JP2012502188A - 酸素化ガスが注入された膜、およびその製造方法 - Google Patents
酸素化ガスが注入された膜、およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012502188A JP2012502188A JP2011526877A JP2011526877A JP2012502188A JP 2012502188 A JP2012502188 A JP 2012502188A JP 2011526877 A JP2011526877 A JP 2011526877A JP 2011526877 A JP2011526877 A JP 2011526877A JP 2012502188 A JP2012502188 A JP 2012502188A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon
- coating layer
- substrate
- oxygenated gas
- coated object
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 70
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims abstract description 65
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 93
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 80
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 74
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 62
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 45
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims description 31
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 11
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 11
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 6
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N sulfur monoxide Chemical class S=O XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052815 sulfur oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 claims description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 2
- 239000007943 implant Substances 0.000 claims description 2
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 21
- 238000002679 ablation Methods 0.000 abstract description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 88
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 59
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 22
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 15
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 12
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 9
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 9
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 7
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 235000014121 butter Nutrition 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000004224 protection Effects 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 3
- 210000004905 finger nail Anatomy 0.000 description 3
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 3
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 3
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000003205 Smilax rotundifolia Nutrition 0.000 description 2
- 240000009022 Smilax rotundifolia Species 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 2
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- -1 inorganic Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000006120 scratch resistant coating Substances 0.000 description 2
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 2
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000870 ultraviolet spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000851 Alloy steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102000004316 Oxidoreductases Human genes 0.000 description 1
- 108090000854 Oxidoreductases Proteins 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006750 UV protection Effects 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 230000002730 additional effect Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000012267 brine Substances 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000002301 combined effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910021385 hard carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 210000000282 nail Anatomy 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 1
- 238000000424 optical density measurement Methods 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 239000012056 semi-solid material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical class O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/36—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters
- B32B27/365—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters comprising polycarbonates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0605—Carbon
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B64—AIRCRAFT; AVIATION; COSMONAUTICS
- B64G—COSMONAUTICS; VEHICLES OR EQUIPMENT THEREFOR
- B64G1/00—Cosmonautic vehicles
- B64G1/22—Parts of, or equipment specially adapted for fitting in or to, cosmonautic vehicles
- B64G1/226—Special coatings for spacecraft
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- G02B1/105—
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/14—Protective coatings, e.g. hard coatings
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0045—Recording
- G11B7/00452—Recording involving bubble or bump forming
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B7/2437—Non-metallic elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/2855—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by physical means, e.g. sputtering, evaporation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2457/00—Electrical equipment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2509/00—Household appliances
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2535/00—Medical equipment, e.g. bandage, prostheses, catheter
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2605/00—Vehicles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/28—Other inorganic materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/28—Other inorganic materials
- C03C2217/282—Carbides, silicides
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24318—Non-metallic elements
- G11B2007/24328—Carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31507—Of polycarbonate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Aviation & Aerospace Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
本発明の一実施形態は、少なくとも1つの基材と少なくとも1つの被覆層とを含む被覆された物体に関する。基材と被覆層とは直接接触していてもよいし、基材と被覆層との間の1つ以上の介在層が存在してもよい。
本発明のさらなる一実施形態は、被覆された物体の製造方法に関する。一般に、この方法は、基材を提供するステップと、1つ以上の追加層を塗布して被覆された物体を製造するステップとを含むことができる。
PVD 75装置(Kurt J.Lesker Company;Pittsburgh,PA)を使用してRFスパッタリングを行った。このシステムは、1つのRF電源、3インチ(7.62cm)のターゲットを保持できる3つのマグネトロンガン、および2種類のスパッタガス用の設備とともに構成された。ターゲットは、スパッタアップ構成で配置した。シャッターが3つのターゲットのそれぞれを覆う。基材を、200℃まで加熱可能な回転プラテン上に搭載した。回転プラテンはターゲットの上方に配置した。ほとんどの実験は、プラテンを積極的に加熱することなく行った。積極的に加熱しなくても、400wにおいてスパッタリング時間を増加させると、温度が最高約60℃〜70℃に到達するまでプラテンの温度が徐々に上昇した。約3時間後に最高温度に到達する。スパッタリング前のチャンバー内の初期温度は、通常約27℃であった。以下の実施例に記載されるように時間、ターゲット、およびスパッタリング源を変更した。
Veeco Dimension 3100装置(Veeco;(Plainview,NY))を使用して原子間力顕微鏡法(AFM)を行い、タッピングモードで画像を取得した。
ガラススライド上の膜のUV/VIS分光法は、Agilent 8453 UV/VIS分光計(Agilent;(Santa Clara,CA))を使用して行った。分光法測定のため、分光計からの光線が、最初にスライドの空気−ガラス界面を通過し、次にガラス−膜界面を通過するような向きにガラススライドを配置した。各スキャンは、未処理の被覆されていないガラススライドのスキャンとともに行った。被覆されたガラススライドの吸光度スペクトルから未処理のガラススライドの吸光度スペクトルを減じることによって、薄膜の吸光度スペクトルを求めた。本発明者らは、未処理のガラススライドのガラス−空気界面の反射率が被覆されたガラススライド上の膜−空気界面の反射率が同じであると仮定し、膜−ガラス界面の反射率は無視できると仮定している。被覆されたガラススライドのスキャンを行うとき、スパッタリング堆積中、プラテンの中央から2.2cmとなるガラススライドの部分に分光計の光線が通過するように、スライドを配置した。
UV/VIS吸光度を膜の厚さで割ることによって、薄膜の光学濃度を求めた。特定の波長における材料の光学濃度が高いほど、その波長における透明性が低くなる。2つの試料および2回の測定を使用して、光学濃度が求められる。2つの試料は、被覆されマスクされたシリコンウエハおよび被覆されたガラススライドである。これら2つの試料上の膜は、理想的には同時に作製する。被覆されたガラススライドのUV/VIS吸光度スペクトルを求める。Siウエハのマスクされた部分と露出部分との界面のAFM画像を取得し、ステップ高さ測定を行って膜の厚さを求める。次に、吸光度スペクトルのすべての点に沿った吸光度値を膜の厚さで割ることによって、膜の光学濃度スペクトルを求める。
上に被覆を全く有さないポリカーボネート光ディスクを、PVD 75装置のプラテン上に、ディスク上の光学トラックがターゲットに向かうように搭載した。アルゴンをスパッタガスとして使用し、Capman圧力3mtorrにおいて400wのRFのマグネトロン出力を使用して、炭素黒鉛ターゲットを1時間スパッタリングした。これによって、光ディスクの表面上に厚さ約31nmの炭素膜が形成された。次にクロム層を堆積した。
上に被覆を全く有さないポリカーボネート光ディスクを、PVD 75装置のプラテン上に、ディスク上の光学トラックがターゲットに向かうように搭載した。ArおよびCO2をスパッタガスとして使用し、CO2を指定の濃度であり、3mtorrのCapman圧力において400wのRFのマグネトロン出力を使用して、炭素黒鉛ターゲットを1時間スパッタリングする。次に、アルミニウムまたはクロムなどの金属層を炭素膜の上に堆積した。
通常は炭素層の堆積後に、スパッタ堆積によってクロム層を光ディスクに塗布した。通常、チャンバーは、炭素層とクロム層との塗布の間は減圧下に維持される。Arをスパッタガスとして使用し、Capman圧力4mtorrにおいて、400wのRFのマグネトロン出力を使用して、クロムターゲットを15分間スパッタリングした。これによって、光ディスクの表面上に厚さ約138nmのクロム膜が形成された。
膜の厚さを求めるためにAFMを使用した。前述したように、スパッタリング中は膜をテープでマスクした。スパッタリング後、テープを取り外して表面を洗浄した。次にAFMによってステップ高さを測定した。400wのRFマグネトロンの出力および4mtorrのCapman圧力の条件下でスパッタリングしたクロムは、0.154nm/sの速度で成長することが分かった。これは、5つのデータ点の較正曲線の傾きから求めた。400wのRFマグネトロン出力および3mtorrのCapman圧力の条件下でスパッタリングしたアルミニウムは、0.141nm/sの速度で成長することが分かった。これは、3つのデータ点の較正曲線の傾きから求めた。
炭素膜の成長速度は、スパッタガス中の二酸化炭素のパーセント値に依存することが分かった。全ての実験で実験条件は一定であり、400wのRFマグネトロン出力、およびCapman=3mtorrである。実験を行ったアルゴンの量のパーセント値としてのプロセスガス中の二酸化炭素の量は、0%(v/v)、1%(v/v)、2%(v/v)、および4%(v/v)であった。これらの膜の成長速度を以下の表に示しており、これらはAFMによって測定した膜の厚さをスパッタ時間で割ることによって求めた。
スパッタガス中1%〜4%(v/v)の範囲にわたって二酸化炭素スパッタリング濃度を増加させると、炭素膜の光学濃度が低下することが分かった。この実施例では、400wのRFマグネトロン出力および3mtorrのCapman圧力において、4時間炭素黒鉛をスパッタリングすることによって膜を形成した。これらの膜の650nmの光学濃度を以下の表に示す。
SSX−100装置(Surface Physicsによって維持されるSurface Science;(Bend,OR))を使用して、X線光電子分光法(XPS)を行った。XPSによって、材料の上部約10nmの元素組成が求められる。XPSより、スパッタガス中の二酸化炭素のパーセント値が増加すると膜の酸素含有率が一様に増加することが示された。結果を以下の表に示す。
スパッタリングによって堆積した炭素膜は、内部応力および大気中の分解によって劣化する場合があることが知られている。無傷の炭素膜と激しく劣化した炭素膜との間には、外観および性質において明確な目に見える差が存在する。激しく劣化した炭素膜は、曇った外観を有し、色が薄く、基材から容易に拭き取ったり洗い落としたりすることが可能になる。対照的に、無傷の膜は反射性であり、基材から除去することは困難である。
耐久性を測定するための簡単な試験として、沸騰水中に48時間の試料の浸漬、およびテープ引張接着試験が挙げられる。
1組のガラスレンズ読書用眼鏡(K−mart、Provo、UT、i−Design(商標)、Value Pack Designer Readers、+1.50)をレンズの前面がカソードに向かうように、PVD 75のプラテン上に搭載した。堆積中はプラテンを回転させた。炭素層を以下のようにして堆積した:厚さ1/4インチ(6.35mm)の黒鉛ターゲット(Plasmaterials,Livermore,CA、ロット番号PLA489556)をスパッタリングし;出力は400WのDCであり、capman圧力は7mtorrであり;スパッタガス中の主成分はアルゴンであり;スパッタガス中の二酸化炭素濃度は2%(v/v)であり;堆積は44:22分間行った。ガラス上の膜の厚さは約44nmであった。膜によって、レンズの反射率が増加した。被覆されたレンズは淡褐色であり、サングラスとして十分機能した。より厚い被覆を塗布することによって、より暗い色を容易に実現できた。被覆されたレンズは、指の爪によるひっかきに対して抵抗性であった。
石英スライド、および二酸化炭素が注入された炭素膜で被覆された石英スライドの透過率を測定した。堆積条件は、前実施例中の読書用眼鏡の被覆に使用した条件と同じであった。図2は、石英(上の線)が200nm〜1000nmの広い波長範囲にわたって高い透過率を有することを示している。注入された炭素膜を加えると(下の線)、被覆された物体を透過する光の透過率が顕著に減少する。図2は、波長に対する透過率のプロットである。透過率は、紫外範囲(400nmよりも短い波長)において特に減少している。被覆していない石英基材の透過率に対して、紫外線A(320〜400nm)では約48%減少し、紫外線B(280nm〜320nm)では約53%減少し、紫外線C(100nm〜280nm)の200nm〜280nmの部分では約56%減少している。注入された炭素膜の厚さが比較的薄い44nmからより厚い厚さまで増加させると、これらのUV保護パーセント値を増加させることができる。
直径約1インチ(2.54cm)のカットされた透明プラスチックのビーズ(Greenbrier International,(Chesapeake,VA)、品目番号954446 92)を、レンズの前面がカソードに向かうように、PVD 75のプラテン上に搭載した。堆積条件は、前の実施例中の読書用眼鏡の被覆に使用した条件と同じであった。被覆されたビーズは、肉眼では淡褐色であり、被覆されていない対照ビーズよりも反射が大きかった。
長さ約7インチ(17.78cm)のバター皿の透明プラスチックの底部(Greenbrier International、品目858616 93)を、皿の底部がカソードに向かうように、PVD 75のプラテン上に搭載した。堆積条件は、前の実施例中の読書用眼鏡の被覆に使用した条件と同じであった。被覆されたバター皿は、肉眼では淡褐色であり、被覆されていないバター皿よりも反射が大きかった。バター皿の被覆されていない内面は指の爪で容易にひっかくことができた。バター皿の被覆された外面は、指の爪によるひっかきに対して抵抗性であった。
厚さ0.009インチ(0.23mm)の片刃のかみそりの刃(Famous Smith(登録商標) Brand、品目番号67−0238)を、刃の一方の面がカソードに向かうように、プラテン上に寝かせて搭載した。前の実施例中の読書用眼鏡の被覆に使用した条件と同じ堆積条件を使用して、かみそりの刃の一方の面を被覆した。かみそりの刃の被覆された面は均一な褐色となった。
二酸化炭素を注入した炭素膜で、ポリカーボネートディスクを被覆した。被覆されたディスクは、アセトンですすいだ後に変色したり曇り始めたりすることはなかった。被覆していないポリカーボネートディスクは、アセトンと接触すると直ちに曇り始めた。同様に、テルル金属で被覆したポリカーボネートディスクも、アセトンと接触すると直ちに曇り始めた。ポリカーボネートディスクを被覆しても(たとえテルル金属であっても)、アセトンによる攻撃に対して保護されなかった。
Claims (20)
- 少なくとも1つの基材と、
酸素化ガスが注入された少なくとも1つの被覆層と、
を含む、被覆された物体。 - 前記基材が前記被覆層と面接触する、請求項1に記載の被覆された物体。
- 前記基材がポリカーボネートまたはガラスを含む、請求項1に記載の被覆された物体。
- 前記基材が、コンデンサ、抵抗器、電極、航空機着陸装置、航空機フラップトラック、航空機部品、ポリカーボネートディスク、時計の文字盤、電池、眼鏡、レンズ、かみそりの刃、ナイフの刃、歯科用器具、医療移植片、手術器具、ステント、骨鋸、台所用品、宝石類、ドアの取っ手、釘、ねじ、ボルト、ナット、ドリルビット、鋸刃、一般的な家庭用金物、電気絶縁体、ボートのプロペラ、ボートのプロペラシャフト、ボートおよび船舶用製品、エンジン、車両部品、車台部品、人工衛星、あるいは人工衛星部品を含む、請求項1に記載の被覆された物体。
- 前記被覆層が、非晶質炭素、ダイヤモンド状炭素、炭化ケイ素、炭化ホウ素、窒化ホウ素、非晶質ケイ素、または非晶質ゲルマニウムを含む、請求項1に記載の被覆された物体。
- 前記被覆層が元素状炭素(C)を含む、請求項1に記載の被覆された物体。
- 前記被覆層が非晶質炭素を含む、請求項1に記載の被覆された物体。
- 前記酸素化ガスが、一酸化炭素、二酸化炭素、分子酸素、オゾン、酸化窒素類、酸化硫黄類、またはそれらの混合物である、請求項1に記載の被覆された物体。
- 前記酸素化ガスが二酸化炭素である、請求項1に記載の被覆された物体。
- 前記酸素化ガスが前記被覆層中に共有結合している、請求項1に記載の被覆された物体。
- ポリカーボネートまたはガラスの基材と、
二酸化炭素が注入された元素状炭素被覆層と、
を含む、被覆された物体。 - 被覆された物体の製造方法であって、
基材を提供するステップと、
酸素化ガスを注入した被覆層を塗布して被覆された物体を製造するステップと、
を含む、方法。 - 前記基材と前記被覆層とが互いに面接触している、請求項12に記載の方法。
- 前記被覆層を塗布するステップが、前駆体材料と少なくとも1種類の酸素化ガスとをスパッタリングするステップを含む、請求項12に記載の方法。
- 前記被覆層を塗布するステップが、前駆体材料と少なくとも1種類の酸素化ガスとをスパッタリングするステップを含み、前記酸素化ガスが約0.01%(v/v)〜約25%(v/v)の濃度で使用される、請求項12に記載の方法。
- 前記被覆層が、非晶質炭素、ダイヤモンド状炭素、炭化ケイ素、炭化ホウ素、窒化ホウ素、非晶質ケイ素、または非晶質ゲルマニウムを含む、請求項12に記載の方法。
- 前記被覆層が元素状炭素(C)を含む、請求項12に記載の方法。
- 前記被覆層が非晶質炭素を含む、請求項12に記載の方法。
- 前記酸素化ガスが、一酸化炭素、二酸化炭素、分子酸素、オゾン、酸化窒素類、酸化硫黄類、またはそれらの混合物である、請求項12に記載の方法。
- 前記酸素化ガスが二酸化炭素である、請求項12に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US19192508P | 2008-09-12 | 2008-09-12 | |
US61/191,925 | 2008-09-12 | ||
PCT/US2009/045355 WO2010030419A1 (en) | 2008-09-12 | 2009-05-27 | Films containing an infused oxygenated gas and methods for their preparation |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012502188A true JP2012502188A (ja) | 2012-01-26 |
Family
ID=42005410
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011526877A Pending JP2012502188A (ja) | 2008-09-12 | 2009-05-27 | 酸素化ガスが注入された膜、およびその製造方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100068529A1 (ja) |
EP (1) | EP2334841A4 (ja) |
JP (1) | JP2012502188A (ja) |
KR (1) | KR20110055729A (ja) |
CN (1) | CN102171381A (ja) |
AU (1) | AU2009292147A1 (ja) |
BR (1) | BRPI0918447A2 (ja) |
RU (1) | RU2011113686A (ja) |
WO (1) | WO2010030419A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2511229B1 (de) * | 2011-04-12 | 2017-03-08 | GFD Gesellschaft für Diamantprodukte mbH | Flankenverstärktes mikromechanisches Bauteil |
RU2557934C2 (ru) * | 2013-07-15 | 2015-07-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук (ИЭФ УрО РАН) | Способ получения на изделиях из твердых сплавов двухфазного нанокомпозитного покрытия, состоящего из нанокластеров карбида титана, распределенных в аморфной матрице |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08225936A (ja) * | 1995-01-26 | 1996-09-03 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 基板上にアモルファス水素添加炭素膜を堆積する方法 |
JP2000104165A (ja) * | 1998-09-28 | 2000-04-11 | Bridgestone Corp | スパッタ皮膜の屈折率コントロール方法 |
JP2002038268A (ja) * | 2000-05-19 | 2002-02-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 炭素被膜及びその製造方法 |
JP2004107102A (ja) * | 2002-09-13 | 2004-04-08 | National Institute For Materials Science | 酸化炭素薄膜、酸化窒化炭素薄膜および酸化ダイヤモンド状炭素薄膜とこれら酸化炭素系薄膜の製造方法 |
JP2005082887A (ja) * | 2003-09-11 | 2005-03-31 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 炭素系薄膜用成膜装置,成膜装置,及び成膜方法 |
JP2008511751A (ja) * | 2004-09-02 | 2008-04-17 | フォルシュングスツェントルム カールスルーエ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 立方晶窒化ホウ素を有する積層複合材料 |
Family Cites Families (65)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4430659A (en) * | 1981-02-13 | 1984-02-07 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Protuberant optical recording medium |
EP0089168B1 (en) * | 1982-03-15 | 1986-07-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical type information recording medium |
DE3377173D1 (en) * | 1982-09-29 | 1988-07-28 | Toshiba Kk | Radiation-sensitive carrier body utilized as stamper structure |
US4499477A (en) * | 1983-03-14 | 1985-02-12 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Cover assembly for optical recording medium |
JPS6387283A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-18 | Toshiba Corp | 光学的情報記録媒体 |
US4726008A (en) * | 1986-10-20 | 1988-02-16 | Eastman Kodak Company | Optical disk assembly |
US4833036A (en) * | 1988-03-21 | 1989-05-23 | Arco Chemical Technology, Inc. | Polyalkylene carbonate hot melt adhesive |
JPH02132874U (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-05 | ||
EP0414258B1 (en) * | 1989-08-25 | 1995-06-28 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Information recording medium and adhesive composition therefor |
JP2543230B2 (ja) * | 1990-06-20 | 1996-10-16 | 松下電器産業株式会社 | 光学情報記録媒体 |
US5268217A (en) * | 1990-09-27 | 1993-12-07 | Diamonex, Incorporated | Abrasion wear resistant coated substrate product |
US5169676A (en) * | 1991-05-16 | 1992-12-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Control of crystallite size in diamond film chemical vapor deposition |
US5294518A (en) * | 1992-05-01 | 1994-03-15 | International Business Machines Corporation | Amorphous write-read optical storage memory |
US5302493A (en) * | 1992-06-30 | 1994-04-12 | The Dow Chemical Company | Method for the preparation of optical recording media containing uniform partially oxidized metal layer |
EP0605891A3 (en) * | 1993-01-08 | 1996-08-07 | Eastman Kodak Co | Optical recording element using low absorption materials. |
US6210769B1 (en) * | 1993-11-08 | 2001-04-03 | Samuel Manu-Teeh, Inc. | Plastic strapping with modified surface characteristics |
JP3068416B2 (ja) * | 1994-08-26 | 2000-07-24 | 日本電気株式会社 | 情報記録媒体 |
WO1996017344A1 (fr) * | 1994-11-28 | 1996-06-06 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Support d'enregistrement optique |
US5993969A (en) * | 1997-01-30 | 1999-11-30 | Sandia Corporation | Carbon film electrodes for super capacitor applications |
US6066399A (en) * | 1997-03-19 | 2000-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Hard carbon thin film and method of forming the same |
US6168682B1 (en) * | 1998-02-10 | 2001-01-02 | 3M Innovative Properties Company | Method of manufacturing an optical recording medium |
US6349076B1 (en) * | 1998-06-24 | 2002-02-19 | Seagate Technology Llc | Magneto-optical recording medium having a protective carbon layer |
US6338933B1 (en) * | 1998-06-25 | 2002-01-15 | Spectradisc Corporation | Methods and apparatus for rendering an optically encoded medium unreadable |
JP4030205B2 (ja) * | 1998-10-26 | 2008-01-09 | 日立マクセル株式会社 | 情報記録媒体及び情報記録装置 |
US6352753B2 (en) * | 1998-11-10 | 2002-03-05 | Toray Industries, Inc. | Optical recording medium |
US6454983B1 (en) * | 1998-12-18 | 2002-09-24 | Eastman Chemical Company | Single screw extrusion of polymers |
US7050385B2 (en) * | 2000-02-08 | 2006-05-23 | Tosoh Corporation | Optical recording medium |
US6677104B2 (en) * | 2000-02-10 | 2004-01-13 | Tdk Corporation | Optical information medium |
WO2001068790A2 (de) * | 2000-03-16 | 2001-09-20 | Mat Gmbh Dresden | Reibungsarme und verschleissmindernde schutzschichten und verfahren zu ihrer abscheidung |
JP2001344824A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-12-14 | Tdk Corp | 光記録媒体の製造方法および光記録媒体 |
US6753042B1 (en) * | 2000-05-02 | 2004-06-22 | Itac Limited | Diamond-like carbon thin film coating process |
US6630283B1 (en) * | 2000-09-07 | 2003-10-07 | 3M Innovative Properties Company | Photothermographic and photographic elements having a transparent support having antihalation properties and properties for reducing woodgrain |
TW564416B (en) * | 2000-09-12 | 2003-12-01 | Tdk Corp | Optical recording medium |
JP2003034081A (ja) * | 2000-09-14 | 2003-02-04 | Ricoh Co Ltd | 相変化型光情報記録媒体 |
JP4145036B2 (ja) * | 2000-09-28 | 2008-09-03 | 株式会社リコー | 光情報記録媒体 |
TW527592B (en) * | 2001-03-19 | 2003-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical information recording media, and the manufacturing method and record regeneration method of the same |
JPWO2003036632A1 (ja) * | 2001-10-19 | 2005-02-17 | 松下電器産業株式会社 | 光学的情報記録媒体及びその製造方法 |
DE60310282T2 (de) * | 2002-03-01 | 2007-05-10 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Thermisch übertragbares Bildschutzblatt, Verfahren zur Schutzschicht-Bildung und durch das Verfahren hergestellte Aufnahme |
TWI260004B (en) * | 2002-03-04 | 2006-08-11 | Ritek Corp | Write-once high-density CD-recordable layer structure and manufacturing method |
CN1290106C (zh) * | 2002-03-07 | 2006-12-13 | 株式会社理光 | 光记录媒体及其制造方法 |
US7008681B2 (en) * | 2002-03-15 | 2006-03-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and manufacturing method and recording/reproducing method for the same |
JP2004013947A (ja) * | 2002-06-04 | 2004-01-15 | Victor Co Of Japan Ltd | 情報記録担体、再生装置、記録装置、記録再生装置、再生方法、記録方法及び記録再生方法 |
AU2003244963A1 (en) * | 2002-07-04 | 2004-01-23 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Rewritalbe optical data storage medium and use of such a medium |
US6939808B2 (en) * | 2002-08-02 | 2005-09-06 | Applied Materials, Inc. | Undoped and fluorinated amorphous carbon film as pattern mask for metal etch |
JP2004071079A (ja) * | 2002-08-08 | 2004-03-04 | Hitachi Ltd | 情報記録媒体 |
WO2004023468A1 (ja) * | 2002-09-06 | 2004-03-18 | Mitsubishi Chemical Corporation | 光学的情報記録媒体 |
WO2004032131A1 (ja) * | 2002-10-02 | 2004-04-15 | Mitsubishi Chemical Corporation | 光記録媒体 |
US20040125739A1 (en) * | 2002-12-19 | 2004-07-01 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical information recording method and optical information recording medium |
US6797458B2 (en) * | 2002-12-20 | 2004-09-28 | Eastman Kodak Company | Photographic multi-layer film base comprising 1,4-cyclohexane dimethanol |
JP2004255698A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Victor Co Of Japan Ltd | 光記録媒体 |
WO2004101276A1 (ja) * | 2003-05-16 | 2004-11-25 | Toppan Printing Co., Ltd. | 透明ガスバリア積層フィルム、これを用いたエレクトロルミネッセンス発光素子、エレクトロルミネッセンス表示装置、及び電気泳動式表示パネル |
BRPI0410641A (pt) * | 2003-05-16 | 2006-07-04 | Blue Membranes Gmbh | processo para revestimento de substratos com material baseado em carbono |
JP3940709B2 (ja) * | 2003-07-01 | 2007-07-04 | 株式会社東芝 | 相変化光記録媒体 |
TWI330531B (en) * | 2003-08-19 | 2010-09-21 | Neochemir Inc | A composition for preparing carbon dioxide external gel and the carbon dioxide external gel |
US7858290B2 (en) * | 2003-10-02 | 2010-12-28 | Panasonic Corporation | Information recording medium and method for manufacturing the same |
ATE379835T1 (de) * | 2004-03-12 | 2007-12-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optisches informationsaufzeichnungsmedium, herstellungsverfahren, aufzeichnungsverfahren und aufzeichnungsvorrichtung dafür |
JP4136980B2 (ja) * | 2004-03-19 | 2008-08-20 | 株式会社リコー | 多層相変化型情報記録媒体及びその記録再生方法 |
CN1969058B (zh) * | 2004-04-19 | 2010-04-14 | 独立行政法人产业技术总合研究所 | 碳膜 |
JP2006286115A (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
CN1869108B (zh) * | 2005-05-26 | 2010-06-09 | 东丽株式会社 | 层合聚酯膜、使用了该层合聚酯膜的阻燃性聚酯膜、覆铜层合板以及电路基板 |
JP2007026632A (ja) * | 2005-06-14 | 2007-02-01 | Victor Co Of Japan Ltd | 光記録媒体及び光記録方法 |
WO2007046390A1 (ja) * | 2005-10-18 | 2007-04-26 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | 光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体、および光情報記録媒体用スパッタリングターゲット |
TWI363742B (en) * | 2005-10-28 | 2012-05-11 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Diamond-like carbon film |
JP2007299472A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Fujitsu Ltd | 光再生媒体および光再生媒体の製造方法 |
KR100812504B1 (ko) * | 2006-09-05 | 2008-03-11 | 성균관대학교산학협력단 | 전도성 고경도 탄소박막의 제조 방법 및 박막 전계 발광소자용 전극으로의 응용 |
-
2009
- 2009-05-27 EP EP09813393.7A patent/EP2334841A4/en not_active Withdrawn
- 2009-05-27 AU AU2009292147A patent/AU2009292147A1/en not_active Abandoned
- 2009-05-27 CN CN2009801386529A patent/CN102171381A/zh active Pending
- 2009-05-27 BR BRPI0918447A patent/BRPI0918447A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2009-05-27 WO PCT/US2009/045355 patent/WO2010030419A1/en active Application Filing
- 2009-05-27 JP JP2011526877A patent/JP2012502188A/ja active Pending
- 2009-05-27 KR KR1020117008343A patent/KR20110055729A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-05-27 US US12/473,250 patent/US20100068529A1/en not_active Abandoned
- 2009-05-27 RU RU2011113686/02A patent/RU2011113686A/ru not_active Application Discontinuation
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08225936A (ja) * | 1995-01-26 | 1996-09-03 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 基板上にアモルファス水素添加炭素膜を堆積する方法 |
JP2000104165A (ja) * | 1998-09-28 | 2000-04-11 | Bridgestone Corp | スパッタ皮膜の屈折率コントロール方法 |
JP2002038268A (ja) * | 2000-05-19 | 2002-02-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 炭素被膜及びその製造方法 |
JP2004107102A (ja) * | 2002-09-13 | 2004-04-08 | National Institute For Materials Science | 酸化炭素薄膜、酸化窒化炭素薄膜および酸化ダイヤモンド状炭素薄膜とこれら酸化炭素系薄膜の製造方法 |
JP2005082887A (ja) * | 2003-09-11 | 2005-03-31 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 炭素系薄膜用成膜装置,成膜装置,及び成膜方法 |
JP2008511751A (ja) * | 2004-09-02 | 2008-04-17 | フォルシュングスツェントルム カールスルーエ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 立方晶窒化ホウ素を有する積層複合材料 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU2009292147A1 (en) | 2010-03-18 |
EP2334841A1 (en) | 2011-06-22 |
US20100068529A1 (en) | 2010-03-18 |
CN102171381A (zh) | 2011-08-31 |
EP2334841A4 (en) | 2013-07-17 |
BRPI0918447A2 (pt) | 2018-08-28 |
RU2011113686A (ru) | 2012-10-20 |
WO2010030419A1 (en) | 2010-03-18 |
KR20110055729A (ko) | 2011-05-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2149540B1 (en) | Transparent member, timepiece, and method of manufacturing a transparent member | |
CN1969058B (zh) | 碳膜 | |
AU737886B2 (en) | Alkali metal diffusion barrier layer | |
RU2761278C2 (ru) | Закаляемые покрытия с алмазоподобным углеродом | |
FR2568456A1 (fr) | Objet decoratif d'usage courant, revetu d'une couche d'or ou contenant de l'or et procede de fabrication. | |
EP0884403A1 (fr) | Materiau multicouches à revetement anti-erosion, anti-abrasion, et anti-usure sur substrat en aluminium, en magnesium ou en leurs alliages. | |
WO2013069402A1 (ja) | ガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムの製造方法 | |
US9845261B2 (en) | Method of making heat treated coated article using carbon based coating and protective film | |
EP0537062A1 (fr) | Procédé de traitement pour déposer une couche de carbone en phase vapeur sur la surface d'une pièce métallique | |
Kao et al. | Effects of carbon doping on mechanical, tribological, structural, anti-corrosion and anti-glass-sticking properties of CrNbSiTaZr high entropy alloy coatings | |
Ding et al. | Microstructure, mechanical, and wettability properties of Al-doped diamond-like films deposited using a hybrid deposition technique: Bias voltage effects | |
Moghadam et al. | Correlation study of structural, optical, and hydrophobicity properties of diamond-like carbon films prepared by an anode layer source | |
JP2012502188A (ja) | 酸素化ガスが注入された膜、およびその製造方法 | |
Cosset et al. | Deposition of corrosion-resistant chromium and nitrogen-doped chromium coatings by cathodic magnetron sputtering | |
EP1788110B1 (fr) | Revêtement à base d'argent résistant à la sulfuration, procédé de dépôt et utilisation. | |
Pulker et al. | Optical films deposited by a reactive ion plating process | |
Guzman et al. | Hard coating adhesion on ion implanted polymer surfaces | |
Cristea et al. | Photocatalytical and corrosion behavior of sputtered zirconium oxynitride thin films doped with titanium | |
JP2002080980A (ja) | 光触媒膜を有する金属基材とその製造方法及び金属基材表面の親水化方法 | |
JPH05221689A (ja) | 熱線遮蔽ガラス | |
Jagannadham et al. | Laser physical vapor deposition of boron carbide films to enhance cutting tool performance | |
Tsai et al. | Characterizations of composite TiO2-MgF2 films prepared by reactive ion-assisted coevaporation | |
JP2601546B2 (ja) | 耐擦傷性保護膜付ガラス基体の製造方法 | |
Woo et al. | Optical properties of Ta2O5 thin films deposited by plasma ion-assisted deposition | |
Radjabov et al. | The investigation of two-layer protective-decorative coatings on oxide substrates |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20120522 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120524 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20120524 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130830 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130903 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140225 |