より、基板に対する密着性に優れ、かつ薄膜の硬度が高
く、摩擦係数の小さな機能性を有する薄膜を形成するこ
とができる。
モンド状炭素被膜を形成し、この上に第２の薄膜層とし
て窒化炭素薄膜またはケイ化炭素薄膜を形成することに
より、基板に対する密着性に優れ、かつ薄膜の硬度が高
く、摩擦係数の小さな機能性を有する薄膜を形成するこ
とができる。
【００６９】上記実施例では、原料ガスとしてＣＨ4 ガ
スを用い、ダイヤモンド状炭素被膜を第１の薄膜層とし
て形成し、第２の薄膜層形成の際に、窒素イオン及びシ
リコンイオンを照射して窒化炭素またはケイ化炭素を形
成する実施例を示したが、第２の薄膜層形成の際に炭素
イオンを照射した場合にも、同様の効果が認められた。
すなわち、第２の薄膜層として、第１の薄膜層よりも硬
度の高いダイヤモンド状炭素薄膜を形成することができ
た。
スを用い、ダイヤモンド状炭素被膜を第１の薄膜層とし
て形成し、第２の薄膜層形成の際に、窒素イオン及びシ
リコンイオンを照射して窒化炭素またはケイ化炭素を形
成する実施例を示したが、第２の薄膜層形成の際に炭素
イオンを照射した場合にも、同様の効果が認められた。
すなわち、第２の薄膜層として、第１の薄膜層よりも硬
度の高いダイヤモンド状炭素薄膜を形成することができ
た。
【００７０】また、第２の薄膜層形成の際に、窒素と酸
素の混合イオンを照射することにより、第２の薄膜層と
して酸素を含む窒化炭素膜を形成した場合も、同様に硬
度が高く、かつ摩擦係数の低い薄膜を形成することがで
きた。
素の混合イオンを照射することにより、第２の薄膜層と
して酸素を含む窒化炭素膜を形成した場合も、同様に硬
度が高く、かつ摩擦係数の低い薄膜を形成することがで
きた。
【００７１】また、上記実施例では、第２の薄膜層形成
の際にイオンを照射する実施例について説明したが、イ
オンに代えてラジカルを照射しても、同様の効果を得る
ことができる。なお、ラジカルの照射は、例えばラジカ
ルガンを用いて行うことができる。
の際にイオンを照射する実施例について説明したが、イ
オンに代えてラジカルを照射しても、同様の効果を得る
ことができる。なお、ラジカルの照射は、例えばラジカ
ルガンを用いて行うことができる。
【００７２】本発明の薄膜形成方法により形成される薄
膜及び本発明の薄膜は、電気シェーバーにおける内刃及
び外刃などの摺動部品、回転圧縮機などのコンプレッサ
ー及びＶＴＲなどにおける摺動部品の保護膜として用い
ることができるものであり、さらには太陽電池の構成層
としての保護膜、薄膜磁気ヘッドの摺動部分の保護膜、
ＳＡＷデバイス伝搬膜、あるいはセンサー用薄膜などと
しても適用することができるものである。
膜及び本発明の薄膜は、電気シェーバーにおける内刃及
び外刃などの摺動部品、回転圧縮機などのコンプレッサ
ー及びＶＴＲなどにおける摺動部品の保護膜として用い
ることができるものであり、さらには太陽電池の構成層
としての保護膜、薄膜磁気ヘッドの摺動部分の保護膜、
ＳＡＷデバイス伝搬膜、あるいはセンサー用薄膜などと
しても適用することができるものである。
【００７３】
【発明の効果】本発明に従えば、所望の機能を有し、か
つ基板との密着性が良好な薄膜をプラズマＣＶＤ法によ
り形成することができる。
つ基板との密着性が良好な薄膜をプラズマＣＶＤ法によ
り形成することができる。
【図１】本発明の第１の局面に従うＥＣＲプラズマＣＶ
Ｄ装置の一例を示す概略断面図。
Ｄ装置の一例を示す概略断面図。
【図２】本発明の第１の局面に従う実施例における第２
の薄膜層形成の際のイオンエネルギー及びイオン電流密
度の成膜時間に伴う変化を示す図。
の薄膜層形成の際のイオンエネルギー及びイオン電流密
度の成膜時間に伴う変化を示す図。
【図３】本発明に従う薄膜の一実施例を示す断面図。
【図４】本発明に従う薄膜の一実施例における第２の薄
膜層の膜厚方向の窒素の濃度分布を示す図。
膜層の膜厚方向の窒素の濃度分布を示す図。
【図５】本発明の第２の局面に従うＥＣＲプラズマＣＶ
Ｄ装置の一例を示す概略断面図。
Ｄ装置の一例を示す概略断面図。
【図６】本発明の第２の局面に従う実施例における第２
の薄膜層形成の際のイオンエネルギー及びイオン電流密
度の成膜時間に伴う変化を示す図。
の薄膜層形成の際のイオンエネルギー及びイオン電流密
度の成膜時間に伴う変化を示す図。
【図７】本発明の第２の局面に従う実施例における第２
の薄膜層形成の際の基板バイアス電圧の成膜時間に伴う
変化を示す図。
の薄膜層形成の際の基板バイアス電圧の成膜時間に伴う
変化を示す図。
【図８】本発明の第３の局面に従う実施例における第２
の薄膜層形成の際の窒素量の成膜時間に伴う変化を示す
図。
の薄膜層形成の際の窒素量の成膜時間に伴う変化を示す
図。
【図９】本発明の第１の局面に従う他の実施例における
第２の薄膜層形成の際のイオンエネルギー及びイオン電
流密度の成膜時間に伴う変化を示す図。
第２の薄膜層形成の際のイオンエネルギー及びイオン電
流密度の成膜時間に伴う変化を示す図。
【図１０】本発明に従う薄膜の他の実施例における第２
の薄膜層中のＳｉの膜厚方向の濃度分布を示す図。
の薄膜層中のＳｉの膜厚方向の濃度分布を示す図。
１…マイクロ波供給手段 ２…導波管 ３…導入窓 ４…プラズマ発生室 ５…ガス導入管 ６…プラズマ磁界発生装置 ７…基板ホルダー ８…真空チャンバー ９…基板 １０…イオンガン １１…イオンガンのガス導入管 １２…ガス導入管 １３…高周波電源 ２１…第１の薄膜層 ２２…第２の薄膜層
Claims (16)
- 【請求項１】 プラズマを利用したＣＶＤ法により基板
上に薄膜を形成する方法であって、 原料ガスをプラズマ中で分解することにより前記基板上
に第１の薄膜層を形成する工程と、 前記原料ガスをプラズマ中で分解するとともに、イオン
またはラジカルを前記基板に照射して、前記第１の薄膜
層の上に第２の薄膜層を形成する工程とを備えるＣＶＤ
法による薄膜形成方法。 - 【請求項２】 前記イオンまたはラジカルが、前記原料
ガスの主成分元素と異なる元素のイオンまたはラジカル
であることを特徴とする請求項１に記載のＣＶＤ法によ
る薄膜形成方法。 - 【請求項３】 前記イオンまたはラジカルの照射エネル
ギー及び照射量を成膜時間とともに変化させることを特
徴とする請求項１または２に記載のＣＶＤ法による薄膜
形成方法。 - 【請求項４】 前記イオンまたはラジカルの照射エネル
ギーを成膜時間とともに減少させ、前記イオンまたはラ
ジカルの照射量を成膜時間とともに増加させることを特
徴とする請求項３に記載のＣＶＤ法による薄膜形成方
法。 - 【請求項５】 プラズマを利用したＣＶＤ法により基板
上に薄膜を形成する方法であって、 原料ガスをプラズマ中で分解することにより前記基板上
に第１の薄膜層を形成する工程と、 前記基板に高周波電力を印加して前記基板にバイアス電
圧を発生させながら、前記原料ガスをプラズマ中で分解
するとともに、イオンまたはラジカルを前記基板に照射
して、前記第１の薄膜層の上に第２の薄膜層を形成する
工程とを備えるＣＶＤ法による薄膜形成方法。 - 【請求項６】 前記イオンまたはラジカルが、前記原料
ガスの主成分元素と異なる元素のイオンまたはラジカル
であることを特徴とする請求項５に記載のＣＶＤ法によ
る薄膜形成方法。 - 【請求項７】 前記イオンまたはラジカルの照射エネル
ギー及び照射量並びに前記基板に発生するバイアス電圧
を成膜時間とともに変化させることを特徴とする請求項
５または６に記載のＣＶＤ法による薄膜形成方法。 - 【請求項８】 前記イオンまたはラジカルの照射エネル
ギー及び前記基板に発生するバイアス電圧を成膜時間と
ともに減少させ、前記イオンまたはラジカルの照射量を
成膜時間とともに増加させることを特徴とする請求項７
に記載のＣＶＤ法による薄膜形成方法。 - 【請求項９】 前記イオンまたはラジカルが、窒素もし
くはシリコンのイオンまたはラジカルであることを特徴
とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のＣＶＤ法に
よる薄膜形成方法。 - 【請求項１０】 プラズマを利用したＣＶＤ法により基
板上に薄膜を形成する方法であって、 原料ガスをプラズマ中で分解することにより前記基板上
に第１の薄膜層を形成する工程と、 前記原料ガスと、前記原料ガスの主成分元素と異なる元
素を含む第２の原料ガスとをプラズマ中で分解すること
により、前記第１の薄膜層の上に第２の薄膜層を形成す
る工程とを備えるＣＶＤ法による薄膜形成方法。 - 【請求項１１】 前記第２の原料ガスの量を成膜時間と
ともに変化させることを特徴とする請求項１０に記載の
ＣＶＤ法による薄膜形成方法。 - 【請求項１２】 前記第２の原料ガスの量を成膜時間と
ともに増加させることを特徴とする請求項１１に記載の
ＣＶＤ法による薄膜形成方法。 - 【請求項１３】 前記第２の原料ガスが、窒素もしくは
シリコンを含むことを特徴とする請求項１０〜１２のい
ずれか１項に記載のＣＶＤ法による薄膜形成方法。 - 【請求項１４】 前記原料ガスが炭素を主成分として含
む原料ガスであり、前記第１の薄膜層が炭素系薄膜であ
る請求項１〜１３のいずれか１項に記載のＣＶＤ法によ
る薄膜形成方法。 - 【請求項１５】 硬質炭素薄膜からなる第１の薄膜層
と、 前記第１の薄膜層の薄膜成分に窒素またはシリコンを含
有させた、前記第１の薄膜層の上に形成される第２の薄
膜層とを備える薄膜。 - 【請求項１６】 前記第２の薄膜層は、前記第２の薄膜
層の表面に向かって膜厚方向に前記窒素または前記シリ
コンの濃度が高くなるような濃度勾配を有することを特
徴とする請求項１５に記載の薄膜。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25698697A JP3649873B2 (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | Ｃｖｄ法による薄膜形成方法および薄膜ならびに摺動部品 |
| EP98117855A EP0903204A3 (en) | 1997-09-22 | 1998-09-21 | Sliding member, inner and outer blades of an electric shaver and film-forming method |
| US09/156,825 US6354008B1 (en) | 1997-09-22 | 1998-09-21 | Sliding member, inner and outer blades of an electric shaver and film-forming method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25698697A JP3649873B2 (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | Ｃｖｄ法による薄膜形成方法および薄膜ならびに摺動部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1192943A true JPH1192943A (ja) | 1999-04-06 |
| JP3649873B2 JP3649873B2 (ja) | 2005-05-18 |
Family
ID=17300146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25698697A Expired - Fee Related JP3649873B2 (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | Ｃｖｄ法による薄膜形成方法および薄膜ならびに摺動部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3649873B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008229782A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Osg Corp | 硬質被膜および硬質被膜被覆工具 |
| JP2011202235A (ja) * | 2010-03-25 | 2011-10-13 | Toyota Central R&D Labs Inc | 被覆部材およびその製造方法 |
| KR101172147B1 (ko) | 2009-02-23 | 2012-08-07 | 시너스 테크놀리지, 인코포레이티드 | 플라즈마에 의한 라디칼을 이용한 박막 형성 방법 |
| US8851012B2 (en) | 2008-09-17 | 2014-10-07 | Veeco Ald Inc. | Vapor deposition reactor using plasma and method for forming thin film using the same |
| US8871628B2 (en) | 2009-01-21 | 2014-10-28 | Veeco Ald Inc. | Electrode structure, device comprising the same and method for forming electrode structure |
| US8877300B2 (en) | 2011-02-16 | 2014-11-04 | Veeco Ald Inc. | Atomic layer deposition using radicals of gas mixture |
| US9163310B2 (en) | 2011-02-18 | 2015-10-20 | Veeco Ald Inc. | Enhanced deposition of layer on substrate using radicals |
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|---|---|---|---|---|
| DE102010062114B4 (de) * | 2010-11-29 | 2014-12-11 | Federal-Mogul Burscheid Gmbh | Gleitelement, insbesondere Kolbenring, mit einer Beschichtung |
-
1997
- 1997-09-22 JP JP25698697A patent/JP3649873B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008229782A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Osg Corp | 硬質被膜および硬質被膜被覆工具 |
| US8851012B2 (en) | 2008-09-17 | 2014-10-07 | Veeco Ald Inc. | Vapor deposition reactor using plasma and method for forming thin film using the same |
| US8871628B2 (en) | 2009-01-21 | 2014-10-28 | Veeco Ald Inc. | Electrode structure, device comprising the same and method for forming electrode structure |
| KR101172147B1 (ko) | 2009-02-23 | 2012-08-07 | 시너스 테크놀리지, 인코포레이티드 | 플라즈마에 의한 라디칼을 이용한 박막 형성 방법 |
| US8257799B2 (en) | 2009-02-23 | 2012-09-04 | Synos Technology, Inc. | Method for forming thin film using radicals generated by plasma |
| JP2011202235A (ja) * | 2010-03-25 | 2011-10-13 | Toyota Central R&D Labs Inc | 被覆部材およびその製造方法 |
| US8877300B2 (en) | 2011-02-16 | 2014-11-04 | Veeco Ald Inc. | Atomic layer deposition using radicals of gas mixture |
| US9163310B2 (en) | 2011-02-18 | 2015-10-20 | Veeco Ald Inc. | Enhanced deposition of layer on substrate using radicals |
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|---|---|
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