JPH1191946A - 基板支持装置 - Google Patents

基板支持装置

Info

Publication number
JPH1191946A
JPH1191946A JP9273487A JP27348797A JPH1191946A JP H1191946 A JPH1191946 A JP H1191946A JP 9273487 A JP9273487 A JP 9273487A JP 27348797 A JP27348797 A JP 27348797A JP H1191946 A JPH1191946 A JP H1191946A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
supporting
claws
claw
opening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9273487A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4059549B2 (ja
Inventor
Naoyuki Nozawa
直之 野沢
Yoshiro Hasegawa
善郎 長谷川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Anelva Corp
Original Assignee
Anelva Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Anelva Corp filed Critical Anelva Corp
Priority to JP27348797A priority Critical patent/JP4059549B2/ja
Priority to US09/123,026 priority patent/US6030455A/en
Priority to US09/139,886 priority patent/US5976255A/en
Publication of JPH1191946A publication Critical patent/JPH1191946A/ja
Priority to US09/449,111 priority patent/US6202592B1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4059549B2 publication Critical patent/JP4059549B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Jigs For Machine Tools (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の周縁に近い表面領域まで十分に良質な
処理が行えるとともに基板の支持が不安定になることが
ないようにする。 【解決手段】 垂直なベース板11に設けられたほぼ円
形の開口の縁には、垂直な基板2の下縁に当接して支え
る弾性によって支持位置が変化しない固定支持爪141
と、基板2の側縁に当接して基板2を挟み込む開閉可能
な二つの可動支持爪142,143とが取り付けられて
いる。可動支持爪142,143は開閉機構によって開
閉され、基板2が下降して固定支持爪141の上に載せ
られる際に基板2の中心に対して5度から45度高い側
縁の位置で基板2に当接し始め、基板2が固定支持爪1
41に支持された状態では基板2の中心よりも高い位置
で側縁に当接する。可動支持爪142,143は板バネ
155の先端に設けられており、開閉機構は基板2の中
心よりも低い位置で板バネ155に当接して開閉動作を
行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本願の発明は、基板の表面に
所定の処理を施す基板処理装置等において基板を支持す
る目的で使用される基板支持装置に関する。
【0002】
【従来の技術】基板の表面に所定の処理を施すことは、
LSI(大規模集積回路)、LCD(液晶ディスプレ
イ)、情報記録ディスク等の製作において盛んに行われ
ている。このうち、ハードディスク等の情報記録ディス
クの製作の分野では、中央に開口を有する円形の基板を
垂直に支持する基板支持装置が使用される場合がある。
【0003】図9は、従来の基板支持装置の構成を示す
正面概略図、図10は図9に示す基板支持装置の動作を
説明する斜視概略図である。図9及び図10に示す基板
支持装置は、垂直に立てて配置されたベース板11と、
このベース板11に設けられた固定支持爪12及び可動
支持爪13によって主に構成されている。
【0004】図9及び図10に示すように、ベース板1
1は、方形の板部材に「J」の字の形状の切り欠きを設
けたような形状のものである。そして、その「J」の字
の切り欠きの曲線部分(以下、曲線部)に四つの固定支
持爪12が設けられている。四つの固定支持爪12は、
図9及び図10に示すように、「J」の字の最下点を通
る垂直な線(以下、中心軸線10)に対して線対称とな
る位置関係で配置されている。
【0005】各々の固定支持爪12は、短い帯板状の部
材を曲げてL字状にしたような形状の部材である。ベー
ス板11の切り欠き部分には、段差が設けられており、
この段差に係止させるようにして各固定支持爪12が配
置され、ネジ止め等の方法によってベース板11に対し
て固定されている。そして、各固定支持爪12の先端
は、曲線部の曲率の中心点に向かっており、その先端部
分は、図10に示すようなV字状の凹部が形成されてい
る。
【0006】一方、可動支持爪13はベース板11の上
面に固定されている。可動支持爪13は、帯板状の部材
の先端をL字状に曲げた形状を有する。可動支持爪13
の後端はベース板11の上端面にネジ止め等によって固
定されており、L字状の先端部分はちょうど中心軸線1
0上に位置して下方に向いている。そして、下方に向い
た先端部分には、固定支持爪12と同様にV字状の凹部
が形成されている。
【0007】上記従来の基板支持装置の動作について説
明する。上記基板支持装置は、ハードディスク用の基板
のような円形の板状で中央に開口20を有する基板2を
支持するよう構成され、図10に示すように、基板2を
保持する基板ピックアップ3を備えた搬送機構4によっ
て基板2が着脱されるようになっている。また、図10
に示すように、基板支持装置1の付近には、基板支持装
置1の可動支持爪13を開閉する開閉装置5が設けられ
る。上述した可動支持爪13は板バネになっており、開
閉装置5は、可動支持爪13の先端を上方に変位させて
可動支持爪13を撓ませる開閉ピン51と、開閉ピン5
1を水平方向及び垂直方向に移動させる移動機構52と
から構成されている。
【0008】まず、上記基板支持装置1に基板2を装着
する場合について説明する。基板ピックアップ3は基板
2の中央の開口20に先端を挿入させて基板2を保持し
ながら、基板2を基板支持装置1の近傍まで水平に搬送
する。この際、開閉装置5の開閉ピン51は移動機構5
2によって予め水平に移動して基板支持装置1の可動支
持爪13の下方に進入し、さらに所定距離上方に移動し
て図9に点線で示すように可動支持爪13を撓ませて可
動支持爪13が開いた状態にしている。
【0009】基板ピックアップ3は、基板支持装置1の
ベース板11の位置まで基板2を移動させ、可動支持爪
13と固定支持爪12との間の位置に基板2を位置させ
る。そして、搬送機構4が基板ピックアップ3を少し下
降させ、基板2が固定支持爪12の上に載って支持され
るようにする。
【0010】次に、開閉装置5の移動機構52が開閉ピ
ン51を所定距離下降させ、可動支持爪13の撓みを解
消させて可動支持爪13がほぼ水平な姿勢になるように
する。この結果、可動支持爪13の先端部分が基板2の
上縁に当接し、基板2を上から抑える状態となる。その
後、基板ピックアップ3は後退し、別の基板2の保持等
のため、搬送機構4によって所定の位置まで送られる。
また、開閉ピン51も後退して所定の退避位置に退避す
る。
【0011】基板2を基板支持装置1から取り外す場合
は上記の手順と逆であり、まず開閉装置5の移動機構5
2が開閉ピン51を水平移動させて可動支持爪13の下
方に進入させ、所定距離上昇させて可動支持爪13を撓
ませる。そして、搬送機構4が基板ピックアップ3を駆
動し、基板ピックアップ3の先端を基板2の中央の開口
20に挿入させる。この状態で基板ピックアップ3が少
し上昇して基板2を保持して持ち上げ、基板ピックアッ
プ3が後退して基板2を基板支持装置1から引き抜くこ
とで取り外しが完了する。
【0012】次に、上述したような基板支持装置1を使
用した基板処理装置について説明する。図11は、図9
及び図10に示す基板支持装置を使用した基板処理装置
の例の概略構成を示す平面図である。図11に示す基板
処理装置は、基板着脱チャンバー61と処理チャンバー
62とをゲートバルブ66を介在させて隣接して配置し
た構造である。処理される基板2は基板着脱チャンバー
61で基板支持装置1に装着され、基板支持装置1ごと
処理チャンバー62に送られる。そして、処理チャンバ
ー62で処理を行った後、再び基板着脱チャンバー61
に戻され、基板支持装置1から取り外される。
【0013】図11には、基板処理装置の一例として、
磁性薄膜を作成するスパッタリング装置が示されてい
る。即ち、処理チャンバー62内には、スパッタリング
カソード63が設けられている。スパッタリングカソー
ド63は、スパッタされるターゲット631と、ターゲ
ット631の背後に設けられた磁石機構633とから構
成されている。また、ターゲット631にターゲット所
定の電圧を印加するスパッタ電源632が設けられてい
る。
【0014】磁石機構633は、中央に設けられた柱状
の中心磁石634と中心磁石634を取り囲むリング状
の周辺磁石635とからなる構成であり、ターゲット6
31を貫くアーチ状の磁力線636を設定するようにな
っている。この磁力線636によってマグネトロンスパ
ッタリングが可能となり、高効率の成膜が行える。
【0015】処理チャンバー62は、排気系64や内部
に所定のガスを導入するガス導入手段65を備えてい
る。処理チャンバー62内を所定のガスを導入しなが
ら、スパッタ電源632を動作させると、ターゲット6
33を臨む空間にスパッタ放電が生じ、プラズマPが形
成される。図11に示すように、スパッタリングカソー
ド63は、基板支持装置1に支持された基板2の両側に
位置するように一対設けられている。従って、プラズマ
Pは基板2の両側に形成され、基板2の両側の面に対し
て同時に成膜できるようになっている。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の基板支
持装置が使用される基板処理装置では、基板の表面に対
して隅々まで良質な処理が行えることが要請されてい
る。例えば、情報記録媒体用の基板に対する磁性薄膜の
作成処理においては、一枚の基板への記録容量を大きく
するため、なるべく基板の周縁に近い領域まで良質な磁
性薄膜を作成することが要請されている。しかしなが
ら、上述した従来の装置では、基板の垂直支持に用いる
支持爪12,13の存在が原因で、基板2の周縁に近い
領域まで広く良質な処理を行うことができなかった。こ
の点を、同様に磁性薄膜の作成処理を例にして説明す
る。
【0017】上述した通り、図9に示す従来の基板支持
装置では、四つの固定支持爪13と一つの可動支持爪1
2で基板2を支持している。これらの支持爪12,13
の先端は浅いV字状に形成されており、基板2はその周
縁がこのV字に落とし込まれた状態で支持されるように
なっている。この構成は、基板2が板厚方向に移動して
しまうのを抑制するものとして意義がある。
【0018】しかしながら、これら支持爪12,13の
先端部分は、基板2の周縁に近い領域に対しては“影”
を作ることになり、周縁に近い領域に対する処理を悪化
させる原因となる。例えば磁性薄膜の作成では、ターゲ
ット633から飛来するスパッタ粒子がこれら支持爪1
2,13の先端部分で遮蔽されるため、支持爪12,1
3が存在する周縁に近い領域で膜厚が局所的に減少する
問題がある。このような特定の部材が被処理表面に対し
て“影”となって処理の質を低下させる問題は、一般に
シャドー効果と呼ばれる。上述した基板支持装置でも、
高密度記録化の要請等を背景として、シャドー効果の問
題が顕在化してきている。
【0019】支持爪の存在によって引き起こされるシャ
ドー効果を低減させるには、支持爪の数を少なくすれば
よい。上述したように基板を垂直に支持するには、最低
限三つの支持爪があれば良い。四つ以上の支持爪があっ
た場合、よほど精度良く取り付けられていない限り四つ
め以降の支持爪は基板の縁には接触しない。この場合、
どの三つの支持爪に接触するするかによって基板の支持
位置が変化してしまう。つまり、支持爪が四つ以上ある
とかえって基板の支持位置の精度が低下してしまう。従
って、支持爪の数は三つであることが好ましい。
【0020】三つの支持爪によって基板を垂直に支持す
る基板支持装置としては、実公平5−23570号公
報、実開平5−94267号公報、特開平8−2741
42号公報等に開示された構成が知られている。しかし
ながら、これらの公報に開示された基板支持装置では、
基板の下縁を支持する支持爪が板バネの先端部分である
ため、基板の自重や板バネのばね定数の如何によってこ
の下縁を支持する支持爪の位置が変化してしまう。この
ため、基板を支持する位置を常に一定にすることが困難
であるという問題があった。
【0021】また、実公平5−23570号公報や実開
平5−94267号公報に開示された基板支持装置で
は、基板の上縁に当接する支持爪は、基板の中心の高さ
の位置よりも45度以上の高い位置で基板の縁に当接し
ている。このため、その支持爪から発生するパーティク
ルによって基板の表面が汚損される可能性が高いという
問題があった。
【0022】より具体的に説明すると、スパッタリング
等の成膜処理では、薄膜は基板の表面のみならず支持爪
の表面にも堆積する。この支持爪の表面に堆積した薄膜
がある程度の厚さになると、薄膜の内部応力によって剥
離し、パーティクルが発生することがある。特に、支持
爪に基板が当接した弾みで支持爪から薄膜が剥離し、パ
ーティクルが発生する可能性が高い。このようなパーテ
ィクルが基板の表面に付着すると、局所的な膜厚異常等
の欠陥を生じさせる。実公平5−23570号公報や実
開平5−94267号公報に開示された装置では、基板
の中心の高さに対して45度以上の高い位置で基板の縁
に支持爪が当接するようになっているため、発生したパ
ーティクルが落下する際に基板の表面に付着する確率が
高く、上記欠陥が生じやすいという問題があった。
【0023】一方、特開平8−274142号公報に開
示された基板支持装置では、左右の支持爪が基板の丁度
中心の高さの位置で基板の縁に当接している。このた
め、上述したようなパーティクルの付着の確率は少なく
なっている。しかしながら、この装置では、左右の支持
爪が基板の丁度中心の高さの位置で基板の縁に当接する
ことから、基板を下方に押さえつける力が本質的に存在
しない。このため、何らかの弾みで基板は跳ね上がって
しまうという恐れがあり、確実な基板の支持という点で
は問題があった。
【0024】本願発明は、かかる課題を解決するために
なされたものであり、基板の周縁に近い表面領域まで十
分に良質な処理が行えるとともに基板の支持が不安定に
なることがないように改良された実用的な基板支持装置
を提供することを目的にしている。
【0025】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本願の請求項1記載の発明は、円形の基板を垂直に
保持しながらその円形の基板に所定の処理を施す基板処
理装置においてその基板の支持のために使用される基板
支持装置であって、垂直な姿勢で取り付けられるベース
板と、基板の周縁に当接して基板を垂直に支持するよう
ベース板に取り付けられた三つの支持爪とを備え、これ
ら三つの支持爪の一つは、基板の下縁に当接して基板を
支えるものであって基板の支持の際には弾性によって位
置が変化することのない固定支持爪であり、他の二つの
支持爪は、基板の側縁に当接して基板を挟み込むもので
あるとともに基板の着脱の際に開閉される可動支持爪で
あり、さらに、この二つの可動支持爪は、基板が固定支
持爪に支持された状態において基板の中心の高さの位置
よりも高い位置の側縁を当接にするよう設けられている
という構成を有する。また、上記課題を解決するため、
請求項2記載の発明は、上記請求項1の構成において、
前記可動支持爪を開閉する開閉機構が設けられており、
この開閉機構は、可動支持爪又は可動支持爪を保持した
部材に対して基板の中心の高さよりも低い位置で当接し
て開閉動作を行うものであるという構成を有する。ま
た、上記課題を解決するため、請求項3の発明は、請求
項1又は2記載の構成において、前記可動支持爪は、基
板が所定の上昇位置から下降して固定支持爪の上に載せ
られる際に、基板の中心に対して5度から45度高い側
縁の位置で基板に当接し始めるものであるという構成を
有する。また、上記課題を解決するため、請求項4の発
明は、請求項1、2又は3記載の構成において、前記可
動支持爪は、板バネの先端に設けられているという構成
を有する。また、上記課題を解決するため、請求項5の
発明は、請求項1、2、3又は4記載の構成において、
前記基板が前記固定支持爪の上に載せられた際に前記可
動支持爪が所定位置で停止するようにする内側ストッパ
が設けられているという構成を有する。また、上記課題
を解決するため、請求項6の発明は、請求項1、2又は
3記載の構成において、前記可動支持爪は板バネの先端
に設けられているか又は全体が板バネであり、この可動
支持爪の開きが所定の位置で停止するようにする外側ス
トッパが設けられているという構成を有する。また、上
記課題を解決するため、請求項7の発明は、請求項1、
2、3、4、5又は6記載の構成において、前記固定支
持爪及び前記可動支持爪はすべて前記ベース板から着脱
自在となっているという構成を有する。また、上記課題
を解決するため、請求項8の発明は、請求項1、2、
3、4、5、6又は7記載の構成において、前記ベース
板は、前記基板の直径より大きいほぼ円形の開口を有し
て前記基板がこの開口内で下降して前記固定支持爪の上
に載せられる構造であるとともに、前記固定支持爪及び
前記可動支持爪はこのほぼ円形の開口の縁から内側に突
出して基板の周縁に当接するよう設けられており、基板
が装着された状態では、前記固定支持爪及び前記可動支
持爪が設けられている部分を除き基板は前記ほぼ円形の
開口の周縁によって取り囲まれており、基板の周囲の空
間が所定の隙間を残してベース板又はベース板に取り付
けられた部材によって埋められる構造であるいう構成を
有する。また、上記課題を解決するため、請求項9の発
明は、請求項8記載の構成において、前記基板の周縁と
前記ほぼ円形の開口の周縁又はベース板に取り付けられ
た部材の基板側の縁との隙間は、7mm以下であるとい
う構成を有する。また、上記課題を解決するため、請求
項10の発明は、請求項1、2、3、4、5、6、7、
8又は9記載の構成において、前記三つの支持爪及びこ
れらの支持爪をベース板に取り付ける部材は、ベース板
の厚み以下の幅を有しており、ベース板の板面から突出
していないという構成を有する。また、上記課題を解決
するため、請求項11の発明は、基板を垂直に保持しな
がらその基板に所定の処理を施す基板処理装置において
その基板の支持のために使用される基板支持装置であっ
て、垂直な姿勢で取り付けられるベース板と、基板の周
縁に当接して基板を垂直に支持するようベース板に取り
付けられた複数の支持爪とを備え、これら複数の支持爪
は基板の厚さ方向が幅方向である帯板状の部材からなる
ものであり、これら複数の支持爪の少なくとも基板に当
接する先端部分の厚さは0.2mm〜2mmであるとい
う構成を有する。
【0026】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の実施の形態につ
いて説明する。図1は、本願発明の第一の実施形態の基
板支持装置の概略構成を示す正面図、図2は、図1のX
−Xでの断面概略図である。本実施形態の基板支持装置
は、例えばハードディスク用の基板のような直径95m
m程度の円形の基板2を支持するものである。基板2の
板厚は0.8mm程度、重さは14グラム程度である。
図1に示す基板支持装置は、ベース板11と、基板2の
周縁に当接して基板2を垂直に支持するようベース板1
1に取り付けられた三つの支持爪141,142,14
3とを備えている。
【0027】ベース板11は、全体がほぼ方形の板状で
ある。ベース板11の下部には、不図示の搬送キャリア
に取り付ける取り付け部110が形成されている。搬送
キャリアは、基板2を支持した基板支持装置を水平方向
に搬送させる機構である。ベース板11には、図1に示
すように、ほぼ円形の開口が形成されている。そして、
基板2は、この開口内に位置した状態で基板支持装置に
支持されるようになっている。三つの支持爪141,1
42,143のうち、一つの支持爪141は、基板2の
下縁を支持する固定支持爪141であり、他の二つは基
板2の側縁に当接する可動支持爪142,143になっ
ている。
【0028】図1及び図2を使用して、まず、固定支持
爪141の形状及び取付構造について説明する。固定支
持爪141は、第一の取付具151によって着脱自在に
ベース板11に固定されている。固定支持爪141は、
図2に示すように、基板2の厚さよりも少し幅の広いほ
ぼ帯板状の部材であり、幅方向を基板2の板厚方向にし
て設けられている。図1に示すように、固定支持爪14
1は、基板の中心の直下の位置で基板を支持するよう設
けられている。
【0029】また、図2に示すように、固定支持爪14
1の先端は、浅いV字状になっている。そして、このV
字の部分に基板2の下縁が落とし込まれるようになって
いる。この構成は、基板2がその板厚方向に動いてしま
うのを抑制している。尚、V字の深さを深くすると基板
2の支持動作はより安定するが、固定支持爪141の先
端が“影”になる面積が大きくなるので、シャドー効果
の問題が大きくなるという欠点がある。
【0030】固定支持爪141は、ステンレスやインコ
ネル等の剛性の高いもので形成され、図1に示すように
垂直に配置される。従って、基板2を支持した際に弾性
によって撓んだりして支持位置が変化するようなことは
ない。このため、基板2の支持位置が常に一定にでき
る。尚、基板2が載せられた反動で固定支持爪141が
多少撓む場合でも、すぐに弾性により真っ直ぐ垂直な状
態に復帰するようであれば、特に問題はないことも多
い。
【0031】そして、図1に示すように、ベース板11
のほぼ円形の開口の下縁の中央位置から下方に垂直に延
びるようにして、第一の隘路152がベース板11に形
成されている。第一の隘路152の下側には、図1に示
すようにほぼ方形の開口が連続して形成されている。取
付具151は、この方形の開口の下縁の部分でベース板
11に取り付けられている。
【0032】図2から分かるように、ベース板11の方
形の開口の下縁には段差が設けられており、この段差の
上に載るようにして取付具151が配置されている。そ
して、ネジ153によって取付具151がベース板11
に固定されている。取付具151は、上方に垂直に延び
る突出部分を有する。この突出部分には、固定支持爪1
41を差し込む差込穴が形成されている。固定支持爪1
41は、この差込穴に差し込まれ、ネジ154によって
固定されるようになっている。
【0033】次に、二つの可動支持爪142,143の
形状及び取付構造について説明する。まず、左側の可動
支持爪142は、図1に示す通り、ほぼ帯板状の部材を
ほぼL字状に曲げた形状の部材である。可動支持爪14
2の折り曲げた先端側の部分は、基板2が固定支持爪1
41の上に支持された際、基板2の中心に向かう状態と
なるよう構成されている。尚、可動支持爪142の先端
も固定支持爪141と同様に浅いV字状になっており、
基板2がその板厚方向に移動するのを抑制している。
【0034】可動支持爪142は、板バネ155の先端
部分に取り付けられている。図1に示すように、板バネ
155は、ほぼ垂直な姿勢で配置された部材である。板
バネ155は、その下端がベース板11にネジ156に
よって固定されている。従って、板バネ155は、ネジ
156で固定された部分を中心として所定角度範囲内で
揺動するようになっている。
【0035】板バネ155は、可動支持爪142ととも
に埋め込みブロック16を固定している。図1に示すよ
うに、板バネ155と埋め込みブロック16との間に可
動支持爪142の後端部分を間に挟み込んだ状態で、ネ
ジ157がねじ込まれており、これによって、可動支持
爪142と埋め込みブロック16が一体に板バネ155
の先端に固定されている。
【0036】埋め込みブロック16は、後述するよう
に、基板2の空間を埋め込んでプラズマの進入を防止す
るためのものである。埋め込みブロック16は正面から
見るとほぼ台形の形状の部材であり、ベース板11の厚
さとほぼ同様の厚さの板状である。埋め込みブロック1
6の基板2側の面は、図1に示す通り円周状の局面(よ
り正確には円筒面)になっている。この円周の中心は、
固定支持爪141の上に支持されて装着された際の基板
2の中心に一致するよう構成されている。
【0037】尚、可動支持爪142、板バネ155及び
埋め込みブロック16が配置された場所には、これらが
一体に揺動できるよう揺動用開口111がベース板11
に形成されている。揺動用開口111は、円形の開口に
連続して形成され、図1に示すように下方に折れ曲がっ
て形成されている。尚、揺動用開口111には、後述す
る開閉機構の開閉アームが動作する空間であるアーム動
作用開口112が連続して形成されている。
【0038】右側の可動支持爪143は、図1に示す通
り、上述した左側の可動支持爪142に対して線対称な
構成というだけであり、左側の可動支持爪142と本質
的に同様の構成になっている。つまり、同一の可動支持
爪142,143によって基板2が左右から挟み込まれ
るよう構成されている。
【0039】次に、上記可動支持爪142,143を開
閉する開閉機構について説明する。図3は、図1に示す
可動支持爪142,143を開閉する開閉機構の構成を
説明する斜視概略図である。図3に示すように、可動支
持爪142,143を開閉する開閉機構は、垂直な回転
軸に軸支された開閉アーム71と、開閉アーム71に当
接して開閉アーム71を所定角度回転させるカム72
と、カム72を先端に固定したカムホルダー73と、カ
ムホルダー73に固定された駆動棒74と、駆動棒74
を水平方向に駆動してカムホルダー73を水平に移動さ
せるエアシリンダ等の直線移動源75とから主に構成さ
れている。
【0040】まず、可動支持爪142を開く場合につい
て説明すると、直線移動源75が動作して駆動棒74を
介してカムホルダー73が移動し、カム72が所定の待
機位置から前進して開閉アーム71に当接した状態とな
り、カム72が開閉アーム71を押して90度程度回転
させる。この結果、開閉アーム71が可動支持爪142
を固定した板バネ155のほぼ真ん中の高さの部分を押
し、板バネ155が外側に揺動して開かれる。この結
果、可動支持爪142及び埋め込みブロック156も一
体に外側に向けて移動する。これで、可動支持爪142
が開いた状態となる。
【0041】また、可動支持爪142を閉じる場合に
は、直線移動源75が動作して駆動棒74を介してカム
ホルダー73を所定位置まで後退させる。開閉アーム7
1には復帰バネ76が設けられており、カムホルダー7
3の後退によってカム72が後退する結果、開閉アーム
71が反対方向に回転して当初の姿勢に復帰する。これ
によって、板バネ155がその弾性力により当初の垂直
な姿勢に復帰する。図3では、可動支持爪142を開閉
するための開閉アーム71及びカム72が描かれている
が、開閉機構は左右対称であり、カムホルダー73には
もう一方のカムが設けられてもう一方の開閉アームを開
閉するようになっている。これによって、可動支持爪1
43の開閉が行われるようになっている。
【0042】上記構成に係る開閉機構は、板バネ155
のほぼ真ん中の高さの位置で開閉アーム71を板バネ1
55に当接させて開閉動作を行っている。この構成は、
開閉に伴って発生するパーティクルが基板2に付着する
のを効果的に防止している。即ち、板バネ155に開閉
アーム71が当接すると、板バネ155に堆積していた
薄膜を剥離させたり、板バネ155自体の表面が摩耗し
たりしてパーティクルが発生する恐れがある。開閉アー
ム71の当接位置が基板2の中心の高さより高い位置に
設定されていると、発生するパーティクルが基板2の表
面に付着する確率が高くなる。しかしながら、本実施形
態では、開閉アーム71の当接位置が、基板2の中心の
高さよりも低い位置になるので、このような問題が効果
的に防止されている。尚、開閉アーム71が板バネ15
5への当接する動作を行う空間をカバーで覆うようにす
ると、基板2へのパーティクルの付着の問題がさらに防
止される。
【0043】また、本実施形態の装置では、支持爪14
1,142,143によるシャドー効果を極力小さくす
るため、0.5mm程度の薄いものが使用されている。
発明者の検討によると、支持爪141,142,143
の厚さが2mmを越えると、シャドー効果が大きくな
り、実用上の問題が生ずる。また、支持爪141,14
2,143には、耐プラズマ性を考慮してステンレスや
インコネル等の鋼製のものが使用されるが、10〜15
グラム程度の基板2を支持する場合、厚さが0.2mm
より小さくなると、支持爪141,142,143の機
械的強度が限度以上に低下し、固定支持爪141が撓ん
でしまって支持位置が変化したり、基板2を十分支持で
きなかったりする問題が生ずる。従って、支持爪14
1,142,143の厚さは0.2〜2mmであること
が好ましい。尚、シャドー効果は支持爪141,14
2,143の先端部分が大きく影響するので、先端部分
以外のところでは2mmを越える厚さでも実用上問題が
ない場合が多い。
【0044】また、図2から類推されるように、本実施
形態の基板支持装置では、三つの支持爪141,14
2,143及びこれらの支持爪141,14,2,14
3を固定した取付具151等のすべての部材は、ベース
板11の厚み以下の幅を有しており、ベース板11の板
面から突出していない。この構成は、基板支持装置が狭
い空間を通って搬送される場合等に特に好適な構成とな
っている。
【0045】例えば、インライン式のマルチチャンバー
タイプの基板処理装置では、各チャンバーの境界部分に
ゲートバルブを設けて各チャンバーを気密に接続した構
造が採用される。この場合、基板支持装置は、ゲートバ
ルブを通って各チャンバーに順次搬送されるが、各チャ
ンバーの雰囲気の相互汚損を防止する等の理由から、ゲ
ートバルブの開口面積は極力小さく設定される。つま
り、基板支持装置は狭いゲートバルブの開口を通過して
搬送される。このような場合、ベース板11の板面から
突出した部材があると、何らかの弾みでゲートバルブの
開口の縁に突出した部材が引っかかり易くなり、搬送エ
ラーの原因となる恐れがある。これを防止するには、ゲ
ートバルブを開口を大きくする必要が生じてしまう。し
かしながら、本実施形態の装置では、ベース板11の板
面から突出した部材がないので、このような問題はな
く、狭い空間でも安定して搬送動作が行える。
【0046】次に、上記構成に係る基板支持装置の全体
の動作について説明する。最初に、基板支持装置に基板
2を装着する動作について説明する。まず、基板2が基
板ピックアップ3に支持され、不図示の移動機構によっ
て基板支持装置の場所まで搬送される。移動機構は、基
板2が図1の点線で示す位置に位置するよう基板ピック
アップ3を精度よく停止させる。この位置は、基板2の
着脱の際に基板2が一時的に位置する所定の上昇位置で
ある。
【0047】この上昇位置に基板2を位置させた後、不
図示の移動機構は基板ピックアップ3を所定距離下降さ
せ、図1に実線で示すように、基板2を固定支持爪14
1の上に載せる。この際、基板ピックアップ3が下降を
開始した後、所定のタイムラグをおいて開閉機構が動作
し、基板2の下降の途中で可動支持爪142,143が
基板2の側縁に当接するようになっている。
【0048】この動作について、図4を使用してさらに
詳しく説明する。図4は、可動支持爪142,143の
動作を説明する図である。まず、基板2を装着しない状
態では、図4に二点鎖線で示すように、可動支持爪14
2は、垂直な姿勢よりも少し外側に開いた状態で待機し
ている。この状態では、図3に示す開閉機構のカム72
は所定の前進待機位置であり、開閉アーム71が板バネ
155を押し広げた状態である。
【0049】この状態で、上述の通り基板2が上昇位置
から下降を開始すると、所定のタイムラグをおいて開閉
機構が動作し、カム72が後退して開閉アーム71が元
の位置に復帰する。この結果、板バネ155が弾性力に
よって内側に向けて揺動する。この際、可動支持爪14
2の先端は、図4に点線で示すように、上昇位置から下
降してくる基板2の側縁に当接する。この際の可動支持
爪142の先端の当接位置(以下、当接開始位置)は、
当接の瞬間の基板2の中心O’を基準とした角度θ’で
示すと、中心O’に対して5〜45度程度高い位置であ
る。
【0050】上記可動支持爪142の当接開始後も基板
ピックアップ3は少し下降を続け、図1及び図4に実線
で示すように、基板2が固定支持爪141に載置され
る。この間、可動支持爪142の先端は基板2の縁に当
接し続けており、従って、可動支持爪142の先端は、
基板2の縁を少し滑ることになる。尚、基板2が固定支
持爪141の上に載置されて装着が終了した状態では、
可動支持爪142の先端の当接位置(以下、装着時当接
位置)は、装着状態の基板2の中心Oを基準とした角度
θで示すと、中心Oに対して4〜45度程度高い位置で
ある。
【0051】このように、第一の実施形態の基板支持装
置では、基板2の中心の高さに対して45度以下の角度
の当接開始位置で可動支持爪142が基板の縁に当接を
開始し、装着完了時には基板2の中心の高さよりも高い
位置で当接した状態となるよう構成されている。従っ
て、パーティクルの問題を抑制しながら基板2の支持状
態が安定化した構成になっている。
【0052】即ち、基板2の中心の高さに対して45度
を越える角度で可動支持爪142が当接すると、当接し
た弾みで放出されるパーティクルが基板2の表面に付着
する確率が高くなるが、本実施形態では45度以下であ
るのでこのような問題は抑制される。また、装着完了状
態で可動支持爪142が基板2の中心以下の高さで基板
2の縁に当接していると、基板2を上から押さえつける
力が存在しないので、基板2は何らかの弾みで跳ね上が
る恐れがある。しかしながら、本実施形態では、このよ
うな問題はない。
【0053】尚、図4には、右側の可動支持爪143は
示されていないが、可動支持爪143も可動支持爪14
2と同様の動作をする。つまり、基板ピックアップ3の
下降開始から所定のタイムラグをおいて左右の可動支持
爪142,143が閉じて基板2が挟持され、さらに基
板ピックアップ3が下降して左右の可動支持爪142,
143の先端が基板2の縁を滑りながら基板2が下降
し、その後、基板2が固定支持爪141に載るという動
作になる。
【0054】上記のようにして基板2が装着されると、
基板ピックアップ3は少し下降して基板2の中央の開口
の真ん中に位置した後、不図示の移動機構によって後退
して開口から引き抜かれ、所定の待機位置まで移動され
る。これで、基板2の装着動作がすべて終了する。
【0055】基板2の取り外し動作は、上記装着動作と
逆の手順で行われる。即ち、基板ピックアップ3が不図
示の移動機構によって移動されて基板2の中央の開口内
に位置した後、所定のストロークで上昇する。この上昇
の際、基板ピックアップ3の上に基板2の中央の開口の
縁が載り、基板2の下縁が固定支持爪141から離れ
る。
【0056】さらに基板ピックアップ3が上昇すると、
所定のタイムラグをおいて開閉機構が駆動され、板バネ
155が開く。即ち、カム71が所定の後退位置から前
進して開閉アーム71を押し、開閉アーム71が回転し
て板バネ155を外側に揺動させる。この結果、可動支
持爪142,143が外側に向けて円弧運動して移動し
て開いた状態となる。基板ピックアップ3は、基板2が
所定の上昇位置まで上昇した状態で停止する。その後、
不図示の移動機構は基板ピックアップ3を水平に移動さ
せて、基板2を基板支持装置から引き抜き、所定位置ま
で搬送する。
【0057】上記説明から分かる通り、本実施形態で
は、基板ピックアップ3が基板2を保持し始めてから可
動支持爪142,143が開くようになっている。この
ため、基板2を固定支持爪141から持ち上げる際に基
板2が倒れてしまうような問題が未然に防止されてい
る。即ち、基板ピックアップ3が基板2を保持する瞬間
や保持する前に可動支持爪142,143が開くと、固
定支持爪141のみでは基板2は自立できないので、基
板ピックアップ3に保持される前に基板2が倒れてしま
う問題がある。しかしながら、本実施形態では、基板ピ
ックアップ3が基板2を保持し始めてから可動支持爪1
42,143が開くので、このような問題は未然に防止
されている。
【0058】また、本実施形態の装置では、三つの支持
爪141,142,143は、ベース板11に対して着
脱自在に取り付けられている。即ち、固定支持爪141
を取り外す場合には、ネジ153を緩めて取付具151
をベース板11から取り外し、その後、ネジ154を緩
めて固定支持爪141を取付具151から引き抜く。そ
の後、新しい固定支持爪141を取付具151に差し込
んでネジ止めした後、その取付具151をベース板にネ
ジ止めする。また、可動支持爪142,143は、ネジ
156を緩めて板バネ155をベース板11から取り外
し、その後、ネジ157を緩めて可動支持爪157を板
バネ155から取り外す。そして、新しい可動支持爪1
42,143を同様にネジ止めして、ベース板11に取
り付ける。
【0059】このような支持爪141,142,143
の交換は、基板支持装置がスパッタリング装置等の成膜
装置に使用される場合、所定回数処理を繰り返した後に
行われる。処理を相当回数繰り返すと、支持爪141,
142,143にも厚く薄膜が堆積する。本実施形態の
装置では、上述したように可動支持爪142,143に
堆積した薄膜から放出されるパーティクルの問題は抑制
されているが、膜厚が厚くなると、内部応力によって剥
離して基板2の周囲を浮遊するパーティクルの量が多く
なるので、ある限度の処理回数を定めてそれを越えたら
支持爪141,142,143を新しいものと交換する
必要がある。
【0060】使用済みの支持爪141,142,143
は、サンドブラスト法等により表面の堆積膜を除去する
と、再利用できる。但し、除去の際に支持爪141,1
42,143の表面が大きく削れる場合には、寸法精度
が悪くなるので、再利用はできない。ステンレス等で支
持爪141,142,143が形成されている場合、数
回程度のサンドブラスト法による薄膜除去の後は、再利
用できなくなる場合が多い。いずれにしても、本実施形
態の装置では、ベース板11をそのままにして支持爪1
41,142,143のみを交換できるので、薄膜除去
等のメンテナンスが容易であり、また、ランニングコス
トの点でも有利である。
【0061】また、本実施形態の装置では、基板2はベ
ース板11のほぼ円形の開口内に位置して装着され、基
板2の周囲の空間がベース板11又はベース板11に取
り付けられた部材(本実施形態では埋め込みブロック1
6)によって埋められる構成となっている。そして、ほ
ぼ円形の開口の縁と基板2の縁との距離は、3mm程度
であり、埋め込みブロック16の基板2側の縁と基板2
の縁との距離は2mm程度になっている。つまり、基板
の周囲に形成された隙間は、2〜3mm程度の小さいも
のになっている。このような構成は、本実施形態の基板
支持装置が、前述したスパッタリング装置のようなプラ
ズマを形成して基板2を処理する基板処理装置に使用さ
れる場合に特に好適なものになっている。
【0062】発明者の研究によると、プラズマを形成し
ながら基板2に所定の処理を施す基板処理装置において
基板2の周囲に大きな隙間が形成される場合、プラズマ
がこの隙間にも進入してきて処理の均一性に影響を与え
ることが分かってきた。特に、基板2に負のバイアス電
圧を印加したとき、この影響が大きいことが分かってき
た。即ち、圧力等の因子によっても影響を受けるが、プ
ラズマは、ある程度大きな空間があると、その空間を満
たすように拡散する性質がある。従って、基板2の周囲
に隙間が形成されている場合、その隙間がある程度大き
くなると、その隙間にもプラズマが進入してくる。
【0063】基板2の周囲の隙間にプラズマが進入する
場合、その進入の仕方が不均一であると、基板2の表面
への処理が不均一になる問題がある。例えば、図9に示
す従来の基板支持装置のようにベース板11にJ字状の
切り欠きがあってこの切り欠きの内部で基板2が支持さ
れる場合、基板2の周囲の空間は基板2の周方向で一定
でなく、不均一である。つまり、ベース板11の切り欠
きの縁と基板2の縁とによって形成される隙間であった
り、ベース板11によって囲まれていない開放空間であ
ったりしている。
【0064】このように基板2の周囲が不均一な空間で
ある場合、その空間へのプラズマの進入の仕方が不均一
になる。例えば、広い開放空間にはプラズマが薄く拡散
するであろうし、狭い空間についてはホロー放電と同様
な効果が生じて濃いプラズマが進入したり、さらに空間
が狭くなると全くプラズマが進入しなかったりすること
が考えられる。プラズマの不均一性は、スパッタリング
の場合にはスパッタ放電の不均一性となり、結果的に膜
厚の不均一性につながる。その他、プラズマ中の生成種
を利用した各種処理でも、プラズマの不均一性は処理の
不均一性につながる。
【0065】図5は、プラズマの進入によってもたらさ
れる処理の不均一性を確認した実験の結果を示す図であ
り、図9に示す従来の基板支持装置を使用して基板2に
−300Vの直流バイアス電圧を印加しながら磁性薄膜
を作成した基板2のモジュレーション特性を示す図であ
る。モジュレーション特性とは、モジュレーション即ち
出力信号の異常な変動がないかどうかの特性を意味し、
ここでは、基板2に作成された磁性薄膜の磁気特性が周
方向での均一であるかどうかを意味している。具体的に
は、図5は、基板2の周方向での保持力及び残留磁束の
大きさを電気信号に置き換えて表している。図5中の
(A)が半径40mmでのモジュレーション特性を、
(B)は半径46.5mmでのモジュレーション特性を
示している。
【0066】まず、図5の(A)に示すように、従来の
装置を使用した場合、中心に近い半径40mmの位置で
は出力信号はほぼ均一でありモジュレーションはない
が、(B)に示すように、半径46.5mmの位置では
出力信号は不均一でありモジュレーションが発生してい
る。これは、前述したように、基板2の周囲の空間が基
板2の周方向で不均一であるために起きているものと推
測される。基板2の周縁に近い領域でモジュレーション
が発生するのは、その周囲のプラズマの不均一性が原因
していると推測されるのである。
【0067】このようなプラズマの不均一性が原因する
処理の不均一性を防止するには、大きく分けて二つの方
法がある。一つは、基板2の周囲の空間の大きさをでき
るだけ均一にし、進入するプラズマの量(プラズマ密
度)を均一にする方法である。本実施形態の装置におい
て、ベース板11が装着状態の基板2と同心のほぼ円形
の開口を有しているのは、このような考え方に基づいて
いる。即ち、基板2の周縁とベース板のほぼ円形の開口
の縁との距離を、基板2の周方向に沿ってできるだけ均
一にする技術思想である。このようにすると、基板2の
周囲の隙間にプラズマが進入したとしてもその量が基板
2の周方向で均一になるので、上述したような処理の不
均一性が抑制される。
【0068】プラズマの不均一性が原因する処理の不均
一性を防止する二つめの方法は、基板2の周囲の隙間を
出来るだけ小さくしてプラズマが進入してしないように
してしまうことである。プラズマが進入しなければ、上
記のようなプラズマの進入の仕方の不均一さからくる処
理の不均一性はもとより発生しない。本実施形態の装置
は、このような考え方から、前述した通り、基板2の周
囲に形成される隙間を2〜3mm程度の小さいものにし
ている。
【0069】図6は、このように改良された第一の実施
形態の基板支持装置の効果を示す図である。この図6
は、第一の実施形態の基板支持装置を使用して磁性薄膜
が作成された基板のモジュレーション特性を示す図であ
る。同様に、図5中の(A)が半径40mmでのモジュ
レーション特性を、(B)が半径46.5mmでのモジ
ュレーション特性を示している。図5と図6を比較する
と分かるように、第一の実施形態の装置を使用した場
合、いずれの半径の位置でも出力信号は均一でありモジ
ュレーションは観察されていない。
【0070】尚、図1に示す通り、支持爪141,14
2,143が配置されている部分には、支持爪141,
142,143が挿通される第一の隘路152等の空間
が形成されるため、基板2の周囲の空間を完全な円弧状
の狭い空間とすることはできない。これは、例えば可動
支持爪142,143の移動のために、ある程度の隙間
をもって挿通される必要があったり、接地されるベース
板11に対して支持爪141,142,143に所定の
バイアス電圧を与える必要があるために離間させる必要
があるという事情に基づいている。しかしながら、この
場合も、支持爪141,142,143が挿通されてい
る部分の隙間をできるだけ小さくしてプラズマの進入を
防止を防止することが肝要である。
【0071】次に、基板2の周囲に形成される隙間の大
きさとモジュレーションの大きさとの関係について説明
する。図7は、基板2の周囲に形成される隙間の大きさ
とモジュレーションの大きさとの関係について説明した
図であり、隙間の大きくするに従ってモジュレーション
がどの程度大きくなるのかを調べた実験の結果を示して
いる。図7の横軸の隙間の大きさは、ほぼ円形の開口の
縁と基板2の縁との離間距離(図1にdで示す)であ
り、縦軸のモジュレーションの大きさは、図5に示す出
力の平均値cに対する最大値と最小値の差(a−b)/
2c×100(±%)である。
【0072】前述した通り、隙間が小さくなれば隙間に
プラズマが進入しなくなり、モジュレーションは十分に
小さくなる。どの程度隙間が小さくなればモジュレーシ
ョンが十分小さくなるかは、プラズマの条件が影響する
ので一概には言えない。最も大きく影響を与える因子
は、プラズマの圧力である。図7には、圧力が3mTo
rrのアルゴンガスのプラズマの条件の場合が示されて
いる。
【0073】図7に示す通り、隙間が3mmぐらいまで
はモジュレーションの大きさは±3%以下に抑えられ、
実用上殆ど問題とならない。また、隙間が7mmより大
きくなると、モジュレーションの大きさは±5%を越え
るようになり、実用上の問題が発生してくる。一般に、
圧力が高くなると、より狭い隙間でもプラズマは進入し
易くなる。しかしながら、発明者の研究によると、隙間
が3mm以下である場合、モジュレーションはいずれの
圧力やバイアス電圧の条件でも殆ど問題とならない程度
に十分小さくなる。また、隙間が7mm以下である場合
でも、基板処理で採用されるであろう多くの圧力条件に
おいてはモジュレーションは実用上問題とならない程度
に十分小さくなる。従って、隙間は理想的には3mm以
下であるが、実用的には隙間は7mm以下であることが
好ましい。
【0074】次に、本願発明の第二の実施形態について
説明する。図8は、第二の実施形態の基板支持装置の概
略構成を示す正面図である。この第二の実施形態の装置
も、ベース板11と、基板2の周縁に当接して基板2を
垂直に支持するようベース板11に取り付けられた三つ
の支持爪141,142,143とを備えている。そし
て、支持爪141は、基板2の下縁を支持する固定支持
爪141であり、支持爪142,143が基板2の側縁
に当接する可動支持爪142,143になっている。
【0075】この第二の実施形態の装置が第一の実施形
態の装置と大きく異なるのは、固定支持爪141の先端
が基板2の縁の方向に長い形状になっている点である。
具体的に説明すると、固定支持爪141は、図8に示す
ようなほぼ方形の板状の部材である。固定支持爪141
の上辺部は、図8に示すように上方に少し突出してい
る。そして、その突出した部分の先端が基板2の縁に沿
った形状、即ち、円弧状の形状になっている。尚、この
固定支持爪141の円弧の曲率と基板2の周縁の円弧の
曲率とはほぼ等しい。
【0076】また、上記固定支持爪141の先端は、板
厚方向で見ると浅いV字状になっている。つまり、V溝
が円弧状に延びた先端形状になっている。そして、この
V溝に基板2の下縁が落とし込まれるようになってい
る。固定支持爪141は上記のような構成であるため、
基板2の左右方向の支持位置の精度がより向上してい
る。即ち、図1に示すような構成の固定支持爪141で
あると、左右の可動支持爪142,143を保持した板
バネ155の弾性力のバランスによっては、基板2の支
持位置が僅かに左右にずれる可能性がある。しかしなが
ら、この第二の実施形態によると、円弧状の溝の内部に
基板2の下縁が落とし込まれるので、左右方向での基板
2の支持位置がより一定にできる。
【0077】尚、固定支持爪141は、取付具158を
介してベース板11に取り付けられている。取付具15
8は、ほぼ方形な板状の部材であり、その上辺に固定支
持爪141が填め込まれる溝が形成されている。そし
て、取付具158は、その下側の両隅がベース板11に
形成された凹部に差し込まれることによりベース板11
に取り付けられる。このような構造により、本実施形態
の固定支持爪141も、ベース板に対して着脱自在とな
っている。
【0078】また、可動支持爪142,143の構成
は、前述した第一の実施形態のものと若干異なってい
る。本実施形態の可動支持爪142,143は、全体が
一つの板バネになっている。つまり、帯板状の部材の先
端部分を図8に示すように折り曲げて、その折り曲げた
先端が基板2の側縁に当接するようになっている。尚、
この可動支持爪142,143を開閉する開閉機構とし
ては、図3に示すものと同様のものが使用できる。
【0079】また、第二の実施形態の装置では、第一の
実施形態の装置におけるような埋め込みブロック16は
採用されていない。そして、図8に示すように、可動支
持爪142,143が配置された場所には、中央のほぼ
円形の開口から連続して第二の隘路171がベース板1
1の形成され、可動支持爪142,143はこの第二の
隘路171内に位置して開閉動作を行うようになってい
る。第二の隘路171及び上記固定支持爪141が設け
られた部分を除き、基板2の周囲はほぼ円形の開口の縁
によって取り囲まれている。そして、このほぼ円形の開
口の縁と基板2の縁の間は3mm程度の狭い隙間になっ
ている。このため、第一の実施形態と同様に、基板2の
周囲へのプラズマの進入がなく、また進入したとしても
進入の仕方が均一であるために、基板2に対する処理が
不均一になることがなくなっている。
【0080】また、ベース板11には、第二の隘路17
1のほぼ円形の開口とは反対側の出口から下方に延びる
ようにして、長い揺動用開口172が形成されている。
この揺動用開口172は、板バネが揺動するための空間
として形成されているものである。
【0081】図8中、右側の可動支持爪143の図示状
態は、可動支持爪143が当初予定された位置で基板2
の側縁に当接している状態である。一方、図8中に実線
で示された左側の可動支持爪142の図示状態は、何ら
かの原因で、予定された位置よりさらに内側に揺動して
しまった状態を示している。この状態では、可動支持爪
142は、揺動用開口172の基板2に近い側の縁に当
接した状態となる。つまり、揺動用開口172の基板2
に近い側の縁は可動支持爪142,143の内側ストッ
パとして機能する。この内側ストッパが存在するため、
可動支持爪142,143が何らかの弾みで限度以上に
基板2を押してしまうことがなく、水平方向の基板の位
置精度が高く保たれる。
【0082】また、図8中の二点鎖線で示された左側の
可動支持爪142の図示状態は、可動支持爪142が、
何らかの理由で、予定された位置よりさらに外側に開い
てしまった状態を示している。この状態では、可動支持
爪142は、揺動用開口172の基板2から遠い側の縁
に当接した状態となる。つまり、揺動用開口172の基
板2から遠い側の縁は可動支持爪142,143の外側
ストッパとして機能する。この外側ストッパが存在する
ため、可動支持爪142,143が限度以上に開いて塑
性変形してしまうのが防止される。尚、このような内側
ストッパや外側ストッパは、第一の実施形態においても
設けることは可能である。
【0083】また、第一第二の実施形態では、三つの支
持爪141,142,143を使用しているが、四つ以
上の支持爪を使用することを本願発明は排除するもので
はない。
【0084】尚、前述した第一の実施形態において支持
爪141,142,143の厚さが0.2〜2mmにな
っている構成は、第一の実施形態の構成に限定されず、
基板2の厚さ方向が幅方向である帯板状の部材からなる
支持爪を使用するすべての基板支持装置について有効で
ある。
【0085】また、上述した基板支持装置は、図11に
示すような薄膜作成装置に採用されるが、これ以外に
も、エッチング装置や表面改質装置等の処理装置に採用
することが可能である。
【0086】
【発明の効果】以上説明した通り、本願の請求項1の発
明によれば、基板の下縁が固定支持爪で支持され、二つ
の可動支持爪が基板の中心の高さの位置よりも高い位置
の側縁を当接にするよう設けられているので、この三つ
の支持爪のみで高い位置精度で安定して基板の支持が可
能となるとともに、シャドー効果が低減されて基板処理
の質が高くなるという効果が得られる。また、請求項2
の発明によれば、上記効果に加え、基板の中心の高さよ
りも低い位置で開閉機構が可動支持爪又は可動支持爪を
保持した部材に当接して開閉動作を行うので、開閉動作
に伴って発生するパーティクルが基板の表面に付着する
のが低減される。また、請求項3の発明によれば、上記
効果に加え、基板が所定の上昇位置から下降して固定支
持爪の上に載せられる際に可動支持爪が基板の中心に対
して5度から45度高い側縁の位置で基板に当接し始め
るので、可動支持爪の当接によって発生するパーティク
ルの基板への付着を抑制しながら、可動支持爪からの基
板の跳ね上がりを効果的に抑制できるという効果が得ら
れる。また、請求項4の発明によれば、上記効果に加
え、可動支持爪が板バネの先端に設けられるので、板バ
ネの厚さを所定の厚さに設定しながら、可動支持爪の厚
さを所定の厚さに薄くすることが可能となる。このた
め、可動支持爪によるシャドー効果がさらに抑制され
る。また、請求項5の発明によれば、上記効果に加え、
可動支持爪が限度以上に内側に位置するのが抑制される
ので、水平方向での基板の装着位置の精度が高く保たれ
るという効果が得られる。また、請求項6の発明によれ
ば、上記効果に加え、可動支持爪が限度以上に開くのが
防止されるので、板バネの塑性変形が防止されるという
効果が得られる。また、請求項7の発明によれば、上記
効果に加え、三つの支持爪がすべてベース板から着脱自
在となっているので、支持爪に堆積した薄膜の除去等の
メンテナンスを容易に行うことができ、基板支持装置全
体を交換する場合に比べて、ランニングコストも安くで
きるという効果が得られる。また、請求項8の発明によ
れば、上記効果に加え、基板の周囲の隙間がほぼ均一な
空間になるので、その隙間にプラズマが進入してもその
プラズマの進入によって基板の処理が不均一になるのが
抑制されるという効果が得られる。また、請求項9の発
明によれば、上記効果に加え、基板の周囲の隙間が7m
m以下になるので、実用的な圧力条件においてその隙間
にプラズマが進入するのが抑制される。このため、プラ
ズマの進入に伴う問題が生じない。また、請求項10の
発明によれば、上記効果に加え、三つの支持爪及びこれ
らの支持爪をベース板に取り付ける部材がベース板の厚
み以下の幅を有しており、ベース板の板面から突出して
いないので、狭い空間を通って基板支持装置が搬送され
る場合に特に好適な構成となるという効果が得られる。
また、請求項11の発明によれば、支持爪の先端部分が
0.2〜2mmの厚さであるので、十分な機械的強度を
有しつつ支持爪によるシャドー効果が防止されるという
効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本願発明の第一の実施形態の基板支持装置の概
略構成を示す正面図である。
【図2】図1のX−Xでの断面概略図である。
【図3】図1に示す可動支持爪142,143を開閉す
る開閉機構の構成を説明する斜視概略図である。
【図4】可動支持爪142,143の動作を説明する図
である。
【図5】プラズマの進入によってもたらされる処理の不
均一性を確認した実験の結果を示す図であり、図9に示
す従来の基板支持装置を使用して磁性薄膜が作成された
基板2のモジュレーション特性を示す図である。
【図6】第一の実施形態の基板支持装置の効果を示す図
である。
【図7】基板2の周囲に形成される隙間の大きさとモジ
ュレーションの大きさとの関係について説明した図であ
り、隙間の大きくするに従ってモジュレーションがどの
程度大きくなるのかを調べた実験の結果を示している。
【図8】第二の実施形態の基板支持装置の概略構成を示
す正面図である。
【図9】従来の基板支持装置の構成を示す正面概略図で
ある。
【図10】図9に示す基板支持装置の動作を説明する斜
視概略図である。
【図11】図9及び図10に示す基板支持装置を採用し
た基板処理装置の例の概略構成を示す平面図である。
【符号の説明】
1 基板支持装置 11 ベース板 141 固定支持爪 142 可動支持爪 143 可動支持爪 151 取付具 152 第一の隘路 155 板バネ 16 埋め込みブロック 171 第二の隘路 3 基板ピックアップ 71 開閉アーム
【手続補正書】
【提出日】平成10年3月23日
【手続補正1】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図6】
【図7】
【図5】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 円形の基板を垂直に保持しながらその円
    形の基板に所定の処理を施す基板処理装置においてその
    基板の支持のために使用される基板支持装置であって、 垂直な姿勢で取り付けられるベース板と、基板の周縁に
    当接して基板を垂直に支持するようベース板に取り付け
    られた三つの支持爪とを備え、これら三つの支持爪の一
    つは、基板の下縁に当接して基板を支えるものであって
    基板の支持の際には弾性によって位置が変化することの
    ない固定支持爪であり、他の二つの支持爪は、基板の側
    縁に当接して基板を挟み込むものであるとともに基板の
    着脱の際に開閉される可動支持爪であり、さらに、この
    二つの可動支持爪は、基板が固定支持爪に支持された状
    態において基板の中心の高さの位置よりも高い位置の側
    縁を当接にするよう設けられていることを特徴とする基
    板支持装置。
  2. 【請求項2】 前記可動支持爪を開閉する開閉機構が設
    けられており、この開閉機構は、可動支持爪又は可動支
    持爪を保持した部材に対して基板の中心の高さよりも低
    い位置で当接して開閉動作を行うものであることを特徴
    とする請求項1記載の基板支持装置。
  3. 【請求項3】 前記可動支持爪は、基板が所定の上昇位
    置から下降して固定支持爪の上に載せられる際に、基板
    の中心に対して5度から45度高い側縁の位置で基板に
    当接し始めるものであることを特徴とする請求項1又は
    2記載の基板支持装置。
  4. 【請求項4】 前記可動支持爪は、板バネの先端に設け
    られていることを特徴とする請求項1、2又は3記載の
    基板支持装置。
  5. 【請求項5】 前記基板が前記固定支持爪の上に載せら
    れた際に前記可動支持爪が所定位置で停止するようにす
    る内側ストッパが設けられていることを特徴する請求項
    1、2、3又は4記載の基板支持装置。
  6. 【請求項6】 前記可動支持爪は板バネの先端に設けら
    れているか又は全体が板バネであり、この可動支持爪の
    開きが所定の位置で停止するようにする外側ストッパが
    設けられていることを特徴とする請求項1、2又は3記
    載の基板支持装置。
  7. 【請求項7】 前記固定支持爪及び前記可動支持爪はす
    べて前記ベース板から着脱自在となっていることを特徴
    とする請求項1、2、3、4、5又は6記載の基板支持
    装置。
  8. 【請求項8】 前記ベース板は、前記基板の直径より大
    きいほぼ円形の開口を有して前記基板がこの開口内で下
    降して前記固定支持爪の上に載せられる構造であるとと
    もに、前記固定支持爪及び前記可動支持爪はこのほぼ円
    形の開口の縁から内側に突出して基板の周縁に当接する
    よう設けられており、基板が装着された状態では、前記
    固定支持爪及び前記可動支持爪が設けられている部分を
    除き基板は前記ほぼ円形の開口の周縁によって取り囲ま
    れており、基板の周囲の空間が所定の隙間を残してベー
    ス板又はベース板に取り付けられた部材によって埋めら
    れる構造であることを特徴とする請求項1、2、3、
    4、5、6又は7記載の基板支持装置。
  9. 【請求項9】 前記基板の周縁と前記ほぼ円形の開口の
    周縁又はベース板に取り付けられた部材の基板側の縁と
    の隙間は、7mm以下であることを特徴とする請求項8
    記載の基板支持装置。
  10. 【請求項10】 前記三つの支持爪及びこれらの支持爪
    をベース板に取り付ける部材は、ベース板の厚み以下の
    幅を有しており、ベース板の板面から突出していないこ
    とを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6、7、8
    又は9記載の基板支持装置。
  11. 【請求項11】 基板を垂直に保持しながらその基板に
    所定の処理を施す基板処理装置においてその基板の支持
    のために使用される基板支持装置であって、 垂直な姿勢で取り付けられるベース板と、基板の周縁に
    当接して基板を垂直に支持するようベース板に取り付け
    られた複数の支持爪とを備え、これら複数の支持爪は基
    板の厚さ方向が幅方向である帯板状の部材からなるもの
    であり、これら複数の支持爪の少なくとも基板に当接す
    る先端部分の厚さは0.2mm〜2mmであることを特
    徴とする基板支持装置。
JP27348797A 1997-09-20 1997-09-20 基板支持装置 Expired - Lifetime JP4059549B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27348797A JP4059549B2 (ja) 1997-09-20 1997-09-20 基板支持装置
US09/123,026 US6030455A (en) 1997-09-20 1998-07-27 Substrate holder
US09/139,886 US5976255A (en) 1997-09-20 1998-08-25 Substrate holder for reducing non-uniform film characteristics resulting from support structures
US09/449,111 US6202592B1 (en) 1997-09-20 1999-11-24 Substrate holder

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27348797A JP4059549B2 (ja) 1997-09-20 1997-09-20 基板支持装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1191946A true JPH1191946A (ja) 1999-04-06
JP4059549B2 JP4059549B2 (ja) 2008-03-12

Family

ID=17528598

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP27348797A Expired - Lifetime JP4059549B2 (ja) 1997-09-20 1997-09-20 基板支持装置

Country Status (2)

Country Link
US (3) US6030455A (ja)
JP (1) JP4059549B2 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6461484B2 (en) 2000-09-13 2002-10-08 Anelva Corporation Sputtering device
JP2009045701A (ja) * 2007-08-21 2009-03-05 Kosmek Ltd 穴を有する素材の位置決め固定装置
JP2010032738A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Horiba Ltd マスク用基板検査装置
JP2011187938A (ja) * 2010-02-10 2011-09-22 Canon Anelva Corp トレイ式基板搬送システム、成膜方法及び電子装置の製造方法
CN103639772A (zh) * 2013-11-28 2014-03-19 无锡市航鹄科技有限公司 壳体钻孔定位工装
CN104002165A (zh) * 2014-05-23 2014-08-27 苏州创丰精密五金有限公司 快速打孔治具
CN111515722A (zh) * 2020-05-09 2020-08-11 宁波金汤科技服务有限公司 一种便于定位的汽车零件加工装置
CN115890522A (zh) * 2022-11-29 2023-04-04 江苏迪丞光电材料有限公司 一种合金靶材表面加工用夹具

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4059549B2 (ja) * 1997-09-20 2008-03-12 キヤノンアネルバ株式会社 基板支持装置
TW406322B (en) * 1999-08-20 2000-09-21 Mosel Vitelic Inc Base tilting apparatus
US6749729B1 (en) * 2002-03-13 2004-06-15 Seagate Technology Llc Method and apparatus for workpiece biassing utilizing non-arcing bias rail
US7600359B2 (en) * 2002-05-09 2009-10-13 Seagate Technology Llc Method of merging two disks concentrically without gap between disks
US7367773B2 (en) * 2002-05-09 2008-05-06 Maxtor Corporation Apparatus for combining or separating disk pairs simultaneously
MY138480A (en) * 2002-05-09 2009-06-30 Maxtor Corp Method of simultaneous two-disk processing of single-sided magnetic recording disks
US7083871B2 (en) * 2002-05-09 2006-08-01 Maxtor Corporation Single-sided sputtered magnetic recording disks
US7027246B2 (en) * 2002-05-09 2006-04-11 Maxtor Corporation Method for servo pattern application on single-side processed disks in a merged state
US7052739B2 (en) * 2002-05-09 2006-05-30 Maxtor Corporation Method of lubricating multiple magnetic storage disks in close proximity
US7165308B2 (en) * 2002-05-09 2007-01-23 Maxtor Corporation Dual disk transport mechanism processing two disks tilted toward each other
US7180709B2 (en) * 2002-05-09 2007-02-20 Maxtor Corporation Information-storage media with dissimilar outer diameter and/or inner diameter chamfer designs on two sides
US7628895B2 (en) 2002-05-09 2009-12-08 Seagate Technology Llc W-patterned tools for transporting/handling pairs of disks
US7381276B2 (en) * 2002-07-16 2008-06-03 International Business Machines Corporation Susceptor pocket with beveled projection sidewall
US7083502B2 (en) * 2002-10-10 2006-08-01 Maxtor Corporation Method for simultaneous two-disk texturing
US7748532B2 (en) * 2002-10-10 2010-07-06 Seagate Technology Llc Cassette for holding disks of different diameters
US8172954B2 (en) * 2002-10-10 2012-05-08 Seagate Technology Llc Apparatus for simultaneous two-disk scrubbing and washing
US7168153B2 (en) * 2002-10-10 2007-01-30 Maxtor Corporation Method for manufacturing single-sided hard memory disks
US7083376B2 (en) * 2002-10-10 2006-08-01 Maxtor Corporation Automated merge nest for pairs of magnetic storage disks
DE10337738A1 (de) * 2003-08-12 2005-03-10 Hensoldt & Soehne Optik Halterung für ein Substrat sowie deren Verwendung
US7682653B1 (en) 2004-06-17 2010-03-23 Seagate Technology Llc Magnetic disk with uniform lubricant thickness distribution
JP2006066008A (ja) * 2004-08-30 2006-03-09 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 磁気ディスクおよび磁気ディスクの製造方法
US7882616B1 (en) 2004-09-02 2011-02-08 Seagate Technology Llc Manufacturing single-sided storage media
US20070215049A1 (en) * 2006-03-14 2007-09-20 Applied Materials, Inc. Transfer of wafers with edge grip
US20090201722A1 (en) * 2008-02-12 2009-08-13 Kamesh Giridhar Method including magnetic domain patterning using plasma ion implantation for mram fabrication
US20090199768A1 (en) * 2008-02-12 2009-08-13 Steven Verhaverbeke Magnetic domain patterning using plasma ion implantation
US8551578B2 (en) * 2008-02-12 2013-10-08 Applied Materials, Inc. Patterning of magnetic thin film using energized ions and thermal excitation
US8535766B2 (en) 2008-10-22 2013-09-17 Applied Materials, Inc. Patterning of magnetic thin film using energized ions
JP5457043B2 (ja) * 2009-01-30 2014-04-02 東洋炭素株式会社 Cvd方法
US8517364B1 (en) * 2010-10-07 2013-08-27 WD Media, LLC Disk holder with replaceable inserts to retain springs
US9070730B2 (en) * 2011-10-07 2015-06-30 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Method and apparatus for removing a vertically-oriented substrate from a cassette
US10961621B2 (en) * 2015-06-04 2021-03-30 Svagos Technik, Inc. CVD reactor chamber with resistive heating and substrate holder
CN109759640A (zh) * 2018-12-09 2019-05-17 青岛征和链传动有限公司 一种上拉式立式内拉床拉削单键槽装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4558388A (en) * 1983-11-02 1985-12-10 Varian Associates, Inc. Substrate and substrate holder
DE3411208A1 (de) * 1984-03-27 1985-10-10 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Haltevorrichtung fuer substrate, insbesondere in vakuum-beschichtungsanlagen
US4634512A (en) * 1984-08-21 1987-01-06 Komag, Inc. Disk and plug
US4735701A (en) * 1984-08-21 1988-04-05 Komag, Inc. Disk carrier
US4595481A (en) * 1984-08-21 1986-06-17 Komag, Inc. Disk carrier
US4735540A (en) * 1985-11-15 1988-04-05 Komag, Inc. Robotic disk handler system
FR2618799B1 (fr) * 1987-07-27 1989-12-29 Inst Nat Rech Chimique Reacteur de depot en phase vapeur
US5020476A (en) * 1990-04-17 1991-06-04 Ds Research, Inc. Distributed source assembly
US5089110A (en) * 1990-07-30 1992-02-18 Komag, Incorporated Data storage disk and plug
JPH0523570A (ja) * 1991-07-25 1993-02-02 Kawasaki Steel Corp 原料の造粒方法及び装置
JPH0594267A (ja) * 1991-08-29 1993-04-16 Ascii Corp データ転送装置
US5543022A (en) * 1995-01-17 1996-08-06 Hmt Technology Corporation Disc-handling apparatus
JP3732250B2 (ja) * 1995-03-30 2006-01-05 キヤノンアネルバ株式会社 インライン式成膜装置
JP4059549B2 (ja) * 1997-09-20 2008-03-12 キヤノンアネルバ株式会社 基板支持装置

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6461484B2 (en) 2000-09-13 2002-10-08 Anelva Corporation Sputtering device
JP2009045701A (ja) * 2007-08-21 2009-03-05 Kosmek Ltd 穴を有する素材の位置決め固定装置
JP2010032738A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Horiba Ltd マスク用基板検査装置
JP2011187938A (ja) * 2010-02-10 2011-09-22 Canon Anelva Corp トレイ式基板搬送システム、成膜方法及び電子装置の製造方法
CN103639772A (zh) * 2013-11-28 2014-03-19 无锡市航鹄科技有限公司 壳体钻孔定位工装
CN103639772B (zh) * 2013-11-28 2016-01-13 无锡市航鹄科技有限公司 壳体钻孔定位工装
CN104002165A (zh) * 2014-05-23 2014-08-27 苏州创丰精密五金有限公司 快速打孔治具
CN104002165B (zh) * 2014-05-23 2016-09-14 苏州创丰精密五金有限公司 快速打孔治具
CN111515722A (zh) * 2020-05-09 2020-08-11 宁波金汤科技服务有限公司 一种便于定位的汽车零件加工装置
CN115890522A (zh) * 2022-11-29 2023-04-04 江苏迪丞光电材料有限公司 一种合金靶材表面加工用夹具
CN115890522B (zh) * 2022-11-29 2023-10-17 江苏迪丞光电材料有限公司 一种合金靶材表面加工用夹具

Also Published As

Publication number Publication date
US5976255A (en) 1999-11-02
US6030455A (en) 2000-02-29
US6202592B1 (en) 2001-03-20
JP4059549B2 (ja) 2008-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH1191946A (ja) 基板支持装置
US8715417B2 (en) Film forming apparatus
JP5001432B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
US7967961B2 (en) Film forming apparatus
JP4547337B2 (ja) 薄膜形成装置
KR102500219B1 (ko) 통합된 셔터 개라지를 갖는 사전-세정 챔버
JPS6386867A (ja) ウェ−ハ処理装置
KR20170061083A (ko) 성막 시스템, 자성체부 및 막의 제조 방법
US11289305B2 (en) Deposition method and deposition apparatus
JPH11229150A (ja) 情報記録ディスク用成膜装置
JP2011202190A (ja) スパッタリング装置及びスパッタリング方法
JP3233496B2 (ja) 真空成膜装置
CN110100043B (zh) 基板处理装置及支撑销
JP4312400B2 (ja) スパッタ装置
TW200905000A (en) Sputtering system and method for depositing thin film
JP2002133650A (ja) 磁気記録ディスク用成膜装置
JP4099249B2 (ja) 基板支持装置
JP2002047555A (ja) スパッタリング装置
JPS60249329A (ja) スパッタエッチング装置
JP4082566B2 (ja) 円板状部材保持装置
JP2895505B2 (ja) スパッタリング成膜装置
JP3520191B2 (ja) スパッタ膜の製造装置
JP2003242638A (ja) 磁気転写装置
JP2009194360A (ja) 薄膜作成装置における基板保持具上の堆積膜の剥離防止方法及び薄膜作成装置
JP2001131749A (ja) 成膜方法、成膜装置および複合成膜装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040917

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070515

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070717

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20071120

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20071218

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101228

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111228

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111228

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121228

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131228

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term