JP2002038268A - 炭素被膜及びその製造方法 - Google Patents
炭素被膜及びその製造方法Info
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- JP2002038268A JP2002038268A JP2001148558A JP2001148558A JP2002038268A JP 2002038268 A JP2002038268 A JP 2002038268A JP 2001148558 A JP2001148558 A JP 2001148558A JP 2001148558 A JP2001148558 A JP 2001148558A JP 2002038268 A JP2002038268 A JP 2002038268A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 硬質炭素被膜の機械的特性及び化学的安定性
を維持しながら、高い導電性を持たせることができる炭
素被膜及びその製造方法を得る。 【解決手段】 基体上に形成された炭素被膜であって、
ＣＯ2 分子を含むことを特徴としており、赤外吸収スペ
クトルにおいて、ＣＯ2 分子に基づく２３５０ｃｍ-1付
近の吸収ピークＡと６７０ｃｍ-1付近の吸収ピークＢと
が認められることを特徴としている。
を維持しながら、高い導電性を持たせることができる炭
素被膜及びその製造方法を得る。 【解決手段】 基体上に形成された炭素被膜であって、
ＣＯ2 分子を含むことを特徴としており、赤外吸収スペ
クトルにおいて、ＣＯ2 分子に基づく２３５０ｃｍ-1付
近の吸収ピークＡと６７０ｃｍ-1付近の吸収ピークＢと
が認められることを特徴としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、炭素被膜及びその
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
ダイヤモンド状炭素被膜等の炭素被膜は、機械的特性及
び化学的安定性に優れているため、種々の分野において
コーティング材料として注目を集めている。例えば、電
気シェーバー等の刃、スクリーン印刷用マスク、オフィ
スオートメーション（ＯＡ）機器部品、その他の摺動部
品、太陽電池、ＳＡＷデバイス等の電子デバイス、半導
体デバイス等においてコーティング薄膜として用いられ
ている。
ダイヤモンド状炭素被膜等の炭素被膜は、機械的特性及
び化学的安定性に優れているため、種々の分野において
コーティング材料として注目を集めている。例えば、電
気シェーバー等の刃、スクリーン印刷用マスク、オフィ
スオートメーション（ＯＡ）機器部品、その他の摺動部
品、太陽電池、ＳＡＷデバイス等の電子デバイス、半導
体デバイス等においてコーティング薄膜として用いられ
ている。
【０００３】しかしながら、ダイヤモンド状炭素被膜等
の硬質炭素被膜は、一般に絶縁性が高く、その導電性を
高めようとすると、グラファイト構造に近くなるため、
高い硬度が得られなくなるという問題があった。
の硬質炭素被膜は、一般に絶縁性が高く、その導電性を
高めようとすると、グラファイト構造に近くなるため、
高い硬度が得られなくなるという問題があった。
【０００４】本発明の目的は、硬質炭素被膜の機械的特
性及び化学的安定性を維持しながら、高い導電性を持た
せることができる炭素被膜及びその製造方法を提供する
ことにある。
性及び化学的安定性を維持しながら、高い導電性を持た
せることができる炭素被膜及びその製造方法を提供する
ことにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、炭素被膜
にＣＯ2分子を含ませることにより、炭素被膜本来の機
械的特性及び化学的安定性を維持しながら、高い導電性
を付与することができることを見出し、本発明の第１の
局面を完成するに至った。
にＣＯ2分子を含ませることにより、炭素被膜本来の機
械的特性及び化学的安定性を維持しながら、高い導電性
を付与することができることを見出し、本発明の第１の
局面を完成するに至った。
【０００６】すなわち、本発明の第１の局面は、基体上
に形成された炭素被膜であり、ＣＯ 2分子を含むことを
特徴としている。
に形成された炭素被膜であり、ＣＯ 2分子を含むことを
特徴としている。
【０００７】本発明の第１の局面に従う炭素被膜が、Ｃ
Ｏ2 分子を含むことは、炭素被膜の赤外吸収スペクトル
において、ＣＯ2 分子に基づく吸収ピークが認められる
ことにより確認することができる。ＣＯ2 分子に基づく
吸収ピークは、一般に２３５０ｃｍ-1付近、及び６７０
ｃｍ-1付近に認められる。従って、本発明の第１の局面
に従う好ましい実施形態においては、赤外吸収スペクト
ルにおいて、ＣＯ2分子に基づく２３５０ｃｍ-1付近及
び６７０ｃｍ-1付近の吸収ピークが認められることを特
徴としている。
Ｏ2 分子を含むことは、炭素被膜の赤外吸収スペクトル
において、ＣＯ2 分子に基づく吸収ピークが認められる
ことにより確認することができる。ＣＯ2 分子に基づく
吸収ピークは、一般に２３５０ｃｍ-1付近、及び６７０
ｃｍ-1付近に認められる。従って、本発明の第１の局面
に従う好ましい実施形態においては、赤外吸収スペクト
ルにおいて、ＣＯ2分子に基づく２３５０ｃｍ-1付近及
び６７０ｃｍ-1付近の吸収ピークが認められることを特
徴としている。
【０００８】本発明の第１の局面に従う炭素被膜は、高
い導電性を有しており、例えば１０ 9Ω・ｃｍ以下の体
積抵抗率を有している。
い導電性を有しており、例えば１０ 9Ω・ｃｍ以下の体
積抵抗率を有している。
【０００９】本発明の第１の局面に従う炭素被膜は、高
い硬度を有していることが好ましく、例えば２５００Ｈ
ｖ以上の硬度を有している。
い硬度を有していることが好ましく、例えば２５００Ｈ
ｖ以上の硬度を有している。
【００１０】さらに、本発明者らは、炭素被膜の表面
を、ＣＯ2を含むガスで表面処理することにより、炭素
被膜の表面に高い導電性を付与することができることを
見出し、本発明の第２の局面を完成するに至った。
を、ＣＯ2を含むガスで表面処理することにより、炭素
被膜の表面に高い導電性を付与することができることを
見出し、本発明の第２の局面を完成するに至った。
【００１１】すなわち、本発明の第２の局面は、基体上
に形成された炭素被膜であって、その表面がＣＯ2を含
むガスで表面処理されたことを特徴としている。
に形成された炭素被膜であって、その表面がＣＯ2を含
むガスで表面処理されたことを特徴としている。
【００１２】本発明の第２の局面に従う炭素被膜は、そ
の表面に高い導電性を有しており、例えば１０6Ω／□
以下の表面抵抗を有している。
の表面に高い導電性を有しており、例えば１０6Ω／□
以下の表面抵抗を有している。
【００１３】本発明の第２の局面に従う炭素被膜は、高
い硬度を有していることが好ましく、例えば２５００Ｈ
ｖ以上の硬度を有することが好ましい。
い硬度を有していることが好ましく、例えば２５００Ｈ
ｖ以上の硬度を有することが好ましい。
【００１４】本発明の第１の局面及び第２の局面におけ
る炭素被膜の概念には、ダイヤモンド結晶構造を有する
ダイヤモンド薄膜、及びダイヤモンド状炭素被膜などの
非晶質炭素被膜が含まれ、さらにはダイヤモンド構造と
非晶質炭素構造とが混在している炭素被膜も含まれる。
る炭素被膜の概念には、ダイヤモンド結晶構造を有する
ダイヤモンド薄膜、及びダイヤモンド状炭素被膜などの
非晶質炭素被膜が含まれ、さらにはダイヤモンド構造と
非晶質炭素構造とが混在している炭素被膜も含まれる。
【００１５】本発明の第１の局面及び第２の局面におい
ては、基体上に中間層を設け、この中間層の上に炭素被
膜を形成してもよい。このような中間層は、基体に対す
る炭素被膜の密着性が不十分である場合に、基体に対す
る炭素被膜の密着性を向上させるために設けられること
が好ましい。中間層の具体的な材料としては、例えば、
Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｒｕ、Ｍｏ、及びＷからなる
グループより選ばれる少なくとも１種、並びにこれらの
酸化物、窒化物、または炭化物などが挙げられる。ま
た、中間層は複数の異なる層を積層した構造を有してい
てもよい。
ては、基体上に中間層を設け、この中間層の上に炭素被
膜を形成してもよい。このような中間層は、基体に対す
る炭素被膜の密着性が不十分である場合に、基体に対す
る炭素被膜の密着性を向上させるために設けられること
が好ましい。中間層の具体的な材料としては、例えば、
Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｒｕ、Ｍｏ、及びＷからなる
グループより選ばれる少なくとも１種、並びにこれらの
酸化物、窒化物、または炭化物などが挙げられる。ま
た、中間層は複数の異なる層を積層した構造を有してい
てもよい。
【００１６】本発明の第３の局面は、本発明の第１の局
面に従う炭素被膜を製造することができる方法であり、
ＣＯ2を含む原料ガスを用いることを特徴とする炭素被
膜の製造方法である。
面に従う炭素被膜を製造することができる方法であり、
ＣＯ2を含む原料ガスを用いることを特徴とする炭素被
膜の製造方法である。
【００１７】原料ガスとして、具体的には、ＣＯ2と炭
化水素の混合ガスが挙げられる。炭化水素は、炭素被膜
中の炭素成分を与える原料ガス成分であり、ＣＯ2は、
炭素被膜中のＣＯ2 成分を与える原料ガス成分である。
炭化水素としては、ＣＨ4（メタン）、Ｃ2Ｈ6（エタ
ン）、Ｃ3Ｈ8（プロパン）、Ｃ4Ｈ10（ブタン）、Ｃ2Ｈ
4（エチレン）、及びＣ2Ｈ2（アセチレン）から選ばれ
る少なくとも１種を用いることが好ましい。
化水素の混合ガスが挙げられる。炭化水素は、炭素被膜
中の炭素成分を与える原料ガス成分であり、ＣＯ2は、
炭素被膜中のＣＯ2 成分を与える原料ガス成分である。
炭化水素としては、ＣＨ4（メタン）、Ｃ2Ｈ6（エタ
ン）、Ｃ3Ｈ8（プロパン）、Ｃ4Ｈ10（ブタン）、Ｃ2Ｈ
4（エチレン）、及びＣ2Ｈ2（アセチレン）から選ばれ
る少なくとも１種を用いることが好ましい。
【００１８】炭素被膜は、例えば、上記の原料ガスを用
いたプラズマ気相合成法等のＣＶＤ法或いはイオンビー
ム照射法により形成することができる。これらの方法に
より炭素被膜を形成する場合、イオンビームの加速電圧
あるいはプラズマ気相合成時の基体バイアス電圧が２０
０Ｖ以上であることが好ましい。基体バイアス電圧は、
基体または基体のホルダーに高周波電力を印加すること
により発生させることができる。
いたプラズマ気相合成法等のＣＶＤ法或いはイオンビー
ム照射法により形成することができる。これらの方法に
より炭素被膜を形成する場合、イオンビームの加速電圧
あるいはプラズマ気相合成時の基体バイアス電圧が２０
０Ｖ以上であることが好ましい。基体バイアス電圧は、
基体または基体のホルダーに高周波電力を印加すること
により発生させることができる。
【００１９】また、気相合成法を用いる場合には、形成
時の条件を、形成速度が５ｎｍ／ｍｉｎ以上、或いはガ
ス圧力と形成速度の積が０．５Ｐａ・ｎｍ／ｍｉｎ以上
となるように調整して炭素被膜を形成することが好まし
い。
時の条件を、形成速度が５ｎｍ／ｍｉｎ以上、或いはガ
ス圧力と形成速度の積が０．５Ｐａ・ｎｍ／ｍｉｎ以上
となるように調整して炭素被膜を形成することが好まし
い。
【００２０】本発明の第４の局面は、本発明の第２の局
面の炭素被膜を製造することができる方法であり、ＣＯ
2を含むガスを処理用ガスとして用いて、炭素被膜の表
面を処理することを特徴とする炭素被膜の製造方法であ
る。
面の炭素被膜を製造することができる方法であり、ＣＯ
2を含むガスを処理用ガスとして用いて、炭素被膜の表
面を処理することを特徴とする炭素被膜の製造方法であ
る。
【００２１】本発明の第４の局面では、炭素被膜を形成
した後、炭素被膜の表面をＣＯ2を含むガスで表面処理
する。炭素被膜の形成方法は特に限定されるものではな
いが、例えば、本発明の第３の局面において説明した炭
化水素ガスを原料ガスとして用い、ＣＶＤ法等により形
成させることができる。この炭素被膜は、本発明の第１
の局面に従うＣＯ2を含む炭素被膜であってもよい。
した後、炭素被膜の表面をＣＯ2を含むガスで表面処理
する。炭素被膜の形成方法は特に限定されるものではな
いが、例えば、本発明の第３の局面において説明した炭
化水素ガスを原料ガスとして用い、ＣＶＤ法等により形
成させることができる。この炭素被膜は、本発明の第１
の局面に従うＣＯ2を含む炭素被膜であってもよい。
【００２２】本発明の第４の局面に従うことにより、炭
素被膜の表面に導電性を付与することができる。このよ
うな炭素被膜表面の導電性は、ＣＯ2を含むガスで表面
処理することにより、炭素被膜表面にＣＯ2分子が含ま
れることにより与えられるものと思われる。
素被膜の表面に導電性を付与することができる。このよ
うな炭素被膜表面の導電性は、ＣＯ2を含むガスで表面
処理することにより、炭素被膜表面にＣＯ2分子が含ま
れることにより与えられるものと思われる。
【００２３】処理用ガスとしては、ＣＯ2のみを含むガ
スであってもよいし、ＣＯ2に水素ガスあるいは希ガス
等を添加したガスであってもよい。炭素被膜の表面処理
は、上記処理用ガスをソースガスとして用いたイオンビ
ームの照射、あるいは上記処理用ガス雰囲気中でのプラ
ズマの照射等により行うことができる。
スであってもよいし、ＣＯ2に水素ガスあるいは希ガス
等を添加したガスであってもよい。炭素被膜の表面処理
は、上記処理用ガスをソースガスとして用いたイオンビ
ームの照射、あるいは上記処理用ガス雰囲気中でのプラ
ズマの照射等により行うことができる。
【００２４】また、表面処理の際、上記第３の局面と同
様に、イオンビームの加速電圧あるいはプラズマ処理時
の基体バイアス電圧を２００Ｖ以上としてもよい。
様に、イオンビームの加速電圧あるいはプラズマ処理時
の基体バイアス電圧を２００Ｖ以上としてもよい。
【００２５】
【発明の実施の形態】図３は、本発明の実施例において
用いる炭素被膜形成装置を示す概略断面図である。図３
に示すように、この炭素被膜形成装置において、真空チ
ャンバー８の外側にはプラズマ発生室４が設けられてい
る。プラズマ発生室４には、導波管２の一端が取り付け
られており、導波管２の他端には、マイクロ波供給手段
１が設けられている。
用いる炭素被膜形成装置を示す概略断面図である。図３
に示すように、この炭素被膜形成装置において、真空チ
ャンバー８の外側にはプラズマ発生室４が設けられてい
る。プラズマ発生室４には、導波管２の一端が取り付け
られており、導波管２の他端には、マイクロ波供給手段
１が設けられている。
【００２６】マイクロ波供給手段１で発生したマイクロ
波は、導波管２及びマイクロ波導入窓３を通って、プラ
ズマ発生室４に導かれる。プラズマ発生室４には、ＣＨ
4、ＣＯ2などの原料ガスを導入するためのガス導入管５
が設けられている。また、プラズマ発生室４の周囲に
は、プラズマ磁界発生装置６が設けられている。
波は、導波管２及びマイクロ波導入窓３を通って、プラ
ズマ発生室４に導かれる。プラズマ発生室４には、ＣＨ
4、ＣＯ2などの原料ガスを導入するためのガス導入管５
が設けられている。また、プラズマ発生室４の周囲に
は、プラズマ磁界発生装置６が設けられている。
【００２７】マイクロ波による高周波磁界と、プラズマ
磁界発生装置６からの磁界を作用させることにより、プ
ラズマ発生室４内に高密度の電子サイクロトロン共鳴
（ＥＣＲ）プラズマを発生させる。
磁界発生装置６からの磁界を作用させることにより、プ
ラズマ発生室４内に高密度の電子サイクロトロン共鳴
（ＥＣＲ）プラズマを発生させる。
【００２８】一方、真空チャンバー８内には、基体ホル
ダー７が設けられている。基体ホルダー７は、支持棒１
２によって支持されており、支持棒１２は回転中心部１
２ａを中心として回転し得るように設けられている。従
って、基体ホルダー７は、図３に実線で示す位置と、点
線で示す位置の２つの位置状態が実現し得るように構成
されている。基体ホルダー７上に保持された基体の上に
炭素被膜を形成する場合には、プラズマ発生室４側に向
いた実線で示すような位置に設定される。また、後述す
るように中間層等をスパッタリング法により形成する場
合には、図３に点線で示すような、ターゲット１１側に
向かう位置に設定される。ターゲット１１には、高周波
電源１３が接続されている。
ダー７が設けられている。基体ホルダー７は、支持棒１
２によって支持されており、支持棒１２は回転中心部１
２ａを中心として回転し得るように設けられている。従
って、基体ホルダー７は、図３に実線で示す位置と、点
線で示す位置の２つの位置状態が実現し得るように構成
されている。基体ホルダー７上に保持された基体の上に
炭素被膜を形成する場合には、プラズマ発生室４側に向
いた実線で示すような位置に設定される。また、後述す
るように中間層等をスパッタリング法により形成する場
合には、図３に点線で示すような、ターゲット１１側に
向かう位置に設定される。ターゲット１１には、高周波
電源１３が接続されている。
【００２９】ここでは、図３に実線で示すような位置に
基体ホルダー７が設定されており、基体ホルダー７の上
に基体が保持されている。プラズマ発生室４で発生した
プラズマ中のイオンは、グリッド９によって加速され、
真空チャンバー８内に引き出される。このとき、グリッ
ド９に印加される電圧の大きさにより、イオンの加速エ
ネルギーが制御される。このようなプラズマ中のイオン
を、基体ホルダー７上の基体に照射することにより、炭
素被膜を形成することができる。
基体ホルダー７が設定されており、基体ホルダー７の上
に基体が保持されている。プラズマ発生室４で発生した
プラズマ中のイオンは、グリッド９によって加速され、
真空チャンバー８内に引き出される。このとき、グリッ
ド９に印加される電圧の大きさにより、イオンの加速エ
ネルギーが制御される。このようなプラズマ中のイオン
を、基体ホルダー７上の基体に照射することにより、炭
素被膜を形成することができる。
【００３０】（実験１）上記の炭素被膜形成装置を用い
て、炭素被膜を形成した。まず、真空チャンバー８内を
１０-5Ｐａ以下に排気する。次にプラズマ発生室４内に
ＣＨ4ガスをガス導入管５から導入する。また同時に、
ＣＯ2ガスをＣＨ4ガスに対する流量比が２５％となるよ
うにプラズマ発生室４内に導入した。そして、ガス圧
力，マイクロ波電力を変化させて炭素被膜を形成した。
尚、このときのグリッド９に印可する電圧は６００Ｖと
した。
て、炭素被膜を形成した。まず、真空チャンバー８内を
１０-5Ｐａ以下に排気する。次にプラズマ発生室４内に
ＣＨ4ガスをガス導入管５から導入する。また同時に、
ＣＯ2ガスをＣＨ4ガスに対する流量比が２５％となるよ
うにプラズマ発生室４内に導入した。そして、ガス圧
力，マイクロ波電力を変化させて炭素被膜を形成した。
尚、このときのグリッド９に印可する電圧は６００Ｖと
した。
【００３１】上記の薄膜形成条件で、基体としてのＳｉ
ウエハーの上に、膜厚約１μｍのダイヤモンド状炭素被
膜を形成した。
ウエハーの上に、膜厚約１μｍのダイヤモンド状炭素被
膜を形成した。
【００３２】表１は、各ガス圧力，マイクロ波電力で形
成した炭素被膜の形成速度（ｎｍ／ｍｉｎ）を示してい
る。また、各形成速度の下にガス圧力と形成速度の積
（Ｐａ・ｎｍ／ｍｉｎ）を括弧書きで示している。
成した炭素被膜の形成速度（ｎｍ／ｍｉｎ）を示してい
る。また、各形成速度の下にガス圧力と形成速度の積
（Ｐａ・ｎｍ／ｍｉｎ）を括弧書きで示している。
【００３３】
【表１】
【００３４】同表に示すように、ガス圧力が高く、マイ
クロ波電力が大きいほど形成速度は大きくなる。
クロ波電力が大きいほど形成速度は大きくなる。
【００３５】次いで、各炭素被膜について体積抵抗率を
測定した。
測定した。
【００３６】図４は、体積抵抗率の測定方法を説明する
ための模式図である。Ｓｉウエハー基板２０の上には、
炭素被膜２１が形成されており、この炭素被膜２１の上
に、所定の面積を有するＡｌ電極２２が形成されてい
る。このＡｌ電極２２と、基板２０の裏面との間に直流
電源２５及び電流計２６を直列に接続し、測定された電
流電圧特性から抵抗Ｒを求め、体積抵抗率ρVを以下に
示す式によって算出する。なお、ＳはＡｌ電極の面積を
示し、ｔは炭素被膜の膜厚を示している。
ための模式図である。Ｓｉウエハー基板２０の上には、
炭素被膜２１が形成されており、この炭素被膜２１の上
に、所定の面積を有するＡｌ電極２２が形成されてい
る。このＡｌ電極２２と、基板２０の裏面との間に直流
電源２５及び電流計２６を直列に接続し、測定された電
流電圧特性から抵抗Ｒを求め、体積抵抗率ρVを以下に
示す式によって算出する。なお、ＳはＡｌ電極の面積を
示し、ｔは炭素被膜の膜厚を示している。
【００３７】ρV ＝Ｒ・Ｓ／ｔ なお、この測定方法は、基板２０としてＳｉ基板のよう
に炭素被膜に比べ高い導電性を有する基板を用いた場合
に採用することができる。ガラス基板のように絶縁性の
基板を用いた場合には、後述する方法により体積抵抗率
を測定することができる。
に炭素被膜に比べ高い導電性を有する基板を用いた場合
に採用することができる。ガラス基板のように絶縁性の
基板を用いた場合には、後述する方法により体積抵抗率
を測定することができる。
【００３８】上記のようにして求めた各炭素被膜の体積
抵抗率を表２に示す。
抵抗率を表２に示す。
【００３９】
【表２】
【００４０】表２に示す如く、体積抵抗率は、形成速度
或いはガス圧力と形成速度の積が大きくなるほど小さく
なり、形成速度が５ｎｍ／ｍｉｎ以上或いはガス圧力と
形成速度の積が０．５Ｐａ・ｎｍ／ｍｉｎ以上となる条
件で形成した炭素被膜において、１０9Ω・ｃｍ以下の
低抵抗な炭素被膜を得られることがわかった。
或いはガス圧力と形成速度の積が大きくなるほど小さく
なり、形成速度が５ｎｍ／ｍｉｎ以上或いはガス圧力と
形成速度の積が０．５Ｐａ・ｎｍ／ｍｉｎ以上となる条
件で形成した炭素被膜において、１０9Ω・ｃｍ以下の
低抵抗な炭素被膜を得られることがわかった。
【００４１】図１は、表２において８．０×１０8Ω・
ｃｍの体積抵抗率が得られた炭素被膜の赤外吸収スペク
トルである。また、図２は、表２において１．４×１０
12Ω・ｃｍの体積抵抗率が得られた炭素被膜の赤外吸収
スペクトルである。
ｃｍの体積抵抗率が得られた炭素被膜の赤外吸収スペク
トルである。また、図２は、表２において１．４×１０
12Ω・ｃｍの体積抵抗率が得られた炭素被膜の赤外吸収
スペクトルである。
【００４２】図１及び図２の比較から明らかなように、
体積抵抗率が１０9Ω・ｃｍ以下の低抵抗な炭素被膜で
は、ＣＯ2分子に基づく２３５０ｃｍ-1付近の吸収ピー
クＡと６７０ｃｍ-1付近の吸収ピークＢが観察されてい
る。従って、ＣＯ2分子を含ませることによって、体積
抵抗率の小さい低抵抗な炭素被膜が得られることがわか
る。 （実験２）次に、ＣＯ2ガスをＣＨ4ガスに対して流量比
で、０％、１２．５％、２５％、３７．５％、及び５０
％となるようにガス導入管５から供給し、プラズマ発生
室４内の真空度を１．０×１０-1Ｐａ、投入するマイク
ロ波の電力を２００Ｗとした以外は実験１と同一の条件
で炭素被膜を形成し、得られた各炭素被膜について、体
積抵抗率を測定した。その結果を表３及び図７に示す。
体積抵抗率が１０9Ω・ｃｍ以下の低抵抗な炭素被膜で
は、ＣＯ2分子に基づく２３５０ｃｍ-1付近の吸収ピー
クＡと６７０ｃｍ-1付近の吸収ピークＢが観察されてい
る。従って、ＣＯ2分子を含ませることによって、体積
抵抗率の小さい低抵抗な炭素被膜が得られることがわか
る。 （実験２）次に、ＣＯ2ガスをＣＨ4ガスに対して流量比
で、０％、１２．５％、２５％、３７．５％、及び５０
％となるようにガス導入管５から供給し、プラズマ発生
室４内の真空度を１．０×１０-1Ｐａ、投入するマイク
ロ波の電力を２００Ｗとした以外は実験１と同一の条件
で炭素被膜を形成し、得られた各炭素被膜について、体
積抵抗率を測定した。その結果を表３及び図７に示す。
【００４３】
【表３】
【００４４】表３及び図７から明らかなように、原料ガ
スとして、ＣＯ2ガスをＣＨ4ガスに対して流量比で２５
％以上混合して形成した炭素被膜は、１０9Ω・ｃｍ以
下の低い体積抵抗率が得られており、高い導電性を示し
ている。
スとして、ＣＯ2ガスをＣＨ4ガスに対して流量比で２５
％以上混合して形成した炭素被膜は、１０9Ω・ｃｍ以
下の低い体積抵抗率が得られており、高い導電性を示し
ている。
【００４５】また、ＣＯ2ガスをＣＨ4ガスに対して３
７．５％及び５０％混合して形成した炭素被膜について
赤外吸収スペクトルを観察したところ、ＣＯ2分子に基
づく２３５０ｃｍ-1付近の吸収ピークＡと６７０ｃｍ-1
付近の吸収ピークＢが観察された。
７．５％及び５０％混合して形成した炭素被膜について
赤外吸収スペクトルを観察したところ、ＣＯ2分子に基
づく２３５０ｃｍ-1付近の吸収ピークＡと６７０ｃｍ-1
付近の吸収ピークＢが観察された。
【００４６】（実験３）次に、基体として、Ｓｉウエハ
ーに代えて、ステンレス基板を用い、このステンレス基
板の上に炭素被膜を形成した。ステンレス基板と炭素被
膜との密着性は一般に良好でないので、ステンレス基板
の上にＳｉ中間層を形成した後、Ｓｉ中間層の上に炭素
被膜を形成した。
ーに代えて、ステンレス基板を用い、このステンレス基
板の上に炭素被膜を形成した。ステンレス基板と炭素被
膜との密着性は一般に良好でないので、ステンレス基板
の上にＳｉ中間層を形成した後、Ｓｉ中間層の上に炭素
被膜を形成した。
【００４７】図３に示す装置を用い、まず基体ホルダー
７を点線で示す下側の位置に設定した後、真空チャンバ
ー８内を１０-5Ｐａ以下に排気した。次に、ガス導入管
５からＡｒガスを供給して、真空チャンバー８内を７．
６×１０-2Ｐａとし、Ｓｉからなるターゲット１１に高
周波電源１３からの高周波電力を印加し、ターゲット１
１と基体ホルダー７との間にＡｒプラズマを発生させ、
プラズマ中のイオンにより、ターゲット１１をスパッタ
リングし、基体ホルダー７上のステンレス基板上に膜厚
０．１μｍのＳｉからなる中間層を形成した。
７を点線で示す下側の位置に設定した後、真空チャンバ
ー８内を１０-5Ｐａ以下に排気した。次に、ガス導入管
５からＡｒガスを供給して、真空チャンバー８内を７．
６×１０-2Ｐａとし、Ｓｉからなるターゲット１１に高
周波電源１３からの高周波電力を印加し、ターゲット１
１と基体ホルダー７との間にＡｒプラズマを発生させ、
プラズマ中のイオンにより、ターゲット１１をスパッタ
リングし、基体ホルダー７上のステンレス基板上に膜厚
０．１μｍのＳｉからなる中間層を形成した。
【００４８】中間層を形成した後、基体ホルダー７の位
置を、図３に実線で示す上側の位置に戻し、上記実験２
と同様の条件で、原料ガス中のＣＯ2 ／ＣＨ4 混合比を
０〜５０％に変化させて、ダイヤモンド状炭素被膜を膜
厚約１μｍとなるように形成した。
置を、図３に実線で示す上側の位置に戻し、上記実験２
と同様の条件で、原料ガス中のＣＯ2 ／ＣＨ4 混合比を
０〜５０％に変化させて、ダイヤモンド状炭素被膜を膜
厚約１μｍとなるように形成した。
【００４９】得られた各炭素被膜について、上記実験１
と同様にして体積抵抗率を測定した。測定結果を表４及
び図８に示す。
と同様にして体積抵抗率を測定した。測定結果を表４及
び図８に示す。
【００５０】
【表４】
【００５１】表２及び図８から明らかなように、Ｓｉ中
間層の上に炭素被膜を形成した場合にも、ＣＯ2ガスを
ＣＨ4ガスに対して流量比で１２．５％以上混合するこ
とにより、１０9Ω・ｃｍ以下の低い体積抵抗率が得ら
れ、高い導電性を有する炭素被膜を形成することができ
た。
間層の上に炭素被膜を形成した場合にも、ＣＯ2ガスを
ＣＨ4ガスに対して流量比で１２．５％以上混合するこ
とにより、１０9Ω・ｃｍ以下の低い体積抵抗率が得ら
れ、高い導電性を有する炭素被膜を形成することができ
た。
【００５２】本実験では、Ｓｉターゲットを用い、Ｓｉ
中間層を形成しているが、ターゲット材料を変えること
により、その他の材料の中間層を同様にして形成するこ
とができる。また、真空チャンバー内に流すガス中に、
Ｏ2（酸素）、Ｎ2（窒素）、ＣＨ4（メタン）等を含有
させることにより、それぞれ酸化物、窒化物、炭化物等
の中間層を形成することができる。
中間層を形成しているが、ターゲット材料を変えること
により、その他の材料の中間層を同様にして形成するこ
とができる。また、真空チャンバー内に流すガス中に、
Ｏ2（酸素）、Ｎ2（窒素）、ＣＨ4（メタン）等を含有
させることにより、それぞれ酸化物、窒化物、炭化物等
の中間層を形成することができる。
【００５３】（実験４）次に、上記実験１と同様の条件
で、グリッド９に印加するイオン加速電圧を、２００
Ｖ、４００Ｖ、６００Ｖ、８００Ｖ、及び１０００Ｖと
それぞれ変化させて、Ｓｉウエハー基板の上に膜厚約１
μｍのダイヤモンド状炭素被膜を形成した。得られた炭
素被膜のビッカース硬度を、表５及び図９に示す。
で、グリッド９に印加するイオン加速電圧を、２００
Ｖ、４００Ｖ、６００Ｖ、８００Ｖ、及び１０００Ｖと
それぞれ変化させて、Ｓｉウエハー基板の上に膜厚約１
μｍのダイヤモンド状炭素被膜を形成した。得られた炭
素被膜のビッカース硬度を、表５及び図９に示す。
【００５４】
【表５】
【００５５】表５及び図９に示すように、６００Ｖまで
は、イオン加速電圧を高くすることにより、ビッカース
硬度が高くなっていることがわかる。また、これらのビ
ッカース硬度は、ＣＯ2分子を含まない従来のダイヤモ
ンド状炭素被膜とほぼ同程度のビッカース硬度であるこ
とがわかる。
は、イオン加速電圧を高くすることにより、ビッカース
硬度が高くなっていることがわかる。また、これらのビ
ッカース硬度は、ＣＯ2分子を含まない従来のダイヤモ
ンド状炭素被膜とほぼ同程度のビッカース硬度であるこ
とがわかる。
【００５６】（実験５）次に、上記実験２において、原
料ガス中のＣＯ2／ＣＨ4混合比を０％、すなわち原料ガ
ス中にＣＯ2を混合しない状態で、ガラス基板上に膜厚
約１μｍのダイヤモンド状炭素被膜を形成した。従っ
て、この炭素被膜は、ＣＯ2分子を含まない従来の炭素
被膜である。この炭素被膜に対して、図３に示す装置を
そのまま用いて、ＣＯ2ガスによる表面処理を行った。
料ガス中のＣＯ2／ＣＨ4混合比を０％、すなわち原料ガ
ス中にＣＯ2を混合しない状態で、ガラス基板上に膜厚
約１μｍのダイヤモンド状炭素被膜を形成した。従っ
て、この炭素被膜は、ＣＯ2分子を含まない従来の炭素
被膜である。この炭素被膜に対して、図３に示す装置を
そのまま用いて、ＣＯ2ガスによる表面処理を行った。
【００５７】まず、真空チャンバー８内を１０-5Ｐａ以
下に排気した後、ガス導入管５から、ＣＯ2ガスのみを
プラズマ発生室４内に６．７×１０-2Ｐａとなるように
導入し、グリッド９に加速電圧６００Ｖを印加し、プラ
ズマ中に発生したイオンを、炭素被膜の表面に照射して
表面処理を行った。表面処理時間を、１分、２分、３
分、４分、及び５分と変化させ、表面処理後のそれぞれ
の炭素被膜の表面抵抗を測定した。なお、比較として表
面処理を行わなかったものについても同様に表面抵抗を
測定した。
下に排気した後、ガス導入管５から、ＣＯ2ガスのみを
プラズマ発生室４内に６．７×１０-2Ｐａとなるように
導入し、グリッド９に加速電圧６００Ｖを印加し、プラ
ズマ中に発生したイオンを、炭素被膜の表面に照射して
表面処理を行った。表面処理時間を、１分、２分、３
分、４分、及び５分と変化させ、表面処理後のそれぞれ
の炭素被膜の表面抵抗を測定した。なお、比較として表
面処理を行わなかったものについても同様に表面抵抗を
測定した。
【００５８】図５は、このときの表面抵抗の測定方法を
説明するための模式図である。ガラス基板２０の上には
炭素被膜２１が形成されており、炭素被膜２１の上に、
一対のＡｌ電極２３及び２４が形成されている。図６
は、図５に示すＡｌ電極を上方から見たときの平面図で
ある。図６に示すように、Ａｌ電極２３及び２４の幅は
Ｌであり、それらの間のギャップ間隔はｄである。図５
に示すように、Ａｌ電極２３と２４の間に、直流電源２
５及び電流計２６を直列に接続し、測定された電流電圧
特性から求められた抵抗Ｒを用いて、以下の式により表
面抵抗ρSを算出する。
説明するための模式図である。ガラス基板２０の上には
炭素被膜２１が形成されており、炭素被膜２１の上に、
一対のＡｌ電極２３及び２４が形成されている。図６
は、図５に示すＡｌ電極を上方から見たときの平面図で
ある。図６に示すように、Ａｌ電極２３及び２４の幅は
Ｌであり、それらの間のギャップ間隔はｄである。図５
に示すように、Ａｌ電極２３と２４の間に、直流電源２
５及び電流計２６を直列に接続し、測定された電流電圧
特性から求められた抵抗Ｒを用いて、以下の式により表
面抵抗ρSを算出する。
【００５９】ρS ＝Ｒ・Ｌ／ｄ なお、必要であれば、体積抵抗率ρV を、以下の式から
求めることができる。
求めることができる。
【００６０】 ρV ＝Ｒ・Ｌ・ｔ／ｄ（ｔ：炭素被膜の厚み） 以上のようにして求めた各炭素被膜の表面抵抗を、表６
及び図１０に示す。
及び図１０に示す。
【００６１】
【表６】
【００６２】表６及び図１０から明らかなように、ＣＯ
2ガスを用いて炭素被膜の表面を処理することにより、
表面抵抗が著しく低下し、高い導電性が得られているこ
とがわかる。
2ガスを用いて炭素被膜の表面を処理することにより、
表面抵抗が著しく低下し、高い導電性が得られているこ
とがわかる。
【００６３】参考のため、Ｓｉウエハー基板の上に上記
と同様にしてＣＯ2分子を含まない従来の炭素被膜を形
成した後、ＣＯ2 ガスを用いて表面処理した炭素被膜を
作製し、この炭素被膜について、図４に示す方法で体積
抵抗率を測定した。その結果、表面処理後の体積抵抗率
は、表面処理前と同等であり、体積抵抗率の低下は認め
られなかった。このことから、上記表面処理により、炭
素被膜の表面だけに高い導電性が付与されていることが
わかる。
と同様にしてＣＯ2分子を含まない従来の炭素被膜を形
成した後、ＣＯ2 ガスを用いて表面処理した炭素被膜を
作製し、この炭素被膜について、図４に示す方法で体積
抵抗率を測定した。その結果、表面処理後の体積抵抗率
は、表面処理前と同等であり、体積抵抗率の低下は認め
られなかった。このことから、上記表面処理により、炭
素被膜の表面だけに高い導電性が付与されていることが
わかる。
【００６４】本実験では、ＣＯ2のみを含むガスを処理
用ガスとして用いているが、ＣＯ2に水素ガスまたは希
ガス等を添加したガスを処理用ガスとしても、同様に表
面処理することができる。
用ガスとして用いているが、ＣＯ2に水素ガスまたは希
ガス等を添加したガスを処理用ガスとしても、同様に表
面処理することができる。
【００６５】上記各実験においては、図３に示すＥＣＲ
プラズマＣＶＤ装置を用い、グリッドに電圧を印加し
て、プラズマからのイオンを加速させているが、基体ホ
ルダーまたは基体に高周波電源を接続し高周波電力を印
加することにより、基体にバイアス電圧を発生させ、プ
ラズマ中のイオンを加速して照射してもよい。
プラズマＣＶＤ装置を用い、グリッドに電圧を印加し
て、プラズマからのイオンを加速させているが、基体ホ
ルダーまたは基体に高周波電源を接続し高周波電力を印
加することにより、基体にバイアス電圧を発生させ、プ
ラズマ中のイオンを加速して照射してもよい。
【００６６】また、イオンガンのソースガスとしてＣＯ
2を含む原料ガスを用い、ＣＯ2分子を含む炭素被膜を形
成してもよい。また、同様にイオンガンを用い、炭素被
膜にイオンビームを照射し、炭素被膜を表面処理しても
同様の効果を得ることができる。
2を含む原料ガスを用い、ＣＯ2分子を含む炭素被膜を形
成してもよい。また、同様にイオンガンを用い、炭素被
膜にイオンビームを照射し、炭素被膜を表面処理しても
同様の効果を得ることができる。
【００６７】本発明の炭素被膜は、その高い導電性を利
用して、種々の分野に用いることができる。従来の炭素
被膜と同様に、電気シェーバー等の刃、スクリーン印刷
用マスク、ＯＡ機器部品、その他の摺動部品、または太
陽電池、ＳＡＷデバイス等の電子デバイス、半導体装置
における機能性薄膜として用いることができるととも
に、リチウム二次電池などの二次電池の電極薄膜として
も用いることができるものである。
用して、種々の分野に用いることができる。従来の炭素
被膜と同様に、電気シェーバー等の刃、スクリーン印刷
用マスク、ＯＡ機器部品、その他の摺動部品、または太
陽電池、ＳＡＷデバイス等の電子デバイス、半導体装置
における機能性薄膜として用いることができるととも
に、リチウム二次電池などの二次電池の電極薄膜として
も用いることができるものである。
【００６８】
【発明の効果】本発明の第１の局面によれば、硬質炭素
被膜の機械的特性及び化学的安定性を維持しながら、被
膜全体に高い導電性を有する炭素被膜とすることができ
る。
被膜の機械的特性及び化学的安定性を維持しながら、被
膜全体に高い導電性を有する炭素被膜とすることができ
る。
【００６９】本発明の第２の局面によれば、硬質炭素被
膜の機械的特性及び化学的安定性を維持しながら、被膜
表面に高い導電性を有する炭素被膜とすることができ
る。
膜の機械的特性及び化学的安定性を維持しながら、被膜
表面に高い導電性を有する炭素被膜とすることができ
る。
【００７０】本発明の第３の局面によれば、上記本発明
の第１の局面の炭素被膜を製造することができ、本発明
の第４の局面によれば、本発明の第２の局面に従う炭素
被膜を製造することができる。
の第１の局面の炭素被膜を製造することができ、本発明
の第４の局面によれば、本発明の第２の局面に従う炭素
被膜を製造することができる。
【図１】本発明に従う一実施例の炭素被膜の赤外吸収ス
ペクトルを示す図。
ペクトルを示す図。
【図２】従来の炭素被膜の赤外吸収スペクトルを示す
図。
図。
【図３】本発明に従う実施例において用いるＥＣＲプラ
ズマＣＶＤ装置を示す概略断面図。
ズマＣＶＤ装置を示す概略断面図。
【図４】体積抵抗率の測定方法を説明するための模式
図。
図。
【図５】表面抵抗の測定方法を説明するための模式図。
【図６】図５における電極を示す平面図。
【図７】原料ガス中におけるＣＯ2 ／ＣＨ4 混合比と炭
素被膜の体積抵抗率との関係を示す図。
素被膜の体積抵抗率との関係を示す図。
【図８】原料ガス中におけるＣＯ2 ／ＣＨ4 混合比と炭
素被膜の体積抵抗率との関係を示す図。
素被膜の体積抵抗率との関係を示す図。
【図９】プラズマからのイオンを加速する加速電圧と炭
素被膜のビッカース硬度との関係を示す図。
素被膜のビッカース硬度との関係を示す図。
【図１０】炭素被膜の表面処理時間と表面抵抗との関係
を示す図。
を示す図。
１…マイクロ波供給手段 ２…導波管 ３…マイクロ波導入窓 ４…プラズマ発生室 ５…ガス導入管 ６…プラズマ磁界発生装置 ７…基体ホルダー ８…真空チャンバー ９…グリッド １１…ターゲット １２…支持棒 １２ａ…支持棒の回転中心部 １３…高周波電源 ２０…基板 ２１…炭素被膜 ２２，２３，２４…電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 樽井 久樹 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 Ｆターム(参考） 4G046 CA02 CB03 CB08 CC02 CC06 4K030 AA09 AA10 AA14 BA27 FA02 FA12 JA09 JA12 JA17 KA20
Claims (17)
- 【請求項１】 基体上に形成された炭素被膜であって、
ＣＯ2分子を含むことを特徴とする炭素被膜。 - 【請求項２】 赤外吸収スペクトルにおいて、ＣＯ2分
子に基づく２３５０ｃｍ-1付近及び６７０ｃｍ-1付近の
吸収ピークが認められることを特徴とする請求項１に記
載の炭素被膜。 - 【請求項３】 被膜の体積抵抗率が１０9Ω・ｃｍ以下
であることを特徴とする請求項１または２に記載の炭素
被膜。 - 【請求項４】 基体上に形成された炭素被膜であって、
その表面がＣＯ2 を含むガスで表面処理されたことを特
徴とする炭素被膜。 - 【請求項５】 被膜の表面抵抗が１０6Ω／□以下であ
ることを特徴とする請求項４に記載の炭素被膜。 - 【請求項６】 被膜の硬度が２５００Ｈｖ以上であるこ
とを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の炭
素被膜。 - 【請求項７】 基体上に中間層が設けられており、該中
間層の上に炭素被膜が形成されていることを特徴とする
請求項１〜６のいずれか１項に記載の炭素被膜。 - 【請求項８】 請求項１〜３及び６〜７のいずれか１項
に記載の炭素被膜を製造する方法であって、ＣＯ2を含
む原料ガスを用いることを特徴とする炭素被膜の製造方
法。 - 【請求項９】 前記原料ガスとして、ＣＯ2 と炭化水素
の混合ガスを用いることを特徴とする請求項８に記載の
炭素被膜の製造方法。 - 【請求項１０】 前記炭化水素として、ＣＨ4、Ｃ
2Ｈ6、Ｃ3Ｈ8、Ｃ4Ｈ10、Ｃ2Ｈ4、及びＣ2Ｈ2から選ば
れる少なくとも１種を用いることを特徴とする請求項９
に記載の炭素被膜の製造方法。 - 【請求項１１】 前記原料ガスを用いたイオンビーム照
射またはプラズマ気相合成法により炭素被膜を製造する
ことを特徴とする請求項８〜１０のいずれか１項に記載
の炭素被膜の製造方法。 - 【請求項１２】 前記イオンビームの加速電圧あるいは
前記プラズマ気相合成時の基体バイアス電圧が２００Ｖ
以上であることを特徴とする請求項１１に記載の炭素被
膜の製造方法。 - 【請求項１３】 請求項４〜７のいずれか１項に記載の
炭素被膜を製造する方法であって、ＣＯ2を含むガスを
処理用ガスとして用いて、炭素被膜の表面を処理するこ
とを特徴とする炭素被膜の製造方法。 - 【請求項１４】 前記処理用ガスとしてＣＯ2のみを含
むガスを用いることを特徴とする請求項１３に記載の炭
素被膜の製造方法。 - 【請求項１５】 前記処理用ガスのイオンビームまたは
プラズマを炭素被膜の表面に照射して表面処理すること
を特徴とする請求項１３または１４に記載の炭素被膜の
製造方法。 - 【請求項１６】 前記原料ガスを用いたプラズマ気相合
成法により炭素被膜を製造する方法であって、形成速度
が５ｎｍ／ｍｉｎ以上となる条件で前記炭素被膜を形成
することを特徴とする請求項１１記載の炭素被膜の製造
方法。 - 【請求項１７】 前記原料ガスを用いたプラズマ気相合
成法により炭素被膜を製造する方法であって、形成時の
ガス圧力と形成速度の積が０．５Ｐａ・ｎｍ／ｍｉｎ以
上となる条件で前記炭素被膜を形成することを特徴とす
る請求項１１記載の炭素被膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001148558A JP2002038268A (ja) | 2000-05-19 | 2001-05-18 | 炭素被膜及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000148381 | 2000-05-19 | ||
| JP2000-148381 | 2000-05-19 | ||
| JP2001148558A JP2002038268A (ja) | 2000-05-19 | 2001-05-18 | 炭素被膜及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002038268A true JP2002038268A (ja) | 2002-02-06 |
Family
ID=26592236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001148558A Pending JP2002038268A (ja) | 2000-05-19 | 2001-05-18 | 炭素被膜及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002038268A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007136131A1 (ja) | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | 非晶質炭素膜、非晶質炭素膜の形成方法、非晶質炭素膜を備えた導電性部材および燃料電池用セパレータ |
| JP2010265123A (ja) * | 2009-05-12 | 2010-11-25 | Nagasaki Univ | 親水性炭素質膜の製造方法及び製造装置 |
| JP2012502188A (ja) * | 2008-09-12 | 2012-01-26 | ブリガム・ヤング・ユニバーシティ | 酸素化ガスが注入された膜、およびその製造方法 |
| WO2013114836A1 (ja) | 2012-01-30 | 2013-08-08 | 株式会社豊田中央研究所 | 非晶質炭素膜、非晶質炭素膜の形成方法、非晶質炭素膜を備えた導電性部材および燃料電池用セパレータ |
-
2001
- 2001-05-18 JP JP2001148558A patent/JP2002038268A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007136131A1 (ja) | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | 非晶質炭素膜、非晶質炭素膜の形成方法、非晶質炭素膜を備えた導電性部材および燃料電池用セパレータ |
| EP2361882A1 (en) | 2006-05-22 | 2011-08-31 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Conductive member provided with amorphous carbon film, process for its manufacture and fuel cell separator |
| US8119242B2 (en) | 2006-05-22 | 2012-02-21 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Amorphous carbon film, process for forming amorphous carbon film, conductive member provided with amorphous carbon film, and fuel cell separator |
| EP2784024A2 (en) | 2006-05-22 | 2014-10-01 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Fuel cell separator and process for its production |
| JP2012502188A (ja) * | 2008-09-12 | 2012-01-26 | ブリガム・ヤング・ユニバーシティ | 酸素化ガスが注入された膜、およびその製造方法 |
| JP2010265123A (ja) * | 2009-05-12 | 2010-11-25 | Nagasaki Univ | 親水性炭素質膜の製造方法及び製造装置 |
| WO2013114836A1 (ja) | 2012-01-30 | 2013-08-08 | 株式会社豊田中央研究所 | 非晶質炭素膜、非晶質炭素膜の形成方法、非晶質炭素膜を備えた導電性部材および燃料電池用セパレータ |
| US10283785B2 (en) | 2012-01-30 | 2019-05-07 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Amorphous carbon film, process for forming amorphous carbon film, electrically conductive member and fuel cell bipolar plate having amorphous carbon film |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070724 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080408 |