JPH1187413A - 半導体ベアチップ実装方法 - Google Patents
半導体ベアチップ実装方法Info
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明はバンプを有する半導体ベアチップを
最初に吸着ヘッドを使用して接着剤が塗布されている基
板上に仮付けし、この後に加圧加熱ヘッドを押しつけ接
着剤を硬化させて圧着接合のフリップチップ方式で基板
上に実装する半導体ベアチップ実装方法に関し、精度良
く実装可能なようにすることを課題とする。 【解決手段】 接着剤として、熱硬化性接着剤に紫外線
硬化性接着剤が混合された接着剤50を使用する。半導
体ベアチップを最初に吸着ヘッドを使用して仮付けする
過程で、半導体ベアチップの周囲に紫外線54を照射し
て半導体ベアチップの周囲にはみ出た接着剤の表面を硬
化させるようにする。これにより、半導体ベアチップの
仮付けの強度が向上し、衝撃を受けても半導体ベアチッ
プは位置ずれしないようになり、半導体ベアチップは仮
付けされた位置に精度良く実装される。
最初に吸着ヘッドを使用して接着剤が塗布されている基
板上に仮付けし、この後に加圧加熱ヘッドを押しつけ接
着剤を硬化させて圧着接合のフリップチップ方式で基板
上に実装する半導体ベアチップ実装方法に関し、精度良
く実装可能なようにすることを課題とする。 【解決手段】 接着剤として、熱硬化性接着剤に紫外線
硬化性接着剤が混合された接着剤50を使用する。半導
体ベアチップを最初に吸着ヘッドを使用して仮付けする
過程で、半導体ベアチップの周囲に紫外線54を照射し
て半導体ベアチップの周囲にはみ出た接着剤の表面を硬
化させるようにする。これにより、半導体ベアチップの
仮付けの強度が向上し、衝撃を受けても半導体ベアチッ
プは位置ずれしないようになり、半導体ベアチップは仮
付けされた位置に精度良く実装される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ベアチップ実
装方法に係り、特に、スタッドバンプを有する半導体ベ
アチップを最初に吸着ヘッドを使用して接着剤が塗布さ
れている基板上に仮止めし、この後に加圧加熱ヘッドを
押しつけ接着剤を硬化させて圧着接合のフリップチップ
方式で基板上に実装する半導体ベアチップ実装方法に関
する。
装方法に係り、特に、スタッドバンプを有する半導体ベ
アチップを最初に吸着ヘッドを使用して接着剤が塗布さ
れている基板上に仮止めし、この後に加圧加熱ヘッドを
押しつけ接着剤を硬化させて圧着接合のフリップチップ
方式で基板上に実装する半導体ベアチップ実装方法に関
する。
【0002】携帯型情報機器の小型化に伴い、半導体装
置の基板への実装については高密度化が求められてい
る。また地球環境問題を考慮することが求められてい
る。そこで、パケージングされていない状態の裸のチッ
プである半導体ベアチップを圧着接合のフリップチップ
方式で実装する技術が開発されつつある。ここで、説明
の便宜上、半導体ベアチップ10の構成及び半導体ベア
チップ10が実装されている半導体ベアチップ実装モジ
ュール30の構造について説明する。
置の基板への実装については高密度化が求められてい
る。また地球環境問題を考慮することが求められてい
る。そこで、パケージングされていない状態の裸のチッ
プである半導体ベアチップを圧着接合のフリップチップ
方式で実装する技術が開発されつつある。ここで、説明
の便宜上、半導体ベアチップ10の構成及び半導体ベア
チップ10が実装されている半導体ベアチップ実装モジ
ュール30の構造について説明する。
【0003】図6に示すように、半導体ベアチップ10
は、ウェハから切り出された半導体ベアチップ本体11
の下面11aのAl製の各電極12上にスタッドバンプ
13が形成されており、且つ、スタッドバンプ13の頂
部を覆うように導電性接着剤14が付着されている構成
である。スタッドバンプ13はAu製である。導電性接
着剤14は、エポキシ樹脂にAgフィラーが含有されて
いるものである。スタッドバンプ13及び導電性接着剤
14は鉛を有しない。
は、ウェハから切り出された半導体ベアチップ本体11
の下面11aのAl製の各電極12上にスタッドバンプ
13が形成されており、且つ、スタッドバンプ13の頂
部を覆うように導電性接着剤14が付着されている構成
である。スタッドバンプ13はAu製である。導電性接
着剤14は、エポキシ樹脂にAgフィラーが含有されて
いるものである。スタッドバンプ13及び導電性接着剤
14は鉛を有しない。
【0004】図7は図6の半導体ベアチップ10が圧着
接合のフリップチップ方式で実装された半導体ベアチッ
プ実装モジュール30を示す。半導体ベアチップ10
は、スタッドバンプ13がプリント基板20上の電極2
1に圧着し且つ導電性接着剤14によって電極21と接
着されて、且つ、半導体ベアチップ本体11を熱硬化さ
れたエポキシの熱硬化性接着剤26によってプリント基
板11に接着されて実装されている。熱硬化性接着剤2
6は、半導体ベアチップ本体11とプリント基板21と
の間の隙間27内に存在しており熱硬化されているた
め、半導体ベアチップ本体11の下面11a全面がプリ
ント基板20に接着してあり、且つ、熱硬化性接着剤が
熱硬化して収縮することによって半導体ベアチップ本体
11の下面11a全面が力Fでプリント基板20側に引
き寄せられている。この力Fでもって、スタッドバンプ
13が電極21に圧着しており、各スタッドバンプ13
が対応する電極21と電気的に接続されている。
接合のフリップチップ方式で実装された半導体ベアチッ
プ実装モジュール30を示す。半導体ベアチップ10
は、スタッドバンプ13がプリント基板20上の電極2
1に圧着し且つ導電性接着剤14によって電極21と接
着されて、且つ、半導体ベアチップ本体11を熱硬化さ
れたエポキシの熱硬化性接着剤26によってプリント基
板11に接着されて実装されている。熱硬化性接着剤2
6は、半導体ベアチップ本体11とプリント基板21と
の間の隙間27内に存在しており熱硬化されているた
め、半導体ベアチップ本体11の下面11a全面がプリ
ント基板20に接着してあり、且つ、熱硬化性接着剤が
熱硬化して収縮することによって半導体ベアチップ本体
11の下面11a全面が力Fでプリント基板20側に引
き寄せられている。この力Fでもって、スタッドバンプ
13が電極21に圧着しており、各スタッドバンプ13
が対応する電極21と電気的に接続されている。
【0005】
【従来の技術】従来は、半導体ベアチップ10は、図8
に示すように、真空吸着ヘッド40を使用して半導体ベ
アチップ10を、熱硬化性接着剤41が塗布されたプリ
ント基板20上の所定の部位に位置合わせして搭載し軽
く押しつけて仮付けし、真空吸着ヘッド40を仮付けさ
れた半導体ベアチップ10から離し、半導体ベアチップ
10が仮付けされているプリント基板20を別の場所に
移し、加圧部46及びヒータ47が組み込まれている加
圧加熱ヘッド45を仮付けされている半導体ベアチップ
10に約100秒間押しつけて加圧すると共に加熱する
ことによって実装していた。
に示すように、真空吸着ヘッド40を使用して半導体ベ
アチップ10を、熱硬化性接着剤41が塗布されたプリ
ント基板20上の所定の部位に位置合わせして搭載し軽
く押しつけて仮付けし、真空吸着ヘッド40を仮付けさ
れた半導体ベアチップ10から離し、半導体ベアチップ
10が仮付けされているプリント基板20を別の場所に
移し、加圧部46及びヒータ47が組み込まれている加
圧加熱ヘッド45を仮付けされている半導体ベアチップ
10に約100秒間押しつけて加圧すると共に加熱する
ことによって実装していた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】熱硬化性接着剤41の
硬化する以前の状態での接着力は強くない。よって、仮
付けされている半導体ベアチップ10の固定状態は弱
く、真空吸着ヘッド40が仮付けされた半導体ベアチッ
プ10から離れるときに受ける衝撃、プリント基板20
を別の場所に移すときに受ける衝撃、及び加圧加熱ヘッ
ド45が押し当たるときの衝撃等によって、半導体ベア
チップ10が仮付けされている位置からずれてしまうお
それがあった。
硬化する以前の状態での接着力は強くない。よって、仮
付けされている半導体ベアチップ10の固定状態は弱
く、真空吸着ヘッド40が仮付けされた半導体ベアチッ
プ10から離れるときに受ける衝撃、プリント基板20
を別の場所に移すときに受ける衝撃、及び加圧加熱ヘッ
ド45が押し当たるときの衝撃等によって、半導体ベア
チップ10が仮付けされている位置からずれてしまうお
それがあった。
【0007】特にスタッドバンプのピッチの狭い半導体
ベアチップでは、半導体ベアチップの位置ずれの許容量
が小さい。このため、スタッドバンプのピッチが狭い半
導体ベアチップについては、上記の衝撃による位置ずれ
によって、スタッドバンプが基板上の対応する電極から
外れてしまい電気的接続がされなくなってなってしまっ
たり、ショートしてしまうおそれがあり、結果として、
半導体ベアチップ実装モジュールの歩留りが悪くなって
しまうおそれがあった。
ベアチップでは、半導体ベアチップの位置ずれの許容量
が小さい。このため、スタッドバンプのピッチが狭い半
導体ベアチップについては、上記の衝撃による位置ずれ
によって、スタッドバンプが基板上の対応する電極から
外れてしまい電気的接続がされなくなってなってしまっ
たり、ショートしてしまうおそれがあり、結果として、
半導体ベアチップ実装モジュールの歩留りが悪くなって
しまうおそれがあった。
【0008】そこで、本発明は、上記課題を解決した半
導体ベアチップ実装方法を提供することを目的とする。
導体ベアチップ実装方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項1の発明は、バンプを有する半導体ベアチッ
プを吸着ヘッドを使用して接着剤が塗布されている基板
上に仮付けし、この後半導体ベアチップを加圧加熱ヘッ
ドにより押しつけて接着剤を硬化させ半導体ベアチップ
を基板上に実装する半導体ベアチップ実装方法におい
て、上記接着剤として、熱硬化性接着剤に紫外線硬化性
接着剤が混合された接着剤を使用し、上記仮付け工程後
に、紫外線を照射して該半導体ベアチップの周囲にはみ
出た接着剤を硬化させるようにしたものである。
に、請求項1の発明は、バンプを有する半導体ベアチッ
プを吸着ヘッドを使用して接着剤が塗布されている基板
上に仮付けし、この後半導体ベアチップを加圧加熱ヘッ
ドにより押しつけて接着剤を硬化させ半導体ベアチップ
を基板上に実装する半導体ベアチップ実装方法におい
て、上記接着剤として、熱硬化性接着剤に紫外線硬化性
接着剤が混合された接着剤を使用し、上記仮付け工程後
に、紫外線を照射して該半導体ベアチップの周囲にはみ
出た接着剤を硬化させるようにしたものである。
【0010】紫外線硬化がされなかった従来に比べて強
い保持力で半導体ベアチップを仮付けすることが可能と
なり、よって、仮付け後に受ける衝撃によっても位置ず
れが起きないようになる。請求項2の発明は、紫外線を
半導体ベアチップの周囲のうち両側の二辺のみを限って
照射するようにしたものである。
い保持力で半導体ベアチップを仮付けすることが可能と
なり、よって、仮付け後に受ける衝撃によっても位置ず
れが起きないようになる。請求項2の発明は、紫外線を
半導体ベアチップの周囲のうち両側の二辺のみを限って
照射するようにしたものである。
【0011】これにより、残りの二辺側に紫外線硬化さ
れずにガス抜け個所として機能する部分を確保すること
が可能となる。
れずにガス抜け個所として機能する部分を確保すること
が可能となる。
【0012】
【発明の実施の形態】図1(A)乃至(C)は本発明の
一実施例になる半導体ベアチップ実装方法を示す。図
中、図6乃至図8に示す構成部分と同じ部分には同じ符
号を付す。半導体ベアチップ10は、従来と同じく、最
初に、仮付けし、この後に加圧部46及びヒータ47が
組み込まれている加圧加熱ヘッド45を仮付けされてい
る半導体ベアチップ10に約100秒間押しつけて加圧
すると共に加熱することによって熱硬化された接着剤に
よって図7に示すように実装される。従来と異なるの
は、仮付けの保持力が増すようにしたことである。
一実施例になる半導体ベアチップ実装方法を示す。図
中、図6乃至図8に示す構成部分と同じ部分には同じ符
号を付す。半導体ベアチップ10は、従来と同じく、最
初に、仮付けし、この後に加圧部46及びヒータ47が
組み込まれている加圧加熱ヘッド45を仮付けされてい
る半導体ベアチップ10に約100秒間押しつけて加圧
すると共に加熱することによって熱硬化された接着剤に
よって図7に示すように実装される。従来と異なるの
は、仮付けの保持力が増すようにしたことである。
【0013】仮付けの保持力を増すために、次の方策を
とっている。 接着剤として、熱硬化性を有するエポキシ樹脂系の
接着剤に紫外線硬化性を有するアクリル樹脂系の接着剤
が所定の割合で混合された接着剤50を使用する。図1
(A)に示すように、この接着剤50をプリント基板2
0上に塗布する。
とっている。 接着剤として、熱硬化性を有するエポキシ樹脂系の
接着剤に紫外線硬化性を有するアクリル樹脂系の接着剤
が所定の割合で混合された接着剤50を使用する。図1
(A)に示すように、この接着剤50をプリント基板2
0上に塗布する。
【0014】 真空吸着ヘッド51を使用して半導体
ベアチップ10を、接着剤50が塗布されたプリント基
板20上の所定の部位に位置合わせして搭載し軽く押し
つけている間に、紫外線照射器52、53で紫外線54
を半導体ベアチップ10の周囲に数秒間照射する。仮付
けが確実になされるように次の方策をとっている。
ベアチップ10を、接着剤50が塗布されたプリント基
板20上の所定の部位に位置合わせして搭載し軽く押し
つけている間に、紫外線照射器52、53で紫外線54
を半導体ベアチップ10の周囲に数秒間照射する。仮付
けが確実になされるように次の方策をとっている。
【0015】 真空吸着ヘッド51の先端のヘッド部
51aは、従来のSiC製に代えて石英製である。石英
は紫外線54の透過率が高いからである。仮付けをして
もボイドが抜けるように次の方策をとっている。 四辺のうち対向する二辺の部分だけを紫外線硬化さ
せ、残りの二辺は紫外線硬化させないでボイドが抜ける
ようにしている。
51aは、従来のSiC製に代えて石英製である。石英
は紫外線54の透過率が高いからである。仮付けをして
もボイドが抜けるように次の方策をとっている。 四辺のうち対向する二辺の部分だけを紫外線硬化さ
せ、残りの二辺は紫外線硬化させないでボイドが抜ける
ようにしている。
【0016】次の上記の各方策について説明する。図2
乃至図5は、紫外線54の照射等を説明する。真空吸着
ヘッド51の先端のヘッド部51aは石英製である。図
5に示すように、紫外線照射器52、53は、紫外線5
4を半導体ベアチップ10の周囲のうち両側の二つの辺
55、56に沿う部分に照射するように配してある。5
7、58は残りの二つの辺である。
乃至図5は、紫外線54の照射等を説明する。真空吸着
ヘッド51の先端のヘッド部51aは石英製である。図
5に示すように、紫外線照射器52、53は、紫外線5
4を半導体ベアチップ10の周囲のうち両側の二つの辺
55、56に沿う部分に照射するように配してある。5
7、58は残りの二つの辺である。
【0017】真空吸着ヘッド51が半導体ベアチップ1
0を接着剤50に軽く押しつけると、図2(A)及び図
3に示すように、接着剤が半導体ベアチップ10の周囲
にはみ出る。60は辺55にはみ出た接着剤、61は辺
56にはみ出た接着剤、62は辺57にはみ出た接着
剤、63は辺58にはみ出た接着剤である。ここで、接
着剤について、白い部分は硬化されていないことを示
し、右下がりのハッチングは紫外線硬化されたことを示
し、左下がりのハッチングは熱硬化されたことを示す。
0を接着剤50に軽く押しつけると、図2(A)及び図
3に示すように、接着剤が半導体ベアチップ10の周囲
にはみ出る。60は辺55にはみ出た接着剤、61は辺
56にはみ出た接着剤、62は辺57にはみ出た接着
剤、63は辺58にはみ出た接着剤である。ここで、接
着剤について、白い部分は硬化されていないことを示
し、右下がりのハッチングは紫外線硬化されたことを示
し、左下がりのハッチングは熱硬化されたことを示す。
【0018】図1(B)及び図4に示すように、真空吸
着ヘッド51が半導体ベアチップ10を接着剤50に軽
く押しつけた状態で、紫外線照射器52、53を数秒間
動作させて、紫外線54をはみ出た接着剤60、61に
向けて数秒間照射する。ここで、図4に示すように、半
導体ベアチップ10の周囲はヘッド部51aで覆われて
隠れており、且つ、ヘッド部51aとプリント基板20
との間の隙間65の寸法aは約1mmと狭く、紫外線5
4はヘッド部51aに邪魔されて半導体ベアチップ10
の周囲に届き難い。しかし、ヘッド部51aは石英製で
あるため、紫外線54は破線で示すようにヘッド部51
a内を透過して半導体ベアチップ10の周囲の四辺のう
ち両側の二つの辺55、56からはみ出た接着剤60、
61に確実に届き、図2(B)及び図5に示すように、
上記の接着剤60、61の表面の数μmの厚さ部分が瞬
間的に紫外線硬化する。66、67は紫外線硬化された
層である。
着ヘッド51が半導体ベアチップ10を接着剤50に軽
く押しつけた状態で、紫外線照射器52、53を数秒間
動作させて、紫外線54をはみ出た接着剤60、61に
向けて数秒間照射する。ここで、図4に示すように、半
導体ベアチップ10の周囲はヘッド部51aで覆われて
隠れており、且つ、ヘッド部51aとプリント基板20
との間の隙間65の寸法aは約1mmと狭く、紫外線5
4はヘッド部51aに邪魔されて半導体ベアチップ10
の周囲に届き難い。しかし、ヘッド部51aは石英製で
あるため、紫外線54は破線で示すようにヘッド部51
a内を透過して半導体ベアチップ10の周囲の四辺のう
ち両側の二つの辺55、56からはみ出た接着剤60、
61に確実に届き、図2(B)及び図5に示すように、
上記の接着剤60、61の表面の数μmの厚さ部分が瞬
間的に紫外線硬化する。66、67は紫外線硬化された
層である。
【0019】両側に紫外線硬化された層66、67が形
成されたことによって、半導体ベアチップ10は従来に
比べて強い保持力で、即ち、真空吸着ヘッド51が仮付
けされた半導体ベアチップ10から離れるときに受ける
衝撃、プリント基板20を別の場所に移すときに受ける
衝撃、及び加圧加熱ヘッド45が押し当たるときの衝撃
等を受けても半導体ベアチップ10に位置ずれが生じな
い程度の保持力で仮付けされる。なお、辺57にはみ出
た接着剤62及び辺58にはみ出た接着剤68は紫外線
硬化されていず、後述するようにガス抜け個所として機
能する。
成されたことによって、半導体ベアチップ10は従来に
比べて強い保持力で、即ち、真空吸着ヘッド51が仮付
けされた半導体ベアチップ10から離れるときに受ける
衝撃、プリント基板20を別の場所に移すときに受ける
衝撃、及び加圧加熱ヘッド45が押し当たるときの衝撃
等を受けても半導体ベアチップ10に位置ずれが生じな
い程度の保持力で仮付けされる。なお、辺57にはみ出
た接着剤62及び辺58にはみ出た接着剤68は紫外線
硬化されていず、後述するようにガス抜け個所として機
能する。
【0020】この後、真空吸着ヘッド51が仮付けされ
た半導体ベアチップ10から離れ、プリント基板20が
加圧加熱ヘッド45の場所に移され、加圧加熱ヘッド4
5が仮付けされている半導体ベアチップ10を約100
秒間押しつけて加圧すると共に加熱する。これによっ
て、接着剤50の全体が熱硬化される。68は熱硬化さ
れた部分である。
た半導体ベアチップ10から離れ、プリント基板20が
加圧加熱ヘッド45の場所に移され、加圧加熱ヘッド4
5が仮付けされている半導体ベアチップ10を約100
秒間押しつけて加圧すると共に加熱する。これによっ
て、接着剤50の全体が熱硬化される。68は熱硬化さ
れた部分である。
【0021】半導体ベアチップ10は従来に比べて強い
強度で保持されて仮付けされているため、真空吸着ヘッ
ド51が仮付けされた半導体ベアチップ10から離れる
ときに受ける衝撃、プリント基板20を別の場所に移す
ときに受ける衝撃、及び加圧加熱ヘッド45が押し当た
るときの衝撃等を受けても半導体ベアチップ10に位置
ずれが生ぜず、半導体ベアチップ10は位置精度良く実
装される。よって、各スタッドバンプ13がプリント基
板20上の対応する電極21から外れないで電極21に
確実に圧着接合し、電気的接続がされなくなってなって
しまったり、ショートしてしまうことが起きず、結果と
して、半導体ベアチップ実装モジュールを歩留り良く製
造出来る。
強度で保持されて仮付けされているため、真空吸着ヘッ
ド51が仮付けされた半導体ベアチップ10から離れる
ときに受ける衝撃、プリント基板20を別の場所に移す
ときに受ける衝撃、及び加圧加熱ヘッド45が押し当た
るときの衝撃等を受けても半導体ベアチップ10に位置
ずれが生ぜず、半導体ベアチップ10は位置精度良く実
装される。よって、各スタッドバンプ13がプリント基
板20上の対応する電極21から外れないで電極21に
確実に圧着接合し、電気的接続がされなくなってなって
しまったり、ショートしてしまうことが起きず、結果と
して、半導体ベアチップ実装モジュールを歩留り良く製
造出来る。
【0022】なお、上記の熱硬化されるときに受ける熱
によって、接着剤50からガスが発生し、接着剤50を
塗布したときに巻き込んだ空気が膨張し、プリント基板
20に含まれていた水分が蒸発してガスが発生する。こ
れらのガスは、紫外線硬化されていない辺57にはみ出
た接着剤62及び辺58にはみ出た接着剤68の個所か
ら円滑に外に抜け出す。よって、ガスが熱硬化された部
分68内にボイドとして残ることが起きず、よって、半
導体ベアチップ10は十分な強度でプリント基板20に
接着される。
によって、接着剤50からガスが発生し、接着剤50を
塗布したときに巻き込んだ空気が膨張し、プリント基板
20に含まれていた水分が蒸発してガスが発生する。こ
れらのガスは、紫外線硬化されていない辺57にはみ出
た接着剤62及び辺58にはみ出た接着剤68の個所か
ら円滑に外に抜け出す。よって、ガスが熱硬化された部
分68内にボイドとして残ることが起きず、よって、半
導体ベアチップ10は十分な強度でプリント基板20に
接着される。
【0023】なお、場合によっては、半導体ベアチップ
10の全周にはみ出た接着剤の表面を紫外線硬化させて
もよい。また、プリント基板20はフレキシブルなもの
であっても良い。
10の全周にはみ出た接着剤の表面を紫外線硬化させて
もよい。また、プリント基板20はフレキシブルなもの
であっても良い。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1の発明に
よれば、接着剤として、熱硬化性接着剤に紫外線硬化性
接着剤が混合された接着剤を使用し、半導体ベアチップ
を吸着ヘッドを使用して仮付けする工程で、半導体ベア
チップの周囲に紫外線を照射して半導体ベアチップの周
囲にはみ出た接着剤の表面を硬化させるようにしたた
め、紫外線硬化がされなかった従来に比べて強い保持力
で半導体ベアチップを仮付けすることが出来、よって、
仮付け後に受ける衝撃によっても位置ずれが起きないよ
うに出来、よって、電気的接続不良が発生しにくくな
り、半導体ベアチップ実装モジュールを歩留り良く製造
出来る。
よれば、接着剤として、熱硬化性接着剤に紫外線硬化性
接着剤が混合された接着剤を使用し、半導体ベアチップ
を吸着ヘッドを使用して仮付けする工程で、半導体ベア
チップの周囲に紫外線を照射して半導体ベアチップの周
囲にはみ出た接着剤の表面を硬化させるようにしたた
め、紫外線硬化がされなかった従来に比べて強い保持力
で半導体ベアチップを仮付けすることが出来、よって、
仮付け後に受ける衝撃によっても位置ずれが起きないよ
うに出来、よって、電気的接続不良が発生しにくくな
り、半導体ベアチップ実装モジュールを歩留り良く製造
出来る。
【0025】請求項2の発明によれば、紫外線を半導体
ベアチップの周囲のうち両側の二辺のみを照射するた
め、残りの二辺側に紫外線硬化されずにガス抜け個所と
して機能する部分を確保出来、よって、ガスが熱硬化さ
れた部分内にボイドとして残ることが起きず、よって、
半導体ベアチップを十分な強度でプリント基板上に接着
出来る。
ベアチップの周囲のうち両側の二辺のみを照射するた
め、残りの二辺側に紫外線硬化されずにガス抜け個所と
して機能する部分を確保出来、よって、ガスが熱硬化さ
れた部分内にボイドとして残ることが起きず、よって、
半導体ベアチップを十分な強度でプリント基板上に接着
出来る。
【図1】本発明の一実施例になる半導体ベアチップ実装
方法を説明する図である。
方法を説明する図である。
【図2】接着剤の硬化を説明する図である。
【図3】紫外線照射以前の状態を示す図である。
【図4】紫外線を照射している状態を示す図である。
【図5】紫外線を照射している状態を、吸着ヘッドを省
略して示す図である。
略して示す図である。
【図6】半導体ベアチップを示す図である。
【図7】半導体ベアチップが実装されている状態を示す
図である。
図である。
【図8】従来の半導体ベアチップ実装方法を説明する図
である。
である。
10 半導体ベアチップ 13 スタッドバンプ 20 プリント基板 21 電極 30 半導体ベアチップ実装モジュール 45 加圧加熱ヘッド 50 熱硬化性を有するエポキシ樹脂系の接着剤に紫外
線硬化性を有するアクリル樹脂系の接着剤が所定の割合
で混合された接着剤 45 加圧加熱ヘッド 51 真空吸着ヘッド 51a 石英製のヘッド部 52、53 紫外線照射器 54 紫外線 55〜58 辺 60〜63 各辺にはみ出た接着剤 66、67 紫外線硬化された層 68 熱硬化された部分
線硬化性を有するアクリル樹脂系の接着剤が所定の割合
で混合された接着剤 45 加圧加熱ヘッド 51 真空吸着ヘッド 51a 石英製のヘッド部 52、53 紫外線照射器 54 紫外線 55〜58 辺 60〜63 各辺にはみ出た接着剤 66、67 紫外線硬化された層 68 熱硬化された部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 海沼 則夫 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内 (72)発明者 石川 直樹 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内 (72)発明者 江本 哲 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内
Claims (2)
- 【請求項1】 バンプを有する半導体ベアチップを吸着
ヘッドを使用して接着剤が塗布されている基板上に仮付
けし、この後半導体ベアチップを加圧加熱ヘッドにより
押しつけて接着剤を硬化させ半導体ベアチップを基板上
に実装する半導体ベアチップ実装方法において、 上記接着剤として、熱硬化性接着剤に紫外線硬化性接着
剤が混合された接着剤を使用し、 上記仮付け工程後に、紫外線を照射して該半導体ベアチ
ップの周囲にはみ出た接着剤を硬化させるようにしたこ
とを特徴とする半導体ベアチップ実装方法。 - 【請求項2】 請求項1記載の半導体ベアチップ実装方
法において、紫外線を半導体ベアチップの周囲のうち両
側の二辺のみを照射することを特徴とする半導体ベアチ
ップ実装方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9242957A JPH1187413A (ja) | 1997-09-08 | 1997-09-08 | 半導体ベアチップ実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9242957A JPH1187413A (ja) | 1997-09-08 | 1997-09-08 | 半導体ベアチップ実装方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1187413A true JPH1187413A (ja) | 1999-03-30 |
Family
ID=17096752
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP9242957A Withdrawn JPH1187413A (ja) | 1997-09-08 | 1997-09-08 | 半導体ベアチップ実装方法 |
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---|---|
JP (1) | JPH1187413A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US7394163B2 (en) | 2000-04-25 | 2008-07-01 | Fujitsu Limited | Method of mounting semiconductor chip |
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US10825795B2 (en) | 2018-11-06 | 2020-11-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor devices |
-
1997
- 1997-09-08 JP JP9242957A patent/JPH1187413A/ja not_active Withdrawn
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