JPH1187683A

JPH1187683A - 電子機器およびその作製方法

Info

Publication number: JPH1187683A
Application number: JP9260882A
Authority: JP
Inventors: Kouyuu Chiyou; 宏勇張; Masayuki Sakakura; 真之坂倉
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1997-09-09
Filing date: 1997-09-09
Publication date: 1999-03-30
Anticipated expiration: 2017-09-09
Also published as: JP4183784B2

Abstract

(57)【要約】【課題】受光部（フォトダイオード）と電荷転送部が
積層されたイメージセンサにおいて、フォトキャリアの
隣接画素への漏れ込みを防止する。【解決手段】受光部６０には、受光画素ごとに電気的
に分離された下部電極６１と、光電変換層６２と、全べ
ての受光画素に共通な上部電極６３でなる。光電変換層
６２には、隣接する受光画素（下部電極６１）の隙間と
重なるように溝が設けられ、この溝部に絶縁性の光吸収
物６４が埋め込まれている。光吸収物６４によって、上
部電極６３から入射した光は光吸収物６４に吸収され
て、受光画素の隙間の光吸収物６４の下層の光電変換層
６２に達することが防止できるので、画素の隙間でのフ
ォトキャリアの発生を防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光電変換効果を利
用したイメージセンサや、イメージセンサを用いたビデ
オカメラやデジタルカメラ等の電子機器およびその作製
方法に関するものであり、特に転送ゲート部と受光部
（フォトダイオード）とを積層したスタック型の受光セ
ルに関する。

【０００２】更に、本発明はスタック型の受光セルと、
表示セルとを同一基板上に備えた液晶表示装置等の電子
機器およびその作製方法に関する。

【０００３】

【従来の技術】光センサは、光を電気信号に変換するセ
ンサとして広く用いられている。例えば、ファクシミ
リ、複写機、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ等の
イメージセンサとして広く使用されている。

【０００４】マルチメディアの要求に対応するため、イ
メージセンサの画素の高密度化が急激に進んでいる。例
えば、デジタルスチルカメラの画素の規格はＶＧＡ（６
４０×４８０＝３１万画素）から、ＳＶＧＡ、ＸＧＡへ
と高密度化され、更にＳＸＧＡ（１２８０×１０２４＝
１３１万画素）へと高密度化が進んでいる。

【０００５】また、デジタルスチルカメラ等のマルチメ
ディアツールの小型化、低コスト化の要求から、光学系
は２／３inchから１／２inch、１／３inch、１／４inch
へと年々小型化されている。

【０００６】このように、画素の高密度化、光学系の小
型化を実現するうえで、小さな受光セルであって、変換
効率の良いイメージセンサが要求される。この要求を満
足するため、例えば開口率を向上して変換効率を上げる
ために、電荷転送部上に受光部を積層したスタック型イ
メージセンサが提案されている。図２２は従来のスタッ
ク型イメージセンサの断面図である。

【０００７】図２２に示すように、一導電型を有するシ
リコン基板１上には、電荷転送部であるＭＯＳ型トラン
ジスタ２が画素ごとに形成されている。ＭＯＳ型トラン
ジスタ２上には、層間絶縁膜３を介して、フォトダイオ
ードでなる受光部４がセンサ部全面に形成されている。

【０００８】ＭＯＳ型トランジスタ２は、ソース領域５
およびドレイン領域６と、熱酸化膜でなるゲイト絶縁膜
７と、ゲイト電極８、ソース電極９、ドレイン電極１
０、ゲイト電極８と、ソース電極９およびドレイン電極
１０とを層間分離する層間絶縁膜１１でなる。ＭＯＳ型
トランジスタ２同士はＬＯＣＯＳ法で形成された酸化膜
１２によって、素子間分離されている。

【０００９】受光部（フォトダイオード）４は、トラン
ジスタ２のソース電極９に接続され、画素ごとに電気的
に分離されている下部電極１５と、受光部全面に形成さ
れた光導電層１６と、全画素に共通な透明電極１７とで
構成されている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】図２２に示すスタック
型イメージセンサは素子全面に、受光部４が形成されて
いるため、開口率が高い。しかしながら、画素が高密度
化されると隣接する画素間隔が狭くなる。すると光電変
換層１６が画素ごとに分離されていないので、点線２０
で囲った画素間の光電変換層１６で発生したフォトキャ
リア２１は、矢印で示すように、隣接する下部電極１５
へ漏れ込み易くなる。隣接画素への漏れ込みは、Ｓ／Ｎ
を低下させたり、クロストークの原因となる。

【００１１】本発明の目的は、上述した受光部での隣接
画素への漏れ込みを防止して、高開口率、高密度の受光
画素を備えたイメージセンサ等の電子機器、およびその
作製方法を提供することにある。

【００１２】更に、本発明の他の目的は、上述した受光
部での隣接画素へのフォトキャリアの漏れ込みを防止し
て、高開口率、高密度の受光画素を備えた受光セルを、
表示機能を有する画素セルと同一基板上に備えた電子機
器およびその作製方法を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明においては、受光部の光電変換層の光が
入射する側に溝部を形成し、この溝部に絶縁性の光吸収
物を埋め込む。光吸収物の下部の光電変換層は光吸収物
によって遮光されるため、フォトキャリアが生じないこ
とを利用する。

【００１４】隣接する受光画素間のクロストーク等を防
止するには、光吸収物は図２２で領域２０で示したよう
な、受光部の下部電極（受光画素）の隙間部分の光電変
換層を遮光するように形成するとよい。従って溝部の空
隙は少なくとも隣接する下部電極の隙間と重なるように
形成する。開口率およびクロストークの防止の点から、
溝部の側面が下部電極の側面（分断面）と概略同一平面
をなすように形成するのが最も好ましい。

【００１５】

【発明の実施の形態】図１〜図６を用いて本発明の実
施形態を説明する。

【００１６】［実施形態１］図１〜図３を用いて本実
施形態を説明する。本実施形態は、本発明をスタック型
イメージセンサに応用した例である。図１は本実施形態
の受光部の分解斜視図であり、図２、図３は本実施形態
のイメージセンサの作製工程を示す断面図である。

【００１７】図１に受光領域３×３画素分の受光部（フ
ォトダイオード）６０を示す。受光部６０には、下部電
極６１と、下部電極６１上に接して設けられた光電変換
層６２と、光電変換層６２上に接して設けられた上部電
極６３とにより、フォトダイオードが形成されている。
下部電極６１は受光画素ごとに電気的に分離され、他
方、上部電極６３は全べての受光画素に共通となってい
る。

【００１８】光電変換層６２には、隣接する受光画素
（下部電極６１）の隙間と重なるように溝が設けられて
いる。絶縁性の光吸収物６４はこの溝に埋め込まれてい
る。光吸収物６４によって、上部電極６３から入射した
光は光吸収物６４に吸収されるため、受光画素（下部電
極６１）の隙間の光吸収物６４の下層の光電変換層６２
に達することが防止できる。従って、従来例で述べたよ
うな、画素の隙間でのフォトキャリアの発生を防止でき
る。

【００１９】以下、図２、図３を用いて受光部（フォト
ダイオード）６０の作製方法を説明する。

【００２０】先ず、図２（Ａ）に示すように、ｎ型もし
くはｐ型シリコン基板４０上に、電荷転送素子５０とし
て公知のＣＭＯＳ技術を用いて、ＭＯＳ型トランジスタ
が受光画素ごとに形成されている。そして受光領域全面
に電荷転送素子５０と受光部６０を絶縁分離するための
層間絶縁膜５９が形成されている。

【００２１】ＭＯＳ型トランジスタ５０は、ソース領域
５１およびドレイン領域５２と、熱酸化膜でなるゲイト
絶縁膜５３と、ゲイト電極５４、ソース電極５５、ドレ
イン電極５６、ゲイト電極５７と、ソース電極５５およ
びドレイン電極５６とを層間分離する層間絶縁膜５７で
なる。隣接する画素において、ＭＯＳ型トランジスタ５
０同士はＬＯＣＯＳ法で形成された酸化膜５８によっ
て、素子間分離されている。

【００２２】図２（Ｂ）に示すように、層間絶縁膜５９
にソース電極５５に達するコンタクトホールを形成した
後、受光部６０の下部電極６１を構成する導電膜を成膜
する。導電膜をパターニングして、ソース電極９に接続
され且つ画素ごとに分離された下部電極６１を形成す
る。下部電極６１はＴｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｌ等の金属膜
で構成すればよい。

【００２３】次に、受光部全面に、光電変換層６２を形
成する。光電変換層６２の材料として、真性もしくは実
質的に真性な非晶質シリコン又は非晶質シリコンゲルマ
ニュームや、ＰＩＮ接合を有するシリコン等の半導体層
を有する単層膜や多層膜、またＺｎＳｅ膜やＺｎＣｄＴ
ｅ膜等の化合物半導体層有する単層膜、積層膜を用いる
ことができる。

【００２４】次に、光電変換層６２に溝部６５を形成す
るために、図２（Ｃ）に示すように、レジストマスク７
１を形成する。レジストマスク７１を用いてプラズマエ
ッチングやＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等のドラ
イエッチング法によって、光電変換層６２の光入射側を
一部除去して溝部６５を形成する。

【００２５】溝部６５を隣接する下部電極６１の間の光
電変換層６２のみを除去して形成することによって、開
口率を低下させずに済む。そこで、本実施形態では、レ
ジストマスク７１は下部電極６１のパターニングに用い
たマスクと同一パターンにして、下部電極６１の隙間に
開口部を有するようにする。そのため、溝部６５は格子
状に形成され、正面から見た形状が下部電極６１の隙間
とほぼ合同となっている。

【００２６】レジストマスク７１を剥離した後、図３
（Ａ）に示すように、溝部６５に着色された絶縁物７２
を埋め込む。画素が高密度化されると画素間隔が狭くな
るので、溝部６５の形状も微細になる。従って絶縁物７
２にはスピンコート法で形成できる塗布膜が好適であ
る。このような塗布膜として、アクリル、ポリイミド、
ポリアミド、ポリイミドアミド、エポキシから選ばれた
有機樹脂や、ＰＳＧ、ＳｉＯ₂等の酸化珪素系塗布膜を
用いることができる。またこれら絶縁材料を着色するに
は、絶縁材料中に顔料、若しくはカーボンやグラファイ
ト等の炭素系材料を分散させる。

【００２７】塗布法で絶縁物７２を形成したため、絶縁
物７２は光電変換層７２の表面も覆っている。このた
め、図３（Ｂ）に示すように、光電変換層７２の表面を
覆っている余分な絶縁物７２を、ドライエッチングやＣ
ＭＰ等の手段によって除去する。残存した絶縁物７２が
光吸収物６４である。

【００２８】最後に、図３（Ｃ）に示すように、受光領
域に全面に透明導電膜でなる上部電極６３を形成する。

【００２９】［実施形態２］図４〜図６を用いて本実
施形態を説明する。本実施形態は、実施形態１の受光部
６０の変形例である。図４は本実施形態の受光部８０の
分解斜視図であり、図５、図６は本実施形態のイメージ
センサの作製工程を示す断面図である。

【００３０】図４に受光領域の３×３画素分の受光部８
０を示す。受光部８０には、下部電極８１と、下部電極
８１上に接して設けられた光電変換層８２と、光電変換
層８２上に設けられた上部電極８３とにより、フォトダ
イオードが形成されている。下部電極８１は画素ごとに
電気的に分離されている。

【００３１】また、本実施形態の上部電極８３は全画素
に共通であるが、実施形態１と構成が異なる。上部電極
８３は下部電極８１の隙間部分で選択的に開口部が設け
られている。即ち、上部電極８３は下部電極８１と対向
する部分と、当該部分を隣接する画素間で接続する部分
とでなる。

【００３２】光電変換層８２には、上部電極８３をマス
クとして自己整合的に溝部が形成される。この溝部に絶
縁性の光吸収物８４が埋め込まれている。従って光吸収
物８４によって、その下層の画素の隙間に存在する光電
変換層８２に入射する光を吸収できるため、従来例で述
べたような、画素の隙間でのフォトキャリアの発生を防
止できる。

【００３３】しかしながら、上述した上部電極８３のパ
ターンで溝部を形成したため、実施形態１と異なり、画
素の隙間において、光電変換層８２の表層が光吸収物８
４で完全に充填されておらず、光電変換層８２が一部残
存しているが、相対的に残存した部分よりも、光吸収物
８４のほうが画素の隙間での占有率が多く、画素の隙間
でのフォトキャリアの発生を防止する効果を十分得るこ
とができる。

【００３４】以下に、図５、図６を用いて受光部８０の
作製方法を説明する。

【００３５】先ず、図５（Ａ）に示すように、実施形態
１と同様に、シリコン基板４０上に、公知のＣＭＯＳ技
術を用いて、ＭＯＳ型トランジスタ５０を受光画素ごと
に形成する。そして受光領域全面にトランジスタ５０と
受光部８０を絶縁分離するための層間絶縁膜５９を形成
する。そしてソース電極に接続され、且つ画素ごとに分
離された下部電極８１、光電変換層８２を形成する。次
に、上部電極８３を構成する透明導電膜９１を成膜す
る。

【００３６】次に、図５（Ｂ）に示すように、透明導電
膜９１上にレジストマスク９２を形成し、図４に示す形
状に透明導電膜９１をパターニングして、上部電極８３
を形成する。

【００３７】図５（Ｃ）に示すように、プラズマエッチ
ングやＲＩＥ等のドライエッチング法によって、上部電
極８３をマスクにして、光電変換層８２に溝部８５を自
己整合的に形成する。従って溝部８５は画素電極８３の
開口部と同一パターンとなり、溝部８５の側面は上部電
極８３の開口部の端面と概略同一平面をなす。

【００３８】なお、ドライエッチング前にレジストマス
ク９２を剥離しても良いが、レジストマスク９２はドラ
イエッチング時に上部電極８３の表面が変質されてしま
うのを防止する効果がある。

【００３９】次に、レジストマスク９２を剥離した後、
図６（Ａ）に示すように、スピンコート法にて、溝部８
５に着色された絶縁物９３を埋め込む。本実施形態で
も、溝部８５の形状も微細になるため、絶縁物９３には
実施形態１で説明した塗布法で形成可能な有機樹脂膜
や、酸化珪素系塗布膜を用いればよい。

【００４０】塗布法で絶縁物９３を形成したため、上部
電極８３の表面は絶縁物９３で覆われてしまう。そこで
図６（Ｂ）に示すように、上部電極８３の表面を覆って
いる余分な絶縁物９３をドライエッチングやＣＭＰ等の
手段によって除去する。残存した絶縁物９３が図４に示
す光吸収物８４に相当する。以上の工程によって、本実
施形態のイメージセンサが完成する。

【００４１】実施形態１、２において、受光部６０、８
０の光電変換層に絶縁性の光吸収物を埋め込んだため、
画素の隙間でフォトキャリアが発生することを防止で
き、Ｓ／Ｎ比が向上され、クロストークを防止できる。
なお、実施形態１の上部電極６３には開口が形成されて
いないため、実施形態２の上部電極８３よりパターニン
グが容易であり、また開口率も高いという特長がある。

【００４２】なお、実施形態１、２では電荷転送素子５
０をＭＯＳ型トランジスタとしたがＣＣＤとすることも
できる。また、より高密度化するには、ＳＯＩ型や、ト
レンチ型とするとよい。また、本実施形態では、電荷転
送素子を転送ゲートのみでなるパッシブ型としたが、増
幅器を備えたアクティブ型に構成することも可能であ
る。

【００４３】

【実施例】図７〜図２１を用いて、本発明の実施例を
詳細に説明する。

【００４４】［実施例１］本実施例は、実施形態１で
説明したイメージセンサを、表示画素部と同一基板上に
備えた透過型液晶表示装置に関するものである。

【００４５】図７は、本実施例の液晶表示装置の正面図
である。図７に示すように同一基板１００上には、撮像
機能を有する受光領域１１０が表示領域１２０共に設け
られている。

【００４６】受光領域１１０には、複数の受光セルがマ
トリクス状に配置された受光マトリクス１１１と、受光
マトリクス１１１に配置された電荷転送素子を駆動する
ための受光部駆動回路１１２、１１３とで構成されてい
る。

【００４７】他方、表示領域１２０は周辺回路一体型の
アクティブマトリクス型であり、画素電極と、画素電極
に接続された能動素子と、画素マトリクス１２１と、画
素マトリクス１２１配置された能動素子を駆動するため
の周辺駆動回路１２２、１２３とが設けられている。更
に、基板１００上には、受光領域１１０、表示領域１２
０の周辺駆動回路を制御するための制御回路１３０も形
成されている。

【００４８】本実施例では、受光部マトリクス１１１の
電荷転送素子、画素マトリクス１２１の能動素子、およ
び電荷転送素子および能動素子を駆動するための周辺駆
動回路１１２、１１３、１２２、１２３、制御回路１３
０を、ＣＭＯＳ技術を用いてＴＦＴ（薄膜トランジス
タ）にて同時に作製する。以下図８〜図１３を用いて本
実施例の液晶パネルの作製方法を説明する。

【００４９】図８（Ａ）に示すように、ガラス基板５０
０上には、受光マトリクス１１１の電荷転送素子となる
受光部ＴＦＴ２００と、画素マトリクス１２１の能動素
子である画素部ＴＦＴ３００と、周辺駆動回路１１２、
１１３、１２２、１２３を構成するＣＭＯＳ−ＴＦＴ４
００が形成されている。なおＣＭＯＳ−ＴＦＴ４００に
おいて、右側がＮチャネル型であり、左側がＰチャネル
型である。

【００５０】これらＴＦＴ２００、３００、４００を作
製するには、ガラス基板５００全面に、基板からの不純
物の拡散を防止するための下地膜５１０を形成する。下
地膜５１０として、プラズマＣＶＤ法によって、酸化珪
素膜を２００ｎｍの厚さに形成する。

【００５１】本実施例では、透過型液晶パネルを作製す
るため、基板５００は可視光を透過する基板であれば良
く、ガラス基板５００の代わりに石英基板等も用いるこ
とができる。なお、本実施例では、ＴＦＴ２００、３０
０、４００を多結晶シリコン膜で形成するため、基板５
００は多結晶シリコン膜の形成プロセスに耐え得るもの
を選択する。多結晶シリコン膜は移動度が１０〜２００
cm²／Ｖsec程度と非常に大きく、多結晶シリコンでＴＦ
Ｔのチャネル形成領域を構成することにより、高速応答
させることができ、特に、受光部ＴＦＴ２００、ＣＭＯ
Ｓ−ＴＦＴ４００に有効である。

【００５２】次に、プラズマＣＶＤ法によって非晶質シ
リコン膜を５５ｎｍの厚さに成膜し、エキシマレーザ光
を照射して、多結晶化する。非晶質珪素膜の結晶化方法
として、ＳＰＣと呼ばれる熱結晶化法、赤外線を照射す
るＲＴＡ法、熱結晶化とレーザアニールとを併用する方
法等を用いることができる。

【００５３】次に、多結晶化されたシリコン膜をパター
ニングして、ＴＦＴ２００、３００、４００のソース領
域、ドレイン領域、チャネル形成領域を構成する島状の
半導体層を形成する。次に、これら半導体層を覆うゲイ
ト絶縁膜５２０を形成する。ゲイト絶縁膜５２０はシラ
ン（ＳｉＨ₄）とＮ₂Ｏを原料ガスに用いて、プラズマＣ
ＶＤ法で１２０ｎｍの厚さに形成する。

【００５４】次に、Ａｌ、Ｃｒや導電性ポリシリコン膜
等の導電膜を成膜し、パターニングして、ゲイト電極２
０１、３０１、４０１、４０２を形成する。これらゲイ
ト電極をマスクにして、公知のＣＭＯＳ技術を用いて半
導体層にＮ型もしくはＰ型の導電性を付与する不純物を
ドーピングする。ドーピング後、ドーピングされた不純
物を活性化する。

【００５５】この工程において、受光部ＴＦＴ２００の
半導体層には、Ｎ型のソース領域２０２およびドレイン
領域２０３と、チャネル形成領域２０４が形成される。
受光部ＴＦＴ３００の半導体層には、Ｎ型のソース領域
３０２およびドレイン領域３０３と、チャネル形成領域
３０４が形成される。そして、ＣＭＯＳ−ＴＦＴ４００
については、Ｎチャネル型ＴＦＴの半導体層にはＮ型の
ソース領域４０３およびドレイン領域４０４と、チャネ
ル形成領域４０５が形成され、Ｐチャネル型ＴＦＴの半
導体層にはＰ型のソース領域４０６およびドレイン領域
４０７と、チャネル形成領域４０８が形成される。

【００５６】なお、本実施例では多結晶シリコンＴＦＴ
を形成するため、ゲイト電極２０１、３０１、４０１、
４０２を形成する前に、少なくともＮチャネル型ＴＦＴ
のチャネル形成領域２０４、３０３、４０５となる領域
にＰ型の不純物を添加して、しきい値を最適化するのが
好ましい。

【００５７】次に、第１の層間絶縁膜５３０を形成し、
各ＴＦＴ２００、３００、４００のソース領域およびド
レイン領域に達するコンタクトホールを形成する。しか
る後、チタン膜、アルミニウム膜、チタン膜でなる積層
膜を形成し、パターニングして、配線２０５、２０６、
３０５、３０６、４０９、４１０、４１１を形成する。
なお、ＴＦＴ４００をＣＭＯＳ構造とするために、配線
４１１でＮ型のソース領域４０３とＰ型のソース領域４
０４とが接続される。

【００５８】以上のＣＭＯＳプロセスを経て、多結晶シ
リコンを用いた画素ＴＦＴ２００、受光部ＴＦＴ３０
０、ＣＭＯＳ−ＴＦＴ４００が同時に完成する。ここで
はＴＦＴ２００、３００、４００をトップゲイトのプラ
ナ型としたが、逆スタガ等のボトムゲイト型としてもよ
い。また、ＬＤＤ構造やオフセット構造とすることもで
きる。

【００５９】次に図８（Ｂ）に示すように、受光部ＴＦ
Ｔ２００と受光部とを絶縁分離するための第２の層間絶
縁膜５４０を基板５００全面に形成する。第２の層間絶
縁膜５４０としては、下層の凹凸を相殺して、平坦な表
面が得られる樹脂膜が好ましい。このような樹脂膜とし
て、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、アク
リルを用いることができる。また、第２の層間絶縁膜５
４０の表面層は平坦な表面を得るため樹脂膜とし、下層
は酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素等の無機絶縁材料
の単層、多層としても良い。本実施例では、第２の層間
絶縁膜５４０としてポリイミド膜を１．５μｍの厚さに
形成する。

【００６０】次に、第２の層間絶縁膜５４０に受光部Ｔ
ＦＴ２００の配線２０５、画素部ＴＦＴ３００の配線３
０５に達するコンタクトホールをそれぞれ形成した後、
Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ等の金属膜を形成する。本実施例では
導電膜として厚さ２００ｎｍのチタン膜をスッパタ法で
成膜する。そして、チタン膜をパターニングし、受光部
ＴＦＴの配線２０５に接続された受光部の下部電極２０
８と、画素部ＴＦＴ３００の配線３０５に接続される電
極３０８と、画素部ＴＦＴ３００の遮光膜３０９をそれ
ぞれ形成する。

【００６１】次に、図９に示すように受光部の光電変換
層を形成する。なお、図９〜１２では、紙面の都合上Ｃ
ＭＯＳ−ＴＦＴ４００を省略した。本実施例では光電変
換層をＰＩＮ接合を有するシリコン層で形成する。先
ず、Ｐを含んだｎ型の非晶質シリコン膜を３０〜５０ｎ
ｍの厚さに、ここでは３０ｎｍの厚さに成膜する。ｎ型
非晶質シリコン膜を下部電極２０８と同一パターンにパ
ターニングして、ｎ層２０９を形成する。

【００６２】次に、真性もしくは実質的に真性な非晶質
シリコン膜を１〜２μｍ、ここでは１．５μｍの膜厚に
成膜する。連続して、Ｂを含んだｐ型の非晶質シリコン
膜を３０〜１００ｎｍの厚さに、ここでは５０ｎｍの厚
さに成膜する。更に、ｐ型の非晶質シリコン膜上に、図
示しないエッチングストッパとなる酸化珪素もしくは窒
化珪素膜を１０〜３０ｎｍ成膜する。ここでは２０ｎｍ
の酸化珪素膜を成膜する。

【００６３】パターニングにより、真性もしくは実質的
に真性なシリコン膜、ｐ型シリコン膜および図示ない酸
化珪素膜を受光マトリクス１１１以外を除去して、ｉ層
２１０、ｐ層２１１、図示しないエッチングストッパを
それぞれ形成する。

【００６４】なお、非晶質シリコンが実質的に真性な状
態とは、硼素等のｐ型不純物を５×１０¹⁶〜１×１０¹⁹
ｃｍ^-3程度添加し、そのフェルミ準位をバンドギャプの
中央にした状態をいう。これは非晶質シリコンは成膜時
にはフェルミ準位がバンドギャプの中央に必ずしも位置
している訳ではなく、若干ｎ型になる方向にフェルミ準
位がずれている。そのため、上記のようにｐ型不純物を
添加することで、フェルミ準位をバンドギャプの中央に
することができる。この場合に不純物が添加されている
が、フェルミ準位をバンドギャプの中央にある状態を実
質的に真性な状態であるとしている。

【００６５】また、ｉ層２１０は非晶質シリコンゲルマ
ニュームを用いることができる。また、ｎ層２０９、ｐ
層１１１は非晶質シリコンの代わりに微結晶シリコンを
用いることができる。更にｎ層２０９の材料として、燐
等のｎ型不純物が添加された窒化珪素、酸化珪素、炭化
珪素を用いることができる。

【００６６】次に、図１０に示すように、光電変換層に
溝部を形成するためのレジストマスク２１２を形成す
る。本実施例では開口部を低下しないようにするため、
溝部を下部電極２０８の隙間のｉ層２１０、ｐ層２１１
をのみを除去して形成する。このため、レジストマスク
２１２は下部電極２０８と対向しない領域に開口部を有
する。

【００６７】下部電極２０８は、受光マトリクス１１１
にマトリクス状に配置され、その配置間隔は開口率が最
大になるようなデザインルールのみに従って設定すれば
良い。ガラス基板上に半導体装置を作製する場合のデザ
インルールは１〜３μｍ程度であるため、下部電極２０
８の間隔は最小で１〜３μｍ程度とすることができる。
ここでは、下部電極２０８の間隔を２μｍとする。従っ
て、レジストマスク２１２の開口部は幅２μｍの格子状
となる。

【００６８】次に、レジストマスク２１２を用いて、光
電変換層に溝部２１３を形成する。溝部２１３を形成す
るには、プラズマエッチングやＲＩＥ（反応性イオンエ
ッチング）等のドライエッチング法を用いる。本実施例
では、プラズマエッチング法を用い、エッチングガス
は、Ｏ₂とＣＦ₄の混合ガスを用いる。ＣＦ₄の濃度は全
ガスに対して１〜１０％とする。ＣＦ₄の濃度や圧力等
の条件によりエッチングレートが制御できる。

【００６９】ここでは、ＣＦ₄の濃度が５％のガスを用
い、プラズマエッチングによって、レジストマスク２１
２の開口部のｐ層２１１除去し受光画素ごとに分断し、
さらにｉ層２１０を３００〜５００ｎｍ程度の深さ除去
する。ここではｉ層２１０を５００ｎｍ除去する。図１
０の断面図では溝部２１３は個々に分離されて図示され
ているが、実際には下部電極２０８の隙間に沿って、幅
２μｍの格子状に一体的に形成されている。

【００７０】本発明では受光画素の隙間でのフォトキャ
リアの発生を防止することを目的とするため、溝部２１
３の深さ、特にフォトキャリアが発生するｉ層２１０で
の深さが重要である。この深さは、後に光吸収物が確実
に溝部２１３に埋め込まれる深さであり、画素の隙間の
フォトキャリアを遮光できれば良い。

【００７１】次に、図１１に示すように、レジストマス
ク２１２を剥離した後、溝部２１３に着色された絶縁物
２１４を充填する。本実施例では、スピンコート法にて
黒色顔料を分散させたアクリル樹脂を塗布し硬化して、
黒色のアクリルでなる絶縁物２１４を形成する。スピン
コート法を用いたため、絶縁物２１４は溝部２１３のみ
でなく、基板５００表面を覆っており、ｐ層２１１上
（実際には図示しないエッチングストッパ上）の絶縁物
２１４の厚さｔ₁は、他の領域でもほぼ同じとなってい
る。

【００７２】次に、図１２に示すようにＯ₂アッシング
等のドライエッチング処理により、溝部２１３に充填さ
れた絶縁物２１４以外を除去して、光吸収物２１５を形
成する。

【００７３】本実施例では光吸収物１２２を形成する手
段にＣＦ₄ガスを１〜５％混合したＯ₂アッシングを用い
る。樹脂膜のエッチングレートは代表的には０．３〜１
μｍ／分程度であることを考慮すると、ｐ層２１１を覆
う絶縁物層２１４の厚さｔ₁が０．３〜１．５μｍ程度
となるようにする。

【００７４】更にＯ₂アッシングによって、溝部２１３
に埋め込まれた絶縁物２１４、少なくともｉ層２１０に
埋め込まれた絶縁物２１４を除去しないようにするため
に、アッシングされる絶縁物２１４の厚さｔ₁は溝部２
１３の深さをよりも薄くして、アッシングのマージンを
確保する。この厚さｔ₁は、絶縁物層２１４を形成する
際のスピナ−の回転速度や、絶縁物２１４の原料溶液の
粘度等により制御できる。

【００７５】図６において、溝部２１３の深さはｐ層２
１１の厚さ５０ｎｍと、ｉ層を除去した深さ５００ｎｍ
を加算した値、５５０ｎｍであり、ここでは除去される
絶縁物層１２４の厚さｔ₁は４００ｎｍとした。

【００７６】また本実施例は透過型パネルを作製製する
ため、アッシング工程では、ｐ層２１１上を覆う絶縁物
２１４だけでなく、表示マトリクス１２１部を覆う絶縁
物２１４を完全に除去する必要がある。

【００７７】本実施例の場合には、溝部２１３の隙間は
１〜３μｍ程度であるので、アッシング工程において、
溝部２１３にプラズマが殆ど入り込まず、溝部２１３に
埋め込まれた絶縁物２１４は除去され難くなっている。
更にｐ層２１１の表面は図示しない酸化珪素膜でなるエ
ッチングストッパによって保護されている。従って、ア
ッシングによって、ｐ層２１１および表示マトリクス１
２１部を覆う絶縁物２１４は除去して、溝部２１３、少
なくともｉ層２１０に埋め込まれた絶縁物層２１４は残
存するように、アッシングが可能である。

【００７８】また、ｐ層２１１とポリイミドやアクリル
樹脂でなる絶縁物２１４とのエッチング選択比を大きく
することによって、エッチングストッパが不要になる。
例えば、アッシング工程ではＯ₂ ガスのみで樹脂材料を
除去できるので、エッチングガスのＣＦ₄の割合を少な
くすることによって、ｐ層２１１のエッチングレートを
低減できる。

【００７９】また、樹脂材料でなる絶縁物層２１４を硬
化する際に、アッシング前は２００℃程度の仮焼成まで
とし、アッシング後に本焼成を行い完全に硬化させるさ
せるようにすることで、絶縁物２１４をアッシングし易
い状態とすることができ、ｐ層２１１とのエッチング選
択比を大きくすることができる。

【００８０】アッシング工程の後、ｐ層２１１の表面の
図示しないエッチングストッパをバッファードフッ酸を
用いたウエットエッチングにより除去する。なお、図１
２では、光吸収物２１５の表面はｐ層２１１表面と一致
しているように図示されているが、光吸収物２１５の表
面が若干抉れていてもよく、少なくとも光吸収物２１５
がｉ層２１０に埋め込まれていれば本発明の効果を得る
ことができる。

【００８１】次に、１００〜３００ｎｍ厚さ、ここでは
１２０ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタ法にて成膜し、パター
ニングして、図１３に示すように、受光マトリクス１２
１全面に上部電極２１６を形成する。以上の工程によ
り、受光マトリクス１２１が完成する。本実施例の受光
マトリクス１２１に形成されたフォトダイオードは図１
と同様な構成を有する。図１において、下部電極２０８
は電極６１に対応し、ｎ層２０９、ｉ層２１０、ｐ層２
１１でなる光電変換層は６２に対応し、上部電極２１６
は６３に対応し、光吸収物２１５は６４に対応してい
る。

【００８２】次に、第３の層間絶縁膜５５０を形成す
る。第３の層間絶縁膜５５０を構成する絶縁被膜とし
て、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、アク
リル等の樹脂膜を形成して、平坦な表面を得るようにす
る。本実施例では、絶縁被膜として、表示領域１２０で
の厚さが２μｍとなるようにアクリル膜を基板全面に形
成した。第３の層間絶縁膜５５０は受光マトリクス１１
１においてパッシベーション膜として機能する。

【００８３】そして、第３の層間絶縁膜５５０に電極３
０８に達するコンタクトホールを形成し、ＩＴＯ膜５０
０〜２００ｎｍ、ここでは１２０ｎｍの厚さに成膜し、
パターニングして、画素マトリクス１２１の画素電極３
１０を形成する。

【００８４】図１３の構成を得て、セル組工程を経て透
過型の液晶表示装置が完成する。

【００８５】［実施例２］本実施例は、実施例１の受
光マトリクス１１１の受光部（フォトダイオード）の変
形例である。本実施例では、受光部を実施形態２と同様
の構造とする。

【００８６】図１４〜図１９を用いて本実施例を説明す
る。なお、本実施例のパネル構造は受光部を除き、実施
例１と同じであり、図において、実施例１と同じ符号は
同じ部材を示す。また図面が煩雑になるため、実施例１
と同じ部材は符号を一部省略した。

【００８７】まず、実施例１同様の工程を経て図１４に
示す構造を得る。ただし、本実施例ではｉ層２１０、ｐ
層２１１の形成過程が若干実施例１と異なる。

【００８８】本実施例では、ｎ層２０９を形成した後、
ｉ層２１０となる真性もしくは実質的に真性な非晶質シ
リコン膜と、ｐ層２１１となるｐ型の非晶質シリコン膜
を成膜後、エッチングストッパ用の酸化珪素膜を成膜せ
ず、受光マトリクス１１１の上部電極となるＩＴＯ膜を
１２０ｎｍの厚さに成膜する。そしてパターニングによ
り、ＩＴＯ膜、真性の非晶質シリコン膜、ｐ型の非晶質
シリコン膜を受光マトリクス１１１のみに残存させて、
ｉ層２１０、ｐ層２１１、ＩＴＯ膜６０１を形成する。

【００８９】次に図１５に示すように、ＩＴＯ膜６０１
をパターニングするためのレジストマスク６０２を形成
する。ウエットエッチングによりＩＴＯ膜６０１をパタ
ーニングして、上部電極６０３を形成する。

【００９０】上部電極６０３は開口部６０４を有する。
上部電極６０３の形状は図４に図示する上部電極８３と
同様であり、下部電極２０８と対向していない部分を除
去して開口部６０４が形成されている。この部分のＩＴ
Ｏ膜６０１は一部残存され、全ての受光画素において上
部電極６０３は共通とされる。更に図１５の断面方向の
上部電極６０３の開口部６０４の幅ｗ₂は下部電極２０
８の間隔とほぼ同じにして、開口率が低下しないように
する。

【００９１】次に、図１６に示すように、光電変換層に
溝部６０５を形成する。本実施例でも、実施例１と同様
に、ＣＦ₄の濃度が５％、Ｏ₂の濃度が９５％の混合ガス
によるプラズマエッチング法を使用するが、本実施例で
は上部電極６０３をマスクに用いて、上部電極６０３の
開口部６０４に存在するｐ層２１１、および深さ４００
ｎｍのｉ層２１０を除去して、溝部６０５を自己整合的
に形成する。

【００９２】なお、レジストマスク６０２は上部電極６
０３を形成した後除去可能であるが、上記のプラズマエ
ッチング工程で残存させておくと、プラズマエッチング
において、上部電極６０３や、画素部ＴＦＴ３００やＣ
ＭＯＳ−ＴＦＴ４００が保護できる。

【００９３】次に、レジストマスク６０２を剥離した
後、図１７に示すように、スピンコート法にて黒色顔料
を分散させたアクリル樹脂を塗布し、硬化して、黒色の
アクリルでなる絶縁物６０６を形成する。スピンコート
法を用いたため、絶縁物６０６は溝部６０５に充填され
ると共に、基板５００全表面を覆っている。

【００９４】次に、図１８に示すように、実施例１と同
様に、ＣＦ₄ガスを１〜５％程度混合したエッチングガ
スを用いたＯ₂アッシングにより、溝部６０５に充填さ
れた絶縁物６０６以外を除去して、光吸収物６０７を形
成する。以上の工程によって、受光マトリクス１１１が
完成する。

【００９５】なお、本実施例の受光マトリクス１１１に
形成されたフォトダイオードは図４と同様な構成を有す
る。図４において、下部電極２０８は電極８１に対応
し、ｎ層２０９、ｉ層２１０、ｐ層２１１でなる光電変
換層は８２に対応し、上部電極６０３は８３に対応す
る。光吸収物６０７は８４に対応する。

【００９６】図１８では、光吸収物６０７の表面は上部
電極６０３表面と一致しているように図示されている
が、光吸収物６０７の表面が若干抉れていてもよい。少
なくとも光吸収物２１５がｉ層２１０に埋め込まれてい
れば、本発明の効果を得ることができ、光吸収物６０７
によって、下部電極２０８（受光画素）の隙間のｉ層２
１０の殆どを遮光できるため、受光画素の隙間でフォト
キャリアが発生することを防止できる。

【００９７】次に図１９に示すように、第３の層間絶縁
膜５５０を厚さ２μｍのアクリル膜にて、基板全面に形
成し、第３の層間絶縁膜５５０に電極３０８に達するコ
ンタクトホールを形成する。そして、１２０ｎｍのＩＴ
Ｏ膜を成膜しパターニングして画素マトリクス１２１の
画素電極３１０を形成する。図１９の構成を得た後、セ
ル組工程を経て透過型の液晶パネルが完成する。

【００９８】実施例１、２において、受光セルを積層型
とし、電荷転送素子（受光部ＴＦＴ２００）を作製した
後、ＴＦＴ２００上に受光部（フォトダイオード）を形
成するようにしたので、従来のように受光部を非晶質シ
リコン膜で形成しても、受光ＴＦＴ２００を多結晶シリ
コンで構成することができる。よって、ガラス基板等の
絶縁性基板上に、高速応答可能なイメージセンサが形成
できる。

【００９９】また、イメージセンサを積層構造とするこ
とで、従来多結晶シリコンＴＦＴで構成されている液晶
パネルの作製工程と整合性が保たれる。従って、イメー
ジセンサと液晶パネルの各特性を損なうことなく同一基
板上に集積化できる。

【０１００】実施例１、２の液晶パネルは撮像機能を有
する受光領域と、表示領域が一体的に設けられているた
め、ＴＶ会議システム、ＴＶ電話、インターネット用端
末やパーソナルコンビュータ等の通信機能を備えた表示
部に好適である。例えば、表示部で対話者の端末から送
信された映像を見ながら、受光マトリクスで自信の姿を
撮影して、対話者の端末にその映像を転送することでき
るので、動画像を双方向通信することが可能である。

【０１０１】実施例１、２では、受光マトリクス１１１
に受光画素を２次元に配列したが、受光画素を１次元に
配列したラインセンサとしても良い。また、受光画素の
フォーマットを表示部のフォーマットと同一にすると、
受光画素と表示画素が１対１に対応するため、受光マト
リクス１１１で検出された画像を画素マトリクス１２１
に表示するための信号処理が簡単化、高速化でき、制御
回路１３０の負担が軽くなる。ラインセンサとした場合
も、受光画素数は、列方向又は行方向の表示画素数と同
じにすると良い。

【０１０２】画素フォーマットを一致させた場合、例え
ば画素マトリクス１２１のフォーマットを６４０×４８
０（ＶＧＡ規格）とし場合、１つの受光画素ピッチを１
０μｍ程度とすると、受光マトリクス１１１の占有面積
は６．４ｍｍ×４．８ｍｍ程度となり、液晶パネルに集
積化することは可能である。

【０１０３】実施例１、２では液晶パネルを透過型とし
たが、反射型としても良い。反射型の場合は図１２や図
１８に示す光吸収物２１５、６０７を形成する場合に、
画素マトリクス１２１上の絶縁物２１４、６０６を全て
除去したが、画素マトリクス１２１上に残存させてもよ
く、画素部ＴＦＴ３００の遮光膜として機能させること
ができる。

【０１０４】また反射型のパネルの場合には、基板５０
０はガラスみ石英基板のように透明基板に限定されず、
シリコン基板を用いることができる。

【０１０５】［実施例３］本実施例は、実施例１の光
吸収物２１５の作製方法の変形例である。本実施例を図
２０、図２１を用いて説明する。なお、本実施例の構成
は実施例１と同様であり、図２０、２１において、実施
例１と同じ符号は同じ部材を示し、また図面が煩雑にな
るため実施例１と同じ部材は符号を一部省略した。

【０１０６】実施例１では、図１１に示すように溝部２
１３を形成するためのレジストマスク２１２を除去した
後、着色された絶縁物２１４を形成したが、本実施例で
は、図２０に示すように、レジストマスク２１２を残存
した状態で、スピンコート法にて黒色のアクリル樹脂を
塗布し、絶縁物８０１を形成する。

【０１０７】そして、実施例１と同じ条件で、Ｏ2アッ
シングを行い、図２１に示すように、ｐ層２１１よりも
上層の絶縁物７０１、レジストマスク２１２を除去す
る。レジストマスク２１２は絶縁物７０１とエッチング
レートが同じ程度であるような材料を選択すると、アッ
シングの終点の制御性が良く、ｐ層２１１上のレジスト
マスク２１２が除去された時点をアッシングの終点とす
ることができる。図２１にて残存したレジストマスク２
１２は、専用の剥離液にて容易に剥離できる。アッシン
グにて、光電変換層の溝部に残存した絶縁物７０１が光
吸収物７０２となる。

【０１０８】また、アッシングの代わりに、ＣＭＰによ
ってｐ層２１１上のレジストマスク２１２を除去するこ
ともできる。

【０１０９】なお、本実施例の光吸収物７０２の作製方
法は実施例２にも適用できることは明らかである。

【０１１０】

【発明の効果】本発明では、光電変換層の入射側に溝部
を形成し、ここに絶縁性の光吸収物を設けたため、受光
部での隣接画素への漏れ込みを防止することが可能にな
る。従って、受光画素の高密度化が容易に実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態１の受光部の分解斜視図。

【図２】実施形態１のイメージセンサの作製工程を示
す断面図。

【図３】実施形態１のイメージセンサの作製工程を示
す断面図。

【図４】実施形態２の受光部の分解斜視図。

【図５】実施形態２のイメージセンサの作製工程を示
す断面図。

【図６】実施形態２のイメージセンサの作製工程を示
す断面図。

【図７】実施例１の液晶パネルの正面図。

【図８】実施例１の液晶パネルの作製工程の説明図。

【図９】実施例１の液晶パネルの作製工程の説明図。

【図１０】実施例１の液晶パネルの作製工程の説明図。

【図１１】実施例１の液晶パネルの作製工程の説明図。

【図１２】実施例１の液晶パネルの作製工程の説明図。

【図１３】実施例１の液晶パネルの作製工程の説明図。

【図１４】実施例２の液晶パネルの作製工程の説明図。

【図１５】実施例２の液晶パネルの作製工程の説明図。

【図１６】実施例２の液晶パネルの作製工程の説明図。

【図１７】実施例２の液晶パネルの作製工程の説明図。

【図１８】実施例２の液晶パネルの作製工程の説明図。

【図１９】実施例２の液晶パネルの作製工程の説明図。

【図２０】実施例３の光吸収物の作製工程の説明図。

【図２１】実施例３の光吸収物の作製工程の説明図。

【図２２】従来例のスタック型イメージセンサの断面
図。

【符号の説明】

５０ＭＯＳ型トランジスタ（電荷転送素子）６０、８０受光部（フォトトランジスタ）６１、８１下部電極６２、８２光電変換層６３、８３上部電極６４、８４光吸収物２００受光部ＴＦＴ２０８下部電極２０９ｎ層２１０ｉ層２１１ｐ層２１２、６０２レジストマスク２１３６０５溝部２１４、６０６着色された絶縁物２１５、６０７光吸収物２１６、６０３上部電極３００画素部ＴＦＴ３０９遮光膜３１０画素電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の受光画素を備え、光電変換層を有
する受光部と、前記受光部で発生した電荷を転送するた
めの前記受光画素ごとに設けられた複数の電荷転送素子
とが設けられた受光領域を有する電子機器において、前記受光部は、前記光電変換層に接し、前記受光画素ごとに電気的に分
離され、かつ前記電荷転送素子に接続された複数の下部
電極と、前記光電変換層に接し、前記複数の受光画素に共通な上
部電極と、前記光電変換層の光の入射側に形成された溝部に埋め込
まれた絶縁性の光吸収物とを有することを特徴とする電
子機器。
【請求項２】複数の受光画素を備え、光電変換層を有
する受光部と、前記受光部で発生した電荷を転送するた
めの前記受光画素ごとに設けられた複数の電荷転送素子
とが設けられた受光領域を有する電子機器において、前
記受光部は、前記光電変換層に接し、前記受光画素ごとに電気的に分
離され、かつ前記電荷転送素子に接続された複数の下部
電極と、前記光電変換層に接し、前記複数の受光画素に共通な上
部電極と、前記光電変換層の光の入射側に形成された溝部に埋め込
まれた絶縁性の光吸収物とを有し、前記上部電極は、少なくとも前記下部電極と対向しない
領域に選択的に開口部が設けられ、前記光電変換層の溝部は、前記上部電極の開口部と重な
る空隙を有することを特徴とする電子機器。
【請求項３】請求項２において、前記光電変換層の溝
部の側面は、前記上部電極の開口部の端面と概略同一平
面をなすことを特徴とする電子機器。
【請求項４】複数の受光画素を備え、光電変換層を有
する受光部と、前記受光部で発生した電荷を転送するた
めの前記受光画素ごとに設けられた複数の電荷転送素子
とが設けられた受光領域と、複数の表示画素を備え、前記表示画素ごとに配置された
複数の能動素子と、前記表示画素ごとに電気的に分離さ
れ、前記能動素子に接続された複数の画素電極が設けら
れた表示領域とを同一基板上に有する電子機器におい
て、前記受光部は、前記光電変換層に接し、前記受光画素ごとに電気的に分
離され、かつ前記電荷転送素子に接続された複数の下部
電極と、前記光電変換層に接し、前記複数の受光画素に共通な上
部電極と、前記光電変換層の光の入射側に形成された溝部に埋め込
まれた絶縁性の光吸収物とを有することを特徴とする電
子機器。
【請求項５】複数の受光画素を備え、光電変換層を有
する受光部と、前記受光部で発生した電荷を転送するた
めの前記受光画素ごとに設けられた複数の電荷転送素子
とが設けられた受光領域と、複数の表示画素を備え、前記表示画素ごとに配置された
複数の能動素子と、前記表示画素ごとに電気的に分離さ
れ、前記能動素子に接続された複数の画素電極が設けら
れた表示領域とを同一基板上に有する電子機器におい
て、前記受光部は、前記受光画素ごとに電気的に分離され、かつ前記電荷転
送素子に接続された複数の下部電極と、前記複数の下部電極に接する光電変換層と、前記光電変換層に接し、前記複数の受光画素に共通な上
部電極と、前記光電変換層の光の入射側に形成された溝部に埋め込
まれた絶縁性の光吸収物とを有し、前記上部電極は、少なくとも前記下部電極と対向しない
領域に選択的に開口部が設けられ、前記光電変換層の溝部は、前記上部電極の開口部と重な
る空隙を有することを特徴とする電子機器。
【請求項６】請求項５において、前記光電変換層の溝
部の側面は、前記上部電極の開口部の端面と概略同一平
面をなすことを特徴とする電子機器。
【請求項７】請求項４〜６において、前記基板上に
は、前記表示領域の能動素子を駆動する駆動回路が設け
られていることを特徴とする電子機器。
【請求項８】請求項４〜７において、前記電荷転送素
子、および前記能動素子は薄膜トランジスタであること
を特徴とする電子機器。
【請求項９】請求項１〜８において、前記溝部は、隣
接する前記下部電極の隙間と重なる空隙を有することを
特徴とする電子機器。
【請求項１０】請求項１〜９において、前記光吸収物
は着色された有機樹脂材料からなることを特徴とする電
子機器。
【請求項１１】請求項１〜９において、前記光吸収物
は着色された酸化珪素系塗布膜からなることを特徴とす
る電子機器。
【請求項１２】請求項１０において、前記有機樹脂材
料は、アクリル、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミド
アミド、エポキシから選ばれた材料であることを特徴と
する電子機器。
【請求項１３】複数の受光画素を備え、上部電極、下
部電極および光電変換層を有する受光部と、前記受光部
で発生された電荷を転送するための前記受光画素ごとに
設けられた複数の電荷転送素子とが設けられた受光領域
を有する電子機器の作製方法において、前記電荷転送素子を形成する工程と、前記受光画素ごとに電気的に分離され、かつ前記電荷転
送素子に接続された複数の前記下部電極を形成する工程
と、複数の前記下部電極に接する前記光電変換層を形成する
工程と、前記光電変換層の光の入射側に溝部を形成する工程と、前記溝部に埋め込まれた絶縁性の光吸収物を形成する工
程と、前記前記光電変換層に接し、前記複数の受光画素に共通
な上部電極を形成する工程とを有することを特徴とする
電子機器の作製方法。
【請求項１４】複数の受光画素を備え、上部電極と下
部電極と光電変換層を有する受光部と、前記受光画素ご
とに設けられ、前記受光部で発生された電荷を転送する
ための複数の電荷転送素子とが設けられた受光領域を有
する電子機器の作製方法において、前記電荷転送素子を形成する工程と、前記受光画素ごとに電気的に分離され、かつ前記電荷転
送素子に接続された複数の前記下部電極を形成する工程
と、複数の前記下部電極に接する光電変換層を形成する工程
と、前記光電変換層に接し、少なくとも前記下部電極と対向
しない領域に開口部を有する前記上部電極を形成する工
程と、前記上部電極をマスクにして、前記光電変換層の光の入
射側に自己整合的に溝部を形成する工程と、前記溝部に埋め込まれた絶縁性の光吸収物を形成する工
程とを有することを特徴とする電子機器の作製方法。
【請求項１５】複数の受光画素を備え、上部電極と下
部電極と光電変換層を有する受光部と、前記受光部で発
生した電荷の転送をするための前記受光画素ごとに設け
られた複数の電荷転送素子と、が設けられた受光領域
と、複数の表示画素を備え、前記表示画素ごとに配置された
複数の能動素子と、前記表示画素ごとに電気的に分離さ
れ、前記能動素子に接続された複数の画素電極が設けら
れた表示領域とを同一基板上に有する電子機器の作製方
法において、前記基板上に、前記電荷転送素子と、前記能動素子とを
形成する工程と、前記受光画素ごとに電気的に分離され、かつ前記電荷転
送素子に接続された複数の前記下部電極を形成する工程
と、複数の前記下部電極に接する光電変換層を形成する工程
と、前記光電変換層の光の入射側に溝部を形成する工程と、前記溝部に埋め込まれた絶縁性の光吸収物を形成する工
程と、前記前記光電変換層に接し、前記複数の受光画素に共通
な上部電極を形成する工程とを有することを特徴とする
電子機器の作製方法。
【請求項１６】請求項１５において、前記上部電極を
形成する工程の後、前記基板全面に平坦化膜を形成する工程と、前記能動素子に接続された前記画素電極を形成する工程
とを有することを特徴とする電子機器の作製方法。
【請求項１７】複数の受光画素を備え、上部電極と下
部電極と光電変換層を有する受光部と、前記受光部で発
生した電荷を転送するための前記受光画素ごとに設けら
れた複数の電荷転送素子とが設けられた受光領域と、複数の表示画素を備え、前記表示画素ごとに配置された
複数の能動素子と、前記表示画素ごとに電気的に分離さ
れ、前記能動素子に接続された複数の画素電極が設けら
れた表示領域とを同一基板上に有する電子機器の作製方
法において、前記基板上に、前記電荷転送素子と前記能動素子とを形
成する工程と、前記受光画素ごとに電気的に分離され、かつ前記電荷転
送素子に接続された複数の前記下部電極を形成する工程
と、複数の前記下部電極に接する光電変換層を形成する工程
と、前記光電変換層に接し、前記下部電極と対向しない領域
に開口部を有する上部電極を形成する工程と、前記上部電極をマスクにして、前記光電変換層の光の入
射側に自己整合的に溝部を形成する工程と、前記溝部に埋め込まれた絶縁性の光吸収物を形成する工
程とを有することを特徴とする電子機器の作製方法。
【請求項１８】請求項１７において、前記光吸収物を
形成する工程の後、前記基板全面に平坦化膜を形成する工程と、前記能動素子に接続される画素電極を形成する工程とを
有することを特徴とする電子機器の作製方法。
【請求項１９】請求項１３〜１８において、前記光吸
収物は着色された有機樹脂材料からなることを特徴とす
る電子機器の作製方法。
【請求項２０】請求項１３〜１８において、前記光吸
収物は着色された酸化珪素系塗布膜からなることを特徴
とする電子機器の作製方法。
【請求項２１】請求項１９において、前記有機樹脂材
料は、アクリル、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミド
アミド、エポキシから選ばれた材料であることを特徴と
する電子機器の作製方法。