JPH1177883A - 透明導電性積層体の製造方法 - Google Patents
透明導電性積層体の製造方法Info
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- JPH1177883A JPH1177883A JP9247178A JP24717897A JPH1177883A JP H1177883 A JPH1177883 A JP H1177883A JP 9247178 A JP9247178 A JP 9247178A JP 24717897 A JP24717897 A JP 24717897A JP H1177883 A JPH1177883 A JP H1177883A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 良好な表面平坦性とペン摺動性を有する透明
導電性積層体の製造方法を提供する。 【解決手段】 高分子基体フィルム表面に透明導電層
を積層する透明導電性積層体の製造方法であって、高分
子基体フィルム表面に透明導電層を積層した後、不活性
気体による少なくとも１ｋｇ／ｃｍ2の加圧下におい
て、温度１００〜２００℃で加熱処理することを特徴と
する透明導電性積層体の製造方法。
導電性積層体の製造方法を提供する。 【解決手段】 高分子基体フィルム表面に透明導電層
を積層する透明導電性積層体の製造方法であって、高分
子基体フィルム表面に透明導電層を積層した後、不活性
気体による少なくとも１ｋｇ／ｃｍ2の加圧下におい
て、温度１００〜２００℃で加熱処理することを特徴と
する透明導電性積層体の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高分子フィルムを基
体とする透明導電性積層体の製造方法に関するものであ
り、具体的にはタッチパネル用透明電極に適した透明導
電性積層体の製造方法に関するものである。
体とする透明導電性積層体の製造方法に関するものであ
り、具体的にはタッチパネル用透明電極に適した透明導
電性積層体の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】透明導電性積層体はその透明性および導
電性を利用して、タッチパネル用電極、液晶表示素子用
電極、エレクトロルミネッセンス素子用電極、エレクト
ロクロミック素子用電極、電磁波シールド材などディス
プレイ分野の用途に広く利用されている。
電性を利用して、タッチパネル用電極、液晶表示素子用
電極、エレクトロルミネッセンス素子用電極、エレクト
ロクロミック素子用電極、電磁波シールド材などディス
プレイ分野の用途に広く利用されている。
【０００３】透明導電膜としては、従来から金属薄膜、
金属酸化物薄膜、それらの多層薄膜が広く利用されてい
る。なかでもインジウム−錫酸化物（以下、ＩＴＯとい
う）は透明性、導電性に優れているため広く用いられて
いる。
金属酸化物薄膜、それらの多層薄膜が広く利用されてい
る。なかでもインジウム−錫酸化物（以下、ＩＴＯとい
う）は透明性、導電性に優れているため広く用いられて
いる。
【０００４】これらの透明導電膜の製造方法には、真空
蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、
ゾル−ゲル法などが知られている。なかでもスパッタリ
ング法は長時間にわたり安定した製膜が可能なため大面
積にわたり製膜するのに適しており、高分子基体フィル
ム上に透明導電膜の薄膜を形成することに好適である。
蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、
ゾル−ゲル法などが知られている。なかでもスパッタリ
ング法は長時間にわたり安定した製膜が可能なため大面
積にわたり製膜するのに適しており、高分子基体フィル
ム上に透明導電膜の薄膜を形成することに好適である。
【０００５】高分子基体フィルムは、ガラス基体に比
べ、薄い、軽い、割れない、打ち抜き加工性に優れるな
どの特徴があり、電子情報機器の携帯端末化に切望され
ている材料である。上記用途の中でも、タッチパネル用
電極の場合には、基体として高分子基体フィルムを用い
たものが特に有望である。
べ、薄い、軽い、割れない、打ち抜き加工性に優れるな
どの特徴があり、電子情報機器の携帯端末化に切望され
ている材料である。上記用途の中でも、タッチパネル用
電極の場合には、基体として高分子基体フィルムを用い
たものが特に有望である。
【０００６】タッチパネルとは、２枚の対向した電極の
間にスペーサーを挟んだものである。ぺンなどによる加
重入力時に対向する電極が接触することで入力操作を電
気信号として得、入力解消に伴いもとの形状に戻るとい
うものである。このため、耐屈曲性に優れることが非常
に重要である。すなわち、ペンを用いて繰り返し入力し
ても透明導電層が損傷を受けないこと、つまり良好なペ
ン摺動性が必要不可欠である。また、通常はディスプレ
イの表示部の前面に配置するため、高透明である必要が
ある。よって、タッチパネル用透明電極には、高透明
性、均一な表面抵抗、良好な表面平坦性、良好なペン摺
動性といった全ての性能が要求される。
間にスペーサーを挟んだものである。ぺンなどによる加
重入力時に対向する電極が接触することで入力操作を電
気信号として得、入力解消に伴いもとの形状に戻るとい
うものである。このため、耐屈曲性に優れることが非常
に重要である。すなわち、ペンを用いて繰り返し入力し
ても透明導電層が損傷を受けないこと、つまり良好なペ
ン摺動性が必要不可欠である。また、通常はディスプレ
イの表示部の前面に配置するため、高透明である必要が
ある。よって、タッチパネル用透明電極には、高透明
性、均一な表面抵抗、良好な表面平坦性、良好なペン摺
動性といった全ての性能が要求される。
【０００７】基体としてガラスを用いる場合は、透明導
電膜を形成する際の基体温度をＩＴＯが微結晶化するた
めに必要な２００℃以上にすることができる。さらに透
明導電膜形成後に３００℃以上の高温で熱処理を行うこ
とで、ＩＴＯの結晶性が増し、耐久性が飛躍的に向上す
ることがわかっている。
電膜を形成する際の基体温度をＩＴＯが微結晶化するた
めに必要な２００℃以上にすることができる。さらに透
明導電膜形成後に３００℃以上の高温で熱処理を行うこ
とで、ＩＴＯの結晶性が増し、耐久性が飛躍的に向上す
ることがわかっている。
【０００８】しかしながら、基体として高分子フィルム
を用いる場合は、その耐熱性の低さから透明導電膜を形
成する際の基体温度を低くしなければならず、結晶性の
ＩＴＯが得られないためにタッチパネル用透明電極に求
められる良好なペン摺動性をもつ薄膜を直接製膜できな
いという問題があった。
を用いる場合は、その耐熱性の低さから透明導電膜を形
成する際の基体温度を低くしなければならず、結晶性の
ＩＴＯが得られないためにタッチパネル用透明電極に求
められる良好なペン摺動性をもつ薄膜を直接製膜できな
いという問題があった。
【０００９】この問題に対して、従来の技術として、高
分子フィルム上にＩＴＯ膜を低温で形成した後に１００
℃から２５０℃で加熱処理してＩＴＯを部分的に結晶化
させることで良好なペン摺動性を得る方法が、特開昭６
１−７９６４７号公報、特開平１−１００２６０号公
報、特開平２−１９４９４３号公報、特開平８−６４０
３４号公報などに開示されているが、加熱処理工程の条
件を精密に制御しなければフィルムにかかる熱量が均一
とならずに結晶化度のばらつきが生じて均一な表面抵抗
が得られなかったり、加熱処理温度が高いと高分子フィ
ルムが変形して表面平坦性が失われたり、オリゴマーの
析出により白濁して透明性が損なわれるなど、タッチパ
ネル用透明電極としてのペン摺動性以外の要求性能を損
なうという問題があった。
分子フィルム上にＩＴＯ膜を低温で形成した後に１００
℃から２５０℃で加熱処理してＩＴＯを部分的に結晶化
させることで良好なペン摺動性を得る方法が、特開昭６
１−７９６４７号公報、特開平１−１００２６０号公
報、特開平２−１９４９４３号公報、特開平８−６４０
３４号公報などに開示されているが、加熱処理工程の条
件を精密に制御しなければフィルムにかかる熱量が均一
とならずに結晶化度のばらつきが生じて均一な表面抵抗
が得られなかったり、加熱処理温度が高いと高分子フィ
ルムが変形して表面平坦性が失われたり、オリゴマーの
析出により白濁して透明性が損なわれるなど、タッチパ
ネル用透明電極としてのペン摺動性以外の要求性能を損
なうという問題があった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
問題に鑑み、従来までの技術で培われた高透明性および
均一な表面抵抗を維持しつつ、さらに良好な表面平坦性
とペン摺動性を兼ね備えた透明導電性積層体の製造方法
を提供することにある。
問題に鑑み、従来までの技術で培われた高透明性および
均一な表面抵抗を維持しつつ、さらに良好な表面平坦性
とペン摺動性を兼ね備えた透明導電性積層体の製造方法
を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
の解決について鋭意検討した結果、高分子基体フィルム
の表面に透明導電層を積層した後、特定の加圧条件下で
加熱処理することにより、高透明性、均一な表面抵抗、
良好な表面平坦性、良好なペン摺動性を有する透明導電
性積層体が製造し得ることを見出した。
の解決について鋭意検討した結果、高分子基体フィルム
の表面に透明導電層を積層した後、特定の加圧条件下で
加熱処理することにより、高透明性、均一な表面抵抗、
良好な表面平坦性、良好なペン摺動性を有する透明導電
性積層体が製造し得ることを見出した。
【００１２】すなわち、本発明は、高分子基体フィルム
表面に透明導電層を積層する透明導電性積層体の製造方
法であって、高分子基体フィルム表面に透明導電層を積
層した後、不活性気体による少なくとも１ｋｇ／ｃｍ2
の加圧下において、温度１００〜２００℃で加熱処理す
ることを特徴とする透明導電性積層体の製造方法が提供
される。
表面に透明導電層を積層する透明導電性積層体の製造方
法であって、高分子基体フィルム表面に透明導電層を積
層した後、不活性気体による少なくとも１ｋｇ／ｃｍ2
の加圧下において、温度１００〜２００℃で加熱処理す
ることを特徴とする透明導電性積層体の製造方法が提供
される。
【００１３】従来、常圧において単に加熱処理を行って
いたため、フィルムにかかる熱量が不均一になり、表面
抵抗にばらつきが生じることや、熱により高分子基体フ
ィルムの表面平坦性および高透明性が損なわれるといっ
た問題点があった。これらの問題点を解決するために、
本発明者らは、高分子基体フィルムにかかる熱量が均一
になることと、及び、高分子基体フィルム自体の変形を
外力により抑えることを念頭に置き、特定の加圧条件下
で加熱処理することに思い至ったものである。
いたため、フィルムにかかる熱量が不均一になり、表面
抵抗にばらつきが生じることや、熱により高分子基体フ
ィルムの表面平坦性および高透明性が損なわれるといっ
た問題点があった。これらの問題点を解決するために、
本発明者らは、高分子基体フィルムにかかる熱量が均一
になることと、及び、高分子基体フィルム自体の変形を
外力により抑えることを念頭に置き、特定の加圧条件下
で加熱処理することに思い至ったものである。
【００１４】特定の加圧条件下で加熱処理することによ
り、高分子基体フィルムにかかる熱が短時間で均一に行
き届くこととなる。そのため、次の効果を奏することが
できる。第一の利点として、精密な温度制御など必要な
しに容易に表面抵抗のばらつきを電極として使用できる
程度の低位に抑えることができる。第二の利点として、
加圧により高分子基体フィルムの変形が抑えられ、表面
平坦性を維持できる。第三の利点として、加熱によって
生じるオリゴマーがフィルム内部から表面へ析出するこ
とが抑えられ、白濁および透明性の低下を防ぐことがで
きる。
り、高分子基体フィルムにかかる熱が短時間で均一に行
き届くこととなる。そのため、次の効果を奏することが
できる。第一の利点として、精密な温度制御など必要な
しに容易に表面抵抗のばらつきを電極として使用できる
程度の低位に抑えることができる。第二の利点として、
加圧により高分子基体フィルムの変形が抑えられ、表面
平坦性を維持できる。第三の利点として、加熱によって
生じるオリゴマーがフィルム内部から表面へ析出するこ
とが抑えられ、白濁および透明性の低下を防ぐことがで
きる。
【００１５】また、研究を進めた結果、加圧に用いる気
体の種類によって加熱処理後の透明導電性積層体の性質
に大きく差が生じることも見出した。すなわち、加圧に
酸素などの活性ガスを含む気体を用いると、透明導電層
と反応してペン摺動性を損ねたり、高分子基体フィルム
と反応してその機械強度を損ねたりするため、例えば、
タッチパネル用電極等として使用する際には不活性気体
を用いる方がよいことがわかった。
体の種類によって加熱処理後の透明導電性積層体の性質
に大きく差が生じることも見出した。すなわち、加圧に
酸素などの活性ガスを含む気体を用いると、透明導電層
と反応してペン摺動性を損ねたり、高分子基体フィルム
と反応してその機械強度を損ねたりするため、例えば、
タッチパネル用電極等として使用する際には不活性気体
を用いる方がよいことがわかった。
【００１６】以上のように、本発明により製造した透明
導電性積層体は、優れた屈曲耐久性をもつので、タッチ
パネル用透明電極としてばかりでなく、液晶表示素子用
電極、エレクトロルミネッセンス素子用電極、エレクト
ロクトミック素子用透明電極、電磁波シールド材、透明
面発熱体などの用途にも用いることができる。
導電性積層体は、優れた屈曲耐久性をもつので、タッチ
パネル用透明電極としてばかりでなく、液晶表示素子用
電極、エレクトロルミネッセンス素子用電極、エレクト
ロクトミック素子用透明電極、電磁波シールド材、透明
面発熱体などの用途にも用いることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明で使用する高分子基体フィルムとしては、
４００〜８００ｎｍの可視光線領域において、光線透過
率が８０％以上、さらに好ましくは８５％以上であり、
かつ、１００℃以上の耐熱性、さらに好ましくは１３０
℃以上の耐熱性をもつ高分子フィルムが挙げられる。か
かる特性を有する高分子基体フィルムとしては、例え
ば、ポリエチレンテレフタレート（以下、ＰＥＴとい
う）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエ
ステル、ポリアミド、ポリエーテル、ポリスルフォン、
ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリカーボネー
ト、ポリアリレート、ポリプロピレン、ポリスチレン等
のフィルムが挙げられる。価格、透明性等を考慮する
と、これらの内、ＰＥＴフィルムが好ましい。厚みは、
通常５〜５００μｍ程度である。好ましくは２０〜２０
０μｍである。また、これらの高分子フィルム中に他の
色素分子などをブレンドしてもよい。
する。本発明で使用する高分子基体フィルムとしては、
４００〜８００ｎｍの可視光線領域において、光線透過
率が８０％以上、さらに好ましくは８５％以上であり、
かつ、１００℃以上の耐熱性、さらに好ましくは１３０
℃以上の耐熱性をもつ高分子フィルムが挙げられる。か
かる特性を有する高分子基体フィルムとしては、例え
ば、ポリエチレンテレフタレート（以下、ＰＥＴとい
う）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエ
ステル、ポリアミド、ポリエーテル、ポリスルフォン、
ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリカーボネー
ト、ポリアリレート、ポリプロピレン、ポリスチレン等
のフィルムが挙げられる。価格、透明性等を考慮する
と、これらの内、ＰＥＴフィルムが好ましい。厚みは、
通常５〜５００μｍ程度である。好ましくは２０〜２０
０μｍである。また、これらの高分子フィルム中に他の
色素分子などをブレンドしてもよい。
【００１８】高分子基体フィルムの透明導電膜を形成す
る面と反対の面には、ハードコート層、ガスバリア層、
反射防止層、ニュートンリング発生防止層など各種効果
をもつ修飾層を形成することができる。また、基体フィ
ルムと透明導電層の間に両者の密着性を向上させるため
の層、例えば、水性ポリエステル、シランカップリング
などの層を形成することもできる。
る面と反対の面には、ハードコート層、ガスバリア層、
反射防止層、ニュートンリング発生防止層など各種効果
をもつ修飾層を形成することができる。また、基体フィ
ルムと透明導電層の間に両者の密着性を向上させるため
の層、例えば、水性ポリエステル、シランカップリング
などの層を形成することもできる。
【００１９】本発明で使用する透明導電層としては、Ｉ
ＴＯなどの金属酸化物薄膜、金、銀、銅などの金属薄
膜、およびそれらの多層薄膜が挙げられる。透明性、導
電性等を考慮すると、これらの内、ＩＴＯが好ましい。
ＴＯなどの金属酸化物薄膜、金、銀、銅などの金属薄
膜、およびそれらの多層薄膜が挙げられる。透明性、導
電性等を考慮すると、これらの内、ＩＴＯが好ましい。
【００２０】本発明による加圧下での加熱処理後に、タ
ッチパネル用電極として望まれる８０％以上の光線透過
率および１０００Ω／□以下の表面抵抗を得るために
は、透明導電層の厚みは１０〜１００ｎｍであることが
好ましい。透明導電層の作製法としては、スパッタリン
グ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ゾルゲル
法などが用いられる。長時間の安定製膜性等を考慮する
とスパッタリング法が好ましい。スパッタリング法は、
例えば、ＤＣマグネトロン法、Ｒｆマグネトロン法、イ
オンビーム法等の公知の方法のいずれを適用しても良
い。中でもマグネトロン法は基材への衝撃が少ないので
好ましい。
ッチパネル用電極として望まれる８０％以上の光線透過
率および１０００Ω／□以下の表面抵抗を得るために
は、透明導電層の厚みは１０〜１００ｎｍであることが
好ましい。透明導電層の作製法としては、スパッタリン
グ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ゾルゲル
法などが用いられる。長時間の安定製膜性等を考慮する
とスパッタリング法が好ましい。スパッタリング法は、
例えば、ＤＣマグネトロン法、Ｒｆマグネトロン法、イ
オンビーム法等の公知の方法のいずれを適用しても良
い。中でもマグネトロン法は基材への衝撃が少ないので
好ましい。
【００２１】また、高分子基体フィルムと透明導電層の
間に中間層を挿入してもよい。中間層としては金属、金
属酸化物、金属酸窒化物などが用いられ、透明性を損な
わない限り厚みに制限はなく多層構造にしても構わな
い。さらに、透明導電層の上部に修飾層を設けてもよ
い。上部修飾層にも、金属、金属酸化物、金属酸窒化物
などが用いられ、透明性を損なわない限り厚みに制限は
なく多層構造にしても構わない。これらの中間層および
上部修飾層は、スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ
法、イオンプレーティング法、ゾル−ゲル法、コーティ
ング法などにより形成することができる。
間に中間層を挿入してもよい。中間層としては金属、金
属酸化物、金属酸窒化物などが用いられ、透明性を損な
わない限り厚みに制限はなく多層構造にしても構わな
い。さらに、透明導電層の上部に修飾層を設けてもよ
い。上部修飾層にも、金属、金属酸化物、金属酸窒化物
などが用いられ、透明性を損なわない限り厚みに制限は
なく多層構造にしても構わない。これらの中間層および
上部修飾層は、スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ
法、イオンプレーティング法、ゾル−ゲル法、コーティ
ング法などにより形成することができる。
【００２２】上記のように作製した透明導電性積層体に
加圧下で加熱処理を行う。加圧条件は１ｋｇ／ｃｍ2以
上であればよい。圧力が高いほど加熱処理が短時間で行
えるので好ましい。上限については設備費、安全性等を
考慮すると、通常２０ｋｇ／ｃｍ2程度である。フィル
ム同士の固着などによる表面欠陥が生じること等を（防
止することを）総合的に勘案すると、圧力は２〜１０ｋ
ｇ／ｃｍ2程度であることが好ましい。
加圧下で加熱処理を行う。加圧条件は１ｋｇ／ｃｍ2以
上であればよい。圧力が高いほど加熱処理が短時間で行
えるので好ましい。上限については設備費、安全性等を
考慮すると、通常２０ｋｇ／ｃｍ2程度である。フィル
ム同士の固着などによる表面欠陥が生じること等を（防
止することを）総合的に勘案すると、圧力は２〜１０ｋ
ｇ／ｃｍ2程度であることが好ましい。
【００２３】加圧気体には透明導電層や高分子基体フィ
ルムとの反応を避けるため、不活性気体を用いるのが好
ましい。不活性気体としては、窒素、アルゴンなどが挙
げられる。経済性を考慮すると窒素が望ましい。また、
熱処理温度が高いほどペン摺動性は向上するが、高分子
基体フィルムの機械的強度が劣化する。かかる点を考慮
すると１００〜２００℃程度が好ましい。２００℃を超
えるとフィルムの表面平坦性が失われるため好ましくな
く、１００℃未満ではペン摺動性が向上しないため好ま
しくない。ＰＥＴフィルムを用いた場合は、１２０℃〜
１７０℃が好ましい。熱処理時間は、少なくとも１５分
間程度である。上記温度範囲であれば、通常、１５分〜
２４時間程度が好ましい。
ルムとの反応を避けるため、不活性気体を用いるのが好
ましい。不活性気体としては、窒素、アルゴンなどが挙
げられる。経済性を考慮すると窒素が望ましい。また、
熱処理温度が高いほどペン摺動性は向上するが、高分子
基体フィルムの機械的強度が劣化する。かかる点を考慮
すると１００〜２００℃程度が好ましい。２００℃を超
えるとフィルムの表面平坦性が失われるため好ましくな
く、１００℃未満ではペン摺動性が向上しないため好ま
しくない。ＰＥＴフィルムを用いた場合は、１２０℃〜
１７０℃が好ましい。熱処理時間は、少なくとも１５分
間程度である。上記温度範囲であれば、通常、１５分〜
２４時間程度が好ましい。
【００２４】以上のようにして作製した透明導電性積層
体は、高透明性、均一な表面抵抗、良好な表面平坦性、
良好なペン摺動性を兼ね備えるため、例えば、タッチパ
ネル用電極として最適である。
体は、高透明性、均一な表面抵抗、良好な表面平坦性、
良好なペン摺動性を兼ね備えるため、例えば、タッチパ
ネル用電極として最適である。
【００２５】
【実施例】以下、実施例を示して本発明についてさらに
詳細に説明する。尚、実施例に示したペン摺動性、光線
透過率及び表面平坦性は下記方法により測定した。 （１）ペン摺動性 測定方法の概要を〔図１〕及び〔図２〕に示す。〔図
１〕は、ペン摺動性の測定方法の概要を示す側面模式図
である。図において、ガラス基板１上にスペーサー２を
配置し、その表面に試料である透明導電性積層体３をそ
の透明導電層５を介して重ねる。透明導電性積層体３の
ＰＥＴフィルム層５の表面の摺動性を測定する。ＰＥＴ
フィルム層５の表面のほヾ中央部をペン６で押圧して、
透明導電層４とスペーサー２及びガラス基板１とを摺動
させた。摺動前の抵抗値（Ｒｏ：［Ω］）と摺動後の抵
抗値（Ｒ：［Ω］）との比（Ｒ／Ｒｏ）でペン摺動性を
判定する。（Ｒ／Ｒｏ）値が小さいもの（１に近いも
の）をペン摺動性が良好であると判定する。〔図２〕
は、ペン摺動性測定用試料の形状を示す平面模式図であ
る。幅７０ｍｍ、長さ９０ｍｍの透明導電性積層体３の
透明導電層４側の表面の両端に幅１０ｍｍの抵抗値測定
用銀ペースト電極７、７’を配設して試料とする。摺動
条件は、先端部の直径８ｍｍΦのポリアセタール製ペン
に２５０ｇの加重をかけ、距離３５ｍｍの間を３往復／
秒の速度で１００００回往復させた。
詳細に説明する。尚、実施例に示したペン摺動性、光線
透過率及び表面平坦性は下記方法により測定した。 （１）ペン摺動性 測定方法の概要を〔図１〕及び〔図２〕に示す。〔図
１〕は、ペン摺動性の測定方法の概要を示す側面模式図
である。図において、ガラス基板１上にスペーサー２を
配置し、その表面に試料である透明導電性積層体３をそ
の透明導電層５を介して重ねる。透明導電性積層体３の
ＰＥＴフィルム層５の表面の摺動性を測定する。ＰＥＴ
フィルム層５の表面のほヾ中央部をペン６で押圧して、
透明導電層４とスペーサー２及びガラス基板１とを摺動
させた。摺動前の抵抗値（Ｒｏ：［Ω］）と摺動後の抵
抗値（Ｒ：［Ω］）との比（Ｒ／Ｒｏ）でペン摺動性を
判定する。（Ｒ／Ｒｏ）値が小さいもの（１に近いも
の）をペン摺動性が良好であると判定する。〔図２〕
は、ペン摺動性測定用試料の形状を示す平面模式図であ
る。幅７０ｍｍ、長さ９０ｍｍの透明導電性積層体３の
透明導電層４側の表面の両端に幅１０ｍｍの抵抗値測定
用銀ペースト電極７、７’を配設して試料とする。摺動
条件は、先端部の直径８ｍｍΦのポリアセタール製ペン
に２５０ｇの加重をかけ、距離３５ｍｍの間を３往復／
秒の速度で１００００回往復させた。
【００２６】（２）光線透過率（％） 霞度計（日本電色工業（株）製、形式：ＮＤＨ−３００
Ａ）を用いて、ＪＩＳＫ−７１０５に規定される方法に
基づいて測定した。 （３）表面平坦性 熱処理後の試料（サイズ：Ａ４版）の表裏両面を目視に
より観察した。ウロコ状の斑紋が観察されたものを不
良、観察されないものを良好と評価した。
Ａ）を用いて、ＪＩＳＫ−７１０５に規定される方法に
基づいて測定した。 （３）表面平坦性 熱処理後の試料（サイズ：Ａ４版）の表裏両面を目視に
より観察した。ウロコ状の斑紋が観察されたものを不
良、観察されないものを良好と評価した。
【００２７】調製例１ ＜透明導電性積層体の製造＞可視光線透過率８８％、厚
み１８８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）
フィルムの片面に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法
にて透明導電層を形成した。すなわち、真空槽を４×１
０-3Ｐａまで減圧した後、アルゴンガスを圧力が０．３
Ｐａになるまで導入し、酸化錫の含有量が１０重量％で
ある酸化インジウム−酸化錫ターゲットに６ｋＷの電力
を投入し、更に、得られる比抵抗が最小となるように、
凡そ０．００１Ｐａの酸素ガスを導入した。これによ
り、厚み２０ｎｍのＩＴＯ層を透明導電層とする透明導
電性積層体を形成した。
み１８８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）
フィルムの片面に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法
にて透明導電層を形成した。すなわち、真空槽を４×１
０-3Ｐａまで減圧した後、アルゴンガスを圧力が０．３
Ｐａになるまで導入し、酸化錫の含有量が１０重量％で
ある酸化インジウム−酸化錫ターゲットに６ｋＷの電力
を投入し、更に、得られる比抵抗が最小となるように、
凡そ０．００１Ｐａの酸素ガスを導入した。これによ
り、厚み２０ｎｍのＩＴＯ層を透明導電層とする透明導
電性積層体を形成した。
【００２８】実施例１〜６、比較例１〜６ 上記の如くして得られた透明導電性積層体を〔表１〕に
示す雰囲気（加圧気体）、圧力及び加熱温度の各条件下
で加圧加熱処理を行なった。処理時間は２時間とした。
加圧加熱処理後の透明導電性積層体について、上記方法
によりペン摺動性、光線透過率及び表面平坦性を測定し
た。尚、比較例１では加圧加熱処理を実施しなかった。
得られた結果を〔表１〕に示す。
示す雰囲気（加圧気体）、圧力及び加熱温度の各条件下
で加圧加熱処理を行なった。処理時間は２時間とした。
加圧加熱処理後の透明導電性積層体について、上記方法
によりペン摺動性、光線透過率及び表面平坦性を測定し
た。尚、比較例１では加圧加熱処理を実施しなかった。
得られた結果を〔表１〕に示す。
【００２９】
【表１】
【００３０】
【発明の効果】本発明により、透明性および表面平坦性
を損なうことなしにペン摺動性が大幅に改善された透明
導電性積層体が提供される。得られた透明導電性積層体
はタッチパネル用電極として最適である。
を損なうことなしにペン摺動性が大幅に改善された透明
導電性積層体が提供される。得られた透明導電性積層体
はタッチパネル用電極として最適である。
【図１】は、ペン摺動性の測定方法の概要を示す側面模
式図である。
式図である。
【図２】は、ペン摺動性測定用試料の形状を示す平面模
式図である。
式図である。
１ ガラス基板 ２ スペーサー ３ 透明導電性積層体 ４ 透明導電層 ５ ＰＥＴフィルム ６ ペン ７、７’ 抵抗値測定用銀ペースト電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ２３Ｃ 14/08 Ｃ２３Ｃ 14/08 Ｄ Ｇ０２Ｆ 1/1343 Ｇ０２Ｆ 1/1343 Ｈ０１Ｂ 5/14 Ｈ０１Ｂ 5/14 Ａ Ｈ０１Ｌ 29/40 Ｈ０１Ｌ 29/40 Ａ (72)発明者 原田 祐一郎 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井東圧化学株式会社内 (72)発明者 坂井 祥浩 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井東圧化学株式会社内 (72)発明者 中島 明美 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井東圧化学株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 高分子基体フィルム表面に透明導電層を
積層する透明導電性積層体の製造方法であって、高分子
基体フィルム表面に透明導電層を積層した後、不活性気
体による少なくとも１ｋｇ／ｃｍ2の加圧下において、
温度１００〜２００℃で加熱処理することを特徴とする
透明導電性積層体の製造方法。 - 【請求項２】 高分子基体フィルムの厚みが５〜５００
μｍであることを特徴とする請求項１記載の透明導電性
積層体の製造方法。 - 【請求項３】 高分子基体フィルムがポリエチレンテレ
フタレートフィルムであることを特徴とする請求項１記
載の透明導電性積層体の製造方法。 - 【請求項４】 透明導電層の厚みが１０〜１００ｎｍで
あることを特徴とする請求項１記載の透明導電性積層体
の製造方法。 - 【請求項５】 透明導電層がインジウム−錫酸化物であ
ることを特徴とする請求項１記載の透明導電性積層体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9247178A JPH1177883A (ja) | 1997-09-11 | 1997-09-11 | 透明導電性積層体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9247178A JPH1177883A (ja) | 1997-09-11 | 1997-09-11 | 透明導電性積層体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1177883A true JPH1177883A (ja) | 1999-03-23 |
Family
ID=17159610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9247178A Pending JPH1177883A (ja) | 1997-09-11 | 1997-09-11 | 透明導電性積層体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1177883A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001047709A1 (fr) * | 1999-12-28 | 2001-07-05 | Tdk Corporation | Film fonctionnel et son procede de preparation |
| JP2004010911A (ja) * | 2002-06-03 | 2004-01-15 | Konica Minolta Holdings Inc | 透明導電膜の形成方法及びた透明導電膜を有する物品 |
-
1997
- 1997-09-11 JP JP9247178A patent/JPH1177883A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001047709A1 (fr) * | 1999-12-28 | 2001-07-05 | Tdk Corporation | Film fonctionnel et son procede de preparation |
| JP2004010911A (ja) * | 2002-06-03 | 2004-01-15 | Konica Minolta Holdings Inc | 透明導電膜の形成方法及びた透明導電膜を有する物品 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050301 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050621 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051018 |