JPH1187908A - はんだ付けの後処理方法、及びプリント基板 - Google Patents

はんだ付けの後処理方法、及びプリント基板

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JPH1187908A
JPH1187908A JP24500797A JP24500797A JPH1187908A JP H1187908 A JPH1187908 A JP H1187908A JP 24500797 A JP24500797 A JP 24500797A JP 24500797 A JP24500797 A JP 24500797A JP H1187908 A JPH1187908 A JP H1187908A
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JP
Japan
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solder
chain
compound
formula
perfluoroalkyl
Prior art date
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Pending
Application number
JP24500797A
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English (en)
Inventor
Hiroshi Sasaki
佐々木　　洋
Saburo Shoji
三良 庄司
Kenichi Kawashima
憲一 川島
Yutaka Ito
伊藤　　豊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP24500797A priority Critical patent/JPH1187908A/ja
Publication of JPH1187908A publication Critical patent/JPH1187908A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3489—Composition of fluxes; Methods of application thereof; Other methods of activating the contact surfaces

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  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】プリント基板等のはんだの腐食を抑える簡便な
方法を提供することにより、湿度による腐食の発生しに
くいプリント基板を提供すること。 【解決手段】該はんだを溶融し、搭載素子を基板に固着
後、該はんだの表面に式（１）、或いは式（２）で示さ
れる含フッ素化合物を塗布することを特徴とするはんだ
付けの後処理方法。 【化２１】 （Ｒｆはパーフルオロポリオキシアルキル鎖，パーフル
オロポリオキシアルキレン鎖，パーフルオロアルキル
鎖、或いはパーフルオロアルキレン鎖。Ｒｆ′はパーフ
ルオロポリオキシアルキル鎖、或いはパーフルオロアル
キル鎖。−Ｘ−はＲｆとＳｉとの接続部分。−Ｙ−はＲ
ｆ′とＳｉとの接続部分。−Ｒは−OCH3，−ＯＣ2Ｈ5，
−ＣＨ3、或いは−Ｃ2Ｈ5であり、−ＳｉＲ3の−Ｒのう
ち最低１つは−ＯＣＨ3、或いは−ＯＣ2Ｈ5。ｎは１、
或いは２。）

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は大型コンピュータ
ー，パソコン，ワークステーション，ワードプロセッ
サ、及びその周辺機器であるレーザープリンタ，光磁気
ディスクの記録・再生装置，ＣＤ−ＲＯＭの再生装置，
その他車載の各種制御機器，船舶や航空機搭載の各種機
器等の物品に用いられる半導体実装用プリント基板、そ
れを用いた物品、及びその半導体実装用プリント基板作
製の際用いるはんだ付けの後処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体実装用等のプリント基板の端子同
士の接合や端子と金属線の接合等の、いわゆる金属同士
の接合においてはんだはその接合材として多方面で用い
られている。はんだの構成材料としてはＳｎ，Ｐｂのも
のが多く用いられている。Ｓｎ：Ｐｂ＝６２〜６３：３
７〜３８のはんだは融点が約１８３〜１８５℃と低融点
であるためプリント基板への素子の溶接等に幅広く用い
られている。また熱に弱い素子の接合や、はんだゴテが
使えないような入り組んだ部分への接合の際にその周辺
を加熱することではんだを溶融したい場合は用いるはん
だが更に低融点であることが望まれる。そこで低融点化
を図るためＢｉ，Ｉｎ，Ｃｄ等の金属を添加したものも
ある。例えばＳｎ：Ｐｂ：Ｂｉ＝２５：２５：５０のは
んだは融点が約９７℃、Ｓｎ：Ｉｎ＝４８：５２のはん
だは融点が約１１７℃、Ｓｎ：Ｐｂ：Ｃｄ＝５０：３
２：１８のはんだは融点が約１４５℃というように融点
を下げることが可能になる。ただコンピューターの装置
の内部等は使用中には８０℃程度まで温度が上昇するこ
とがある。そのため融点はマージンも考え、現状で９０
℃以上は必要である。
【０００３】また接合したはんだは空気中の水分等で腐
食することがある。腐食は主にその金属が酸化物や水酸
化物等に変わることである。大型のコンピューター等は
空調の完備しているところに置かれているが、自動車の
制御部分は自動車の室内やエンジン近傍であるため温度
・湿度の変化の激しい環境にさらされる。また工事現場
の掘削機器等の装置の制御に使われるコンピューターも
事務室等の室内に比べて温度・湿度の変化の激しい環境
にさらされる。そのためこうした環境では腐食はより進
みやすい。更に火山，温泉，焼却炉の近くでは空気中の
ＳＯｘの濃度が高く、交通量の多い道路の近くでは空気
中のＮＯｘの濃度が高い。こうした環境でも腐食は進み
やすい。はんだ材料としては特にＰｂやＩｎ等では腐食
が進みやすい。腐食が進むと導電性が低下したり接合部
分が剥がれやすくなる等の問題がある。更にＰｂの場
合、別の問題も発生する。Ｐｂは水分と接することによ
って酸化鉛（ＰｂＯ）に変化する。その際ＰｂＯの結晶
は木の枝のように成長する。そのためはんだ接合部分の
近傍にその接合部分と接続しない端子がある場合、その
端子にＰｂＯの結晶が接触し、その間を電流が流れるこ
とによって、短絡や場合によっては関係する回路の破損
につながるといった問題に発展する可能性がある。これ
を防止する手段の一つとして用いるはんだをＰｂに比べ
てイオン化傾向が小さいＳｎの添加量の多いものにする
方法が採られている。ただＳｎの添加量を多くするとは
んだの融点や接合強度が変わってくる。またＳｎだけで
は十分な防食効果が得られない場合もある。その場合は
Ｃｄを添加する方法が採られる。また最近でははんだ母
材中に撥水性を有する四フッ化エチレン等を混ぜること
によってはんだへの水滴の付着を防止し耐食性の向上を
図った例（特開平8− 10981 号）がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしＣｄは水質汚染
物質として有名であるばかりでなく強い発ガン性を有し
ている。そのためＣｄを添加したはんだを用いたプリン
ト基板、或いはその基板を用いた装置を廃棄した場合、
廃棄場所周辺の環境汚染につながることが懸念される。
【０００５】また撥水性を上げるため四フッ化エチレ
ン、或いはパーフルオロアルキル鎖を有する化合物等の
フッ素系の材料を添加すると、その添加量が多い場合は
接合部でのはんだの付着性が下がり、はんだの接合性が
下がる恐れがある。またはんだを溶融する際にはんだコ
テを用いる場合、コテのはんだを溶融する部分の表面温
度ははんだの融点より５０℃以上高くないとはんだ付け
の際の操作性が悪い。この時コテによる加熱によって添
加したフッ素系の材料のＣＦ結合が切れ、ＨＦ等の有害
性の高い物質が発生する恐れがある。ＨＦは強酸である
ためはんだの腐食を誘発ばかりでなくそのはんだの近傍
の素子等の劣化を引き起こす可能性もある。またはんだ
を加熱炉等で溶融する場合、その炉の内部が傷む恐れも
ある。
【０００６】更にコンピュ−タ−等に搭載される半導体
実装基板ははんだ付けの個所が極めて多く、しかも１台
の装置で搭載される枚数も多い。そのため簡便，敏速、
且つ確実に必要個所が防食処理される必要がある。
【０００７】本発明の目的は上記手段に代わる新規のは
んだの防食方法を提供することにある。更にこの防食方
法を用いた耐水性の高いプリント基板、及びその基板を
用いた耐水性の高い物品を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記目的
を達成するため鋭意検討した結果、以下の手段で上記問
題が解決することを見出し、本発明に至ったものであ
る。
【０００９】（１）少なくとも金属成分としてＳｎ，Ｐ
ｂ，Ｂｉ，Ｉｎから選ばれる金属を１種類以上含有する
ことを特徴とするはんだ材料を用いて行うはんだ付けの
後処理方法において、該はんだを溶融し、素子に固着
後、該はんだの表面に式（１）で示される含フッ素化合
物を塗布することを特徴とするはんだ付けの後処理方
法。
【００１０】
【化７】 Ｒf（ＣＯ2Ｈ)n …（化７） （Ｒｆはパーフルオロポリオキシアルキル鎖，パーフル
オロポリオキシアルキレン鎖，パーフルオロアルキル
鎖、或いはパーフルオロアルキレン鎖。ｎは１、或いは
２。） （２）少なくとも金属成分としてＳｎ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｉ
ｎから選ばれる金属を１種類以上含有することを特徴と
するはんだ材料を用いて行うはんだ付けの後処理方法に
おいて、該はんだを溶融し、素子に固着後、該はんだの
表面に式（２）で示される含フッ素化合物を塗布するこ
とを特徴とするはんだ付けの後処理方法。
【００１１】
【化８】
【００１２】（Ｒｆはパーフルオロポリオキシアルキル
鎖，パーフルオロポリオキシアルキレン鎖，パーフルオ
ロアルキル鎖、或いはパーフルオロアルキレン鎖。Ｒ
ｆ′はパーフルオロポリオキシアルキル鎖、或いはパー
フルオロアルキル鎖。−Ｘ−はＲｆとＳｉとの接続部
分。−Ｙ−はＲｆ′とＳｉとの接続部分。−Ｒは−OC
H3，−ＯＣ2Ｈ5，−ＣＨ3、或いは−Ｃ2Ｈ5であり、−
ＳｉＲ3の−Ｒのうち最低１つは−ＯＣＨ3、或いは−Ｏ
Ｃ2Ｈ5。ｎは１、或いは２。） （３）少なくとも製造の１工程に金属成分としてＳｎ，
Ｐｂ，Ｂｉ，Ｉｎから選ばれる金属を１種類以上含有す
るはんだ材料を用いて製造されることを特徴とする半導
体実装用プリント基板において、その製造工程で該はん
だを溶融し、素子に固着後、該はんだの表面に式（１）
で示される含フッ素化合物を塗布する工程を含むことを
特徴とする半導体実装用プリント基板。
【００１３】
【化９】 Ｒf（ＣＯ2Ｈ)n …（化９） （Ｒｆはパーフルオロポリオキシアルキル鎖，パーフル
オロポリオキシアルキレン鎖，パーフルオロアルキル
鎖、或いはパーフルオロアルキレン鎖。ｎは１、或いは
２。） （４）少なくとも製造の１工程に金属成分としてＳｎ，
Ｐｂ，Ｂｉ，Ｉｎから選ばれる金属を１種類以上含有す
るはんだ材料を用いて製造されることを特徴とする半導
体実装用プリント基板において、その製造工程で該はん
だを溶融し、素子に固着後、該はんだの表面に式（２）
で示される含フッ素化合物を塗布する工程を含むことを
特徴とする半導体実装用プリント基板。
【００１４】
【化１０】
【００１５】（Ｒｆはパーフルオロポリオキシアルキル
鎖，パーフルオロポリオキシアルキレン鎖，パーフルオ
ロアルキル鎖、或いはパーフルオロアルキレン鎖。Ｒ
ｆ′はパーフルオロポリオキシアルキル鎖、或いはパー
フルオロアルキル鎖。−Ｘ−はＲｆとＳｉとの接続部
分。−Ｙ−はＲｆ′とＳｉとの接続部分。−Ｒは−OC
H3，−ＯＣ2Ｈ5，−ＣＨ3、或いは−Ｃ2Ｈ5であり、−
ＳｉＲ3の−Ｒのうち最低１つは−ＯＣＨ3、或いは−Ｏ
Ｃ2Ｈ5。ｎは１、或いは２。） （５）少なくとも製造の１工程に金属成分としてＳｎ，
Ｐｂ，Ｂｉ，Ｉｎから選ばれる金属を１種類以上含有す
るはんだ材料を用いて作製される半導体実装用プリント
基板を用いて製造される物品において、その製造工程で
該はんだを溶融し、素子に固着後、該はんだの表面に式
（１）で示される含フッ素化合物を塗布する工程を含ん
だ半導体実装用プリント基板が組み込まれていることを
特徴とする物品。
【００１６】
【化１１】 Ｒf（ＣＯ2Ｈ)n …（化１１） （Ｒｆはパーフルオロポリオキシアルキル鎖，パーフル
オロポリオキシアルキレン鎖，パーフルオロアルキル
鎖、或いはパーフルオロアルキレン鎖。ｎは１、或いは
２。） （６）少なくとも製造の１工程に金属成分としてＳｎ，
Ｐｂ，Ｂｉ，Ｉｎから選ばれる金属を１種類以上含有す
るはんだ材料を用いて作製される半導体実装用プリント
基板を用いて製造される物品において、その製造工程で
該はんだを溶融し、素子に固着後、該はんだの表面に式
（２）で示される含フッ素化合物を塗布する工程を含ん
だ半導体実装用プリント基板が組み込まれていることを
特徴とする物品。
【００１７】
【化１２】
【００１８】（Ｒｆはパーフルオロポリオキシアルキル
鎖，パーフルオロポリオキシアルキレン鎖，パーフルオ
ロアルキル鎖、或いはパーフルオロアルキレン鎖。Ｒ
ｆ′はパーフルオロポリオキシアルキル鎖、或いはパー
フルオロアルキル鎖。−Ｘ−はＲｆとＳｉとの接続部
分。−Ｙ−はＲｆ′とＳｉとの接続部分。−Ｒは−OC
H3，−ＯＣ2Ｈ5，−ＣＨ3、或いは−Ｃ2Ｈ5であり、−
ＳｉＲ3の−Ｒのうち最低１つは−ＯＣＨ3、或いは−Ｏ
Ｃ2Ｈ5。ｎは１、或いは２。） 本発明の特徴の１つ目は、はんだを溶融固着させた後末
端がカルボキシル基の含フッ素化合物（（１）式に示す
化合物）を塗布する操作を加える点である。
【００１９】
【化１３】 Ｒf（ＣＯ2Ｈ)n …（化１３） またこの操作により変化したはんだの模式図を図１に示
す。
【００２０】図１の１のはんだにおいて、その構成金属
と塗布した含フッ素化合物の末端のカルボキシル基がは
んだ表面で反応し２のカルボン酸塩を形成する。この塩
は水との親和性が低く、またはんだの表面を覆うように
形成されるので空気中の水分の浸透が妨げられ、腐食の
進行が抑えられる。
【００２１】（１）式のＲｆはパーフルオロポリオキシ
アルキル鎖，パーフルオロポリオキシアルキレン鎖，パ
ーフルオロアルキル鎖、或いはパーフルオロアルキレン
鎖である。このうちパーフルオロポリオキシアルキル鎖
とパーフルオロアルキル鎖の化合物は一方の末端がカル
ボキシル基、もう一方の末端がＦである。またｎは１で
ある。パーフルオロポリオキシアルキレン鎖とパーフル
オロアルキレン鎖の化合物は両末端がカルボキシル基で
ある。またｎは２である。
【００２２】一方の末端がカルボキシル基、もう一方の
末端がＦであるパーフルオロポリオキシアルキル鎖を有
する化合物、即ちパーフルオロポリオキシアルキルカル
ボン酸としてはDu Pont社製のKrytox157FS−L，Krytox1
57FS−M、或いはKrytox157FS−H（繰り返し単位は−
（ＣＦ(ＣＦ3)ＣＦ2Ｏ)α−）、ダイキン工業社製DEMNU
MSH（繰り返し単位は−（ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ)α−）等
が挙げられる。両末端がカルボキシル基であるパーフル
オロポリオキシアルキレン鎖を有する化合物、即ちパー
フルオロポリオキシアルキレンジカルボン酸としてはア
ウジモント社製のFomblin Z-DIAC（繰り返し単位は−
(ＣＦ2ＣＦ2Ｏ)α−(ＣＦ2Ｏ)β−)が挙げられる。これ
らの平均分子量は１５００前後から１５０００程度まで
のものがある。
【００２３】一方の末端がカルボキシル基、もう一方の
末端がＦであるパーフルオロアルキル鎖を有する化合
物、即ちパーフルオロアルキルカルボン酸としては具体
的にはトリフルオロ酢酸，パーフルオロプロピオン酸，
パーフルオロ酪酸，パーフルオロ吉草酸，パーフルオロ
ヘキサン酸，パーフルオロヘプタン酸，パーフルオロオ
クタン酸，パーフルオロノナン酸，パーフルオロデカン
酸，パーフルオロドデカン酸，パーフルオロテトラデカ
ン酸，パーフルオロヘキサデカン酸，パーフルオロオク
タデカン酸等が挙げられる。両末端がカルボキシル基で
あるパーフルオロアルキレン鎖を有する化合物、即ちパ
ーフルオロアルキレンジカルボン酸としては具体的には
テトラフルオロコハク酸，ヘキサフルオログルタル酸，
オクタフルオロアジピン酸，パーフルオロスベリン酸，
パーフルオロアゼライン酸等が挙げられる。
【００２４】撥水性を高めるには分子中のフッ素原子の
割合が多い方が良い傾向がある。繰り返し単位が同じ場
合は分子量が大きいほど分子中のフッ素原子の割合が多
くなる。またはんだの接合部付近は回路から発生する熱
によってある程度加熱される。そのため長期使用の際は
含フッ素化合物が揮発する恐れがある。揮発を防ぐには
用いる含フッ素化合物は分子量の大きなものの方が望ま
しい。なお加熱の程度はその装置，回路系によって異な
る。そのため必要な分子量は用いる装置，回路系によっ
て異なる。
【００２５】次に本発明の特徴の２つ目は、はんだを溶
融固着させた後末端がＳｉＲ3(Ｒのうち少なくとも１つ
はＯＣＨ3かＯＣ2Ｈ5、残りはＣＨ3，Ｃ2Ｈ5、或いはＯ
Ｈ）の含フッ素化合物（（２）式に示す化合物）を塗布
する操作を加える点である。
【００２６】
【化１４】
【００２７】またこの操作によりはんだ表面で起こる反
応を図２〜図５を用いて説明する。はんだに含有してい
る金属表面の一部は水と反応して水酸基を生じる。図２
にその模式図を示す。この水酸基と塗布した含フッ素化
合物の末端のＳｉＲ3 基がはんだ表面で反応しはんだ表
面に共有結合で結合する。図３〜図５にその模式図を示
す。この含フッ素化合物は水との親和性が低く、または
んだ表面を覆うように結合しているので空気中の水分の
浸透が妨げられ、腐食の進行が抑えられる。なおＳｉＲ
3 基と水酸基との反応は常温でも進行する。しかしその
反応を敏速に、且つ確実に進行させるためには（２）式
の化合物を塗布後加熱を行うことが望ましい。そのため
上記加熱操作を行う場合はその加熱温度で溶解しないは
んだを用いる必要がある。加熱温度、及び加熱時間はそ
れぞれ約１２０℃，１０分間程度が必要であるが、これ
より低温でも十分な加熱時間があれば同様の効果が得ら
れる。
【００２８】（２）式のＲｆは（１）式のＲｆと同じ範
疇の構造である。即ちパーフルオロポリオキシアルキル
鎖，パーフルオロポリオキシアルキレン鎖，パーフルオ
ロアルキル鎖、或いはパーフルオロアルキレン鎖であ
る。
【００２９】−Ｘ−としては−ＣＯＮＨ（ＣＨ2)3−，
−ＣＯＮＨ（ＣＨ2)2ＮＨ(ＣＨ2)3−，−ＣＯＮ(ＣＨ2
ＣＨ2ＮＨ2)(ＣＨ2)3−，−CH2O(CH2)3−，−(CH2)2O(C
H2)3−，−ＣＨ2Ｓ（ＣＨ2)3−，−（ＣＨ2)2Ｓ（Ｃ
Ｈ2)3−，−（ＣＨ2）2−、或いは−Ｏ−（ＣＨ2）3−
等が挙げられる。
【００３０】（２）式のＲｆ′は（１）式のＲｆのうち
の片末端がＦのものと同じ範疇の構造である。即ちパー
フルオロポリオキシアルキル鎖、或いはパーフルオロア
ルキル鎖である。
【００３１】＞Ｙ−としては−ＣＯＮ(ＣＨ2ＣＨ2ＮＨ
ＣＯ−)(ＣＨ2）3−（なおＣＨ2)3−にＳｉＲ3が結合す
る）等が挙げられる。
【００３２】−Ｘ−が−ＣＯＮＨ（ＣＨ2）3−の化合物
はパーフルオロポリオキシアルキルカルボン酸，パーフ
ルオロアルキルカルボン酸，パーフルオロポリオキシア
ルキレンジカルボン酸、或いはパーフルオロアルキレン
ジカルボン酸と、構造がＨ2Ｎ（ＣＨ2）3ＳｉＲ3のシラ
ンカップリング剤をアミド結合で結合させることによっ
て得られる。
【００３３】−Ｘ−が−ＣＯＮＨ（ＣＨ2）2ＮＨ(Ｃ
Ｈ2)3−か−CON(CH2CH2NH2)(CH2)3−、或いは＞Ｙ−が
−ＣＯＮ（ＣＨ2ＣＨ2ＮＨ−）（ＣＨ2）3−の化合物は
パーフルオロポリオキシアルキルカルボン酸かパーフル
オロアルキルカルボン酸と、構造がＨ2Ｎ（ＣＨ2)2ＨＮ
（ＣＨ2)3ＳｉＲ3のシランカップリング剤をアミド結合
で結合させることによって得られる。このシランカップ
リング剤を用いた場合、結合部位が−Ｘ−や＞Ｙ−の混
合物として得られるが、パーフルオロポリオキシアルキ
ルカルボン酸かパーフルオロアルキルカルボン酸の量が
モル数でシランカップリング剤の２倍量より多くなると
生成物のほとんどが結合部位が＞Ｙ−の形の化合物とな
る。
【００３４】上記アミド結合を形成させる際はカルボキ
シル基を塩化チオニルやオキサリルクロリドでカルボン
酸クロライドに変換後にシランカップリング剤と反応さ
せることによって、或いはジシクロヘキシルカルボジイ
ミド(以後ＤＣＣと略記する)等の縮合剤を用いてアミド
結合を形成させる。なお上記パーフルオロポリオキシア
ルキルカルボン酸，パーフルオロアルキルカルボン酸，
パーフルオロポリオキシアルキレンジカルボン酸、及び
パーフルオロアルキレンジカルボン酸としては（１）式
に示すものが挙げられる。
【００３５】−Ｘ−が−ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2)3−、或いは−
（ＣＨ2)2Ｏ（ＣＨ2)3−の化合物は末端がＣＨ2ＯＨ の
パーフルオロポリオキシアルキル鎖を有する化合物、末
端がＣＨ2ＯＨのパーフルオロアルキル鎖を有する化合
物、両末端がＣＨ2ＯＨのパーフルオロポリオキシアル
キレン鎖を有する化合物、或いは両末端がＣＨ2ＯＨ の
パーフルオロアルキレン鎖を有する化合物と、構造がＣ
ｌ（ＣＨ2)3ＳｉＲ3のシランカップリング剤をエーテル
結合で結合させることによって得られる。
【００３６】上記エーテル結合は末端がＣＨ2ＯＨ のパ
ーフルオロポリオキシアルキル鎖を有する化合物、末端
が（ＣＨ2)2ＯＨかＣＨ2ＯＨのパーフルオロアルキル鎖
を有する化合物、両末端がＣＨ2ＯＨ のパーフルオロポ
リオキシアルキレン鎖を有する化合物、或いは両末端が
ＣＨ2ＯＨ のパーフルオロアルキレン鎖を有する化合物
の水酸基をナトリウムアルコラートやリチウムアルコラ
ート等に変換後、シランカップリング剤と反応させるこ
とによって形成させる方法が好ましい。縮合剤として塩
酸等の酸を用いるとパーフルオロポリオキシアルキル鎖
やパーフルオロポリオキシアルキレン鎖が切断し目的の
化合物を得られなくなる恐れがある。
【００３７】上記末端がＣＨ2ＯＨ のパーフルオロポリ
オキシアルキル鎖を有する化合物としてはダイキン工業
社製DEMNUM SA(繰り返し単位は−(CF2CF2CF2O)α−）
や、パーフルオロポリオキシアルキルカルボン酸である
Du Pont社製のKrytox157FS−L，Krytox157FS−M、或い
はKrytox157FS−H（繰り返し単位は−(CF(CF3)CF2O)α
−)のカルボキシル基をＬｉＡｌＨ4 等で水酸基に還元
した化合物等が挙げられる。その他ダイキン工業社製２
−パーフルオロプロポキシ−２，３，３，３−テトラフ
ルオロプロパノール等も挙げられる。両末端がＣＨ2Ｏ
Ｈ のパーフルオロポリオキシアルキレン鎖を有する化
合物としてはアウジモント社製のFomblin Z−DOL（繰り
返し単位は−（ＣＦ2ＣＦ2Ｏ)α−(ＣＦ2Ｏ)β−）が挙
げられる。これらの平均分子量は１５００前後から１５
０００程度までのものがある。
【００３８】上記末端が（ＣＨ2)2ＯＨかＣＨ2ＯＨのパ
ーフルオロアルキル鎖を有する化合物としては２，２，
２−トリフルオロエタノール、２，２，３，３，３−ペ
ンタフルオロプロパノ−ル、１Ｈ，１Ｈ−ヘプタフルオ
ロブタノール、２−（パーフルオロブチル）エタノ−
ル、２−（パーフルオロヘキシル）エタノ−ル、２−
（パーフルオロオクチル）エタノ−ル、２−（パーフル
オロデシル）エタノ−ル、２−（パーフルオロ−３−メ
チルブチル）エタノ−ル、２−（パーフルオロ−５−メ
チルヘキシル）エタノ−ル、２−（パーフルオロ−７−
メチルオクチル）エタノ−ル、２−（パーフルオロ−９
−メチルデシル）エタノ−ル、２Ｈ−ヘキサフルオロ−
２−プロパノール等がある。
【００３９】上記両末端がＣＨ2ＯＨ のパーフルオロア
ルキレン鎖を有する化合物としてはパーフルオロアルキ
レンジカルボン酸であるテトラフルオロコハク酸，ヘキ
サフルオログルタル酸，オクタフルオロアジピン酸，パ
ーフルオロスベリン酸，パーフルオロアゼライン酸等の
カルボキシル基をＬｉＡｌＨ4 等で水酸基に還元した化
合物等が挙げられる。
【００４０】−Ｘ−が−ＣＨ2Ｓ（ＣＨ2)3−、或いは−
（ＣＨ2)2Ｓ（ＣＨ2)3−の化合物は末端がＣＨ2ＩかＣ
Ｈ2Ｂｒのパーフルオロポリオキシアルキル鎖を有する
化合物、末端がＣＨ2ＩかＣＨ2Ｂｒのパーフルオロアル
キル鎖を有する化合物、両末端がＣＨ2ＩかＣＨ2Ｂｒの
パーフルオロポリオキシアルキレン鎖を有する化合物、
或いは両末端がＣＨ2ＩかＣＨ2Ｂｒのパーフルオロアル
キレン鎖を有する化合物と、構造がＨＳ（ＣＨ2)3Ｓｉ
Ｒ3のシランカップリング剤をチオエーテル結合で結合
させることによって得られる。
【００４１】上記チオエーテル結合は構造がＨＳ（ＣＨ
2)3ＳｉＲ3のシランカップリング剤のＳＨ基をナトリウ
ムによってＳＮａ基に、或いはリチウムによってＳＬｉ
基に変換後、末端がＣＨ2ＩかＣＨ2Ｂｒのパーフルオロ
ポリオキシアルキル鎖を有する化合物、末端がＣＨ2Ｉ
かＣＨ2Ｂｒのパーフルオロアルキル鎖を有する化合
物、両末端がＣＨ2ＩかＣＨ2Ｂｒのパーフルオロポリオ
キシアルキレン鎖を有する化合物、或いは両末端がＣＨ
2ＩかＣＨ2Ｂｒのパーフルオロアルキレン鎖を有する化
合物と反応させることによって形成させることができ
る。
【００４２】末端がＣＨ2ＩかＣＨ2Ｂｒのパーフルオロ
ポリオキシアルキル鎖を有する化合物，末端がＣＨ2Ｉ
かＣＨ2Ｂｒのパーフルオロアルキル鎖を有する化合
物，両末端がＣＨ2ＩかＣＨ2Ｂｒのパーフルオロポリオ
キシアルキレン鎖を有する化合物、或いは両末端がＣＨ
2ＩかＣＨ2Ｂｒのパーフルオロアルキレン鎖を有する化
合物のＣＨ2Ｉ基やＣＨ2Ｂｒ基は上記含フッ素鎖を有
し、末端がＣＨ2ＯＨ の化合物のＣＨ2ＯＨ基を塩化チ
オニルでＣＨ2Ｃｌに変換後、ＣｌをＫＩやＮａＢｒ等
でＩやＢｒに変えることによって得られる。なお塩化チ
オニルの代わりに臭化チオニルを用いた場合、ＮａＢｒ
等と反応させなくともＣＨ2ＯＨ基はＣＨ2Ｂｒに変換で
きる。ここで用いる末端がＣＨ2ＩかＣＨ2Ｂｒのパーフ
ルオロポリオキシアルキル鎖を有する化合物，末端がＣ
Ｈ2ＩかＣＨ2Ｂｒのパーフルオロアルキル鎖を有する化
合物，両末端がＣＨ2ＩかＣＨ2Ｂｒのパーフルオロポリ
オキシアルキレン鎖を有する化合物、或いは両末端がＣ
Ｈ2ＩかＣＨ2Ｂｒのパーフルオロアルキレン鎖を有する
化合物を合成する際の材料は上記エーテル結合を形成す
る際用いる末端がＣＨ2ＯＨ のパーフルオロポリオキシ
アルキル鎖を有する化合物，末端が（ＣＨ2)2ＯＨかＣ
Ｈ2ＯＨのパーフルオロアルキル鎖を有する化合物，両
末端がＣＨ2ＯＨ のパーフルオロポリオキシアルキレン
鎖を有する化合物、或いは両末端がＣＨ2ＯＨ のパーフ
ルオロアルキレン鎖を有する化合物等が挙げられる。
【００４３】−Ｘ−が−(ＣＨ2)2−の化合物は（３，
３，３−トリフルオロプロピル）トリエトキシシラン、
１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクチルトリエ
トキシシラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロ
デシルトリエトキシシラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−
パーフルオロドデシルトリエトキシシラン等が挙げられ
る。
【００４４】−Ｘ−が−Ｏ−(ＣＨ2)3−の化合物は３−
（ヘプタフルオロイソプロポキシ）プロピルトリエトキ
シシラン等が挙げられる。
【００４５】（１）、或いは（２）の化合物を塗布する
際はそれら化合物を溶解した溶液にはんだ付け後の基板
を浸し、引上げ，乾燥するディップ法を用いるのが簡便
である。塗布層を大きくすることで１度に処理する枚数
を多くでき、しかも基板全体を浸すことで防食の必要個
所をもらさず処理することができる。塗布溶液の溶剤は
揮発性の高いものを用いることで自然乾燥でも敏速に乾
燥することができるので処理速度は大幅に向上する。ま
たディップするための塗布層を設けられない場合ははん
だ付けした部分にはけ等を用いて（１）、或いは（２）
の化合物を塗布する方法も考えられる。これら塗布の際
用いる溶剤ははんだ付け後の基板を侵さないものであれ
ば特に制限を受けない。塗布後速やかに乾燥し、しかも
不燃性という点でパーフルオロアルカンを主成分とする
ものが好適である。具体的には３Ｍ社製のＦＣ−７２，
ＦＣ−７５，ＦＣ−７７等が挙げられる。
【００４６】本発明のはんだの構成材料としてはＳｎ，
Ｐｂが挙げられる。この他融点を下げるためＢｉ，Ｉ
ｎ，Ｇａ，Ａｇ等が挙げられる。例えばＳｎ：Ｐｂ：Ａ
ｇ＝６３：３６：１のはんだは、Ｓｎ：Ｐｂ＝６２〜６
３：３７〜３８のもの（融点は約１８３℃）に比べて融
点が約５℃低下する。
【００４７】本発明の式（１）の化合物ははんだの構成
金属とイオン性の結合を形成するので、化合物を塗布後
加熱等の処理の必要が無い簡便な方法である利点があ
る。式(２)の化合物ははんだと共有結合を形成し、この
結合は空気中のＮＯｘやＳＯｘの濃度が高い場所でも切
断しにくいという利点がある。
【００４８】本発明のはんだの溶融方法ははんだコテに
よる加熱方法，基板全体を加熱炉に入れて加熱する方
法，ＩＲランプによる加熱法，ベーパーリフロー法等が
挙げられる。
【００４９】本発明のはんだを溶融させるための温度は
用いるはんだの融点より１０〜５０℃高い温度にするが
必要以上に高い温度にすると熱によって素子を破壊する
恐れがあるので注意を要する。
【００５０】本発明のはんだの接合方法を採用したプリ
ント基板、及びそれを用いた種々の装置等物品の使用場
所としては一般の事務室，空調の整った部屋での使用は
もちろんのこと、湿度の高い環境，ＳＯｘ，ＮＯｘ等の
濃度の高い環境での使用が考えられる。このような環境
としては自動車の室内やエンジン近傍にある制御部位，
工事現場の掘削機器等の装置の制御に使われるコンピュ
ーター，火山，温泉，焼却炉，交通量の多い道路の近く
等が挙げられる。
【００５１】
【発明の実施の形態】本発明を実施例により詳細に説明
する。
【００５２】（実施例１）図６に示すようなプリント基
板の左右の端子同士を図７に示すようにはんだ（成分は
Ｓｎ：Ｐｂ＝６２：３８）でつなぐ。
【００５３】その後、住友３Ｍ社製メンディングテープ
を図８に示すようにはんだ付けしていない方の端子の上
に貼る。
【００５４】次にDu Pont社製のKrytox157FS−L(平均分
子量は約２５００）を３Ｍ社製の溶剤であるＦＣ−７２
に溶解する。なおKrytox157FS−Lの濃度は０.５ｗｔ％
である。この溶液に図８に示す基板を１０分間浸す。基
板を引上げ、常温で１時間放置しＦＣ−７２を揮発させ
る。この基板を温度６０℃・湿度９０％の環境下に１０
０時間放置する。その後基板からメンディングテープを
取り除く。
【００５５】次にテスターで８の部分と１１の部分の導
通を調べたところ、８の部分と１１の部分の間では電流
は流れなかった。
【００５６】また基板は図７の状態のままであり図９の
ように１２と１３のはんだが白色に変化したり、１２と
１３のはんだの間にはんだ由来の白色の析出物も見られ
なかった。
【００５７】（比較例１）Krytox157FS−L溶液に浸さな
い以外は実施例１と同様に処理した基板の８の部分と１
１の部分の導通を調べたところ、８の部分と１１の部分
の間で電流が流れた。
【００５８】この基板は図９のように１２と１３のはん
だが白色に変化し、白色の固体１８がはんだから析出し
た。１２と１３のはんだから析出した固体はお互い接触
し一緒になっていた。
【００５９】よって実施例１の結果と合わせて考える
と、Krytox157FS−Lを塗布したことによりはんだの腐食
が抑えられることがわかった。
【００６０】（実施例２）Krytox157FS−LのＦＣ−７２
溶液の代わりにダイキン工業社製DEMNUM SH(平均分子量
は約３５００）の５ｗｔ％ＦＣ−７２溶液を用いる以外
は実施例１と同様に処理した基板の８の部分と１１の部
分の導通を調べたところ、８の部分と１１の部分の間で
は電流は流れなかった。
【００６１】また基板は図７の状態のままであり図９の
ように１２と１３のはんだの間に橋かけするような物質
の生成は見られなかった。
【００６２】よって比較例１の結果と合わせて考える
と、DEMNUM SH を塗布したことによりはんだの腐食が抑
えられることがわかった。
【００６３】（実施例３）Krytox157FS−LのＦＣ−７２
溶液の代わりにアウジモント社製Fomblin Z− DIAC
（平均分子量は約４０００）の５ｗｔ％ＦＣ−７２溶液
を用いる以外は実施例１と同様に処理した基板の８の部
分と１１の部分の導通を調べたところ、８の部分と１１
の部分の間では電流は流れなかった。
【００６４】また基板は図７の状態のままであり図９の
ように１２と１３のはんだの間に橋かけするような物質
の生成は見られなかった。
【００６５】よって比較例１の結果と合わせて考える
と、Fomblin Z−DIAC を塗布したことによりはんだの腐
食が抑えられることがわかった。
【００６６】（実施例４）Krytox157FS−LのＦＣ−７２
溶液の代わりにダイキンファインケミカル研究所製パー
フルオロオクタデカン酸の５ｗｔ％ＦＣ−７２溶液を用
いる以外は実施例１と同様に処理した基板の８の部分と
１１の部分の導通を調べたところ、８の部分と１１の部
分の間では電流は流れなかった。
【００６７】また基板は図７の状態のままであり図９の
ように１２と１３のはんだの間に橋かけするような物質
の生成は見られなかった。
【００６８】よって比較例１の結果と合わせて考える
と、パーフルオロオクタデカン酸を塗布したことにより
はんだの腐食が抑えられることがわかった。
【００６９】（実施例５）Krytox157FS−LのＦＣ−７２
溶液の代わりにダイキンファインケミカル研究所製パー
フルオロオクタン酸の５ｗｔ％ＦＣ−７２溶液を用いる
以外は実施例１と同様に処理した基板の８の部分と１１
の部分の導通を調べたところ、８の部分と１１の部分の
間では電流は流れなかった。
【００７０】また基板は図７の状態のままであり図９の
ように１２と１３のはんだの間に橋かけするような物質
の生成は見られなかった。
【００７１】よって比較例１の結果と合わせて考える
と、パーフルオロオクタン酸を塗布したことによりはん
だの腐食が抑えられることがわかった。
【００７２】（実施例６）始めに（２）式の化合物の中
でＲｆがパーフルオロポリオキシアルキル鎖，−Ｘ−が
−ＣＯＮＨ(ＣＨ2)3−，−Ｒが−ＯＣ2Ｈ5，ｎが１の化
合物の１つである化合物１の合成方法を記述する。
【００７３】
【化１５】
【００７４】Du Pont社製クライトックス１５７ＦＳ−
Ｌ（平均分子量は約２５００)（２５重量部）をＦＣ−
７２（１００重量部）に溶解し、これに塩化チオニル
（２重量部）と塩化メチレン（２０重量部）を加え、撹
拌しながら４８時間撹拌する。反応液中の塩化チオニル
やＦＣ−７２等をエバポレータで揮発させる。残渣を再
びＦＣ−７２(１００重量部)に溶解し、これにチッソ
(株)製サイラエースＳ３３０（構造は３−アミノプロピ
ルトリエトキシシラン）（３重量部）、塩化メチレン
（２０重量部）を加え１２時間撹拌後、１２時間静置す
る。上層の塩化メチレン層を除き、ＦＣ−７２を室温で
エバポレータ、及び真空ポンプを用いて揮発させ、化合
物１を得る。
【００７５】次にKrytox157FS−LのＦＣ−７２溶液の代
わりに上記方法で合成した化合物１の５ｗｔ％ＦＣ−７
２溶液を調製する。この溶液へ図８に示す基板を１０分
間浸す。基板を引上げ、常温で１時間放置しＦＣ−７２
を揮発させる。更に１２０℃中に１０分間放置する。
【００７６】続いてこの基板を温度６０℃・湿度９０％
の環境下に１００時間放置する。その後基板からメンデ
ィングテープを取り除く。
【００７７】次にテスターで８の部分と１１の部分の導
通を調べたところ、８の部分と１１の部分の間では電流
は流れなかった。
【００７８】また基板は図７の状態のままであり図９の
ように１２と１３のはんだの間に橋かけするような物質
の生成は見られなかった。
【００７９】よって比較例１の結果と合わせて考える
と、化合物１を塗布し、その後加熱する操作を行ったこ
とによりはんだの腐食が抑えられることがわかった。
【００８０】（実施例７）始めに（２）式の化合物の中
でＲｆがパーフルオロポリオキシアルキル鎖、−Ｘ−が
−ＣＯＮＨ(ＣＨ2)3−，−Ｒが−ＯＣ2Ｈ5，ｎが１の化
合物の１つである化合物２の合成方法を記述する。
【００８１】
【化１６】
【００８２】化合物２はDu Pont社製クライトックス１
５７ＦＳ−Ｌ(２５重量部）の代わりにダイキン工業
（株）製デムナムＳＨ（平均分子量は約３５００)(３５
重量部）を用いる以外は実施例６記載の化合物１の合成
と同様の方法で行った。
【００８３】次に化合物１のＦＣ−７２溶液の代わりに
化合物２の５ｗｔ％ＦＣ−７２溶液を用いる以外は実施
例６と同様に処理した基板の８の部分と１１の部分の導
通を調べたところ、８の部分と１１の部分の間では電流
は流れなかった。
【００８４】また基板は図７の状態のままであり図９の
ように１２と１３のはんだの間に橋かけするような物質
の生成は見られなかった。
【００８５】よって比較例１の結果と合わせて考える
と、化合物２を塗布し、その後加熱する操作を行ったこ
とによりはんだの腐食が抑えられることがわかった。
【００８６】（実施例８）始めに（２）式の化合物の中
でＲｆがパーフルオロポリオキシアルキレン鎖，−Ｘ−
が−ＣＯＮＨ(ＣＨ2)3−，−Ｒが−ＯＣ2Ｈ5、ｎが２の
化合物の１つである化合物３の合成方法を記述する。
【００８７】
【化１７】
【００８８】化合物３はDu Pont社製クライトックス１
５７ＦＳ−Ｌ(２５重量部）の代わりにアウジモント社
製Fomblin Z−DIAC（平均分子量４０００)（２０重量
部）を用いる以外は実施例６記載の化合物１の合成と同
様の方法で行った。
【００８９】次に化合物１のＦＣ−７２溶液の代わりに
化合物３の５ｗｔ％ＦＣ−７２溶液を用いる以外は実施
例６と同様に処理した基板の８の部分と１１の部分の導
通を調べたところ、８の部分と１１の部分の間では電流
は流れなかった。
【００９０】また基板は図７の状態のままであり図９の
ように１２と１３のはんだの間に橋かけするような物質
の生成は見られなかった。
【００９１】よって比較例１の結果と合わせて考える
と、化合物３を塗布し、その後加熱する操作を行ったこ
とによりはんだの腐食が抑えられることがわかった。
【００９２】（実施例９）始めに（２）式の化合物の中
でＲｆがパーフルオロポリオキシアルキル鎖，−Ｙ−が
−ＣＯＮ（ＣＨ2ＣＨ2ＮＨＣＯ−)(ＣＨ2)3−，−Ｒが
−ＯＣＨ3、ｎが２の化合物の１つである化合物４の合
成方法を記述する。
【００９３】
【化１８】
【００９４】化合物４はチッソ（株）製サイラエースＳ
３３０の代わりにチッソ（株）製サイラエースＳ３２０
（構造はＮ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピ
ルトリメトキシシラン)(１重量部）を用いる以外は実施
例６記載の化合物１の合成と同様の方法で行った。
【００９５】次に化合物１のＦＣ−７２溶液の代わりに
化合物４の５ｗｔ％ＦＣ−７２溶液を用いる以外は実施
例６と同様に処理した基板の８の部分と１１の部分の導
通を調べたところ、８の部分と１１の部分の間では電流
は流れなかった。
【００９６】また基板は図７の状態のままであり図９の
ように１２と１３のはんだの間に橋かけするような物質
の生成は見られなかった。
【００９７】よって比較例１の結果と合わせて考える
と、化合物４を塗布し、その後加熱する操作を行ったこ
とによりはんだの腐食が抑えられることがわかった。
【００９８】（実施例１０）化合物１のＦＣ−７２溶液
の代わりにヒドラス化学（株）製１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２
Ｈ−パーフルオロオクチルトリエトキシシラン（以後化
合物５と略記する）の５ｗｔ％ＦＣ−７２溶液を用いる
以外は実施例６と同様に処理した基板の８の部分と１１
の部分の導通を調べたところ、８の部分と１１の部分の
間では電流は流れなかった。
【００９９】
【化１９】
【０１００】また基板は図７の状態のままであり図９の
ように１２と１３のはんだの間に橋かけするような物質
の生成は見られなかった。
【０１０１】よって比較例１の結果と合わせて考える
と、化合物５を塗布し、その後加熱する操作を行ったこ
とによりはんだの腐食が抑えられることがわかった。
【０１０２】（実施例１１）化合物１のＦＣ−７２溶液
の代わりにヒドラス化学（株）製１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２
Ｈ−パーフルオロデシルトリエトキシシラン（以後化合
物６と略記する）の５ｗｔ％ＦＣ−７２溶液を用いる以
外は実施例６と同様に処理した基板の８の部分と１１の
部分の導通を調べたところ、８の部分と１１の部分の間
では電流は流れなかった。
【０１０３】
【化２０】
【０１０４】また基板は図７の状態のままであり図９の
ように１２と１３のはんだの間に橋かけするような物質
の生成は見られなかった。
【０１０５】よって比較例１の結果と合わせて考える
と、化合物６を塗布し、その後加熱する操作を行ったこ
とによりはんだの腐食が抑えられることがわかった。
【０１０６】（実施例１２）温度６０℃・湿度９０％の
環境下に１００時間放置する代わりに、１０ミリリット
ルの３０％硝酸を底の部分に入れた容量４リットルのガ
ラス製デシケーター内に常温で１０時間放置する以外は
実施例１１と同様に処理した基板のはんだを観察した。
なおデシケーター内には直径約２.５cm の穴が７個あい
たセラミック製天板がセットされており、基板はその天
板の上に置かれ、硝酸は天板の下に入れられている。
【０１０７】その結果はんだは図７の状態のままであり
変色や析出物は見られなかった。
【０１０８】（比較例２）化合物６の５ｗｔ％ＦＣ−７
２溶液に浸す操作を行わない以外は実施例１２と同様に
処理した基板のはんだを観察した。
【０１０９】その結果はんだは白色に変化していた。た
だ図９の１８のような析出物は見られなかった。
【０１１０】実施例１２の結果と合わせて考えると、化
合物６によりはんだの腐食が抑えられることがわかっ
た。
【０１１１】
【発明の効果】本発明の方法を用いることによって簡便
な方法ではんだの腐食を抑えることが可能となった。ま
た本発明の方法を用いた基板を使って構成された装置等
の物品の湿度による影響を軽減することが可能となっ
た。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の方法により変化したはんだ表面、及び
近傍を模式的に示した図である。
【図２】溶融・固着したはんだ表面、及びその近傍の模
式図である。
【図３】本発明の方法によりはんだ表面で起こる反応を
模式的に示した図である。
【図４】本発明の方法によりはんだ表面で起こる反応を
模式的に示した図である。
【図５】本発明の方法によりはんだ表面で起こる反応を
模式的に示した図である。
【図６】本発明の実施例、及び比較例で用いるプリント
基板の説明図である。
【図７】本発明の実施例、及び比較例で用いるプリント
基板の説明図である。
【図８】本発明の実施例、及び比較例で用いるプリント
基板の説明図である。
【図９】本発明の実施例、及び比較例で用いるプリント
基板の説明図である。
【符号の説明】
１…溶融固着させたはんだ、２…（１）式で表される化
合物とはんだ構成金属との塩の層、３…プリント基板、
４〜７…銅箔の配線、８〜１１…銅箔の配線のうちはん
だ付けしない方の端子、１２，１３…溶融固着させたは
んだ、１４〜１７…メンディングテープ貼り付け部分、
１８…はんだからの析出物。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 豊 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】少なくとも金属成分としてＳｎ，Ｐｂ，Ｂ
    ｉ，Ｉｎから選ばれる金属を１種類以上含有するはんだ
    材料を用いて行うはんだ付けの後処理方法において、該
    はんだを溶融し、搭載素子を基板に固着後、該はんだの
    表面に式（１）で示される含フッ素化合物を塗布するこ
    とを特徴とするはんだ付けの後処理方法。 【化１】 Ｒf（ＣＯ2Ｈ)n …（化１） （Ｒｆはパーフルオロポリオキシアルキル鎖，パーフル
    オロポリオキシアルキレン鎖，パーフルオロアルキル
    鎖、或いはパーフルオロアルキレン鎖。ｎは１、或いは
    ２。）
  2. 【請求項２】少なくとも金属成分としてＳｎ，Ｐｂ，Ｂ
    ｉ，Ｉｎから選ばれる金属を１種類以上含有するはんだ
    材料を用いて行うはんだ付けの後処理方法において、該
    はんだを溶融し、搭載素子を基板に固着後、該はんだの
    表面に式（２）で示される含フッ素化合物を塗布するこ
    とを特徴とするはんだ付けの後処理方法。 【化２】 （Ｒｆはパーフルオロポリオキシアルキル鎖，パーフル
    オロポリオキシアルキレン鎖，パーフルオロアルキル
    鎖、或いはパーフルオロアルキレン鎖。Ｒｆ′はパーフ
    ルオロポリオキシアルキル鎖、或いはパーフルオロアル
    キル鎖。−Ｘ−はＲｆとＳｉとの接続部分。−Ｙ−はＲ
    ｆ′とＳｉとの接続部分。−Ｒは−OCH3，−ＯＣ2Ｈ5，
    −ＣＨ3、或いは−Ｃ2Ｈ5であり、−ＳｉＲ3の−Ｒのう
    ち最低１つは−ＯＣＨ3、或いは−ＯＣ2Ｈ5。ｎは１、
    或いは２。）
  3. 【請求項３】少なくとも製造の１工程に金属成分として
    Ｓｎ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｉｎから選ばれる金属を１種類以上
    含有するはんだ材料を用いて製造されることを特徴とす
    る半導体実装用プリント基板において、その製造工程で
    該はんだを溶融し、素子に固着後、該はんだの表面に式
    （１）で示される含フッ素化合物を塗布する工程を含む
    ことを特徴とする半導体実装用プリント基板。 【化３】 Ｒf（ＣＯ2Ｈ)n …（化３） （Ｒｆはパーフルオロポリオキシアルキル鎖，パーフル
    オロポリオキシアルキレン鎖，パーフルオロアルキル
    鎖、或いはパーフルオロアルキレン鎖。ｎは１、或いは
    ２。）
  4. 【請求項４】少なくとも製造の１工程に金属成分として
    Ｓｎ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｉｎから選ばれる金属を１種類以上
    含有するはんだ材料を用いて製造されることを特徴とす
    る半導体実装用プリント基板において、その製造工程で
    該はんだを溶融し、素子に固着後、該はんだの表面に式
    （２）で示される含フッ素化合物を塗布する工程を含む
    ことを特徴とする半導体実装用プリント基板。 【化４】 （Ｒｆはパーフルオロポリオキシアルキル鎖，パーフル
    オロポリオキシアルキレン鎖，パーフルオロアルキル
    鎖、或いはパーフルオロアルキレン鎖。Ｒｆ′はパーフ
    ルオロポリオキシアルキル鎖、或いはパーフルオロアル
    キル鎖。−Ｘ−はＲｆとＳｉとの接続部分。−Ｙ−はＲ
    ｆ′とＳｉとの接続部分。−Ｒは−OCH3，−ＯＣ2Ｈ5，
    −ＣＨ3、或いは−Ｃ2Ｈ5であり、−ＳｉＲ3の−Ｒのう
    ち最低１つは−ＯＣＨ3、或いは−ＯＣ2Ｈ5。ｎは１、
    或いは２。）
  5. 【請求項５】少なくとも製造の１工程に金属成分として
    Ｓｎ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｉｎから選ばれる金属を１種類以上
    含有するはんだ材料を用いて作製される半導体実装用プ
    リント基板を用いて製造される物品において、その製造
    工程で該はんだを溶融し、素子に固着後、該はんだの表
    面に式（１）で示される含フッ素化合物を塗布する工程
    を含んだ半導体実装用プリント基板が組み込まれている
    ことを特徴とする物品。 【化５】 Ｒf（ＣＯ2Ｈ)n …（化５） （Ｒｆはパーフルオロポリオキシアルキル鎖、パーフル
    オロポリオキシアルキレン鎖、パーフルオロアルキル
    鎖、或いはパーフルオロアルキレン鎖。ｎは１、或いは
    ２。）
  6. 【請求項６】少なくとも製造の１工程に金属成分として
    Ｓｎ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｉｎから選ばれる金属を１種類以上
    含有するはんだ材料を用いて作製される半導体実装用プ
    リント基板を用いて製造される物品において、その製造
    工程で該はんだを溶融し、素子に固着後、該はんだの表
    面に式（１）で示される含フッ素化合物を塗布する工程
    を含んだ半導体実装用プリント基板が組み込まれている
    ことを特徴とする物品。 【化６】 （Ｒｆはパーフルオロポリオキシアルキル鎖，パーフル
    オロポリオキシアルキレン鎖，パーフルオロアルキル
    鎖、或いはパーフルオロアルキレン鎖。Ｒｆ′はパーフ
    ルオロポリオキシアルキル鎖、或いはパーフルオロアル
    キル鎖。−Ｘ−はＲｆとＳｉとの接続部分。−Ｙ−はＲ
    ｆ′とＳｉとの接続部分。−Ｒは−OCH3，−ＯＣ2Ｈ5，
    −ＣＨ3、或いは−Ｃ2Ｈ5であり、−ＳｉＲ3の−Ｒのう
    ち最低１つは−ＯＣＨ3、或いは−ＯＣ2Ｈ5。ｎは１、
    或いは２。）
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016164873A (ja) * 2015-02-19 2016-09-08 積水化学工業株式会社 接続構造体の製造方法

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